【課題】 半導体基板の金属不純物の汚染を抑制し得る半導体基板表面処理剤及び半導体基板表面の処理方法、特に、半導体基板のエッチング剤及びエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 （１）アミノポリカルボン酸系キレート剤又はその無機塩と20％（W/W）以上のアルカリ金属水酸化物を含んでなる半導体基板表面処理剤、（２）アミノポリカルボン酸系キレート剤又はその無機塩と20％（W/W）以上のアルカリ金属水酸化物を含んでなる半導体基板のエッチング剤、（３）半導体基板を上記（１）に記載の処理剤で処理することを特徴とする半導体基板表面の処理方法、及び（４）半導体基板を上記（２）に記載のエッチング剤でエッチングすることを特徴とする半導体基板のエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】 銅材料をエッチングした後の塩化銅エッチング廃液について、有効な金属である銅以外の不純物金属を簡便な操作でかつ低コストで除去して精製すること。
【解決手段】 亜鉛、鉄、などの金属の陰イオン性錯体は、弱塩基性アニオン交換樹脂に接触させることで除去されることが知られている。一方塩化銅エッチング廃液中の有効金属である銅は陰イオン性錯体として存在するといわれているが、本発明者は、塩化銅エッチング廃液中の銅の陰イオン性錯体は、強または弱塩基性アニオン交換樹脂に接触させてもほぼ吸着されないことを見出した。従って塩化銅エッチング廃液をこれらアニオン交換樹脂に接触させることにより、鉄や亜鉛の陰イオン性錯体はこの樹脂に吸着されて除去されるが、銅はそのまま液中に残ることから、塩化銅エッチング廃液を精製することができる。 （もっと読む）

【課題】 金又は金合金をエッチングするにあたり、高いエッチング速度をもち、かつ金又は金合金のみを高い選択性をもってエッチングでき、他の金属膜の腐食を抑制できる、エッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】
基板上に形成された金又は金を含む合金よりなる薄膜をエッチングするためのエッチング液であって、少なくともヨウ素、ヨウ素化合物及びｐＨ緩衝剤を含み、ｐＨが６〜８の範囲であるエッチング液及びこれを用いたエッチング方法。 （もっと読む）

主として水、アンモニア、硫酸銅、硫酸アンモニウム及び場合によってはエッチング速度を高めるバナジウム含有触媒から成る、特に、銅及び銅合金から成るプリント回路板及び成形部品をエッチングするための、電気分解で再生可能なエッチング溶液において、エッチング溶液が、メチレンブルーまたはその誘導体を補助的な触媒として含有する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムやその合金に対し極短時間で高いエッチング力を示し、比較的低いｐＨ領域でも高いエッチング力を維持し、アルミニウムイオンの許容量が高く、かつ発生するスラッジの量を低く抑えることができる洗浄剤の提供。
【解決手段】（Ａ）アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩及びケイ酸塩から選ばれるアルカリ剤０．１〜４００ｇ／Ｌと、
（Ｂ）特定の分子量を有する、マレイン酸のホモポリマーもしくはコポリマー又はそのアルカリ金属塩から選ばれるマレイン酸系ポリマー０．１〜１００ｇ／Ｌと、
（Ｃ）ヒドロキシカルボン酸及びそのアルカリ金属塩から選ばれるキレート剤０．１〜１００ｇ／Ｌと、
（Ｄ）洗浄用界面活性剤０．１〜５０ｇ／Ｌとを
水に配合してなり、ｐＨ９〜１４であるアルミニウム又はその合金用洗浄剤。 （もっと読む）

本発明は工具または部品から硬質材料層系を除去するための方法および装置であり、除去方法を改善するために、クロムおよびアルミニウムを含有する少なくとも１つの層が基材に直接被着され、該基材は強力な酸化剤を含むアルカリ溶液を用いて膜除去される。
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