【課題】不純物準位や欠陥準位を正確に求めることができる技術を提供する。
【解決手段】試料１５にイオンビーム２１を照射すると、イオン照射によって励起した正孔が捕獲中心に遷移するとき、価電子帯と捕獲中心のエネルギー準位の差に応じた波長の光を放出するので、放出光の強度のピークとその波長を測定すると、捕獲中心の準位が分かる。 （もっと読む）

【課題】エレクトロルミネッセンス法により半導体素子製造用の炭化珪素単結晶ウェハのエピタキシャル膜に存在する転位や積層欠陥の面内分布を検査する際に、転位や積層欠陥の位置を高感度かつ高精度で、さらに高速で検出可能な結晶欠陥検査方法および装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜の上に、検出すべきＥＬ光を透過する透明電極を配置し、透明電極に電圧を印加して、ウェハ面内の一括測定領域におけるアレイに対応した各位置からのＥＬ光の２次元情報をウェハ表面側から２次元ＣＣＤアレイによって一括取得する。ウェハ面内の各一括測定領域を走査することにより、ウェハ面内における検査対象領域全体のＥＬ光に関するマッピングデータを得、該データに基づいてウェハ面内における結晶欠陥の位置を特定する。 （もっと読む）

【課題】エレクトロルミネッセンス法により半導体素子製造用の炭化珪素単結晶ウェハのエピタキシャル膜に存在する転位や積層欠陥の面内分布を検査する際に、低コストかつ短時間で検査可能な結晶欠陥検査方法および装置を提供する。
【解決手段】測定位置におけるエピタキシャル膜の上に、管部材の先端部から液体金属を押し出して接触させるか、あるいは、ウェハに対して接離可能な導電性フィルム電極を接触させて接地されたウェハ裏面との間に電圧を印加し、ウェハ面内の一括測定領域におけるアレイに対応した各位置からのＥＬ光の２次元情報をウェハ裏面側から２次元ＣＣＤアレイによって一括取得する。ウェハ面内の各一括測定領域を走査することにより、ウェハ面内における検査対象領域全体のＥＬ光に関するマッピングデータを得、該データに基づいてウェハ面内における結晶欠陥の位置を特定する。 （もっと読む）

【課題】特に、Si層が約20nm以下と極めて薄い場合であっても、エッチング量を精密に調整することなく、高精度かつ高い再現性で、ウェーハの酸化層上に形成したSiGe層とSi層の積層体に内在する欠陥を検出することができる欠陥検出方法を提供することにある。
【解決手段】ウェーハの酸化層上に形成したSiGe層とSi層の積層体に内在する欠陥を検出する方法であって、所定の前処理エッチング液を用い、前記積層体に内在する欠陥を、Si層中は比較的緩やかなエッチングレートで選択エッチングするとともに、SiGe層中は比較的急速なエッチングレートで選択エッチングして、積層体を貫通するエッチピットを形成する前処理エッチング工程と、所定の後処理エッチング液を用い、前記エッチピットを通じて、エッチピットの底面に位置する酸化層の部分を選択エッチングすることにより、前記酸化層部分を含む拡大された領域に凹状の浸食部を形成する後処理エッチング工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 イオン照射効果評価方法、プロセスシミュレータ及びデバイスシミュレータに関し、イオン照射にともなって基板を構成する原子が受ける影響を精度良く評価する。
【解決手段】 少なくとも一種類の層が同位体層３からなる複数の薄膜層を交互に周期的に積層した試料１に対してイオン５を照射して、照射したイオン５による前記試料１を構成する原子に対する影響を評価する。 （もっと読む）

太陽電池などの間接バンドギャップ半導体デバイスの空間分解特性を特定または測定する方法およびシステムの実施形態が説明される。一実施形態において、間接バンドギャップ半導体デバイスの空間分解特性は、間接バンドギャップ半導体デバイスを外部励起して間接バンドギャップ半導体デバイスにルミネセンスを発光させ（１１０）、外部励起に応答して間接バンドギャップ半導体デバイスから発光されたルミネセンスの像を捕捉し（１２０）、１つ以上のルミネセンス像中の領域の相対的強度の比較に基づいて間接バンドギャップ半導体デバイスの空間分解特性を測定することによって測定される（１３０）。
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【課題】ＧａＮ基板に対して４探針法などの複数の探針を接触させる抵抗測定方法において、安定して精度よく電気抵抗を測定する方法を提供する。
【解決手段】この発明に従ったＧａＮ基板の電気抵抗測定方法は、表面の少なくとも一部がＮ面となっているＧａＮ基板を準備する工程（Ｓ１０）と、ＧａＮ基板のＮ面に複数の電極端子を接触させる工程（Ｓ２０）と、測定工程（Ｓ３０）とを備える。測定工程（Ｓ３０）では、電極端子を介してＧａＮ基板に電流を流し、電極端子間の電位差を測定することによってＧａＮ基板の電気抵抗値を求める。 （もっと読む）

【課題】高感度かつ簡便に熱処理プロセスの汚染評価を行うことができる手段を提供すること。
【解決手段】酸素濃度が１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるシリコン基板と、該基板の少なくとも一方の面にシリコンエピタキシャル層を有する、熱処理評価用ウェーハ。前記熱処理評価用ウェーハを使用する熱処理評価方法および半導体ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】プローブユニットにおいて、プローブを高精度に案内し、各プローブの先端配置の狭ピッチ化を可能とすることである。
【解決手段】千鳥配置型マイクロプローブユニット４０は、上側マイクロプローブユニット４２と下側マイクロプローブユニット４４とを背中合わせで組み合わされて構成される。上側マイクロプローブユニット４２は、複数の溝７２を有するマイクロプローブガイド７０と、各溝７２にそれぞれ配置されるマイクロプローブ５０とから構成される。下側マイクロプローブユニット４４も同様の構成である。複数の溝７２を有するマイクロプローブガイド７０,７１は、シリコンプレートに異方性ドライエッチング法を用い、マイクロプローブ５０，５１の軸部の高さと幅に対応した溝深さと溝幅で細長く深い溝を形成して得られる。 （もっと読む）

【課題】イオン注入工程において、ＳＰＶ法によるＦｅ（鉄）汚染量評価の精度を向上させる。
【解決手段】金属汚染評価対象であるイオン注入処理（工程Ｓ２）を行う前に、シリコン基板表面（シリコンウエハ１の表面）に非晶質シリコン層２を形成する（工程Ｓ１）ことにより、イオン注入工程Ｓ２において注入エネルギーによりシリコンウェハ１の表面近傍に誘発される結晶欠陥を抑制することができる。また、洗浄・熱処理（工程Ｓ３）により評価対象元素であるＦｅもウェハ中へ均一に拡散させた後、イオン注入エネルギーにより欠陥が生じた表層部分を除去する（工程Ｓ４）ことにより、イオン注入工程Ｓ２において注入エネルギーによりシリコンウェハ表面近傍に生じた結晶欠陥を除去することができる。このように、測定値の外乱要因となる結晶欠陥を除去するため、ＳＰＶ法による拡散長測定精度が格段に向上して、より正確なＦｅ汚染評価が可能となる。 （もっと読む）

【課題】良好な効率で半導体基板の欠陥を検出する半導体基板の検査装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に励起光を照射する照射部と、前記励起光の照射によるフォトルミネッセンスによる発光を検出する検出部と、前記検出部で検出された発光データを処理して前記半導体基板の欠陥を検出するデータ処理部と、を有し、前記発光の強度の時間変化率が実質的に一定となるまで前記励起光を照射して前記発光を検出することにより、前記欠陥を検出するよう構成されていることを特徴とする半導体基板の検査装置。 （もっと読む）

【課題】短時間で最適な検査条件を容易に導くことができる電子線式パターン検査装置を提供する。
【解決手段】予め任意に設定された検査条件によって試料に生じた実欠陥部及びノイズが記憶されている基準欠陥ファイルを生成し、検査条件の自動変更を行って検査条件が自動変更される都度、変更された検査条件に基づいて、電子線を照射して生成された前記試料の画像上から当該試料に生じた欠陥部を検出して取得し、この検出された検査条件別の欠陥部を、基準欠陥ファイル生成工程で生成された基準欠陥ファイルに記憶されている試料に生じた実欠陥部及びノイズと照合し、当該照合結果に基づいて変更された検査条件の中から最適な検査条件を選択する。 （もっと読む）

【課題】所望の位置における断面をより容易かつ確実に取得可能な薄膜積層体の検査方法を提供すること。
【解決手段】基板本体２上に形成された線状パターン１５と、基板本体２上に線状パターン１５と線状パターン１５上で交差するように形成された第１電極層１６とを有する第１ＴＦＤ素子１８の検査方法において、基板本体２を、線状パターン１５の一端辺１５ｃと第１電極層１６の一端辺１６ａとの第１交点Ｐ１と平面視で重なる箇所を支点として応力をかけて、第１ＴＦＤ素子１８のうち少なくとも平面視で線状パターン１５及び第１電極層１６と重なる領域を、第１電極層１６の一端辺１６ａに沿って割断する割断工程を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の面内のエッチング面の表面粗さの傾向を容易に判別することができるシリコン基板の検査方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板からなるシリコン基板１０が異方性エッチングされたエッチング面１２を有し、前記シリコン基板１０の前記エッチング面１２側の画像を光学式スキャナ２０で取得し、取得した画像の前記エッチング面１２の表面粗さによって変化して表示される明暗を判別することにより、当該エッチング面１２の表面粗さを検査する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板やその上に形成されたエピタキシャル膜に発生したミスフィット転位やスリップラインの存在の検出を、簡便かつ容易な方法で行う。
【解決手段】半導体基板表面やその上に形成されたエピタキシャル膜の表面を、レーザ光によってらせん状に走査し、その散乱光の特定方向における情報を取得する。具体的には、ミスフィット転位やスリップラインや、それらに起因して基板や膜表面に生じる基板結晶方向に直行した凹凸（段差）によって観察される、強い指向性を有するクロス状パターンの光散乱の有無を観察し、このクロス状パターンがあれば上記ミスフィット転位やスリップラインの欠陥があることを検出する。 （もっと読む）

本発明は、ウエハの特性を決定するための方法とシステムに関する。一つの方法は、検査システムを用い、ウエハからの光に対応する出力を生成することを含む。出力は、ウエハ上の欠陥に対応する第一出力と、欠陥に対応しない第二出力とを含む。また本方法は、第二出力を用い、ウエハの特性を決定することを含む。一つのシステムは、ウエハに光を当て、ウエハからの光に対応する出力を生成するように設定された検査サブシステムを備える。出力は、欠陥に対応する第一出力と、欠陥に対応しない第二出力を含む。また本システムは、第二出力を用い、ウエハの特性を決定するように設定されたプロセッサを備える。
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【課題】測定値のばらつきを少なくすることが可能なエピタキシャル層の前処理方法およびエピタキシャル層の抵抗率の測定方法並びにウェーハの抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ上に形成させたエピタキシャル層に金属電極を接触させてエピタキシャル層の抵抗率を測定する際のエピタキシャル層の前処理方法であり、前記エピタキシャル層に炭素含有化合物を付着させ、酸素含有雰囲気中で紫外光を照射することを特徴とするエピタキシャル層の前処理方法を採用する。 （もっと読む）

半導体構造の物理特性の特徴付けのために、半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付けの新たな方法が開発された。歪み及び活性ドーパント特徴付け技法の基礎となる原理は、半導体バンド構造におけるバンド間遷移の近くに発生し、且つ半導体表面に誘起されるナノメートルスケールの空間電荷場の影響による歪み及び／又は活性ドーパントに対して非常に敏感な、光反射信号を測定することである。これを達成するために、本開示は、半導体構造上に同時に集束される、強度変調ポンプレーザビームと連続波プローブレーザビームとを含む。ポンプレーザは、ＮＩＲ〜ＶＩＳにおいておよそ１５ｍＷ光出力を提供する。ポンプ光は、１００ｋＨｚ〜５０ＭＨｚの範囲で動作する信号発生器によって振幅変調される。プローブビームは、ＶＩＳ〜ＵＶで動作するおよそ５ｍＷであり、概して半導体構造における強い光吸収の近くの波長である。ポンプ及びプローブは、サンプルのマイクロメートルスケールスポットに同時に集束される。プローブ鏡面反射は集光され、ポンプ波長光はカラーフィルタを用いて除去される。残りのプローブ光はフォトダイオードに向けられ、電気信号に変換される。そして、プローブＡＣ信号は、半導体材料光応答のポンプ誘起変化を含む。フォトダイオード出力に対して位相敏感測定が行われ、ＡＣ信号がＤＣ反射率信号によって除算される。このようにして、光反射情報が、プローブ波長、変調周波数、ポンプ強度並びにポンプ偏光及びプローブ偏光の関数として記録される。
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【課題】基板に対して１つ以上の工程を実行する製造プロセスにおいて不良発生の原因となった工程を容易に特定できるような不良原因工程特定システムを提供すること。
【解決手段】基板に対する所定の工程終了後に、その基板の表面で区分された各閉領域について１つ以上の不良種別に関して検査して得られた検査情報を入力する検査情報入力部を備える。複数の不良種別のうち指定された不良種別について、基板上の各閉領域の検査結果の良否を表すデータを、この製造プロセスで処理された１枚以上の基板について累積してマップデータを作成するマップデータ作成部１４を備える。そのマップデータに基づいて、基板上で不良となった閉領域の分布が有する特徴を抽出する特徴抽出部１５を備える。 （もっと読む）

間接バンドギャップ半導体構造（１４０）を検査する方法（６００）およびシステム（１００）が説明される。光源（１１０）は間接バンドギャップ半導体構造（１４０）にフォトルミネセンスを誘起するのに適した光（６１２）を発生させる。ショートパスフィルタユニット（１１４）は、発生した光の特定の放射ピークを超える長波長光を低減する。コリメータ（１１２）は光をコリメート（６１６）する。大面積の間接バンドギャップ半導体構造（１４０）はコリメートされショートパス濾波された光で、略均一かつ同時に照明（６１８）される。撮像デバイス（１３０）は大面積の間接バンドギャップ半導体構造に入射する略均一な同時照明によって誘起されるフォトルミネセンス像を同時に捕捉する（６２０）。フォトルミネセンス像は、大面積に誘起されたフォトルミネセンスの空間的変動を用いて、間接バンドギャップ半導体構造（１４０）の空間的に分解された特定の電子特性を定量化するために像処理（６２２）される。
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