【課題】挿入損失を増大させることなくマルチゲートのゲート間の電位安定化が可能なスイッチング素子並びにそれを用いたアンテナスイッチ回路及び高周波モジュールを提供すること。
【解決手段】電界効果型トランジスタを成すように、半導体基板上に形成された２個のオーミック電極３９，４０と、上記２個のオーミック電極の間に配置された少なくとも２個のゲート電極４１，４２と、隣り合うゲート電極の間に挟まれて配置された導電領域４５とが備えられる。導電領域は、一端に、上記隣り合うゲート電極に挟まれている導電領域よりも幅が広い幅広部分を有し、隣り合うゲート電極の間の距離が幅広部分の幅よりも狭い。更に、幅広部分を介して２個のオーミック電極の間に直列に抵抗４４，４６が接続されている。 （もっと読む）

【課題】結晶破壊やめっき剥離を起こし難い金属めっきを形成することができるめっき方法及びそのような金属めっきを備える電子装置を提供すること。
【解決手段】開口１６ａが形成されるとともに、前記開口１６ａの内周面が裏面側から表面側に向かうほど前記開口側に大きく迫り出すレジストパターン１６を形成する工程と、前記レジストパターンに形成される前記開口を充填する金属めっき１８を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極同士の間隔を短縮することができる半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】半導体基板１３の表面にリセス溝１４が形成されている。リセス溝１４の底部に絶縁膜１５が形成されている。絶縁膜１５を覆うようにゲート電極１６が形成されている。ゲート電極１６は、絶縁膜１５を挟んで両側においてリセス溝１４の底部に接する。絶縁膜１５を挟んで両側にデュアルゲートが自己整合的に形成されるため、ゲート電極同士の間隔を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】表面リーク電流を抑制したダイヤモンド半導体素子を提供する。
【解決手段】ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドｐ⁻ドリフト層、ダイヤモンドｐ^＋オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、ショットキー電極の周囲に絶縁膜層を設けたダイヤモンド半導体素子 （もっと読む）

【課題】リーク電流を抑制でき、かつ絶縁耐圧を十分に確保可能なダイヤモンド電子素子を得ることができるダイヤモンド電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】このダイヤモンド電子素子の製造方法では、Ｐ^＋ダイヤモンド半導体層１１の形成の際、ダイヤモンド基板１０の一面１０側に存在する結晶欠陥の核となるサイトをホウ素によって終端させることができる。これにより、Ｐ^＋ダイヤモンド半導体層１１及びＰ⁻ダイヤモンド半導体層１２への欠陥の伝播が抑制されるので、ヒロック密度や異常粒子密度を低くでき、ショットキー障壁のレベルよりも低いレベルでのリーク電流の発生を抑止できる。また、電界の集中による絶縁破壊の発生も回避できる。また、Ｐ⁻ダイヤモンド半導体層１２のホウ素密度を抑えることで、逆電圧を印加したときのキャリアの移動速度が高められ、絶縁破壊のより確実な回避が実現される。 （もっと読む）

【課題】高電界でも低リーク電流で高い電圧まで動作する高出力ダイヤモンド半導体素子を提供する。
【解決手段】ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドｐ⁻ドリフト層、ダイヤモンドｐ^＋オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、ショットキー電極とダイヤモンドｐ⁻ドリフト層の接合面の一部に、誘電層を設け、さらに誘電層の外表面でかつショットキー電極の周囲面に、導電体からなるフィールドプレートを設けることにより、カソード電極付近の電界を緩和する高出力ダイヤモンド半導体素子。 （もっと読む）

【課題】
素子領域周辺をエッチングして素子分離を行ない、かつ優れた特性を有する化合物半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】
化合物半導体装置は、ＩｎＰ基板と、ＩｎＰ基板上方にエピタキシャル積層で形成されたメサであって、チャネル層、チャネル層上方のキャリア供給層、キャリア供給層上方のコンタクト用キャップ層を含むメサと、キャップ層上に形成された一対のオーミック電極である、ソース電極とドレイン電極と、一対のオーミック電極の間でキャップ層を除去して形成され、キャリア供給層を露出するリセスと、リセスから離れる方向にキャップ層のエッジから後退して、キャップ層上に形成された絶縁膜と、リセスのキャリア供給層上からメサ外に延在するゲート電極と、チャネル層のゲート電極と対向する側部を除去して形成されたエアギャップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板上にオーミック電極を形成する際に、金属と炭化珪素との合金化熱処理を不要にする。
【解決手段】六方晶単結晶の炭化珪素基板１１の（０００１）面にリン（Ｐ）をイオン注入することで、その部分をアモルファス層１２にする。次に、熱処理することで、アモルファス層１２を立方晶単結晶のｎ型炭化珪素１３に再結晶化させる。次に、そのｎ型炭化珪素１３の上面にニッケル（Ｎｉ）を蒸着することで、電極１４を形成する。炭化珪素１３と電極１４との間に形成されるショットキー障壁の高さが低くなり、合金化熱処理を用いることなく、電極１４と炭化珪素１３との間にオーミックコンタクトが実現される。 （もっと読む）

【課題】ビアホールの形成に関連する歩留まりの低下を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１上にＧａＮ層２及びｎ型ＡｌＧａＮ層３を形成し、その後、ゲート電極４ｇ、ソース電極４ｓ及びドレイン電極４ｄを形成する。次に、ソース電極４ｓ、ＧａＮ層２及びｎ型ＡｌＧａＮ層３に、少なくとも絶縁性基板１の表面まで到達する開口部６を形成する。次いで、開口部６内にＮｉ層８を形成する。その後、Ｎｉ層８をエッチングストッパとするドライエッチングを行うことにより、絶縁性基板１に、その裏面側からＮｉ層８まで到達するビアホール１ｓを形成する。そして、ビアホール１ｓ内から絶縁性基板１の裏面にわたってビア配線１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】高周波利得特性を向上させることができる電界効果トランジスタを得る。
【解決手段】基板１０上に形成された能動層と、能動層上に離間して形成されたソース電極１及びドレイン電極３と、ソース電極１とドレイン電極３との間に形成されたゲート電極２と、能動層上に形成された第１層間膜２１と、ゲート電極２と接続され、ゲート電極２とドレイン電極３との間の領域の、第１層間膜２１上に配設された第１ＦＰ電極５と、第１層間膜２１上に形成された第２層間膜２２と、ソース電極１と接続され、第１ＦＰ電極６とドレイン電極３との間の領域の、第２層間膜２２上に配設された第２ＦＰ電極６とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】基板上に互いに特性が異なる複数の半導体素子を有する半導体装置を、制御性高くかつ低コストで製造することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板上に複数の半導体素子を有する半導体装置の製造方法であって、前記基板に熱輻射量または熱伝導量が互いに異なる複数の領域を有する加熱制御層を形成する加熱制御層形成工程と、前記加熱制御層を形成した基板を加熱する加熱工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体領域の表面における化学的な安定性の向上と、絶縁膜自体の良好な絶縁性という、保護絶縁膜に求められる相反する要求を共に満たし、高性能で信頼性に優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体領域２の表面を覆う保護絶縁膜１０を性質の異なる第１の絶縁膜１１と第２の絶縁膜１２との２層構造を有するように形成する。第１の絶縁膜１１は非ストイキオメトリのシリコン窒化膜、第２の絶縁膜１２はほぼストイキオメトリの状態とされたシリコン窒化膜とする。 （もっと読む）

【課題】短ゲート長のゲート電極を有する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体基板１０上にゲート電極１４を形成する領域を規定するダミーゲート１２を形成する工程と、半導体基板１０表面に対して垂直方向の指向性スパッタであるコリメートスパッタ、ロングスロースパッタおよびイオンビームスパッタのいずれかにより半導体基板１０上に表面膜１６を形成する工程と、ダミーゲート１２の側壁に形成された表面膜１６を除去する工程と、ダミーゲート１２を除去する工程と、半導体基板１０上のダミーゲート１２を除去した領域にゲート電極１４を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】金属除去工程において微細ゲートに加えられる物理的衝撃を低減して安定的にＴ-ゲートを形成する方法を提供する。
【解決手段】メタモーフィック高電子移動度トランジスタのＴ-ゲートを形成する方法であって、基板上に複数のレジスト膜３０２，３０３を順次積層する段階と、前記積層されたレジスト膜に電子ビームリソグラフィを用いてＴ型パターンを形成する段階と、前記Ｔ型パターンが形成された基板上にゲート金属層３０５を形成する段階と、接着部材３０６を前記積層されたレジスト膜の最上層に形成されたゲート金属層３０５と接着されるようにした後、前記接着部材と前記積層されたレジスト膜の最上層に形成されたゲート金属層とを前記基板から分離させることで、前記積層されたレジスト膜の最上層に形成されたゲート金属層を除去する段階と、前記積層されたレジスト膜を全て除去する段階とを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、低い順方向立上り電圧と、高い逆方向電圧とを実現する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたアンドープの第１のIII-Ｖ族窒化物半導体層と、前記第１のIII-Ｖ族窒化物半導体層上に形成された、前記第１のIII-Ｖ族窒化物半導体層よりもバンドギャップの広いアンドープの第２のIII-Ｖ族窒化物半導体層と、前記第２のIII-Ｖ族窒化物半導体層上に形成された第１のアノード電極と、前記第１のアノード電極を覆うように、前記第２のIII-Ｖ族窒化物半導体層上に形成された第２のアノード電極と、前記第２のIII-Ｖ族窒化物半導体層上に形成されたカソード電極とを有し、前記第１のアノード電極は熱処理が施されており、前記第１のアノード電極と前記第２のIII-Ｖ族窒化物半導体層との間に生じるショットキーバリアおよび逆方向耐圧は、前記第２のアノード電極と前記第２のIII-Ｖ族窒化物半導体層との間に生じるショットキーバリアおよび逆方向耐圧よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】高い拡散防止効果を備えながら応力の少ない電極を有する半導体素子及び、その半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子５１に形成する電極４４を、熱処理を施してオーミック特性を付与する第１電極層３０と、熱処理を施さない第２電極層３６とに分けて形成することで、熱処理時に生じる応力を低減することができる。また、バリア層を第１バリア層２６と第２バリア層２８とに分けることで薄層化して、応力を低減するとともに、半田接合時には第１バリア層２６と第２バリア層２８との間に設けた中間層２７を拡散消失させて、あたかも厚い１層のバリア層２３として機能させることで、高い拡散防止効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高速特性を高く維持したまま、ゲート耐圧を向上させることができ、望ましくは低雑音特性をも向上させることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スペーサ層４は、厚さが３ｎｍの真性ＩｎＡｌＡｓ層である。供給層５は、厚さが４ｎｍのｎ型ＩｎＡｌＡｓ層である。バリア層７は、例えば厚さが５ｎｍの真性ＩｎＡｌＡｓ層である。このように構成されたＨＥＭＴでは、チャネル層３とプレーナドープ層６との間に、スペーサ層４及び供給層５が存在し、これらの総厚さは７ｎｍ程度である。このため、プレーナドープ層６中の不純物（Ｓｉ）がチャネル層３まで拡散することはなく、良好な低雑音特性を得ることができる。また、バリア層７として真性の半導体層を用いているため、バリア層７を薄くしても十分なゲート耐圧を得ることができ、バリア層７を薄くすることにより、相互コンダクタンスｇｍの低下を相殺することができる。 （もっと読む）

【課題】窒化物化合物半導体を用いたパワーダイオード、パワーＭＯＳＦＥＴ等のパワー半導体素子について、クラックフリーで形成されて従来よりも厚い窒化物化合物半導体層を使用して耐圧を向上することである。
【解決手段】シリコン基板１上に厚さ１０μｍ以上の凸状に選択成長された窒化物化合物半導体からなるキャリア移動層３と、キャリア移動層３上に形成された電極４とを有し、１つのパワー半導体素子は１つのキャリア移動層３から構成されている。 （もっと読む）

本明細書において、半絶縁性基材（２）と、半絶縁性基材（２）上に形成されたエピタキシャル基材（３）と、コンタクト層（１９）とを含むシュードモルフィック高電子移動度トランジスタ（ＰＨＥＭＴ）パワーデバイス（１）が開示されている。コンタクト層（１９）は、ショットキー層（１８）上に形成された低濃度ドープコンタクト層（２０）、ならびに、低濃度ドープコンタクト層（２０）上に形成されると共に低濃度ドープコンタクト層（２０）より高いドープ濃度を有する高濃度ドープコンタクト層（２１）を含む。ＰＨＥＭＴパワーデバイス（１）は、高濃度ドープコンタクト層（２１）を貫通して形成された広幅リセス（２３）および広幅リセス（２３）中に形成されて低濃度ドープコンタクト層（２０）を貫通する狭幅リセス（２４）をさらに含む。ゲート電極（６）が、狭幅リセス（２４）中に、ショットキー層（１８）とショットキー接続で形成されている。
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【課題】ダイオードのゲート幅を変更することなく許容電流を増大させた保護素子、及びこの保護素子を備えた半導体装置、並びに半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に設けた第１の導電型とした第１の導電層と、この第１の導電層の上面に形成された第２の導電型の第２の導電層とを備えた保護素子において、第２の導電層の下面を凹凸形状とする。さらに、半導体基板の第１の導電層の下層側には第１の導電型の第３の導電層を設け、第２の導電層の下面の一部を第３の導電層に接合させる。 （もっと読む）