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Fターム[4K057WB08]の内容

Fターム[4K057WB08]に分類される特許

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【課題】液晶表示装置の配線膜のエッチング加工において、溶け残り不良を抑制する。
【解決手段】酢酸濃度を5%以上含有する燐酸を主成分とするエッチング液、または、ヘキサン酸等の脂肪酸を含有するエッチング液により、レジスト上でのエッチング液の接触角を低減することができ、濡れ性を改善できる。このエッチング液を用いることによって、エッチング残りが生じ易いパターンにおいても、エッチング残りがないパターンを形成することができ、歩留まりよく液晶表示装置を製造できる。 (もっと読む)


【課題】 機械的な除去を必要とすることなく表面層を化学的に、均一に除去するためのシステム及び方法を提供すること。
【解決手段】 金属部品の表面処理方法は、チタン合金α相の析出物を有する表面層を化学的に除去しチタン合金β相を有するコアを露出させるステップを含む。化学的除去では、硝酸及びフッ化水素酸を含む第1の溶液及び硝酸を含む第2の溶液を使用する。 (もっと読む)


【課題】金属基材、例えば超合金部品からの低アルミニウム(Al)含有の皮膜を基材から選択的に除去する方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムを皮膜内部に拡散させる。この皮膜を、式HAFを有する1種以上の酸及びこの酸の前駆体を含む水性組成物と接触させる。式中のAはSi、Ge、Ti、Zr、Al及びGaからなる群から選択され、xは1〜6である。除去される皮膜はMcrAl(X)材料であることが多い。基材は金属、通常超合金である。 (もっと読む)


【課題】近年電子デバイスの材料として重要性が高まっている銅やGaN等を、加工効率が高く且つ数十μm以上の空間波長領域にわたって精度高く加工する。
【解決手段】酸化性処理液32中に被加工物38を配し、酸性または塩基性を有する固体触媒44を被加工物38の被加工面に接触または極接近させて配して、固体触媒44と接触または極接近している被加工面の表面原子を酸化性処理液32中に溶出させて該加工面を加工する。 (もっと読む)


【課題】表面がヒータアセンブリ内の層へ適切に接合しているがフォイルも損傷を受けないようなやり方で、薄金属フォイル表面を処理する方法を提供すること。
【解決手段】薄チタンフォイルと接着剤とを適切に接合させるため、薄チタンフォイルを酸溶液で洗浄する工程と、薄チタンフォイルをアルカリ洗浄剤で洗浄する工程と、薄チタンフォイルをエッチングする工程と、薄チタンフォイルをスマット除去する工程と、薄チタンフォイルを超音波水処理により洗浄する工程と、を含む方法で、厚さが約3milを下回る薄チタンフォイルを表面処理する。 (もっと読む)


【課題】透光性基板上に、半透光性膜と、遮光性膜とが順次形成されたマスクブランクか
ら、前記遮光性膜及び前記半透光性膜をパターニングして、フォトマスクを製造するフォ
トマスクの製造方法において、前記半透光性膜のウエットエッチングに伴って発生するガ
スによる前記半透光性膜及び/又は前記遮光性膜のパターン欠陥を防止できる、フォトマ
スクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板上に、露光光に対する透過量を調整する機能を有し、金属及び珪
素を含む材料からなる半透光性膜と、露光光を遮光する遮光性膜とが順次形成されたマス
クブランクから、前記遮光性膜及び前記半透光性膜をパターニングして、フォトマスクを
製造するフォトマスクの製造方法であって、
前記半透光性膜のパターニングは、弗化水素酸、珪弗化水素酸、弗化水素アンモニウム
から選ばれる少なくとも一つの弗素化合物と、過酸化水素、硝酸、硫酸から選ばれる少な
くとも一つの酸化剤とを含むエッチング液を用いたウエットエッチングによって行われ、
前記エッチング液は、該エッチング液中の前記弗素化合物と前記酸化剤のモル比を、ウ
エットエッチングに伴って発生するガスによるパターン欠陥を防止するモル比に設定した
エッチング液とすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】エッチング精度が優れ、ガラス基板に白濁の発生がないブラックマトリックスが得られ、エッチングの際にエッチング液の消耗が少ないエッチング液およびブラックマトリックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】硝酸第二セリウムアンモニウム(a成分)と、過塩素酸および/または硝酸(b成分)と、界面活性剤とを含み、該界面活性剤が、直鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩60質量%〜82質量%と、分岐鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩18質量%〜40質量%との混合物(c成分)であることを特徴とするブラックマトリックス製造用のエッチング液、および該エッチング液を使用したブラックマトリックスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】湿式エッチングにより微細なパターンを高精度に形成可能なフォトマスク用基板及びフォトマスク並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板10と、半透過性を有する半透過層20と、半透過層20上に形成され照射光を実質的に遮光する遮光層33と、を備えたフォトマスク用基板2であって、半透過層20は、遮光層33よりもエッチング液Aに対して不溶性又は難溶性であり、エッチング液Bに対して易溶性である窒化チタン(TiN:ここで0<x<1.33)で形成される。一方、遮光層33は、半透過層20よりもエッチング液Aに対して易溶性であり、エッチング液Bに対して不溶性又は難溶性の金属クロム(Cr)で形成される。エッチング液に対する各層のエッチング耐性が異なるため、他の層に損傷を与えることなく半透過層20と遮光層33を選択的にエッチングすることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】透明基板上に形成されたパターン化フィルムスタックを含む位相シフトフォトマスク及びフォトマスクを製造する方法が開示されている。
【解決手段】一実施形態において、フィルムスタックは、リソグラフィーシステムの照明光源の光に対して所定値の透明度を有する第1の層と、その光に実質的に透明でその光における所定の位相シフトを促す第2の層とを含む。 (もっと読む)


【解決手段】本発明のプリント配線基板は、絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に形成された基材金属層および導電性金属層を、複数のエッチング工程で選択的にエッチングすることにより形成された配線パターンを有するプリント配線基板であって、該プリント配線基板におけるエッチング液由来の金属残留量が0.05μg/cm2以下であることを特徴としている。
【効果】本発明によれば、エッチング液由来の金属残留量が少ないので配線間の電気抵抗値が高く、またマイグレーション等が生じにくい。 (もっと読む)


【課題】 ガラス等の絶縁膜基板、シリコン基板および化合物半導体基板上にスパッタリング法により成膜したチタンまたはチタンを主成分とする合金からなる層と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる層とを含む金属積層膜を下地の基板等にダメージを与えることなく、さらに、テーパー角度を30〜90度に抑制し、積層膜を一括にエッチング可能なエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】 本発明のエッチング液組成物は、ヘキサフルオロケイ酸、ふっ化水素酸の金属塩またはアンモニウム塩、およびヘキサフルオロケイ酸の金属塩またはアンモニウム塩からなる群から選ばれた少なくとも1種のふっ素化合物と酸化剤とを含有する。 (もっと読む)


【課題】 被加工物である金属材の表面に陽極酸化皮膜を形成することで、アンダーカットを制御した傾斜角の小さな傾斜面を有する浅い凹部を形成するための金属材の表面加工方法を提供することである。
【解決手段】 基板11上に形成され、表面がマスクで被覆された金属材12に対して、硫酸を含む電解液、20V以下の電解電圧からなる電解条件の下で陽極酸化処理し、前記マスクの開口部から露出する金属材12の表面に傾斜角の小さな傾斜面17を有する陽極酸化皮膜15を形成する。また、前記金属材12の表面に形成された陽極酸化皮膜15を除去することで、前記金属材12の表面に傾斜角θ1による傾斜面17を有する浅い凹部を形成する。 (もっと読む)


【課題】複数の深さの異なる凹部が、高い寸法精度で形成された凹部付き基板を製造するために用いられるフォトマスク、かかるフォトマスクを用いたパターニング方法、凹部付き基板の製造方法、および、かかる製造方法により製造された凹部付き基板を提供すること。
【解決手段】本発明のフォトマスク4は、基板1を覆うように形成されたレジスト材料膜(被覆層)3aを、所定の形状にパターニングしてレジスト層を形成する際に用いられるフォトマスクであり、フォトマスク4の上面(一方の面)側から入射された入射光5aを、出射光5b、5cとして下面(他方の面)側から出射する光透過部41aを有するマスク本体41と、光透過部41aに設けられ、出射光5bを入射光5aに対してその角度を変更する角度変更手段42とを備えており、角度変更手段42により角度が変更された出射光5bを、第1の凹部11の開口部付近に形成されたレジスト材料膜3aに照射するよう構成したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板上に形成された、クロム、ニッケル、或いはクロム及び/又はニッケルを含む合金よりなる下地膜と、この下地膜の一部を被覆するように形成された、金、パラジウム、或いは金及び/又はパラジウムを含む合金よりなる上層膜との積層膜の、前記下地膜を、硝酸と硝酸セリウムアンモニウムとを含み、硝酸濃度が35重量%以上の水溶液からなるエッチング液を用いてエッチングするに当たり、エッチング後の水洗工程におけるクロム等下地膜のエッチング加速を防止して、所望のエッチングをより確実に行う。
【解決手段】エッチング工程と水洗工程の間に、金等/クロム等積層膜付き基板を、硝酸濃度35重量%以上であって硝酸セリウムアンモニウム濃度がエッチング液より低い水溶液で洗浄する酸洗浄工程を設ける。この工程により硝酸セリウムアンモニウムを洗浄除去し、その後、基板に付着した硝酸液のみを水洗除去する。 (もっと読む)


【課題】同一の組成物を使用して薄膜トランジスタ液晶表示装置のTFTを構成するゲート配線材料のMo/AlNd二重膜またはMo/AlNd/Mo三重膜を単一工程で下部膜のAlNdまたはMoのアンダーカット現象がなく湿式エッチングして優れたテーパを収得することができ、同時にソース/ドレイン配線材料のMo単一膜とMo/AlNd/Mo三重膜でも優れたプロファイルを形成することができる薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物を提供する。
【解決手段】本発明は薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物に関するものであって、特にa)燐酸;b)硝酸;c)酢酸;d)リチウム系化合物;e)燐酸塩系化合物;およびf)水を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物に関する。 (もっと読む)


【課題】 優れた耐熱性と強度を有するチタン合金からなる高い空力学的性能を期待できるコンプレッサ用鋳造羽根車を安価に安定して提供する。
【解決手段】 本発明は、ハブ軸の周りに配列された羽根部が形成された羽根車形状にチタン合金が鋳造され、表面の硬さが400HV以下に調整されてなるコンプレッサ用鋳造羽根車である。例えば、ロストワックス鋳造法によりコンプレッサ用鋳造羽根車と実質的に同一の形状を有する鋳造羽根車素材を形成後、表面の硬さを400HV以下とするよう鋳造羽根車素材の表面の硬化層を除去する製造方法により得られる。好ましくは、表面の硬さを350HV以上とし、また、Al、V、Feを質量%で5.5≦Al≦6.75、3.5≦V≦4.5、Fe≦0.4の範囲で含むJISに規定されるTAC6400合金を使用する。硬化層を除去する前にHIP処理してもよい。 (もっと読む)


【課題】単位体積当たりの表面積が大きく、かつ、基材としての強度を充分に備えたチタン金属製の基材を提供する。
【解決手段】厚さが300μm以下のチタン薄片を5N以下のアルカリ水溶液に0.5〜12時間浸漬することにより形成される深さが0.1〜20μmの網目状の侵食層を備えたチタン金属製の基材。このようなチタン薄片として、径が300μm以下のチタン繊維、あるいは、厚さが300μm以下のチタン薄板が挙げられる。 (もっと読む)


【課題】非破壊検査方法等において、標準試料として必要な水素脆化チタン管を容易に作製する方法およびその装置を提供する。
【解決手段】本発明の水素脆化チタン管の作製方法は、チタン管の表面を溶液中で金属に擦り付けることを特徴とし、また作製装置は、溶液を入れる容器、該容器内に配置され、チタン管を挿入する孔を有する金属製バッフル、該金属製バッフルの孔に挿入されたチタン管の一端を保持し、回転させるための回転手段からなり、該金属製バッフルの孔の直径がチタン管外径より0.04〜2mm大きいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 モリブデン系金属とアルミニウム系金属を主成分とした金属積層膜を一括エッチング可能で各膜のサイドエッチング量を抑制し、テーパー角度を20〜70度に制御可能な優れたエッチング液を提供すること。
【解決手段】 絶縁膜基板上に形成されたアルミニウム系金属およびモリブデン系金属の積層膜をエッチングするエッチング液であって、硫酸、硫酸アンモニウム、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸水素アンモニウム、硫酸水素ナトリウム、硫酸水素カリウム、硫酸カルシウム、硫酸セリウムアンモニウム、硫酸第二鉄、硫酸銅、硫酸マグネシウム、硫酸鉛、硫酸ヒドロキシルアンモニウム、アミド硫酸、アミド硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、エチレンジアミン硫酸塩、アニリン硫酸塩およびアデニン硫酸塩からなる群から選択されるスルホン酸化合物、燐酸および硝酸を含有する、エッチング液。 (もっと読む)


【課題】内表面を侵すことなく基体の外表面上の金属コーティングを化学的に剥離する方法を提供する
【解決手段】処理段階は、基体(10)の内表面をマスクするために75℃より高い溶融温度を有する熱分解可能なワックス(20)を内部通路(18)内に堆積する段階と、式HAFを有しAが珪素、ゲルマニウム、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、またはガリウムであり、xが1から6までの数値である酸を含有する水溶液を用いて基体(10)を処理する段階とを含む。水溶液は、ワックス(20)の溶融温度より低い温度であり、実質的に基体(10)の外表面から金属コーティングを除去し、同時にワックス(20)は、実質的にこの水溶液に非反応性でありこの水溶液が基体(10)の内表面に接触することを防止する。その後、基体(10)は、有害な副生成物を生成することなくワックス(20)を熱分解するために加熱される。 (もっと読む)


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