【課題】 電極と半導体層の接触抵抗を下げることで電極を小型化した場合であっても消費電力の増加が抑制された半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｐ型の導電型を有する半導体層に隣接して金属層が設けられた構造を有する半導体素子であって、前記金属層は、前記半導体層に隣接し、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｚｎ及びＰｄのうち少なくとも一つの金属を含む第一金属層と、該第一金属層に隣接し、少なくともＢｅ及びＡｕを含む第二金属層と、を有するものであることを特徴とする半導体素子。 （もっと読む）

【課題】エアブリッジの強度を向上させる。
【解決手段】半導体層上に設けられ、互いに並列に配置された複数のソースフィンガー１０と、半導体層上に設けられ、複数のソースフィンガー１０と交互に配置された複数のドレインフィンガー１２と、半導体層上に設けられ、ソースフィンガー１０とドレインフィンガー１２との間にそれぞれ配置された複数のゲートフィンガー１４と、複数のゲートフィンガー１４同士、複数のソースフィンガー１０同士、および複数のドレインフィンガー１２同士のいずれかを共通に接続するバスラインと、複数のソースフィンガー１０、複数のドレインフィンガー１２、および複数のゲートフィンガー１４のいずれかに設けられ、バスライン上を跨ぐ複数の第１エアブリッジ２４と、複数の第１エアブリッジ２４同士の間を接続し、半導体層との間に空隙を有する第２エアブリッジ２６と、を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴの閾値電圧のばらつきのない半導体トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体トランジスタ１００は、基板１と、基板１の上方に形成された第１化合物半導体層１０３と、第１化合物半導体層１０３上に形成され、第１化合物半導体層１０３よりもバンドギャップの大きい第２化合物半導体層１０４と、第２化合物半導体層１０４内の少なくとも一部に、酸素がドープされた酸素ドープ領域１０５と、第２化合物半導体層１０４上に形成された第３化合物半導体層１０６と、第１化合物半導体層１０３に電気的に接続されたソース電極１０７およびドレイン電極１０９と、酸素ドープ領域１０５の上方に、酸素ドープ領域１０５に接するように形成されたゲート電極１０８とを有する。 （もっと読む）

【課題】高周波モジュール中におけるスイッチング素子として用いられるＨＥＭＴ素子を小型化する。
【解決手段】ＧａＡｓからなる基板１の主面上の素子分離部９で規定された活性領域内において、ゲート電極１７は、１本で形成し、ソース電極１３とドレイン電極１４との間では紙面上下方向に延在し、それ以外の部分では左右方向に延在するようにパターニングすることにより、活性領域外に配置されるゲート電極１７の割合を減じ、ゲートパッド１７Ａの面積を減じる。 （もっと読む）

【課題】金合金電極と層間絶縁膜との密着性を向上させる。
【解決手段】化合物半導体素子は、ゲート半導体層１０と、カソード半導体層１２と、カソード半導体層１２上に形成されたＡｕ合金カソード電極１４と、ゲート半導体層１０上に形成されたＡｕ合金ゲート電極１６と、層間絶縁膜１８と、カソード電極１４及びゲート電極１６上のＡｌ配線２０と、保護膜２２を備える。カソード電極１４及びゲート電極１６と層間絶縁膜１８との界面に、酸化アニール処理により形成され、下地層の構成元素を主成分とする酸化膜１５，１７を備える。 （もっと読む）

【課題】局所的な電流集中を防止して均一な発光分布を得ることができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、支持基板と、支持基板上に設けられた光反射性を有する反射電極と、反射電極上に設けられた発光層を含むAlGaInP系半導体膜と、半導体膜上に設けられた表面電極と、を含む。表面電極は、半導体膜上に分散配置された複数の電極片からなるオーミック電極を含む。反射電極は、オーミック電極を構成する電極片の各々を挟んだ両側において電極片に沿うように設けられた線状のライン電極および複数の島状のドット電極からなる。ライン電極とドット電極との距離をａ、オーミック電極とドット電極の水平距離をｂ、互いに隣接するドット電極間の距離をｃとしたときに、ｂ＞ａ且つ０．８（ａ^２＋２ａｂ）^１／２＜ｃ＜２．４（ａ^２＋２ａｂ）^１／２を満たすように表面電極および反射電極が配設される。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極からチャネル層までの距離のばらつきが低減されたＨＥＭＴ半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、リセスエッチング工程後に酸化膜形成工程を行う。リセスエッチングを行った後に、ＨＥＭＴ構造基板の加熱や過酸化水素への浸漬によって、強制的に酸化膜６’’及び７’’を形成する。このような酸化膜６’’及び７’’は、面内均一性に優れ、かつ、ある厚さで安定するため、大気中に暴露してもそれ以上酸化は進まない。酸化膜６’’及び７’’は、例えば、濃度３％の過酸化水素水にＨＥＭＴ構造基板を３分間浸漬させることや、１２０℃のホットプレート上で２分間ＨＥＭＴ構造基板を加熱させることにより形成することができる。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタのｎ型化合物半導体コンタクト層と、その上に設けられた絶縁膜との界面に存在する界面電荷により、Ｍ型コンタクト層内に空乏層が形成され、それに伴い電流の通り道となる部分が狭窄し、遮断周波数Ｆｔが低下するという課題に対する解決手段を提供する。
【解決手段】このコンタクト層を、ｎ型不純物によりドープされた下層とノンドープの上層から成る構成とした。これにより、たとえ界面電荷が存在する場合であっても、電流の通り道であるｎ型不純物によりドープされた下層とは充分離れた位置にあることとなる。よって、コンタクト層と絶縁膜との界面準位に起因する負電荷によるコンタクト層上部の空乏化に伴う電流の通り道となる部分の狭窄を防ぐことができる。 （もっと読む）

半導体構造体は、基板（１２）と、基板を覆うシード層（１３）と、シード層上に配置されるシリコン層（２２）と、シリコン層中のトランジスタデバイス（２７）と、シード層上に配置されるＩＩＩ−Ｖ族デバイスと、複数の電気コンタクトと、を備え、それぞれの電気コンタクトは、ＴｉＮまたはＴａＮの層（３２）と、ＴａＮまたはＴｉＮの層上の銅またはアルミニウムの層（３４）と、を備え、電気コンタクトの１つは、トランジスタ（２７）に電気的に接続され、電気コンタクトの別の１つは、ＩＩＩ−Ｖ族デバイスに電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ面内におけるゲート形成領域の開口部のエッチング深さを均一化して所望の閾値電圧を得ることができ、併せて歩留を向上した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半絶縁性基板上に、バッファ層と、チャネル層と、ｐ型不純物が拡散される拡散層と、前記拡散層よりもエッチングレートが大きい被エッチング層を順次エピタキシャル成長して積層するステップと、前記被エッチング層よりもエッチングレートが大きい絶縁層を前記被エッチング層上に設けるステップと、エッチングレートの違いを利用して、前記絶縁膜に開口部を設け、さらに、前記開口部を介して前記被エッチング層を選択的にエッチング除去するステップと、前記開口部から前記拡散層に前記ｐ型不純物を拡散してゲート領域を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の製造歩留りの高い発光素子発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、第１導電型の第１半導体層と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる活性層１０５とを有する半導体積層構造１０と、半導体積層構造１０の一方の面側に設けられ、活性層１０５が発する光を反射する反射層１３２と、反射層１３２の半導体積層構造１０側の反対側に金属接合層を介して半導体積層構造１０を支持する支持基板２０と、支持基板２０の金属接合層側の反対側の面に接して設けられる密着層２００と、密着層２００の支持基板２０に接している面の反対側の面に接して設けられ、密着層を介して支持基板２０との間で合金化している裏面電極２１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】無機半導体と有機物とを能動的な役割に用い、かつ有機物の劣化を防止することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体１上に有機物電極２が形成されており、有機物電極２の上にはＡｕ膜３が形成されている。ＺｎＯ系半導体１の裏面には有機物電極２に対向するように、Ｔｉ膜４とＡｕ膜５の多層金属膜で構成された電極が形成されている。有機物電極２とＺｎＯ系半導体１との接合界面は、ショットキー障壁が形成されており、これらの間で整流作用が発生する。しかも、有機物電極２の表面には、撥水膜３が被覆されているため、水等から有機物電極２表面を防護することができ、有機物電極の劣化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 二次元電子ガスを発生させるワイドギャップ半導体層をその下の半導体層の構成元素の化合物半導体により形成することにより、非常に立上り電圧が低く、かつ、逆方向耐圧が高いダイオードまたはＨＥＭＴ構造のＭＩＳ型トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＧａＡｓ基板１上に、ＧａＡｓ基板１よりもバンドギャップおよびキャリア濃度が共に大きく、ＧａＡｓ基板１の表面に二次元電子ガスを生じさせることが可能で、かつ、その二次元電子ガスの電子をトンネル可能な厚さに形成されるＮ型のＧａＮ層２が設けられ、そのＧａＮ層２と電気的に接続して第１電極３が、ＧａＡｓ基板１に電気的に接続して第２電極４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 非常に立上り電圧が低く、かつ、逆方向耐圧が実用上問題のない程度に高い耐圧のダイオードを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 インジウムを含有するＮ型半導体層１の表面に二次元電子ガスを発生させることが可能で、かつ、その二次元電子ガスの電子をトンネル可能な厚さで酸化インジウム層２が形成され、その酸化インジウム層２上に金属または導電性酸化膜からなる第１電極３が形成され、Ｎ型半導体層（Ｎ型半導体基板）１と電気的に接続して第２電極４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の周囲に形成される空洞と保護膜に形成されるホールとの境界部分の開口を封止しやすい構造を実現する。
【解決手段】半導体装置を、ゲート電極３と、高さが低い部分６Ａと高さが高い部分６Ｂとを有する階段状の空間６をゲート電極３の周囲に有する保護膜４と、高さが低い部分６Ａに接するように保護膜４に形成されたホール５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】発光素子の製造プロセスにおいて、あるいは又、発光素子の動作時、安定した挙動を示す第２電極を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、ｎ型の導電型を有する第１化合物半導体層１１、第１化合物半導体層１１上に形成され化合物半導体から成る活性層１２、活性層１２の上に形成された、ｐ型の導電型を有する第２化合物半導体層１３、第１化合物半導体層１１に電気的に接続された第１電極１５、及び、第２化合物半導体層１３上に形成された第２電極１４を備えており、第２電極１４は、チタン酸化物から成り、４×１０²¹／ｃｍ³以上の電子濃度を有し、活性層で発光した光を反射する。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ原子及びＡｓ原子の電極表面への拡散を低減可能なｎ型ＧａＡｓ系半導体の電極構造及びこの電極構造を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電極構造は、Ａｕ及びＧｅを含む化合物から成り、ｎ型ＧａＡｓ半導体基板１０上に設けられたオーミック金属層１１と、オーミック金属層１１上に設けられた第１のＰｔ層１３と、第１のＰｔ層１３上に設けられたＴｉ層１４とを備える。Ｔｉ層１４は、Ｇａ原子及びＡｓ原子の電極表面への拡散を防止する。第１のＰｔ層は、Ｔｉ層１４のＴｉ原子が、Ａｕ電極層１２及びオーミック金属層１１へ拡散することを防止する。その結果、Ｔｉ層１４の拡散防止機能が維持される。これらにより、電極表面へのＧａ原子及びＡｓ原子の拡散を低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓなどの閃亜鉛鉱構造と負のピエゾ電気定数ｅ１４を有する化合物半導体材料よりなる半導体基板や半導体層の良好な結晶性を維持した状態で、電極とのコンタクト抵抗を下げる。
【解決手段】半絶縁性のＧａＡｓから構成され、主表面が（１００）面とされた基板１０１の上に、圧縮性の内部応力を伴う絶縁体から構成されて［０−１１］方向に延在するストライプ状の絶縁パターン１１１と、絶縁パターン１１１のとなりの、導電性領域１０２が形成されている領域の基板１０１の上に形成されたオーミック電極１０３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 テラヘルツ波等の高周波を検出するためのショットキー接合部において、熱電子放出電流特性（フェルミレベルピニングの影響）を抑制することができる検出素子を提供する。
【解決手段】 第一ショットキー接合を形成する第一金属部２０と、第一金属部２０に接続され、高周波を検出する外部接続部材２と、第一金属部２０の周辺に形成される絶縁体３と、オーミック接合を形成する金属層４とを備える検出素子１０であって、第二ショットキー接合を形成する第二金属部２１と、第一金属部２０と第二金属部２１とを接続する抵抗値Ｒ_３の抵抗部材２７とを備え、第一ショットキー接合部は、交流抵抗値Ｒ_１−ＡＣ、直流抵抗値Ｒ_１−ＤＣを有し、第二ショットキー接合部は、交流抵抗値Ｒ_２−ＡＣ、直流抵抗値Ｒ_２−ＤＣを有し、抵抗値Ｒ_３は、式（１）を満たすことを特徴とする。
Ｒ_１−ＡＣ＜＜Ｒ_３＜＜Ｒ_２−ＤＣ・・・・・・（１） （もっと読む）

【課題】 オーミック電極とバリアメタル層の密着強度を向上させる。
【解決手段】 半導体素子の製造方法は、（ａ１）半導体積層構造を準備する工程と、（ｂ１）前記半導体積層構造上にオーミック電極層を成膜する工程と、（ｃ１）前記オーミック電極層上にＡｕを含む接着層を成膜する工程と、（ｄ１）前記工程（ｃ１）から大気開放せずにバリアメタル層を成膜する工程とを含む。 （もっと読む）