半導体ウェハなどのワークピースおよびそのウェハを支持するチャックの温度を制御する装置および方法が、説明される。この装置は、温度制御用流体の温度の制御に使用される熱交換器を含む。第１の流体搬送経路により温度制御用流体は、熱交換器から排出口に搬送される。排出口はワークピースチャックに連結されており、温度制御用流体がワークピースチャックに搬送されるようになっている。第２の流体搬送経路により温度制御用流体は、導入口から熱交換器に搬送される。導入口はワークピースチャックに接続されており、温度制御用流体がワークピースチャックから温度制御装置に搬送されるようになっている。二重流量方式を用いて、チャックの温度を変化させているときには、温度制御用流体を相対的に大流量で循環させてチャックの温度変化が高速で行われるようにする。チャックの温度を所定の設定点温度に保持しているときには、流体の流量を減じて、摩擦電気効果等の流体の動きがもたらす電気的ノイズが低減されるようにする。毛細管が、第１および第２の流体搬送経路の間に連結される。第１および第２のバルブを第１および第２の流体搬送経路に連結して、チャックが高温状態のときに流体がチャックに流れ込まないようにすることで流体の沸騰がひき起こす動きを無くしている。
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半導体集積回路をテストするためのプローブ・テスト・ヘッドを製造する方法は、１つ又は複数のマスク７３として、複数のプローブ８１の形状７２を画成するステップと、該マスク７３を使用して、複数のプローブを製造するためのステップと、第１のダイ４２と第２のダイ４４内の対応するホールを通して複数のプローブ８１を配置するステップとを含んでいる。該複数のプローブ８１を製造するためのステップは、フォト・エッチングと光画成電気鋳造のうちの１つを含んでもよい。
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テスト・チップは、各領域が少なくとも１つのテスト構造体を含むことができる複数領域のアレイを有する少なくとも１つのレベルを具える。その少なくとも幾つかの領域はそれぞれのテスト構造体を含む。そのレベルは、テスト構造体に入力信号を供給する複数のドライバ・ラインを有する。そのレベルは、テスト構造体から出力信号を受信する複数の受信機ラインを有する。そのレベルは、電流を制御するための複数のデバイスを有する。各テスト構造体は、ドライバ・ラインの中の少なくとも１本のラインに、その間にあるそのデバイスの中の第１のデバイスで接続される。各テスト構造体は、受信機ラインの中の少なくとも１本のラインにその間にあるそのデバイスの中の第２のデバイスで接続されていて、そのテスト構造体の各々がドライバ・ラインおよび受信機ラインを用いてテストを行うべく個々にアドレス可能である。
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磁場を測定するプローブは、選択された測定軸に沿う磁場を感知する少なくとも一個の磁気抵抗または磁気誘導センサを備える。プローブは、その選択された測定軸が平行かつ、選択された測定軸に関して横方向に、互いにオフセットされるように、一つの場所において互いが固定して接続された少なくとも二個の磁気抵抗センサ１４、１６を備え、プローブは、その選択された測定軸に沿う各センサにより測定された磁場を表わす信号を提供するために、各磁気抵抗または磁気誘導センサに固有な出力端子を備える。
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半導体装置（１０）は、ワイヤボンディングのために周囲に多数のボンド・パッド（２４）を有する。半導体装置（１０）は、モジュール（１２）およびその他の回路を有するが、モジュール（１２）は検査のために他の回路よりも遥かに長い時間を必要とする。比較的少数のボンド・パッド（２０）、モジュール・ボンド・パッド（２０）が、少なくとも部分的に、内蔵自己検査（ＢＩＳＴ）（１６）回路を有する半導体装置によるモジュール検査のために必要である。これらのモジュール・ボンド・パッド（２２）の機能性は、半導体装置（１０）の上面上および内部に二重化されており、モジュール検査パッド（２２）は周辺のボンド・パッド（２４）よりも遥かに大きい。検査のために大きなパッド（２２）を有することにより、プローブ・ニードルを長くすることができ、したがって並行検査機能が向上する。機能性の二重化は、モジュール・ボンド・パッド（２０）およびモジュール検査パッド（２２）が互いに短絡しなくてよいように、検査パッド・インターフェースを介して達成する。
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第１の平面を定める特徴部（６８）を有する補強部材（６０）を備えた、ウェーハプローブ（１５）及びプローブカード（３４）に用いるための装置（６９）。補強部材は、プローブカードの中央部分（５６）の上に装着することができる。基準部材（４２）は、ウェーハプローブに装着するために備えられ、第２の平面を定める特徴部（４４）を伴う下面を有する。第１の平面を定める補強部材の特徴部が、第２の平面を定める基準部材の特徴部に押しつけられた時に、プローブカードのプローブ要素（５９）は、ウェーハプローブに対して実質的に平坦化される。 （もっと読む）

プローブカード（１５６）をテストする方法は、プローバ（１５２）内のプローブカード（１５６）を、ステージ（１５９）上に置かれた検証ウエーハ（５０１）上に配置するステップを包含する。プローブカード（１５６）は、検証ウエーハ（５０１）上の接触領域（５０３）と接触される。検証ウエーハ（５０１）は、接触領域（５０３）を囲むショーティングプレーン（５０２）を含む。テスト信号は、検証ウエーハ（５０１）を介してプローブカード（１５６）へ送信される。プローブカード（１５６）からの応答信号は受信され、分析される。
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モジュール式試験機アーキテクチャ（100）により、エンド・ユーザがスキャン・チェーン・モジュールおよびクロック・ドライバ・モジュールを組み合わせることができる。各モジュールは、同期バス（118）を介して相互接続され、それによって試験モジュール同士が互いに同期するのが可能であり、したがって、各モジュールは、試験全体におけるそのモジュールの部分を、他のモジュールによって行われる試験に対して適切な時間に実行することができる。このモジュールには、BISTドライバ・モジュール、データ取得モジュール（208）、ネットワーク化インターフェース・モジュール（202）、コントローラ・モジュール（204）、電流測定モジュール（210）、およびDCパラメトリクス・モジュールを含めることができる。

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【課題】 狭ピッチでの配置が可能であり、検査用電極の高さバラツキを十分に吸収して各検査用電極に対してコンタクトピンを安定して接触させ、かつ高速信号伝送を実現する。
【解決手段】 半導体チップの電気的特性を検査するために半導体チップの検査用電極と接触接続されるコンタクトピンが配線基板の表面に複数植設されたプローブカードにおいて、コンタクトピンをマイクロスプリング構造とする。 （もっと読む）

【課題】 接触状態でのプローブ先端の位置及びプローブの最適な押し込み深さを事前に測定することができるプローブ検査装置及びプローブ検査方法を提供する。
【解決手段】 被検査物と同じ程度の平坦な接触面を有する変形体７と、複数のプローブ１からなるプローブカード３と、接触面と複数のプローブ１を接触させる手段と、接触面上に形成された複数のプローブ痕８を観察する手段と、複数のプローブ痕８の開口の大きさ及び複数のプローブ先端痕の位置を測定する手段と、複数のプローブ痕８の開口の大きさからプローブ１の押し込み深さを算出する手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】 分類精度が高く、且つ処理効率が高い半導体欠陥分類方法を提供する。
【解決手段】 半導体欠陥分類方法は、検査対象物上に存在する欠陥を検出する第１のステップ（Ｓ０１）と、検出した欠陥を分類して複数の母集団を形成する第２のステップ（Ｓ０２）と、各母集団ごとにサンプリングプランを立てる第３のステップ（Ｓ０３）と、各母集団に属する欠陥をそれぞれサンプリングプランにしたがってサンプリングする第４のステップ（Ｓ０４）と、各母集団に属する総欠陥数に対するサンプリングした欠陥の個数の割合をそれぞれ算出する第５のステップ（Ｓ０５）と、サンプリングされた欠陥を自動分類する第６のステップ（Ｓ０６）と、自動分類された欠陥の個数を、それぞれ各母集団に属する総欠陥数に対するサンプリングした欠陥の個数の割合で除する第７のステップ（Ｓ０７）とからなる。 （もっと読む）

【課題】 自動化に好適なベアチップキャリアを提供する。
【解決手段】 キャリアベース７に設けた凹部にエラストマ８を置き、更にこの上にバンプ１０が設けられたコンタクトシート１１を置き、コンタクトシート上に被検査物であるベアチップ９を搭載すると共に、コンタクトシート上のバンプにベアチップのパッドを当接せしめ、ベアチップを押圧部材３でエラストマ側に押圧してベアチップの所定の検査を行うためのベアチップキャリアにおいて、押圧部材を組み付けたキャリア蓋１と、キャリア蓋と押圧部材との間に設けたばね２と、キャリア蓋をキャリアベース側に固定するためキャリア蓋の側部に設けられたフック部１３と、キャリアベース又はキャリアベースに固定された部材６に一端が固定された可撓性を有する一対のキャリア蓋止め部材５と、キャリア蓋止め部材に設けたキャリア蓋を係止するための係止部とで構成した。 （もっと読む）