【課題】シリコン基板表面へのテクスチャ形成を安定して生産性良く実施可能とするエッチング液の処理方法、シリコン基板のエッチング方法、シリコン基板エッチング装置を得ること。
【解決手段】シリコン基板の表面に供給してウェットエッチングにより前記シリコン基板の表面に凹凸を形成するためのエッチング液に対して、前記シリコン基板の表面に供給される前に実施するエッチング液の前処理方法であって、前記シリコン基板表面でのエッチング反応を阻害する１種類以上の有機添加剤と水とアルカリ試薬とを含む前記エッチング液に対してバブリング処理を施すことにより、前記エッチング液中の疎水性不純物を前記エッチング液の液表面に分離する。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止する。
【解決手段】基板処理装置１では、二酸化炭素溶解ユニット６２により純水に対する二酸化炭素の溶解量を制御することにより除電液の比抵抗が目標比抵抗とされる。続いて、除電液供給部６により、ＳＰＭ液よりも比抵抗が大きい除電液が基板９上に供給され、基板９の上面９１全体が除電液にてパドルされることにより、基板９が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理の終了後に、処理液供給部３により基板９上にＳＰＭ液が供給されてＳＰＭ処理が行われる。これにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９からＳＰＭ液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板９の損傷を防止することができる。また、除電液の比抵抗を目標比抵抗に維持することにより、基板９の損傷が生じない範囲で、基板９の除電効率を向上し、除電処理に要する時間を短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射を利用したエッチング加工による半導体装置の製造方法であって、複雑形状や深くて大きい除去領域等のエッチング加工が必要な広範囲の半導体装置の製造に適用可能で、高いエッチング速度が得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンからなる基板１０に対して、焦点位置を移動させてレーザ光Ｌをパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層１１を形成する改質層形成工程と、前記改質層１１をエッチングして除去するエッチング工程と、を備える半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】層がその上に作製される基板に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板（２）の表面（２’）に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法において、基板（２）上にＡｌＮ成長層（４，４’）を形成する段階と、少なくとも前記成長層上にＡｌＮ層（３１）を堆積する段階と、その少なくとも１つの縁部が、前記基板（２）の表面（２’）または前記成長層（４）の表面（４’）に実質的に垂直な平面において少なくとも１つの縁部（１０，１２，１４）または前記成長層（４，４’）の側面（１０ａ，１０ｂ）と整列されるように、ＡｌＮ層を覆ってマスク層（４０，４０’）を形成する段階と、を有する方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、良好な平坦度及び膜厚均一性を有し、さらに品質の高いエピタキシャルシリコンウェーハを提供することにある。
【解決手段】鏡面研磨されたシリコンウェーハ１０（図１(ａ)）の表面上に、エピタキシャル膜２０を形成した後（図１(ｂ)）、前記シリコンウェーハの裏面のみに対し、研削加工処理、研磨加工処理あるいは化学エッチング処理を施し、エピタキシャル膜２０の形成時に前記シリコンウェーハ１０の裏面端部に付着したシリコン析出物２１を除去する（図１(ｃ)）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の外周端部の膜をクラックや局部剥がれを生じることなく除去して、パーティクルの発生を防止する。
【解決手段】強誘電体薄膜形成用の有機金属化合物を含有するＣＳＤ溶液を基板２に塗布してゲル状塗膜１を形成する工程と、基板２を回転させながら外周端部に水Ｗを噴射又は滴下して、ゲル状塗膜１の外周端部を除去する工程と、外周端部について除去された後のゲル状塗膜１を加熱処理して強誘電体薄膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

ここに、半導体装置の形成方法が提供された。ある実施の形態において、半導体装置の形成方法は、酸化物表面とシリコン表面とを有する基板を用意し、酸化物表面およびシリコン表面の双方の露出面に窒素含有層を形成し、酸化物表面上から窒素含有層を選択的に除去することによって窒素含有層を酸化する工程を有する。別の実施の形態において、シリコン特徴部上に形成された窒素含有層の残余部分上に酸化物層が形成される。また、ある実施の形態において、酸化物表面が半導体装置の１つまたはそれ以上のフローティングゲートに隣接して配置されている浅いトレンチ分離領域（ＳＴＩ）の露出した表面である。ある実施の形態において、シリコン表面は、半導体装置のシリコンまたはポリシリコンのフローティングゲートの露出面である。
（もっと読む）

【課題】構造体に損傷を与えることなく犠牲層を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１１の上に犠牲層１２が形成され、この犠牲層１２の上に形成された半導体層１３が形成されたＳＯＩ基板１０において、半導体層１３を貫通した開口部１５により構成された可動部２０および固定部３０と開口部１５とを含んだ犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２に焦点を合わせてレーザ光を照射する。これにより、犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２を多孔質化する。そして、犠牲層１２を多孔質化した後、開口部１５からエッチング媒体を導入し、多孔質化した犠牲層１２をエッチングして除去する。これにより、支持基板１１に対して可動部２０の梁部２４等を浮遊させる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ストップ層としての酸素イオン注入層を、短時間で除去し、優れた活性層の膜厚均一性を確保できる貼り合わせウェーハの製造方法、及び、その製造方法によって製造された活性層の膜厚均一性が高い貼り合わせウェーハを提供することにある。
【解決手段】酸素イオン注入層を形成する工程（図１(ａ)）と、ウェーハ複合体を形成する工程（図１(ｂ)）と、前記酸素イオン注入層を露出させる工程（図１(ｃ)）と、活性層を得る工程（図１(ｄ)）とを具え、前記酸素イオン注入層の除去工程（図１(ｃ)）は、前記露出した酸素イオン注入層を第１HF処理した後、所定の酸化熱処理、及び、第２HF処理を順次行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板裏面，基板ベベル及び外周に付着したルテニウム膜を容易に、エッチング残りなくエッチング除去することを目的とする。
【解決手段】基板５表面にルテニウム等の成膜処理を行った後、基板５をローラー４で保持しながら回転させ、コの字型のジグ３で基板５を挟み込み、コの字型のジグ３上部からエッチング液を供給することにより、基板裏面，基板ベベル及び外周に付着したルテニウム膜を容易に、エッチング残りなくエッチング除去することができる。 （もっと読む）

【課題】熱処理（レーザ光照射による）とエッチング処理のみの簡便なプロセスにより、従来技術よりも低コストな方法で、導電性酸化物の薄膜が加工された基板を作製すること及びこのような基板を提供すること。
【解決手段】導電性酸化物付き基板の作製方法において、導電性酸化物の薄膜を基板上に積層する成膜工程と、レーザ光を集光させた状態で照射することにより前記基板面内の積層された導電性酸化物の薄膜の一部を熱変化させる熱処理工程と、熱処理工程により熱変化していない部分をエッチング処理により除去するエッチング処理工程とを含み、前記導電性酸化物の薄膜は、前記レーザ光を吸収し、該薄膜の少なくとも一部がアモルファス相であることを特徴とする導電性酸化物付き基板の作製方法及び得られた基板。 （もっと読む）

【課題】高温プロセスを用いて機能性膜を形成することが可能であり、汎用性が高く、簡易で実用的な機能性膜のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】この方法は、特定のエッチング液により選択的にエッチングされる第１の犠牲層を基板上に直接又は間接的に形成する工程と、熱又は物理的作用力に対する耐性が第１の犠牲層よりも弱い第２の犠牲層を第１の犠牲層上に形成する工程と、第１及び第２の犠牲層が形成された基板上に、機能性材料によって機能性膜を形成する工程と、第２の犠牲層に熱及び／又は物理的作用力を加えて第２の犠牲層を部分的に除去することにより、特定のエッチング液を第１の犠牲層に到達させる通過孔、クラック、又は隙間を形成する工程と、特定のエッチング液を用いて、通過孔等を介して第１の犠牲層をエッチングすることにより、第１及び第２の犠牲層と第２の犠牲層の上の機能性膜とを除去する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】所望の深さを有し幅の狭い凹部を半導体基板に安定して形成することが可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体基板１０の一部に酸素イオン注入を行うことで第１酸素含有領域２４を形成する工程と、半導体基板１０に熱処理を行い、第１酸素含有領域２４に含まれる酸素を用いて第１酸素含有領域２４を酸化させることで、第１酸素含有領域２４を第１酸化領域２６とする工程と、第１酸化領域２６を除去することで半導体基板１０に凹部１６を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】エッチング直後および、エッチング終了直後の過渡的瞬間までも、基板表面のエッチング処理温度を制御することができる半導体素子の製造方法、及び半導体素子の製造装置を提供する。
【解決手段】基板または基板上にエピタキシャル成長された半導体層をウエットエッチングによりパターニングした後に前記基板を洗浄する工程を有する半導体素子の製造方法において、第１温度に設定した半導体基板を準備する工程と、前記第１温度に設定した半導体基板を第２温度に設定する工程と、前記第２温度に設定した半導体基板を、第３温度に設定したエッチング液でエッチングする工程と、第４温度に設定した第１超純水で、前記半導体基板に付着している前記第３温度に設定したエッチング液を洗い流す工程と、を有しており、前記第２温度は、前記第１温度と前記第３温度との間に設定されている。 （もっと読む）

本発明は、シリコン表面および層、ならびに適切なシリコン化合物から形成されているガラス状表面における極めて微細な線または構造の全面または選択エッチングに適しているエッチングペーストの形の粒子含有エッチング媒体に関する。本発明はまた、このタイプの表面をエッチングする方法における、本発明によるペーストの使用にも関する。 （もっと読む）

【課題】被エッチン膜をエッチング後、犠牲膜等の残存物質を除去する処理を、その残存物質を所定の液に可溶化し、次いで、その所定の液により残存物質を除去することで行う際に、パターンはがれ等のダメージが少ない基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された被エッチング膜をエッチング処理して所定パターンを形成する工程と、エッチング処理を終了した後に残存する物質を所定の液に対して可溶化するように変性させる工程と、次いで、パターンが形成された被エッチング膜の表面をシリル化処理する工程と、その後、所定の液を供給して変性された物質を溶解除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 取り扱いが容易で、下地層との高い選択性を有するハードマスクを用いた半導体製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ基板１上又は前記Ｓｉ基板上に形成されたＳｉを含む下地膜２、３上に、ＳｉＯＣ膜を形成する工程と、前記ＳｉＯＣ膜に、アッシング処理を施す工程と、前記アッシング処理を施したＳｉＯＣ膜４’を、Ｆを含むウエット処理により選択的に除去する工程を備える。 （もっと読む）

物体における１又は２以上の領域に圧力を印加し、及び圧力を除去して、前記物体における１又は２以上の領域の相を変性すること、を含み、前記変性された１又は２以上の領域は、予め定められたパターンを表す予め定められた形状をそれぞれ有している、パターニング処理方法である。この方法は、フォトレジスト又は従来の光学又は電子ビームリソグラフィーを使用せずに、物体中にナノスケールのパターンを形成するために使用できる。従って、これらの技術の制限を避けうる。例えば、アモルファス又は結晶シリコン表面層を有する半導体ウエハは、ダイ又はナノ圧子を用いてパターニングされる。次いで、電気的、光学的、又は機械的装置における要素として使用される。
（もっと読む）

【課題】 金属エッチング処理工程は、有機マスキング層溶媒を用いることを省き、プラズマ金属エッチング工程の後に絶縁層６８，８１の一部をエッチングする。
【解決手段】 絶縁層６８，８１のエッチングは、１，２−エタンジオール，フッ化水素およびフッ化アンモニアを含むエッチング溶液を用いて行われる。このエッチング溶液は、絶縁層６８，８１の１００〜９００オングストロームの範囲でエッチングする。このエッチングは、絶縁層６８，８１内の移動イオンの少なくと７５パーセントを除去し、移動イオンの少なくとも９５パーセントを除去しなければならない。このプロセスは、酸フード，酸コンパチブル・スプレー・ツールまたはパドル処理ツールを用いて実施できる。このプロセスは、このプロセスを多くの異なる既存の処理工程に容易に統合できる多くの異なる実施例を含む。同様なプロセスは、レジスト・エッチバック処理工程でも利用できる。 （もっと読む）

【課題】 リッジ形状部を有する半導体装置の製造において、ドライエッチングに引き続くウェットエッチングを安定して制御して、リッジ形状とリッジ高さを制御する。
【解決手段】 ドライエッチングの反応生成物９を酸化して除去することにより、それに続くウェットエッチングの安定性を向上させて、リッジ形状およびリッジ幅の制御性を向上させることができる。また、ウェットエッチングを必要最小限にとどめることにより、ウェットエッチングによりサイドエッチングを最小限にとどめてリッジ幅を厳密に制御することができる。よって、レーザ光の水平放射角のばらつきが少ない半導体レーザ装置を得ることができる。また、ウェットエッチングは、エッチングストップ層５を利用して停止させることにより、リッジ高さを厳密に制御することができる。 （もっと読む）