【課題】低抵抗なオーミック特性および高い密着性を実現できる窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、半導体素子が形成されるｎ型ＧａＮ基板１と、当該ＧａＮ基板１の裏面に形成された金属電極であるｎ電極１０とを備える。ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間には、表面変性層２０および反応層３１が設けられる。表面変性層２０はキャリア供給層として機能するものであり、ＧａＮ基板１の裏面をＳｉ含有プラズマと反応させ変性させることにより形成される。反応層３１は、表面変性層２０上に堆積されたデポ物を洗浄により部分的に除去しデポ層とした後に、第１金属層１１に含まれるＴｉとデポ層とが熱処理により部分的に反応し形成される。 （もっと読む）

【課題】Ｅ―ＦＥＴおよびＤ−ＦＥＴのそれぞれに求められる特性を両立する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１００は、半導体基板１０１上に形成されるチャネル層１０４と、チャネル層１０４上に形成される電子供給層１０５と、電子供給層１０５上に形成される第１のショットキー層１０７と、第１のショットキー層１０７上に形成される第２のショットキー層１０８と、第１のショットキー層１０７上に形成され、第１のショットキー層１０７とショットキー接合する第１のゲート電極１１４と、第１のゲート電極１１４を挟むように形成されるオーミック電極１１５ｃと、第２のショットキー層１０８上に形成され、第２のショットキー層１０８とショットキー接合し、第１のゲート電極１１４と異なる材料で形成される第２のゲート電極１１５ａと、第２のゲート電極１１５ａを挟むように形成されるオーミック電極１１５ｄとを備える。 （もっと読む）

【課題】エッチピットを低減可能な構造を有するバイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＢＴ１は、半絶縁性のＩｎＰ基板２と、同基板２上に形成されたバッファ層３０と、バッファ層３０上に形成されたサブコレクタ層４０と、コレクタ層８０と、ベース層９０と、エミッタ層１００と、エミッタ層１００上に形成されたエミッタコンタクト層１１０とを有する。エミッタ層１００のエッジは、エミッタコンタクト層１１０のエッジから離れて設けられている。また、エミッタ層１１０の表面は、平坦化されている。ＨＢＴ１は、サブコレクタ層４０上にコレクタ電極１７と、エミッタ層１００上にベース電極１６と、エミッタコンタクト層１１０上にエミッタ電極１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高出力、高耐圧、高速、高周波化などを達成し得る新規なGaN系ヘテロ接合トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題は、GaN又はInGaNからなるチャネル層(4)と、AlNからなる障壁層(5)と含むヘテロ界面を構成する層と、トランジスタ素子表面に形成された絶縁膜(9)、及び前記絶縁膜上に形成されたオーミック電極を有する電界効果トランジスタ(1)、特に絶縁膜としてSiN絶縁膜を用いた電界効果トランジスタや、そのような電界効果トランジスタの製造方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】温度上昇を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置１００は、ｎ型またはｐ型の導電型のＧａＡｓ基板１０１と、エピタキシャル成長によって前記ＧａＡｓ基板上に形成された放熱層１１０と、エピタキシャル成長によって前記放熱層の上方に形成されたｎ型またはｐ型の半導体層１４０と、を含み、前記放熱層は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層からなり、ｘは、０≦ｘ≦１を満たす。 （もっと読む）

【課題】庇部を有する電極の庇部下の空洞を絶縁膜で埋め込むことで、層間絶縁膜や配線の段切れ、配線の短絡等を防止することを可能とする。
【解決手段】基板１０に形成された導電層（エミッタキャップ層１５）に接続されるもので庇部２０ａ有するコンタクト電極（エミッタ電極）２０と、エミッタ電極２０の庇部２０ａ下の空洞２８部分に埋め込まれた絶縁膜３１と、エミッタ電極２０および絶縁膜３１側部を被覆する層間絶縁膜２１と、層間絶縁膜２１に形成された接続孔２４を通じてエミッタ電極２０に接続されるとともに、層間絶縁膜２１上をエミッタ電極２０上より電極周辺部に配設されている配線２７とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】各素子の接続部分に発生する寄生容量等の問題を解消し、高い周波数の高周波信号についても、これを高精度に検波可能な装置を製造可能な技術を提供すること。
【解決手段】平面アンテナ３及び増幅回路５並びに検波回路７を一体形成するため、支持基板上に、増幅回路形成用の半導体層を積層し、この上層に、ＩｎＰ層１５を形成し、更に、上層に、検波回路形成用の半導体層を積層して、基本部材を形成する。この後、基本部材の半導体層を加工して、検波回路７を形成し、この後に、検波回路７側の基本部材表面に、第二の支持基板４０を貼り付ける。また、この後、基本部材形成時に最下層に配置した支持基板を取り除き、基本部材の上下を反転させて、基本部材に形成された増幅回路形成用の半導体層を加工し、増幅回路５及び平面アンテナ３を形成する。また、加工時には、増幅回路５と検波回路７とを、キャパシタ６０により電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】高速動作を可能とするとともに、給電のためのワイヤをボンディングする時に生じる不具合を大幅に軽減しうる、半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、凸部４ａ及び平坦部４ｂを有しており、基板１上に形成される半導体層と、平坦部４ｂの上面及び凸部４ａの側面に形成された電流ブロック層６と、凸部４ａ上に設けられた直線部７ａ及び直線部７ａから凸部４ａの幅方向外側に突出する複数の突出部７ｂによって構成される電極７とを備える。複数の突出部７ｂは、電流ブロック層６上に設けられており、複数の突出部７ｂの間には、電流ブロック層６が露出する間隙が設けられている。 （もっと読む）

【課題】樹脂層と電極パッドとの密着性が向上された半導体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１実施形態に係る半導体デバイスの製造方法は、半導体素子２上に設けられシリコン原子を含む樹脂層４ａの表面４ａｓを、酸素原子を含むガスとフッ素原子を含むガスとの混合ガスから生成されたプラズマＰ１によって処理することにより、酸化膜６ａを形成する第１のプラズマ処理工程と、酸化膜６ａ上に金属からなる電極パッド８を形成する電極パッド形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】応力歪が低減された半導体装置を提供する。
【解決手段】第１及び第２の主面を有する半導体層と、前記半導体層の前記第１の主面に設けられた第１電極と、前記半導体層の前記第２の主面において第１の方向に延在する凹部と、少なくとも前記凹部の内壁を被覆する補強層と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】電極間の耐圧を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ショットキー電極であるゲート電極１はオーミック電極であるドレイン電極２側の第１の角３の内角θ１が９０°を超えている。これにより、ゲート電極１とドレイン電極２との間の電界がゲート電極１の第１の角３に集中することを抑制できる。また、ゲート電極１の断面の多角形Ｓ１の第２の角５は内角θ２が鋭角であるが、内角θ２の２等分線の外向きの延長線Ｌ２がドレイン電極２および半導体層１００と交差しないので、この第２の角５にはゲート電極１とドレイン電極２との間の電界が集中し難い。 （もっと読む）

【課題】ゲートの遷移電流や漏れ電流が小さく、ピンチオフ電圧が安定な電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】半導体層３上でこの半導体層３の表面に沿って互いに離間した位置に、それぞれ金属電極を有するソース５、第１ゲート６、第２ゲート７、ドレイン８をこの順に備える。第１ゲート６はノーマリオフ、第２ゲート７はノーマリオンになっている。第１ゲート６はショットキ型であり、第２ゲート７はＭＩＳ型である。 （もっと読む）

【課題】オーミックコンタクトを有効に形成し、デバイスの操作特性を向上させる、ｐ型ひずみInGaNベース層を有するGaNへテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型ひずみInGaNベース層を有する窒化ガリウムへテロ接合バイポーラトランジスタが提供され、窒化ガリウムへテロ接合バイポーラトランジスタが、基板、基板上に設置される高濃度ドープしたコレクタ接触層、前記コレクタ接触層上に設置される低濃度ドープしたコレクタ層、前記コレクタ層上のｐ型ベース層、前記ｐ型ベース層上に設置された高濃度ドープしたｐ型ひずみInGaNベース層、前記ｐ型ひずみInGaNベース層上に設置されるエミッタ層、前記エミッタ層上に設置される高濃度ドープしたエミッタ接触層および前記エミッタ接触層上、前記ｐ型ひずみInGaNベース層上、および前記コレクタ接触層上にそれぞれ設置される、エミッタ金属電極、ベース金属電極およびコレクタ金属電極を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊電界が高く、熱伝導率が極めて良好で放熱性に優れ、化学的にも安定であり、またバンドギャップが大きいというダイヤモンド半導体の特性を最大限に活用するために、ダイヤモンドデバイスの電界集中による電極の破壊電圧を抑制するためのダイヤモンド電極構造を備えたデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ダイヤモンドの表面と電極の表面が同一面となるように、半導体ダイヤモンドに設けた溝に電極が埋め込まれた構造を有することを特徴とするダイヤモンドデバイスの電界集中による電極の破壊電圧を抑制するためのダイヤモンド電極構造を備えたデバイス。 （もっと読む）

【課題】逆方向リーク電流を抑制したダイヤモンドパワー半導体デバイスと、その製造方法を提供する。
【解決手段】電極とダイヤモンド薄膜を設けた基板からなり、デバイス領域が非エピタキシャル膜及び成長丘状ヒロックの異常成長領域のないダイヤモンド薄膜上に形成されるダイヤモンドパワー半導体デバイス。エピタキシャルダイヤモンド薄膜の異常成長粒子や成長丘などの結晶欠陥を検査し、これを避けて電極用パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物基板裏面とそこに形成される電極との間における、コンタクト抵抗の低減および安定性の向上することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、半導体素子が形成されるｎ型ＧａＮ基板１と、当該ＧａＮ基板１の裏面に形成された金属電極であるｎ電極１０とを備える。ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間には、窒化物半導体以外の材料であってシリコンを含むものから成る接続層２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】活性領域が露出されず、かつ素子の破壊電圧が高い不定形高電子移動度トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】キャップ層２４が形成された基板を用意し、キャップ層２４上にソース電極２５及びドレイン電極２６を形成し、第１保護膜２７を形成した後、キャップ層２４が露出するように第１保護膜２７をパターニングし、そのキャップ層２４を除去して、第１リセス構造を形成し、第２保護膜２９を形成した後、基板が露出するように第２保護膜２９をパターニングして、第２リセス構造を形成し、感光膜３１，３２，３３を形成した後、基板２０が露出し、ゲート電極の形状の開口部を有するように感光膜３１，３２，３３をパターニングし、開口部が埋め込まれるように金属を蒸着した後、感光膜３１，３２，３３を除去して、基板２０に連結されるゲート電極３４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＩｎＰあるいはＡｌＧａＩｎＰにコンタクト抵抗の低いオーミック電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型又はｐ型のＧａＡｓ層上に、ＧａＩｎＰ層又はＡｌＧａＩｎＰ層を積層した半導体基板を用意し、少なくともＴｉと、Ｇｅ又はＺｎを含むオーミック金属を、ＧａＩｎＰ層又はＡｌＧａＩｎＰ層上に積層形成する。その後、熱処理を行い、ＴｉとＧａＩｎＰ層又はＡｌＧａＩｎＰ層とが固相反応して形成したオーミック合金層内で、Ｇｅ又はＺｎが不純物として作用し、ＧａＡｓ層にオーミック接触を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ヘテロ接合半導体素子と別の半導体素子とが同一基板上に集積され、かつ、この別の半導体素子の電極取り出し構造が改良された半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 前記別の半導体素子の一例である抵抗素子２０を構成する抵抗層１１を、イオン注入法または不純物拡散法によって半絶縁性基板１内に形成する。次に、サブコレクタ層２、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、そしてエミッタキャップ層６の構成材料層を、基板１の全面にエピタキシャル成長法によって形成する。次に、これらの一部をメサ構造に加工して、ＨＢＴ１０を形成する。一方、抵抗素子２０の素子電極１４、１５を高い位置で取り出すための導電層１２、１３を、サブコレクタ層２の構成材料層４２のパターニングによって形成し、素子電極１４、１５をこの上に形成する。次に、ＢＣＢなどの平坦化膜３０を形成し、これを介して配線３１、３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】低動作電圧を実現することができ、信頼性の向上が可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】ｐ型窒化物半導体層と、窒化物半導体層表面上の酸化パラジウム膜３０を含むｐ側電極１８とを備える。 （もっと読む）