【課題】ゲート電極と拡散層に接続する共通コンタクトにおけるリークを防ぐ。
【解決手段】半導体装置は、拡散層が形成された基板と、基板上に形成されたゲート電極と、基板上にゲート電極よりも高い位置まで形成された第１絶縁層と、拡散層に電気的に接続され、第１絶縁層を貫通する第１コンタクトと、ゲート電極と電気的に接続された第２コンタクトと、第１絶縁層の上に形成された第２絶縁層とを備える。第１コンタクトと第２コンタクトとは第１絶縁層の上面以上の高さにおいて電気的に接続する。ゲート電極上と拡散層上は異なるコンタクトで形成されているため、ゲート電極のサイドウォールが減少することなく、リークを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】３Ｄピラートランジスタにおいて、ゲートコンタクトとシリコン基板との間のショートを抑制した半導体装置及びその製造方法を得るという課題があった。
【解決手段】半導体からなる基板１と、一面１ａから突出され、前記半導体からなる第１の突出部２と、一面１ａに設けられた溝部１ｃに充填された第１の絶縁体３と、第１の突出部２に隣接して一面３ａから突出され、第１の絶縁体３からなる第２の突出部４と、第１の突出部２の側面を覆うゲート絶縁膜５と、ゲート絶縁膜５を覆うゲート電極６と、第１の突出部２に設けられた上部拡散層１３と、下部拡散層１４と、第２の突出部４の側面を覆うとともにゲート電極６に接続された連結電極６０と、第１の突出部２及び第２の突出部４を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通して連結電極６０に接するゲートコンタクト１０と、を有する半導体装置及びその製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた、表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極とプラグとの接続信頼性を向上することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明では、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極Ｇ１を金属膜ＭＦ２とポリシリコン膜ＰＦ１の積層膜から構成するＭＩＰＳ電極を前提とする。そして、このＭＩＰＳ電極から構成されるゲート電極Ｇ１のゲート長に比べて、ゲートコンタクトホールＧＣＮＴ１の開口径を大きく形成する第１特徴点と、ゲート電極Ｇ１を構成する金属膜ＭＦ２の側面に凹部ＣＰ１を形成する第２特徴点により、さらなるゲート抵抗（寄生抵抗）の低減と、ゲート電極Ｇ１とゲートプラグＧＰＬＧ１との接続信頼性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】フィンの下部に適切に不純物が導入された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置としてのＦｉｎＦＥＴ１は、基体としての半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成された複数のフィン２０とを有し、複数のフィン２０は、第１の間隔と第１の間隔よりも間隔が狭い第２の間隔とを繰り返して形成され、第１の間隔を形成する側に面した第１の側面２２１の下部の不純物濃度が、第２の間隔を形成する側に面した第２の側面２２２の下部の不純物濃度よりも高い半導体領域を有する。 （もっと読む）

【課題】所望の逆耐圧を容易に設定できるショットキーダイオードの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明はショットキーダイオードの製造方法において、半導体基板を準備する工程と；前記半導体基板上に第１導電型埋め込み酸化膜及び第１導電型エピタキシャル層を形成する工程と；前記第１導電型エピタキシャル層内に、前記第１導電型埋め込み酸化膜に接続された第１導電型拡散層を形成する工程と；前記第１導電型エピタキシャル層上に絶縁膜を形成する工程と；前記絶縁膜をマスクとしたイオン注入により、ショットキーダイオード端部の電界集中を緩和する第２導電型拡散層を形成する工程と；前記第２導電型拡散層の上部に、シリサイド層（金属層）を形成する工程と；前記絶縁層内に、前記第１導電型拡散層に接続されるコンタクトを形成する工程と；前記絶縁層上に前記コンタクトと接続される配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造過程において生じるウエハ外周部分からのパーティクルの発生を防止し、十分な歩留りを実現する。
【解決手段】ウエハにゲート電極となる導電膜４、５を形成する第一工程と、導電膜４、５の中の、ウエハの外周部分に形成された導電膜４、５の上に選択的に保護膜７を形成する第二工程と、導電膜４、５の上に第一レジストパターンを形成し、前記第一レジストパターンをマスクとして導電膜４、５をエッチングすることにより、ゲート電極を形成する第三工程と、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成する第四工程と、前記層間絶縁膜の上に第二レジストパターンを形成し、前記第二レジストパターンをマスクとして前記層間絶縁膜をエッチングすることにより、コンタクトホールを形成する第五工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＤＣＢＬストレスによるオフ耐圧性能を向上させた高耐圧ＬＤＭＯＳを提供する。
【解決手段】 半導体基板に形成され、トレンチにより素子分離され、ソース領域がドレイン領域で挟まれたＭＯＳトランジスタであり、ゲート電極に接続されたメタル層ゲート配線がＰ型ドリフト層上を通過するように前記トレンチ外に引き出されている高耐圧ＬＤＭＯＳ。 （もっと読む）

【課題】低コストで微細パターンを形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、被加工体１０上に第１のレジスト１１を形成し、第１のレジスト１１をパターニングする工程と、第１のレジスト１１のパターニングの後、被加工体１０上に第２のレジスト１２を形成し、第２のレジスト１２に対する選択的露光、ベーク及び現像を行い、その現像時に被加工体１０上に残っている第１のレジスト１１を除去するとともに、第２のレジスト１２の一部を選択的に除去して、第２のレジスト１２をパターニングする工程と、パターニングされた第２のレジスト１２をマスクにして被加工体１０を加工する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】工程数の低減が可能な電気光学装置の製造方法および電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板の上方に、第１導電性膜を形成する工程と、第１導電性膜上に、第１導電性膜を露出する第１凹部(C2)と、平面視において第１凹部を取り囲むよう配置された第２凹部(G2)と、を有する層間絶縁膜(R1,R2)を形成する工程と、第２凹部の底面をエッチングし、第２凹部より大きい開口部を有する第３凹部(G3)を形成することにより、第２凹部の下方にオーバーハング部(OH)を形成する工程と、第１、第２および第３凹部内を含む前記層間絶縁膜上に第２導電性膜を堆積することにより、第１導電性膜と電気的に接続され、第２導電性膜よりなる画素電極を形成するとともに、第３凹部(G3)によって画素電極(PE)とその外周の第２導電性膜(30b)とを電気的に分離する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート電極とソース電極間の絶縁性を向上させ、ゲート電極とソース電極間のリーク電流を低減させることにより、確実に動作する薄膜トランジスタおよび画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層および前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記半導体層の直上に離間して形成された第１の開口部および第２の開口部を有する保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第１の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたソース電極と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第２の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたドレイン電極を備える薄膜トランジスタにすることにより、ゲート電極とソース電極との間の絶縁膜の膜厚が実質的に増すこととなり、絶縁性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極とのコンタクトを簡便に得ることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、縦型ＭＯＳＦＥＴ５０を有する半導体装置であって、半導体基板に形成され、ゲート絶縁膜３を介して縦型ＭＯＳＦＥＴ５０のゲート電極４ａが埋め込まれている第１トレンチ（トレンチ２ａ）と、第１トレンチとつながって形成され、第１トレンチよりトレンチ幅の広い第２トレンチ（トレンチ２ｂ）と、ゲート電極４ａとつながって形成され、ゲート絶縁膜３を介して第２トレンチの側面に形成されたゲートパッド（ゲート電極４ｂ）と、ゲートパッドの側面と接続するように形成され、ゲートパッドを介してゲート電極４ａと電気的に接続するゲート配線１１と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】 ショットキーバリアダイオードのアノード電極にワイヤボンディングする時の荷重と超音波振動による機械的ダメージにより、ダイオード特性が劣化するなどの問題が発生していた
【解決手段】 ショットキーバリアダイオードの少なくとも外部接続手段を固着する領域の下方に開口部を有する絶縁膜を設けショットキー金属層を形成し、例えばアルミニウムからなるアノード電極とアルミニウムワイヤの接合時の機械的ダメージによるダイオード特性の劣化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを素材として採用することで本来得られる特性をより確実に得ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＪＦＥＴ１は、少なくとも上部表面１４Ａが炭化珪素からなるウェハ１０と、上部表面１４Ａ上に形成されたゲートコンタクト電極２１とを備える。ウェハ１０は、上部表面１４Ａを含むように形成されたイオン注入領域である第１のｐ型領域１６を含む。第１のｐ型領域１６は、上部表面１４Ａを含むように配置されるベース領域１６Ａと、突出領域１６Ｂとを含む。ベース領域１６Ａは、上部表面１４Ａに沿った方向における幅ｗ_１が、突出領域１６Ｂの幅ｗ_２よりも広い。ゲートコンタクト電極２１は、平面的に見てその全体が第１のｐ型領域１６に重なるように、第１のｐ型領域１６に接触して配置されている。 （もっと読む）

【課題】活性層を保護するとともに、ドレイン電極と画素電極との電気的導通がとれるように保護層を設けた有機トランジスタアクティブ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタアクティブ基板は、基板１０７上に、ゲート電極１０１、ゲート絶縁膜１０８、ソース電極１０２、ドレイン電極１０３、活性層１０９が形成されてなる薄膜トランジスタ上に、保護層としての層間絶縁膜１１０および画素電極１０４が形成されてなる。トランジスタ部と上部電極（画素電極１０４）は層間絶縁膜１１０に設けられたスルーホール１１１を介して電気的に導通されてなる。層間絶縁膜１１０は、樹脂と無機または有機フィラーとを含有し、これらの樹脂と無機または有機フィラーは、ＥＧ（エチレングリコール）に、あるいはＥＧとアルコール溶剤とを組み合わせてなる溶剤に、溶解または分散が可能な樹脂またはフィラーである。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤによりＴｉ膜を成膜する際に、より低抵抗でかつ抵抗のばらつきが小さいＴｉ膜を成膜することができ、プラズマダメージを小さくすることができるＴｉ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバ内にシリコンウエハを配置し、ＴｉＣｌ_４ガスおよびＨ_２ガスを含む処理ガスを導入しつつチャンバ内にプラズマを生成し、そのプラズマにより処理ガスの反応を促進してシリコンウエハ上にＴｉ膜を成膜するにあたり、チャンバ内にシリコンウエハが配置された状態でＴｉＣｌ_４ガスを導入した後、チャンバ内にプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置への出し入れ回数を減らした表示装置の製造方法および表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる表示装置の製造方法は、絶縁基板上に第１の電極膜と第２の電極膜とを含む導電層、第１の絶縁層、半導体膜、第２の絶縁層および保護層を形成する工程と、半導体膜の上方の第１の領域に配置される所定の厚さの第１のレジスト膜と、第２の電極膜の上方の第２の領域に配置される開口部と、それら以外の領域に配置される厚い第２のレジスト膜と、を保護層上に形成する工程と、第２の領域下をエッチングする工程と、第１のレジスト膜をアッシングにより除去する工程と、第１の領域下に半導体膜に達する第１の孔を形成し、かつ第２の領域下に第２の電極膜に達する第２の孔を形成する工程と、第２のレジスト膜を除去する工程と、半導体膜および第２の電極膜と接続される配線を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【解決手段】
コンタクト要素がハードマスク（２３３）に基いて形成されてよく、ハードマスク（２３３）は、第１のレジストマスク（２１０）に基いて及び第２のレジストマスク（２１１）に基いて、コンタクト要素の最終的な設計寸法を代表し得る適切な交差区域（２３４）を画定するようにパターニングされてよい。その結果、横方向寸法の少なくとも一方は２つのレジストマスクの各々における非臨界的寸法として選択され得るので、それほど制限的ではない制約を伴うフォトリソグラフィプロセスに基いてレジストマスクの各々を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜破壊が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極給電用シリコンピラー５の表面を覆うゲート電極８と重なる位置に設けられたコンタクトホール１３を備え、コンタクトホール１３には、コンタクトホール１３の底部から少なくともゲート電極８の上面よりも上方まで充填されたゲートリフトポリシリコン１４と、ゲートリフトポリシリコン１４上に配置されたゲートコンタクト１５とが設けられていることを特徴とする半導体装置を採用する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が均一な金属シリサイド膜、特にチタンシリサイド膜を形成することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】被処理体１のＳｉ含有部分上の自然酸化膜を除去する工程と、被処理体１の自然酸化膜が除去されたＳｉ含有部分上に金属シリサイド膜４を形成する工程とを具備し、金属シリサイド膜４を形成する工程は、最初にプラズマを生成せずに、成膜しようとする金属シリサイド中の金属を含有する金属含有原料ガスを所定時間供給して金属−シリコン結合を生じさせ（ii）、次いで金属含有原料ガスを供給しつつプラズマを生成して当該金属からなる金属膜を成膜し、その際の金属膜とＳｉ含有部分との反応により金属シリサイド膜を形成する（iii）。 （もっと読む）