【課題】試料を破壊することなく、迅速かつ正確にシリコン半導体薄膜の結晶性の評価結果を得ること。
【解決手段】基材上に成膜されたシリコン半導体薄膜の結晶性を評価するための装置であって、シリコン半導体薄膜の表面の所定の領域にキャリアを励起させるための励起光１４を照射するＬＥＤ１と、前記所定の領域における表面光電圧を検出してその検出信号を出力する透明電極６と、前記検出信号を処理してシリコン半導体薄膜の結晶性を評価するためのデータを作成する信号処理装置１１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】部分的に活性化されたドープ半導体領域の活性化の程度および活性ドーピングプロファイルを非破壊的手法で決定するための方法及び／又は手順を提供する。
【解決手段】ほぼ同じ既知の注入されたままの濃度および、既知の変化する接合深さを有する少なくとも２つの半導体領域のセットを用意する工程１０、これらの領域のうち少なくとも１つについて、注入されたままの濃度の決定工程２０、前記セットのうち少なくとも２つの半導体領域をＰＭＯＲ技術により部分的に活性化させる工程３０、反射プローブ信号の符号付き振幅を接合深さの関数として、少なくとも２つのレーザ間隔値について測定および／またはＤＣプローブ反射率を接合深さの関数として測定する工程４０、これらの測定値から活性ドーピング濃度を抽出する工程８０、全体の注入されたままの濃度および活性ドーピング濃度を用いて、不活性ドーピング濃度を計算する工程９０を含む。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁層におけるコンタクトホールを形成した領域での膜残りを検出し、且つ層間絶縁層の膜残りの厚みを精度良く求める。
【解決手段】基板１１に半導体層１３及び半導体層１３よりも酸化され難い第１検査用金属層２７を形成し、半導体層１３及び第１検査用金属層２７を覆うように絶縁膜２０を形成した後、絶縁膜２０に半導体層１３及び第１検査用金属層２７をそれぞれ一部露出させるためのコンタクトホール２１ａ及び検査用コンタクトホール２１ｂを形成することで層間絶縁層２１を形成し、層間絶縁層２１にコンタクトホール２１ａ及び検査用コンタクトホール２１ｂの内部から表面にそれぞれ引き出された金属層２２及び第２検査用金属層２８を形成し、第１検査用金属層２７と第２検査用金属層２８との間の電気的特性を測定する。 （もっと読む）

【課題】比抵抗値を高い精度で測定可能な半導体ウェーハの比抵抗値測定方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの比抵抗値測定方法は、主表面に略円形状の金属電極を形成する電極形成工程Ｓ２と、撮像装置により金属電極の外縁部の画像を複数に分割して撮像する撮像工程Ｓ３と、撮像工程Ｓ３において撮像された複数の金属電極の画像を用いて金属電極と半導体ウェーハとの境界部の座標を複数測定し、測定された複数の座標に基づいて金属電極の面積を算出する面積算出工程Ｓ４と、半導体ウェーハと金属電極１８とを用いて半導体ウェーハのＣ−Ｖ特性を測定するＣ−Ｖ測定工程Ｓ５と、面積算出工程Ｓ４において算出された金属電極の面積とＣ−Ｖ測定工程Ｓ５において測定されたＣ−Ｖ特性とに基づいて半導体ウェーハの比抵抗値を算出する比抵抗値算出工程Ｓ６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の有無を簡便な手法により評価するエピタキシャルウェーハの評価方法を提供すること。
【解決手段】本発明のエピタキシャルウェーハの評価方法は、レーザ散乱光方式の走査装置５を用いて、半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１に形成されているエピタキシャル層ＥＰのヘイズ値を測定し、ヘイズ値から得られるパラメータに基づいてエピタキシャル層ＥＰの有無を評価する。 （もっと読む）

【課題】基板抵抗率によらず基板上に形成されたエピタキシャル層の厚さを測定することができる手段および上記手段により製品ウェーハのエピタキシャル層厚を保証することによって高品質なエピタキシャルウェーハを提供すること。
【解決手段】半導体ウェーハをエピタキシャル成長工程に付すことにより、該半導体ウェーハの表面にエピタキシャル層を形成することを含むエピタキシャルウェーハの製造工程におけるエピタキシャル層の膜厚測定方法。エピタキシャル成長工程前に半導体ウェーハの厚みＡを測定すること、エピタキシャル成長工程後に得られたエピタキシャルウェーハの厚みＢを測定すること、前記厚みＢと厚みＡとの差分（Ｂ−Ａ）として、エピタキシャル層の厚みを算出することを含む。前記厚みＡおよび厚みＢを、非接触変位測定計により測定する。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャルウェーハに含まれるＣｕの定性、定量分析を高感度に行うための評価方法、及び、優れたＧＯＩ特性をもつシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができる製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハのＣｕ汚染を検出するシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法において、少なくとも、ウェーハの薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てる手段により押し当て、ウェーハの表面にＣｕを析出させる工程と、ウェーハの薄膜の表面を、アンモニア、過酸化水素水から成る洗浄液で洗浄する工程と、洗浄によりウェーハの薄膜の表面に発生したピットの数を測定する工程とを含むことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】有機半導体材料のキャリア移動度を高精度に評価することができる半導体評価装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体評価装置１００は、薄型平板状の被測定試料１０にレーザ光１７を照射し、被測定試料１０に発生するキャリアを被測定試料１０の表面方向に移動させることにより電流を生成し、その電流の持続時間から被測定試料１０のキャリア移動度を評価する。半導体評価装置１００は、被測定試料１０を設置する被測定試料設置部３０を備えており、被測定試料設置部３０は、２つの透過性ガラス基板を有しており、一方の透過性ガラス基板に被測定試料１０が配置され、他方の透過性ガラス基板に遮光膜である金属膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】膜厚をより高い精度を測定することが可能な膜厚測定装置を提供する。
【解決手段】モデル化部７２１Ａは、フィッティング部７２２Ａからのパラメータ更新指令に従って第１層の膜厚ｄ_１を順次更新し、この更新後の第１層の膜厚ｄ_１に従って理論反射率を示す関数を更新する。さらに、モデル化部７２１Ａは、更新後の関数に従って、各波長における理論反射率（スペクトル）を繰返し算出する。このような手順によって、第１層の膜厚ｄ_１がフィッティングによって決定される。フィッティングが規定回数以内に収束しなかった場合には、フーリエ変換を用いて、第１層の膜厚ｄ_１が決定される。 （もっと読む）

【課題】裏面デポの膜厚測定を可能とする方法の提供。
【解決手段】ＦＴＩＲ法によってシリコンウェーハにおける０．３μｍ以下の膜厚変化を測定するための膜厚測定方法であって、膜厚変化を測定する面Ｓ２に測定用の補助膜Ａを成膜する補助膜形成工程Ｓ０１と、補助膜Ａの膜厚を測定する補助膜厚測定工程Ｓ０２と、膜厚変化後に膜厚変化Ｔｒａを測定する測定工程Ｓ０４と、測定工程Ｓ０４の結果および補助膜厚測定工程Ｓ０２の結果から膜厚変化Ｔｒを算出する算出工程Ｓ０５とを有する。 （もっと読む）

【解決手段】第１器機（２３０）を使用して、規定断面のトレンチ（１１０）を有する第１半導体製品を画像化する。一方、同時に、第２器機（２２０）を使用して、規定断面のおトレンチを有する第２半導体製品を形成する。さらに、本開示の方法によれば、粗加工およびそれに続く微細加工を施すことにより、半導体製品に規定断面のトレンチ（１１０）を形成する。 （もっと読む）

【課題】試料のパターンから特定パターンを透過画像と反射画像を用いて識別すること。
【解決手段】パターンを有する試料の透過画像と反射画像を同時に取得する光学画像取得部と、特定パターンの識別条件により透過画像と反射画像のパターン形状から特定パターンを識別する特定パターン識別部と、を備えているパターン識別装置、及び、パターンを有する試料の透過画像と反射画像の光学画像を同時に取得する光学画像取得部と、特定パターンの識別条件により透過画像と反射画像のパターン形状から特定パターンを識別する特定パターン識別部と、特定パターンを特定検査実行領域に設定する特定検査実行領域設定部と、特定検査実行領域において、光学画像取得部で取得した光学画像のパターン検査を行う比較判定部と、を備えている試料検査装置。 （もっと読む）

【課題】基板中および基板上に存在する、基板とは元素組成が異なる領域の評価を、非破壊、高精度、短時間で行うことにより、半導体製造ラインの高性能化を計る。
【解決手段】評価対象試料（基板等）４上に、例えばＭｏターゲットのＸ線源１からモノクロメータ２を介してＸ線３が低い角度で照射される。照射領域は、符号３ａで示される領域である。さらに、この装置には、基板４の中心から延びる基板面の法線を回転軸とする面内回転機構（θｚ）と、ｙ軸に関して入射Ｘ線の入射角度（α１）を変更することができる傾斜角度変更機構と、基板面における測定位置を変更できる移動機構とを有している。特に重要なことは、基板４のうちのある面積だけにＸ線を照射することができ、この領域３ａを変更することができるように構成されている点である。評価は、試料から放出された蛍光X線の強度を測定することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体エピタキシャル結晶ウエハを破壊することなく、基板とバッファ層との界面の絶縁性を評価する方法の提供。
【解決手段】ＩｎＰ基板とＩｎＡｌＡｓからなるバッファ層との界面を流れる漏れ電流量を非破壊で検査するＨＥＭＴウエハの非破壊検査方法が、ＨＥＭＴウエハのフォトリフレクタンススペクトルを測定するスペクトル測定工程（ステップＳ１）と、フォトリフレクタンススペクトルに基づいて内部電界強度Ｆを算出する電界強度算出工程（ステップＳ２〜Ｓ４）と、予め求めた内部電界強度Ｆと漏れ電流量との関係と、内部電界強度Ｆとに基づいて漏れ電流量を推定する漏れ電流量推定工程（ステップＳ５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】全面で良好な平坦度をもつエピタキシャルウェーハを製造する技術の提供。
【解決手段】種々の成膜条件で実際にウェーハサンプル上にエピタキシャル膜を成長させてみて、成長前後のウェーハの全面での厚み形状を測定し、その差から、種々の成膜条件下でのエピタキシャル膜の全域での膜厚形状を把握し記憶する。その後、素材ウェーハの全域での厚み形状を測定し、それに、記憶しておいた種々の成膜条件下での膜厚形状をそれぞれ加算して、種々の成膜条件下での製品ウェーハの平坦度を予測する。そして、予測された平坦度が要求仕様を満たす１種類の加工条件を選択し、その加工条件で実際に素材ウェーハ上にエピタキシャル膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の外周面に存在する不純物を簡易的に分析する方法を提供する。
【解決手段】測定対象となる半導体基板４を分割構造のステージ２で挟持し、半導体基板４の外周面とステージ２の外周面とで、半導体基板４の外周面を中心とする平坦部Ｆを形成する。半導体基板４の外周面とステージ２の外周面とで形成された平坦部ＦにＸ線を全反射条件で照射し、半導体基板４の外周面から発生した不純物の蛍光Ｘ線を検出する。蛍光Ｘ線の検出結果に基づいて半導体基板４の外周面の不純物による汚染状態を評価する。 （もっと読む）

本発明は、応力の加わったシリコン表面のみならず、歪んだシリコン−オン−インシュレーターを含む、多様なシリコン含有表面の処理に適したクロム不含エッチング組成物を提供する。
本発明による新規、かつ独創性あるエッチング組成物は、フッ化水素酸、硝酸、酢酸及びアルカリヨウ化合物、好ましくはヨウ化カリウムを含む。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウェーハの貼り合わせ界面の貼り合わせ不良を高感度に検出するための手段を提供すること。
【解決手段】支持基板上に絶縁層と活性層をこの順に有するＳＯＩウェーハの評価方法であって、前記活性層の一部を前記絶縁層上からウェットまたはドライエッチングを施すことによって除去した後、前記絶縁層上にパターンを形成し、前記パターンの剥離および／または接着不良の有無を観察することにより前記活性層と前記絶縁層との貼り合わせ界面を評価する。 （もっと読む）

【課題】材料や表面状態等に関してより広い範囲の対象物の厚みを計測することができる厚み計測装置を提供する。
【解決手段】計測光源１１から出力された計測光は、ミラー１４ｃで反射されて参照光となり、対象物２の第１面２ａで反射されて第１反射光となり、対象物２の第２面２ｂで反射されて第２反射光となり、ミラーＭ５で反射されて第３反射光となる。参照光の光路長は可変である。参照光，第１反射光，第２反射光および第３反射光は、光検出器１５により受光される。厚み算出部１６により、参照光と第１反射光との干渉による干渉光が光検出器１５により受光されて検出された光強度がピークとなるときの参照用光路の光路長と、参照光と第２反射光との干渉による干渉光が光検出器１５により受光されて検出された光強度がピークとなるときの参照用光路の光路長とに基づいて、対象物２の厚みが算出される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、簡便に測定することにより、前記３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性を評価する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層を形成したウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層の波数ベクトルｋ≒０のＴ₂フォノンのＬＯモードおよびＴＯモードの波数を測定し、測定ウェーハ間で、ＴＯモードの波数の差が２ｃｍ^-1以内、かつ、ＬＯモードの波数の差が２ｃｍ^-1以上である場合、ＬＯモードが低波数側にシフトしたウェーハの方が３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性が劣ると判断する。 （もっと読む）