半導体装置の製造方法
【課題】 本発明は、特性にばらつきが生じることを抑制して歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、層間絶縁膜の所望の領域を除去し、当該除去した領域を埋め込むように、半導体基板及び層間絶縁膜上に導電性材料を堆積して膜を形成するステップと、層間絶縁膜と略同一の高さを有するように膜を平坦化することにより、導電性材料を埋め込んで第1の導電層を形成するステップと、埋め込まれた第1の導電層の上面に希釈コリン水溶液を用いた処理を行うステップとを備えることを特徴とする。
【解決手段】 半導体基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、層間絶縁膜の所望の領域を除去し、当該除去した領域を埋め込むように、半導体基板及び層間絶縁膜上に導電性材料を堆積して膜を形成するステップと、層間絶縁膜と略同一の高さを有するように膜を平坦化することにより、導電性材料を埋め込んで第1の導電層を形成するステップと、埋め込まれた第1の導電層の上面に希釈コリン水溶液を用いた処理を行うステップとを備えることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体製造工程では、例えばMISFETなどの半導体素子が形成された半導体基板上に、層間絶縁膜を形成し、当該層間絶縁膜内に半導体基板表面とコンタクトをとるためのコンタクトプラグを形成する。そして、これら層間絶縁膜及びコンタクトプラグ上に、さらに層間絶縁膜を形成する。
【0003】
この層間絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、露光及び現像を行うことにより、コンタクトプラグの上面が開口するパターンを有するレジストマスクを形成する。
【0004】
このレジストマスクをマスクとして、層間絶縁膜の表面部分にエッチングを行って、所定の深さだけ除去することにより、当該層間絶縁膜に配線用の溝を形成し、コンタクトプラグの上面を露出させる。
【0005】
そしてレジストマスクを酸化して除去した後、レジスト残渣などの堆積物を、有機溶剤にNH4Fを添加した有機F系と呼ばれる薬液を用いて除去する。
【0006】
ところで、この有機F系によってエッチングを行うと、配線用の溝の横方向にもエッチングが進行し、これにより当該溝の幅が広くなる。その結果、この溝に銅を埋め込んでコンタクトプラグに接続するように銅配線を形成すると、マスクパターンより広い幅の銅配線を形成することになり、配線抵抗が設計値と異なって、特性にばらつきが生じるという問題があった。
【0007】
以下、レジスト残渣の除去に関する文献名を記載する。
【特許文献1】特表2002−520812
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明は、特性にばらつきが生じることを抑制して歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の一態様による半導体装置の製造方法は、
半導体基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜の所望の領域を除去し、当該除去した領域を埋め込むように、前記半導体基板及び前記層間絶縁膜上に導電性材料を堆積して膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜と略同一の高さを有するように前記膜を平坦化することにより、前記導電性材料を埋め込んで第1の導電層を形成するステップと、
前記埋め込まれた前記第1の導電層の上面に希釈コリン水溶液を用いた処理を行うステップと
を備えることを特徴とする。
【0010】
本発明の一態様による半導体装置の製造方法は、
半導体基板上に第1の層間絶縁膜を形成するステップと、
前記第1の層間絶縁膜の所望の領域を除去し、当該除去した領域を埋め込むように、前記半導体基板及び前記第1の層間絶縁膜上に導電性材料を堆積して膜を形成するステップと、
前記第1の層間絶縁膜と略同一の高さを有するように前記膜を平坦化することにより、前記導電性材料を埋め込んで導電層を形成するステップと、
前記第1の層間絶縁膜及び前記埋め込まれた前記導電層上に第2の層間絶縁膜を形成するステップと、
前記第2の層間絶縁膜上に、前記導電層の一部又は全部の上面が開口するパターンを有するマスクを形成するステップと、
前記マスクを用いて、前記第2の層間絶縁膜にエッチングを行うことにより、前記導電層の上面を露出するステップと、
前記露出された前記導電層の上面に希釈コリン水溶液を用いた処理を行うステップと
を備えることを特徴とする。
【0011】
また本発明の一態様による半導体装置の製造方法は、
半導体基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜のうち、プラグを形成するためのプラグ形成領域を除去することにより、前記半導体基板の表面を露出するステップと、
前記層間絶縁膜のうち、配線を形成するための配線形成領域を除去することにより、前記層間絶縁膜を所定の深さまで除去するステップと、
前記プラグ形成領域及び前記配線形成領域を埋め込むように、導電性材料を堆積して膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜と略同一の高さを有するように前記膜を平坦化することにより、前記プラグ及び前記配線を形成するステップと、
前記配線の上面に形成された酸化膜を希釈コリン水溶液を用いて除去するステップと
を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【0012】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、特性にばらつきが生じることを抑制して歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0013】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0014】
(1)第1の実施の形態
図1〜図10に、本発明の第1の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す。まず図1に示すように、例えばMISFET(図示せず)などの半導体素子が形成された半導体基板10上に、例えばシリコン酸化(SiO2)膜からなる層間絶縁膜20を形成し、当該層間絶縁膜20の表面をCMP(Chemical Mechanical Polishing)などによって平坦化する。
【0015】
なお、この層間絶縁膜20は、配線遅延の問題を回避するために、シリコン酸化(SiO2)膜より誘電率が低い低誘電率膜(Low-k膜)を適用しても良い。この低誘電率膜としては、有機材料からなる有機低誘電率膜や、シリコン酸化(SiO2)膜にフッ素をドーピング(添加)したSiOF膜、シリコン酸化(SiO2)膜に数%の炭素をドーピング(添加)したSiOC膜、多孔性のポーラスSiOC膜、SiCN膜などを使用することができる。また、これらの膜を2種類以上積層することにより、組み合わせて用いることもできる。
【0016】
この層間絶縁膜20の所望の領域を除去することによりコンタクトホールを形成した後、当該コンタクトホールを埋め込むように、半導体基板10及び層間絶縁膜20上に導電性材料のタングステン(W)を堆積して成膜することにより、タングステン膜を形成する。
【0017】
そしてこのタングステン膜を平坦化することにより、層間絶縁膜20に、半導体基板10表面と配線層を接続するためのプラグとして、タングステンプラグ30を形成する。なお、プラグとしては、タングステンプラグ30に限らず、例えばポリシリコンプラグや、他の金属プラグを使用することもできる。なお、タングステンを含め金属のプラグを使用する場合は下層にバリアメタルを積層して使用することが望ましい。
【0018】
ところで、タングステン膜を平坦化する際、又はタングステン膜を平坦化した後の自然酸化によって、タングステンプラグ30の上面が酸化されることにより、当該タングステンプラグ30の上面に、タングステン酸化膜35が形成される。このタングステン酸化膜35は、接触抵抗が高くなる原因となるため、除去することが望ましい。
【0019】
図2に示すように、コリン(Choline:水酸化2−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウム)を純水で希釈した希釈コリン水溶液を用いてタングステンプラグ30の上面を処理することにより、タングステン酸化膜35をエッチングして除去する。また希釈コリン水溶液を用いて処理する際、レジスト残渣などの堆積物を除去することができる。
【0020】
これにより接触抵抗が高くなることを回避することができ、従って特性にばらつきが生じることを抑制して歩留まりを向上させることができる。なお、タングステン酸化膜35を効果的に除去するための処理条件などは後述する。
【0021】
図3に示すように、層間絶縁膜20及びタングステンプラグ30上に、例えばシリコン酸化(SiO2)膜からなる層間絶縁膜40を堆積して形成する。なお、この層間絶縁膜40は、層間絶縁膜20と同様に、シリコン酸化(SiO2)膜より誘電率が低い低誘電率膜(Low-k膜)を適用しても良い。この低誘電率膜としては、有機低誘電率膜、SiOF膜、SiOC膜、ポーラスSiOC膜、SiCN膜などを使用することができる。また、これらの膜を2種類以上積層することにより、組み合わせて用いることもできる。
【0022】
図4に示すように、層間絶縁膜40上にフォトレジストを塗布し、露光及び現像を行うことにより、タングステンプラグ30の上面が開口するパターンを有するレジストマスク50を形成する。
【0023】
図5に示すように、このレジストマスク50をマスクとして、層間絶縁膜40にエッチングを行って、当該層間絶縁膜40をタングステンプラグ30の略上端に位置する深さまで除去することにより、層間絶縁膜40に配線用の溝60を形成すると共に、当該タングステンプラグ30の上面を露出する。
【0024】
図6に示すように、レジストマスク50を酸化して除去するアッシングを行う。その際、露出しているタングステンプラグ30の上面が酸化され、当該タングステンプラグ30の上面には、タングステン酸化膜70が形成される。このタングステン酸化膜70は、接触抵抗が高くなる原因となるため、除去することが望ましい。
【0025】
また図4に示す層間絶縁膜40上に、ハードマスクとなる異なる膜を堆積しておき、レジストマスク50によってハードマスクを加工し、一旦レジストマスク50のパターンをハードマスクに転写した後に、レジストマスク50をアッシングなどで除去しても良い。この場合、ハードマスクをマスクとして層間絶縁膜40をタングステンプラグ30の略上端に位置する深さまで除去することにより、当該タングステンプラグ30の上面を露出することができる。その際、タングステンプラグ30の上面には、自然酸化によってタングステン酸化膜70が形成される。
【0026】
図7に示すように、コリンを純水で希釈した希釈コリン水溶液を用いてタングステンプラグ30の上面を処理することにより、タングステン酸化膜70をエッチングして除去する。
【0027】
希釈コリン水溶液を用いてタングステン酸化膜70を除去する方法としては、枚葉処理の場合には、希釈コリン水溶液をタングステンプラグ30の上面に吐出することによりタングステン酸化膜70を除去する方法と、バッチ処理の場合には、半導体基板10を希釈コリン水溶液に浸漬することによりタングステン酸化膜70を除去する方法とがある。
【0028】
なお、この場合、タングステン酸化膜70を効果的に除去するための処理条件としては、希釈コリン水溶液の濃度が0.01〜10重量%の範囲内であることが望ましい。特に、枚葉処理の場合は、希釈コリン水溶液の濃度が0.1〜0.5重量%の範囲内、温度が60〜80℃の範囲内であることが望ましい。
【0029】
これにより、例えば濃度が0.1〜0.5重量%の希釈コリン水溶液を用いて、80℃の温度で90秒間処理すると、図11に示すように、タングステン酸化膜70を約9nm除去することができる。なお、図11における横軸は、直径200mmの円形基板面内の直径方向における位置を表し、基板の中心点を通る線上において、一方の端点を位置1、中心点を位置11、他方の端点を位置21となるように選定されている。
【0030】
すなわち、この図11に示すように、タングステン酸化膜70の膜厚は、希釈コリン水溶液を用いて処理する前は、約9nmであったが、希釈コリン水溶液を用いて処理した後は、約0nmになっている。
【0031】
ところで、エッチング溶液として希釈コリン水溶液を使用した場合には、タングステン酸化膜70は、層間絶縁膜40を形成するシリコン酸化(SiO2)膜よりも、エッチングレートが速く選択比が大きいため、エッチングが行われ易い。
【0032】
従って、例えば濃度が0.1〜0.5重量%の希釈コリン水溶液を用いて、80℃の温度で120秒間処理した場合には、タングステン酸化膜70のエッチング量は約9nmであるのに対して、層間絶縁膜40のエッチング量は、図12に示すように、層間絶縁膜40の種類にかかわらず、1nm以下に抑制することができる。
【0033】
より具体的には、層間絶縁膜40のエッチング量は、当該層間絶縁膜40がシリコン酸化(SiO2)膜の場合には0.198nm、有機低誘電率膜の場合には0.031nm、SiOC膜の場合には0.027nm、ポーラスSiOC膜の場合には0.332nm、SiCN膜の場合には0.046nmである。
【0034】
これに対して、エッチング溶液として有機F系を使用した場合には、層間絶縁膜のエッチングレートが速くなるため、層間絶縁膜のエッチング量が増加することになる。従って、例えば有機F系を用いて120秒間処理すると、層間絶縁膜がシリコン酸化(SiO2)膜の場合には、そのエッチング量は約2〜3nmになる。
【0035】
このようにエッチング溶液として希釈コリン水溶液を使用すれば、タングステン酸化膜70を除去することができると共に、層間絶縁膜40のエッチング量を抑制することができる。従って、層間絶縁膜40に形成された配線用の溝60の幅、すなわち後に形成される銅配線の幅を広げることなく、タングステン酸化膜70を除去することができる。
【0036】
なお、枚葉処理の場合には、希釈コリン水溶液を吐出する際、当該希釈コリン水溶液と共に温水を吐出しても良く、この場合、温水の温度は、室温から100℃未満の間で選定することができる。
【0037】
また、希釈コリン水溶液に微量のフッ化水素(HF)を添加することにより、層間絶縁膜20及び40表面のうち、例えばエッチング工程やアッシング工程などの種々のプロセスを行うことによって改質した部分を除去することができる。
【0038】
図8に示すように、層間絶縁膜20及び40の全面に、バリアメタル膜80と、メッキ処理のシード層となるシード銅(Cu)膜90とを、スパッタリング法によって順次形成した後、図9に示すように、銅を主成分とした膜をメッキ法によって全面に形成することにより、バリアメタル膜80及び銅膜100を形成する。
【0039】
図10に示すように、バリアメタル膜80及び銅膜100をCMP法によって研磨することにより、銅配線110を形成する。これによりフォトマスクに応じた幅の銅配線110を形成することができ、従って配線抵抗を設計値と同一にすることができる。また隣り合う銅配線110の間隔を確保でき、よって隣り合う銅配線110同士がショートすることを回避することができる。なお、この場合、銅配線110に限らず、例えばアルミニウム(Al)など、他の金属による金属配線を形成しても良い。
【0040】
(2)第2の実施の形態
図13〜図18に、本発明の第2の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す。まず、図13に示すように、半導体基板200上に、例えばシリコン酸化(SiO2)膜からなる層間絶縁膜210を形成し、当該層間絶縁膜210の表面をCMPなどによって平坦化する。
【0041】
この層間絶縁膜210の所望の領域を除去することによりコンタクトホールを形成した後、当該コンタクトホールを埋め込むように、半導体基板200及び層間絶縁膜210上にタングステン(W)膜を堆積する。そしてこのタングステン膜を平坦化することにより、層間絶縁膜210に、コンタクトプラグとしてタングステンプラグ220を形成する。
【0042】
ところで、タングステン膜を平坦化する際、又はタングステン膜を平坦化した後の自然酸化によって、タングステンプラグ220の上面が酸化されることにより、当該タングステンプラグ220の上面に、タングステン酸化膜230が形成される。このタングステン酸化膜230は、接触抵抗が高くなる原因となるため、除去することが望ましい。
【0043】
図14に示すように、第1の実施の形態と同様に、コリンを純水で希釈した希釈コリン水溶液を用いてタングステンプラグ220の上面を処理することにより、タングステン酸化膜230をエッチングして除去する。これにより接触抵抗が高くなることを回避することができ、従って特性にばらつきが生じることを抑制して歩留まりを向上させることができる。なお、タングステン酸化膜35を効果的に除去するための処理条件などは、第1の実施の形態と同様である。
【0044】
図15に示すように、層間絶縁膜210及びタングステンプラグ220上に、バリアメタル膜240をスパッタリング法によって形成した後、当該バリアメタル膜240上に配線材料としてのアルミニウム(Al)膜250を形成し、当該アルミニウム(Al)膜250上にさらにバリアメタル膜260を形成する。
【0045】
なお、層間絶縁膜210及びタングステンプラグ220上に、バリアメタル膜240を介して成膜する配線材料は、必ずしもアルミニウム(Al)膜250に限らず、種々の配線材料を成膜することが可能である。また、下層及び上層のバリアメタル膜240及び260、このうち特に上層のバリアメタル膜260は、必ずしも成膜する必要はない。
【0046】
図16に示すように、バリアメタル膜260上にフォトレジストを塗布し、露光及び現像を行うことにより、タングステンプラグ220に対応するパターンを有するレジストマスク270を形成する。
【0047】
図17に示すように、このレジストマスク270をマスクとして、バリアメタル膜240、アルミニウム(Al)膜250及びバリアメタル膜260にエッチングを行って、当該バリアメタル膜240、アルミニウム(Al)膜250及びバリアメタル膜260の所望の領域を除去することにより、タングステンプラグ220上にアルミニウム配線290を形成する。
【0048】
図18に示すように、レジストマスク50を酸化して除去するアッシングを行う。そして、このアルミニウム配線290上にさらにタングステンプラグ及びアルミニウム配線を順次形成してアルミニウム配線を積層していくことにより、多層配線を形成する。
【0049】
このように本実施の形態によれば、接触抵抗が高くなることを回避することができ、従って特性にばらつきが生じることを抑制して歩留まりを向上させることができる。
【0050】
(3)第3の実施の形態
図19〜図27に、本発明の第3の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す。まず図19に示すように、半導体基板300上に、例えばシリコン酸化(SiO2)膜からなる層間絶縁膜310を形成し、当該層間絶縁膜310の表面をCMPなどによって平坦化する。
【0051】
この層間絶縁膜310上に、コンタクトホール形成用のレジストマスクを形成し、当該レジストマスクをマスクとしてエッチングを行って、当該層間絶縁膜310のうち、プラグを形成するためのプラグ形成領域を除去することにより、まずコンタクトホール315を形成する。その後、このコンタクトホール形成用のレジストマスクを除去する。
【0052】
さらに、配線用溝を形成するためのレジストマスクを形成し、エッチング時間を指定した上で、このレジストマスクをマスクとしてさらに層間絶縁膜310にエッチングを行って、当該層間絶縁膜310のうち、配線を形成するための配線形成領域を除去することにより、層間絶縁膜310を所定の深さまで除去し、配線用溝316を形成する。その後、この配線用溝を形成するためのレジストマスクを除去する。
【0053】
コンタクトホール315及び配線用溝316の内部表面上に、バリアメタル膜320を形成し、当該バリアメタル膜320を埋め込むようにタングステン(W)膜を堆積する。そしてこれらバリアメタル膜320及びタングステン膜を平坦化することにより、層間絶縁膜310に、コンタクトプラグとしてのタングステンプラグ330及びタングステン配線340を形成する。
【0054】
ところで、タングステン膜を平坦化する際、又はタングステン膜を平坦化した後の自然酸化によって、タングステン配線340の上面が酸化されることにより、当該タングステン配線340の上面に、タングステン酸化膜350が形成される。このタングステン酸化膜350は、接触抵抗が高くなる原因となるため、除去することが望ましい。
【0055】
図20に示すように、コリンを純水で希釈した希釈コリン水溶液を用いてタングステン配線340の上面を処理することにより、タングステン酸化膜350をエッチングして除去する。これにより接触抵抗が高くなることを回避することができ、従って特性にばらつきが生じることを抑制して歩留まりを向上させることができる。なお、タングステン酸化膜350を効果的に除去するための処理条件などは、第1の実施の形態と同様である。
【0056】
図21に示すように、層間絶縁膜310、バリアメタル膜320及びタングステン配線340上に、例えばシリコン酸化(SiO2)膜からなる層間絶縁膜360を堆積して形成する。図22に示すように、層間絶縁膜360上にフォトレジストを塗布し、露光及び現像を行うことにより、タングステン配線340の上面が開口するパターンを有するレジストマスク370を形成する。
【0057】
図23に示すように、このレジストマスク370をマスクとして、層間絶縁膜360にエッチングを行って、当該層間絶縁膜360をタングステン配線340の略上端に位置する深さまで除去することにより、層間絶縁膜360にコンタクトホール380を形成すると共に、当該タングステン配線340の上面の一部を露出する。
【0058】
図24に示すように、レジストマスク370を酸化して除去するアッシングを行う。その際、露出しているタングステン配線340の上面が酸化され、当該タングステン配線340の上面の一部には、タングステン酸化膜390が形成される。このタングステン酸化膜390は、接触抵抗が高くなる原因となるため、除去することが望ましい。
【0059】
図25に示すように、コリンを純水で希釈した希釈コリン水溶液を用いてタングステン配線340の上面を処理することにより、タングステン酸化膜390をエッチングして除去する。なお、タングステン酸化膜390を効果的に除去するための具体的な処理条件は、第1の実施の形態と同様である。
【0060】
このようにエッチング溶液として希釈コリン水溶液を使用すれば、タングステン酸化膜390を除去することができると共に、第1の実施の形態の場合と同様に、層間絶縁膜360のエッチング量を抑制することができる。従って、層間絶縁膜360に形成されたコンタクトホール380の幅、すなわち後に形成されるタングステンプラグの幅を広げることなく、タングステン酸化膜390を除去することができる。
【0061】
図26に示すように、層間絶縁膜360及びタングステン配線340上に、バリアメタル膜400をスパッタリング法によって形成した後、タングステン膜410をCVD法によって全面に形成する。
【0062】
図27に示すように、バリアメタル膜400及びタングステン膜410をCMP法によって研磨することにより、タングステンプラグ420を形成する。これによりフォトマスクに応じた幅のタングステンプラグ420を形成することができ、従って特性にばらつきが生じることを抑制することができる。
【0063】
(4)他の実施の形態
なお上述の実施の形態は一例であって、本発明を限定するものではない。例えば、濃度が0.1〜0.5重量%の希釈コリン水溶液を用いてタングステンプラグ30、220又はタングステン配線340を処理する際の温度は、必ずしも80℃に限らず、室温〜80℃の範囲内であれば良い。
【図面の簡単な説明】
【0064】
【図1】本発明の第1の実施の形態による半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図2】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図3】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図4】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図5】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図6】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図7】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図8】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図9】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図10】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図11】希釈コリン水溶液を用いて処理する前と処理した後における、タングステン酸化膜の膜厚を示す説明図である。
【図12】層間絶縁膜とそのエッチング量の関係を示す説明図である。
【図13】本発明の第2の実施の形態による半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図14】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図15】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図16】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図17】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図18】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図19】本発明の第3の実施の形態による半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図20】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図21】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図22】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図23】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図24】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図25】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図26】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図27】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【0065】
10、200、300 半導体基板
20、40、210、310、360 層間絶縁膜
30、220、330、420 タングステンプラグ
35、70、230、350、390 タングステン酸化膜
50、270、370 レジストマスク
60 溝
90 シード銅膜
100 銅膜
110 銅配線
250 アルミニウム膜
290 アルミニウム配線
340 タングステン配線
380 コンタクトホール
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体製造工程では、例えばMISFETなどの半導体素子が形成された半導体基板上に、層間絶縁膜を形成し、当該層間絶縁膜内に半導体基板表面とコンタクトをとるためのコンタクトプラグを形成する。そして、これら層間絶縁膜及びコンタクトプラグ上に、さらに層間絶縁膜を形成する。
【0003】
この層間絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、露光及び現像を行うことにより、コンタクトプラグの上面が開口するパターンを有するレジストマスクを形成する。
【0004】
このレジストマスクをマスクとして、層間絶縁膜の表面部分にエッチングを行って、所定の深さだけ除去することにより、当該層間絶縁膜に配線用の溝を形成し、コンタクトプラグの上面を露出させる。
【0005】
そしてレジストマスクを酸化して除去した後、レジスト残渣などの堆積物を、有機溶剤にNH4Fを添加した有機F系と呼ばれる薬液を用いて除去する。
【0006】
ところで、この有機F系によってエッチングを行うと、配線用の溝の横方向にもエッチングが進行し、これにより当該溝の幅が広くなる。その結果、この溝に銅を埋め込んでコンタクトプラグに接続するように銅配線を形成すると、マスクパターンより広い幅の銅配線を形成することになり、配線抵抗が設計値と異なって、特性にばらつきが生じるという問題があった。
【0007】
以下、レジスト残渣の除去に関する文献名を記載する。
【特許文献1】特表2002−520812
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明は、特性にばらつきが生じることを抑制して歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の一態様による半導体装置の製造方法は、
半導体基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜の所望の領域を除去し、当該除去した領域を埋め込むように、前記半導体基板及び前記層間絶縁膜上に導電性材料を堆積して膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜と略同一の高さを有するように前記膜を平坦化することにより、前記導電性材料を埋め込んで第1の導電層を形成するステップと、
前記埋め込まれた前記第1の導電層の上面に希釈コリン水溶液を用いた処理を行うステップと
を備えることを特徴とする。
【0010】
本発明の一態様による半導体装置の製造方法は、
半導体基板上に第1の層間絶縁膜を形成するステップと、
前記第1の層間絶縁膜の所望の領域を除去し、当該除去した領域を埋め込むように、前記半導体基板及び前記第1の層間絶縁膜上に導電性材料を堆積して膜を形成するステップと、
前記第1の層間絶縁膜と略同一の高さを有するように前記膜を平坦化することにより、前記導電性材料を埋め込んで導電層を形成するステップと、
前記第1の層間絶縁膜及び前記埋め込まれた前記導電層上に第2の層間絶縁膜を形成するステップと、
前記第2の層間絶縁膜上に、前記導電層の一部又は全部の上面が開口するパターンを有するマスクを形成するステップと、
前記マスクを用いて、前記第2の層間絶縁膜にエッチングを行うことにより、前記導電層の上面を露出するステップと、
前記露出された前記導電層の上面に希釈コリン水溶液を用いた処理を行うステップと
を備えることを特徴とする。
【0011】
また本発明の一態様による半導体装置の製造方法は、
半導体基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜のうち、プラグを形成するためのプラグ形成領域を除去することにより、前記半導体基板の表面を露出するステップと、
前記層間絶縁膜のうち、配線を形成するための配線形成領域を除去することにより、前記層間絶縁膜を所定の深さまで除去するステップと、
前記プラグ形成領域及び前記配線形成領域を埋め込むように、導電性材料を堆積して膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜と略同一の高さを有するように前記膜を平坦化することにより、前記プラグ及び前記配線を形成するステップと、
前記配線の上面に形成された酸化膜を希釈コリン水溶液を用いて除去するステップと
を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【0012】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、特性にばらつきが生じることを抑制して歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0013】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0014】
(1)第1の実施の形態
図1〜図10に、本発明の第1の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す。まず図1に示すように、例えばMISFET(図示せず)などの半導体素子が形成された半導体基板10上に、例えばシリコン酸化(SiO2)膜からなる層間絶縁膜20を形成し、当該層間絶縁膜20の表面をCMP(Chemical Mechanical Polishing)などによって平坦化する。
【0015】
なお、この層間絶縁膜20は、配線遅延の問題を回避するために、シリコン酸化(SiO2)膜より誘電率が低い低誘電率膜(Low-k膜)を適用しても良い。この低誘電率膜としては、有機材料からなる有機低誘電率膜や、シリコン酸化(SiO2)膜にフッ素をドーピング(添加)したSiOF膜、シリコン酸化(SiO2)膜に数%の炭素をドーピング(添加)したSiOC膜、多孔性のポーラスSiOC膜、SiCN膜などを使用することができる。また、これらの膜を2種類以上積層することにより、組み合わせて用いることもできる。
【0016】
この層間絶縁膜20の所望の領域を除去することによりコンタクトホールを形成した後、当該コンタクトホールを埋め込むように、半導体基板10及び層間絶縁膜20上に導電性材料のタングステン(W)を堆積して成膜することにより、タングステン膜を形成する。
【0017】
そしてこのタングステン膜を平坦化することにより、層間絶縁膜20に、半導体基板10表面と配線層を接続するためのプラグとして、タングステンプラグ30を形成する。なお、プラグとしては、タングステンプラグ30に限らず、例えばポリシリコンプラグや、他の金属プラグを使用することもできる。なお、タングステンを含め金属のプラグを使用する場合は下層にバリアメタルを積層して使用することが望ましい。
【0018】
ところで、タングステン膜を平坦化する際、又はタングステン膜を平坦化した後の自然酸化によって、タングステンプラグ30の上面が酸化されることにより、当該タングステンプラグ30の上面に、タングステン酸化膜35が形成される。このタングステン酸化膜35は、接触抵抗が高くなる原因となるため、除去することが望ましい。
【0019】
図2に示すように、コリン(Choline:水酸化2−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウム)を純水で希釈した希釈コリン水溶液を用いてタングステンプラグ30の上面を処理することにより、タングステン酸化膜35をエッチングして除去する。また希釈コリン水溶液を用いて処理する際、レジスト残渣などの堆積物を除去することができる。
【0020】
これにより接触抵抗が高くなることを回避することができ、従って特性にばらつきが生じることを抑制して歩留まりを向上させることができる。なお、タングステン酸化膜35を効果的に除去するための処理条件などは後述する。
【0021】
図3に示すように、層間絶縁膜20及びタングステンプラグ30上に、例えばシリコン酸化(SiO2)膜からなる層間絶縁膜40を堆積して形成する。なお、この層間絶縁膜40は、層間絶縁膜20と同様に、シリコン酸化(SiO2)膜より誘電率が低い低誘電率膜(Low-k膜)を適用しても良い。この低誘電率膜としては、有機低誘電率膜、SiOF膜、SiOC膜、ポーラスSiOC膜、SiCN膜などを使用することができる。また、これらの膜を2種類以上積層することにより、組み合わせて用いることもできる。
【0022】
図4に示すように、層間絶縁膜40上にフォトレジストを塗布し、露光及び現像を行うことにより、タングステンプラグ30の上面が開口するパターンを有するレジストマスク50を形成する。
【0023】
図5に示すように、このレジストマスク50をマスクとして、層間絶縁膜40にエッチングを行って、当該層間絶縁膜40をタングステンプラグ30の略上端に位置する深さまで除去することにより、層間絶縁膜40に配線用の溝60を形成すると共に、当該タングステンプラグ30の上面を露出する。
【0024】
図6に示すように、レジストマスク50を酸化して除去するアッシングを行う。その際、露出しているタングステンプラグ30の上面が酸化され、当該タングステンプラグ30の上面には、タングステン酸化膜70が形成される。このタングステン酸化膜70は、接触抵抗が高くなる原因となるため、除去することが望ましい。
【0025】
また図4に示す層間絶縁膜40上に、ハードマスクとなる異なる膜を堆積しておき、レジストマスク50によってハードマスクを加工し、一旦レジストマスク50のパターンをハードマスクに転写した後に、レジストマスク50をアッシングなどで除去しても良い。この場合、ハードマスクをマスクとして層間絶縁膜40をタングステンプラグ30の略上端に位置する深さまで除去することにより、当該タングステンプラグ30の上面を露出することができる。その際、タングステンプラグ30の上面には、自然酸化によってタングステン酸化膜70が形成される。
【0026】
図7に示すように、コリンを純水で希釈した希釈コリン水溶液を用いてタングステンプラグ30の上面を処理することにより、タングステン酸化膜70をエッチングして除去する。
【0027】
希釈コリン水溶液を用いてタングステン酸化膜70を除去する方法としては、枚葉処理の場合には、希釈コリン水溶液をタングステンプラグ30の上面に吐出することによりタングステン酸化膜70を除去する方法と、バッチ処理の場合には、半導体基板10を希釈コリン水溶液に浸漬することによりタングステン酸化膜70を除去する方法とがある。
【0028】
なお、この場合、タングステン酸化膜70を効果的に除去するための処理条件としては、希釈コリン水溶液の濃度が0.01〜10重量%の範囲内であることが望ましい。特に、枚葉処理の場合は、希釈コリン水溶液の濃度が0.1〜0.5重量%の範囲内、温度が60〜80℃の範囲内であることが望ましい。
【0029】
これにより、例えば濃度が0.1〜0.5重量%の希釈コリン水溶液を用いて、80℃の温度で90秒間処理すると、図11に示すように、タングステン酸化膜70を約9nm除去することができる。なお、図11における横軸は、直径200mmの円形基板面内の直径方向における位置を表し、基板の中心点を通る線上において、一方の端点を位置1、中心点を位置11、他方の端点を位置21となるように選定されている。
【0030】
すなわち、この図11に示すように、タングステン酸化膜70の膜厚は、希釈コリン水溶液を用いて処理する前は、約9nmであったが、希釈コリン水溶液を用いて処理した後は、約0nmになっている。
【0031】
ところで、エッチング溶液として希釈コリン水溶液を使用した場合には、タングステン酸化膜70は、層間絶縁膜40を形成するシリコン酸化(SiO2)膜よりも、エッチングレートが速く選択比が大きいため、エッチングが行われ易い。
【0032】
従って、例えば濃度が0.1〜0.5重量%の希釈コリン水溶液を用いて、80℃の温度で120秒間処理した場合には、タングステン酸化膜70のエッチング量は約9nmであるのに対して、層間絶縁膜40のエッチング量は、図12に示すように、層間絶縁膜40の種類にかかわらず、1nm以下に抑制することができる。
【0033】
より具体的には、層間絶縁膜40のエッチング量は、当該層間絶縁膜40がシリコン酸化(SiO2)膜の場合には0.198nm、有機低誘電率膜の場合には0.031nm、SiOC膜の場合には0.027nm、ポーラスSiOC膜の場合には0.332nm、SiCN膜の場合には0.046nmである。
【0034】
これに対して、エッチング溶液として有機F系を使用した場合には、層間絶縁膜のエッチングレートが速くなるため、層間絶縁膜のエッチング量が増加することになる。従って、例えば有機F系を用いて120秒間処理すると、層間絶縁膜がシリコン酸化(SiO2)膜の場合には、そのエッチング量は約2〜3nmになる。
【0035】
このようにエッチング溶液として希釈コリン水溶液を使用すれば、タングステン酸化膜70を除去することができると共に、層間絶縁膜40のエッチング量を抑制することができる。従って、層間絶縁膜40に形成された配線用の溝60の幅、すなわち後に形成される銅配線の幅を広げることなく、タングステン酸化膜70を除去することができる。
【0036】
なお、枚葉処理の場合には、希釈コリン水溶液を吐出する際、当該希釈コリン水溶液と共に温水を吐出しても良く、この場合、温水の温度は、室温から100℃未満の間で選定することができる。
【0037】
また、希釈コリン水溶液に微量のフッ化水素(HF)を添加することにより、層間絶縁膜20及び40表面のうち、例えばエッチング工程やアッシング工程などの種々のプロセスを行うことによって改質した部分を除去することができる。
【0038】
図8に示すように、層間絶縁膜20及び40の全面に、バリアメタル膜80と、メッキ処理のシード層となるシード銅(Cu)膜90とを、スパッタリング法によって順次形成した後、図9に示すように、銅を主成分とした膜をメッキ法によって全面に形成することにより、バリアメタル膜80及び銅膜100を形成する。
【0039】
図10に示すように、バリアメタル膜80及び銅膜100をCMP法によって研磨することにより、銅配線110を形成する。これによりフォトマスクに応じた幅の銅配線110を形成することができ、従って配線抵抗を設計値と同一にすることができる。また隣り合う銅配線110の間隔を確保でき、よって隣り合う銅配線110同士がショートすることを回避することができる。なお、この場合、銅配線110に限らず、例えばアルミニウム(Al)など、他の金属による金属配線を形成しても良い。
【0040】
(2)第2の実施の形態
図13〜図18に、本発明の第2の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す。まず、図13に示すように、半導体基板200上に、例えばシリコン酸化(SiO2)膜からなる層間絶縁膜210を形成し、当該層間絶縁膜210の表面をCMPなどによって平坦化する。
【0041】
この層間絶縁膜210の所望の領域を除去することによりコンタクトホールを形成した後、当該コンタクトホールを埋め込むように、半導体基板200及び層間絶縁膜210上にタングステン(W)膜を堆積する。そしてこのタングステン膜を平坦化することにより、層間絶縁膜210に、コンタクトプラグとしてタングステンプラグ220を形成する。
【0042】
ところで、タングステン膜を平坦化する際、又はタングステン膜を平坦化した後の自然酸化によって、タングステンプラグ220の上面が酸化されることにより、当該タングステンプラグ220の上面に、タングステン酸化膜230が形成される。このタングステン酸化膜230は、接触抵抗が高くなる原因となるため、除去することが望ましい。
【0043】
図14に示すように、第1の実施の形態と同様に、コリンを純水で希釈した希釈コリン水溶液を用いてタングステンプラグ220の上面を処理することにより、タングステン酸化膜230をエッチングして除去する。これにより接触抵抗が高くなることを回避することができ、従って特性にばらつきが生じることを抑制して歩留まりを向上させることができる。なお、タングステン酸化膜35を効果的に除去するための処理条件などは、第1の実施の形態と同様である。
【0044】
図15に示すように、層間絶縁膜210及びタングステンプラグ220上に、バリアメタル膜240をスパッタリング法によって形成した後、当該バリアメタル膜240上に配線材料としてのアルミニウム(Al)膜250を形成し、当該アルミニウム(Al)膜250上にさらにバリアメタル膜260を形成する。
【0045】
なお、層間絶縁膜210及びタングステンプラグ220上に、バリアメタル膜240を介して成膜する配線材料は、必ずしもアルミニウム(Al)膜250に限らず、種々の配線材料を成膜することが可能である。また、下層及び上層のバリアメタル膜240及び260、このうち特に上層のバリアメタル膜260は、必ずしも成膜する必要はない。
【0046】
図16に示すように、バリアメタル膜260上にフォトレジストを塗布し、露光及び現像を行うことにより、タングステンプラグ220に対応するパターンを有するレジストマスク270を形成する。
【0047】
図17に示すように、このレジストマスク270をマスクとして、バリアメタル膜240、アルミニウム(Al)膜250及びバリアメタル膜260にエッチングを行って、当該バリアメタル膜240、アルミニウム(Al)膜250及びバリアメタル膜260の所望の領域を除去することにより、タングステンプラグ220上にアルミニウム配線290を形成する。
【0048】
図18に示すように、レジストマスク50を酸化して除去するアッシングを行う。そして、このアルミニウム配線290上にさらにタングステンプラグ及びアルミニウム配線を順次形成してアルミニウム配線を積層していくことにより、多層配線を形成する。
【0049】
このように本実施の形態によれば、接触抵抗が高くなることを回避することができ、従って特性にばらつきが生じることを抑制して歩留まりを向上させることができる。
【0050】
(3)第3の実施の形態
図19〜図27に、本発明の第3の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す。まず図19に示すように、半導体基板300上に、例えばシリコン酸化(SiO2)膜からなる層間絶縁膜310を形成し、当該層間絶縁膜310の表面をCMPなどによって平坦化する。
【0051】
この層間絶縁膜310上に、コンタクトホール形成用のレジストマスクを形成し、当該レジストマスクをマスクとしてエッチングを行って、当該層間絶縁膜310のうち、プラグを形成するためのプラグ形成領域を除去することにより、まずコンタクトホール315を形成する。その後、このコンタクトホール形成用のレジストマスクを除去する。
【0052】
さらに、配線用溝を形成するためのレジストマスクを形成し、エッチング時間を指定した上で、このレジストマスクをマスクとしてさらに層間絶縁膜310にエッチングを行って、当該層間絶縁膜310のうち、配線を形成するための配線形成領域を除去することにより、層間絶縁膜310を所定の深さまで除去し、配線用溝316を形成する。その後、この配線用溝を形成するためのレジストマスクを除去する。
【0053】
コンタクトホール315及び配線用溝316の内部表面上に、バリアメタル膜320を形成し、当該バリアメタル膜320を埋め込むようにタングステン(W)膜を堆積する。そしてこれらバリアメタル膜320及びタングステン膜を平坦化することにより、層間絶縁膜310に、コンタクトプラグとしてのタングステンプラグ330及びタングステン配線340を形成する。
【0054】
ところで、タングステン膜を平坦化する際、又はタングステン膜を平坦化した後の自然酸化によって、タングステン配線340の上面が酸化されることにより、当該タングステン配線340の上面に、タングステン酸化膜350が形成される。このタングステン酸化膜350は、接触抵抗が高くなる原因となるため、除去することが望ましい。
【0055】
図20に示すように、コリンを純水で希釈した希釈コリン水溶液を用いてタングステン配線340の上面を処理することにより、タングステン酸化膜350をエッチングして除去する。これにより接触抵抗が高くなることを回避することができ、従って特性にばらつきが生じることを抑制して歩留まりを向上させることができる。なお、タングステン酸化膜350を効果的に除去するための処理条件などは、第1の実施の形態と同様である。
【0056】
図21に示すように、層間絶縁膜310、バリアメタル膜320及びタングステン配線340上に、例えばシリコン酸化(SiO2)膜からなる層間絶縁膜360を堆積して形成する。図22に示すように、層間絶縁膜360上にフォトレジストを塗布し、露光及び現像を行うことにより、タングステン配線340の上面が開口するパターンを有するレジストマスク370を形成する。
【0057】
図23に示すように、このレジストマスク370をマスクとして、層間絶縁膜360にエッチングを行って、当該層間絶縁膜360をタングステン配線340の略上端に位置する深さまで除去することにより、層間絶縁膜360にコンタクトホール380を形成すると共に、当該タングステン配線340の上面の一部を露出する。
【0058】
図24に示すように、レジストマスク370を酸化して除去するアッシングを行う。その際、露出しているタングステン配線340の上面が酸化され、当該タングステン配線340の上面の一部には、タングステン酸化膜390が形成される。このタングステン酸化膜390は、接触抵抗が高くなる原因となるため、除去することが望ましい。
【0059】
図25に示すように、コリンを純水で希釈した希釈コリン水溶液を用いてタングステン配線340の上面を処理することにより、タングステン酸化膜390をエッチングして除去する。なお、タングステン酸化膜390を効果的に除去するための具体的な処理条件は、第1の実施の形態と同様である。
【0060】
このようにエッチング溶液として希釈コリン水溶液を使用すれば、タングステン酸化膜390を除去することができると共に、第1の実施の形態の場合と同様に、層間絶縁膜360のエッチング量を抑制することができる。従って、層間絶縁膜360に形成されたコンタクトホール380の幅、すなわち後に形成されるタングステンプラグの幅を広げることなく、タングステン酸化膜390を除去することができる。
【0061】
図26に示すように、層間絶縁膜360及びタングステン配線340上に、バリアメタル膜400をスパッタリング法によって形成した後、タングステン膜410をCVD法によって全面に形成する。
【0062】
図27に示すように、バリアメタル膜400及びタングステン膜410をCMP法によって研磨することにより、タングステンプラグ420を形成する。これによりフォトマスクに応じた幅のタングステンプラグ420を形成することができ、従って特性にばらつきが生じることを抑制することができる。
【0063】
(4)他の実施の形態
なお上述の実施の形態は一例であって、本発明を限定するものではない。例えば、濃度が0.1〜0.5重量%の希釈コリン水溶液を用いてタングステンプラグ30、220又はタングステン配線340を処理する際の温度は、必ずしも80℃に限らず、室温〜80℃の範囲内であれば良い。
【図面の簡単な説明】
【0064】
【図1】本発明の第1の実施の形態による半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図2】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図3】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図4】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図5】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図6】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図7】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図8】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図9】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図10】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図11】希釈コリン水溶液を用いて処理する前と処理した後における、タングステン酸化膜の膜厚を示す説明図である。
【図12】層間絶縁膜とそのエッチング量の関係を示す説明図である。
【図13】本発明の第2の実施の形態による半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図14】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図15】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図16】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図17】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図18】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図19】本発明の第3の実施の形態による半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図20】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図21】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図22】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図23】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図24】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図25】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図26】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【図27】同半導体装置の製造方法における工程別素子の断面構造を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【0065】
10、200、300 半導体基板
20、40、210、310、360 層間絶縁膜
30、220、330、420 タングステンプラグ
35、70、230、350、390 タングステン酸化膜
50、270、370 レジストマスク
60 溝
90 シード銅膜
100 銅膜
110 銅配線
250 アルミニウム膜
290 アルミニウム配線
340 タングステン配線
380 コンタクトホール
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜の所望の領域を除去し、当該除去した領域を埋め込むように、前記半導体基板及び前記層間絶縁膜上に導電性材料を堆積して膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜と略同一の高さを有するように前記膜を平坦化することにより、前記導電性材料を埋め込んで第1の導電層を形成するステップと、
前記埋め込まれた前記第1の導電層の上面に希釈コリン水溶液を用いた処理を行うステップと
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項2】
前記層間絶縁膜及び前記第1の導電層上に導電性材料を堆積して成膜することにより、膜を形成するステップと、
前記膜上に、前記第1の導電層に対応するパターンを有するマスクを形成するステップと、
前記マスクを用いて、前記膜にエッチングを行うことにより、第2の導電層を形成するステップと
を備えることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
【請求項3】
半導体基板上に第1の層間絶縁膜を形成するステップと、
前記第1の層間絶縁膜の所望の領域を除去し、当該除去した領域を埋め込むように、前記半導体基板及び前記第1の層間絶縁膜上に導電性材料を堆積して膜を形成するステップと、
前記第1の層間絶縁膜と略同一の高さを有するように前記膜を平坦化することにより、前記導電性材料を埋め込んで導電層を形成するステップと、
前記第1の層間絶縁膜及び前記埋め込まれた前記導電層上に第2の層間絶縁膜を形成するステップと、
前記第2の層間絶縁膜上に、前記導電層の一部又は全部の上面が開口するパターンを有するマスクを形成するステップと、
前記マスクを用いて、前記第2の層間絶縁膜にエッチングを行うことにより、前記導電層の上面を露出するステップと、
前記露出された前記導電層の上面に希釈コリン水溶液を用いた処理を行うステップと
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項4】
半導体基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜のうち、プラグを形成するためのプラグ形成領域を除去することにより、前記半導体基板の表面を露出するステップと、
前記層間絶縁膜のうち、配線を形成するための配線形成領域を除去することにより、前記層間絶縁膜を所定の深さまで除去するステップと、
前記プラグ形成領域及び前記配線形成領域を埋め込むように、導電性材料を堆積して膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜と略同一の高さを有するように前記膜を平坦化することにより、前記プラグ及び前記配線を形成するステップと、
前記配線の上面に形成された酸化膜を希釈コリン水溶液を用いて除去するステップと
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項5】
前記希釈コリン水溶液の濃度は0.01〜10重量%であることを特徴とする請求項1又は4記載の半導体装置の製造方法。
【請求項1】
半導体基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜の所望の領域を除去し、当該除去した領域を埋め込むように、前記半導体基板及び前記層間絶縁膜上に導電性材料を堆積して膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜と略同一の高さを有するように前記膜を平坦化することにより、前記導電性材料を埋め込んで第1の導電層を形成するステップと、
前記埋め込まれた前記第1の導電層の上面に希釈コリン水溶液を用いた処理を行うステップと
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項2】
前記層間絶縁膜及び前記第1の導電層上に導電性材料を堆積して成膜することにより、膜を形成するステップと、
前記膜上に、前記第1の導電層に対応するパターンを有するマスクを形成するステップと、
前記マスクを用いて、前記膜にエッチングを行うことにより、第2の導電層を形成するステップと
を備えることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
【請求項3】
半導体基板上に第1の層間絶縁膜を形成するステップと、
前記第1の層間絶縁膜の所望の領域を除去し、当該除去した領域を埋め込むように、前記半導体基板及び前記第1の層間絶縁膜上に導電性材料を堆積して膜を形成するステップと、
前記第1の層間絶縁膜と略同一の高さを有するように前記膜を平坦化することにより、前記導電性材料を埋め込んで導電層を形成するステップと、
前記第1の層間絶縁膜及び前記埋め込まれた前記導電層上に第2の層間絶縁膜を形成するステップと、
前記第2の層間絶縁膜上に、前記導電層の一部又は全部の上面が開口するパターンを有するマスクを形成するステップと、
前記マスクを用いて、前記第2の層間絶縁膜にエッチングを行うことにより、前記導電層の上面を露出するステップと、
前記露出された前記導電層の上面に希釈コリン水溶液を用いた処理を行うステップと
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項4】
半導体基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜のうち、プラグを形成するためのプラグ形成領域を除去することにより、前記半導体基板の表面を露出するステップと、
前記層間絶縁膜のうち、配線を形成するための配線形成領域を除去することにより、前記層間絶縁膜を所定の深さまで除去するステップと、
前記プラグ形成領域及び前記配線形成領域を埋め込むように、導電性材料を堆積して膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜と略同一の高さを有するように前記膜を平坦化することにより、前記プラグ及び前記配線を形成するステップと、
前記配線の上面に形成された酸化膜を希釈コリン水溶液を用いて除去するステップと
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項5】
前記希釈コリン水溶液の濃度は0.01〜10重量%であることを特徴とする請求項1又は4記載の半導体装置の製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【公開番号】特開2006−54251(P2006−54251A)
【公開日】平成18年2月23日(2006.2.23)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2004−233405(P2004−233405)
【出願日】平成16年8月10日(2004.8.10)
【出願人】(000003078)株式会社東芝 (54,554)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成18年2月23日(2006.2.23)
【国際特許分類】
【出願日】平成16年8月10日(2004.8.10)
【出願人】(000003078)株式会社東芝 (54,554)
【Fターム(参考)】
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