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Fターム[4M104DD06]の内容

半導体の電極 (138,591) | 製造方法(特徴のあるもの) (30,582) | コンタクトホール又は電極析出部の形成 (4,254)

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Fターム[4M104DD06]に分類される特許

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【課題】 上層配線層と下層配線層とを、アスペクト比の高いビアコンタクトで接続した多層配線構造を提供する。
【解決手段】 多層配線構造のビアコンタクト形成工程が、ビアホールの底面上に触媒層を設け、触媒層上にビアホールの上方に向ってめっき金属層を成長させ、めっき金属層でビアホールを充填する無電解めっき工程からなる。 (もっと読む)


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