【課題】試料台への基材の配置が容易でありながら基材上に成膜された半導体薄膜の結晶性を高感度で評価可能な半導体薄膜の結晶性評価方法及び結晶性評価装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、試料台１４に基材１１が接するよう試料１３を配置し、半導体薄膜１２に励起光を照射し、特定波長のマイクロ波を励起光が照射された半導体薄膜１２の範囲に照射し、半導体薄膜１２からの反射波の強度を測定する。このとき照射されるマイクロ波は、半導体薄膜１２の表面から配置面１４ａまでの距離の４ｎ／（１＋２Ｎ）倍（ｎ：基材の屈折率、Ｎ：０又は任意の正の整数）の波長λを、又はこれに近似する波長であって波長λをもつマイクロ波を半導体薄膜１２に照射したときに得られる反射波の信号強度Ｒ２に対し、実際に得られる信号強度Ｒ２が９０％以上となる程度まで近似した波長をもつことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハを平坦に加工するシリコンウエハの製造方法において、前記シリコンウエハを局所的に加工し、高精度且つ高スループットでウエハ面全体を平坦化することのできるシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ面内において所定間隔ごとに厚さ寸法を測定し、シリコンウエハＷの第一の形状データを得るステップと、前記第一の形状データにフーリエ変換（ＦＦＴ）を施し、第一の周波数分布を得るステップと、所望の周波数成分のみを通過させるバンドパスフィルタにより、前記第一の周波数分布のフィルタリングを行い、第二の周波数分布を得るステップと、前記第二の周波数分布に対し、逆フーリエ変換（ＩＦＦＴ）を施し、第二の形状データを得るステップと、前記第二の形状データに基づき、基準厚さ値よりも厚い部分を局所的に加工するステップと、を実行する。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜の膜厚の変動に関わらず、精度良く半導体薄膜の結晶性を評価することができる結晶性評価方法及び結晶性評価装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、半導体薄膜１２にキャリアを励起させるための励起光を照射すると共にこの励起光が照射された範囲を含む半導体薄膜１２の範囲にマイクロ波を照射して半導体薄膜１２からのマイクロ波の反射波の強度を測定し、データ収集用半導体薄膜の膜厚とこのデータ収集用半導体薄膜に前記マイクロ波を照射したときの反射波の強度の値との関係を収集し、この収集した膜厚と反射波の強度の値との関係と、半導体薄膜１２から得られた励起光及びマイクロ波が照射された範囲の膜厚の値Ｒ３ａとに基づいて前記得られた測定値Ｒ２を補正し、この補正された測定値Ｒ２ａに基づいて半導体薄膜１２の結晶性を評価することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによる結晶化を利用した半導体薄膜の形成において、その結晶化度を従来よりも高精度に評価することが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて照射光Ｌoutを照射し、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の透過画像を取得する。画像処理用コンピュータ１５において、ｐ−Ｓｉ膜２３（結晶化領域５１）の透過輝度とａ−Ｓｉ膜２３０（未結晶化領域５０）の透過輝度との透過コントラストを求める。この際、予め形成された基準マーク６を用いて、結晶化領域５１内および未結晶化領域５０内におけるコントラスト算出用領域６０，６１を特定し、これらのコントラスト算出用領域６０，６１を用いて透過コントラストを求める。そして、求めた透過コントラストに基づいて、ｐ−Ｓｉ膜２３に対する選別を行う。 （もっと読む）

【課題】 基板上にエピタキシャル成長させた化合物半導体層の結晶性を、赤外光のＬＯフォノンバンド波数の値によって簡易に評価する方法を提供する。
【解決手段】 化合物半導体結晶層に赤外反射法または赤外透過法で赤外光を照射してＬＯフォノンバンド波数を測定し、前記複数の試料のそれぞれについてＸ線回折の成長表面に垂直な方向の歪により半導体化合物結晶層の残留応力を測定し、ＡＦＭ像を用いて前記複数の試料のそれぞれの半導体化合物結晶層の結晶性を評価し、前記評価において結晶性が良好と判断された前記試料のうち前記ＬＯフォノンバンド波数が最も低いものを基準値とし、評価対象の化合物半導体結晶層に赤外反射法または赤外透過法で赤外光を照射して得られたＬＯフォノンバンド波数が前記基準値超の場合に、評価対象の化合物半導体結晶層が良好な結晶性に達していると判断することを特徴とする化合物半導体結晶層の結晶性評価方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハー、特にそのエッジ部に生じたクラック等の欠陥を高速度でかつ確実に検出できるシリコンウエハー検査装置を提供する。
【解決手段】一対のコンベヤベルト２、３を前後に間隔４をあけて配置し、その間隔のエリアを挟んでラインセンサカメラ８および光源５を上下に対向配置し、一対のコンベヤベルトによってシリコンウエハーを順次搬送しながら、ラインセンサカメラによってシリコンウエハーの透視像を取り込み、その透視像に基づいて欠陥を検出する。ラインセンサカメラおよび光源の少なくとも一方の直前にシリコンウエハーと同じ材質のフィルター７を配置し、光源からラインセンサカメラに直接照射される光をシリコンウエハーからの透過光と同じ波長帯に制限する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アニール処理後の結晶化の状態について、非接触で精度よく、しかも効率的に、評価を行えるようにする。
【解決手段】アニール処理後の半導体層を有する多層構造体２１０を搭載するステージ２０１と、前記半導体層に対して光を照射する光源２０２と、前記光源２０２による光の照射によって得られるラマン散乱光を受光する受光部２０５と、前記受光部２０５が受光した前記ラマン散乱光を用いて前記半導体層の結晶化度を検査する検査部２０７とを備えた半導体検査装置２００において、前記検査部２０７は、前記ラマン散乱光のラマンスペクトルによって特定される領域を波数についての所定閾値で領域分割する領域分割部と、前記領域分割をする前の領域全体と前記領域分割をした後の前記所定閾値を超える領域部分との面積比を算出し、その算出結果を前記半導体層の結晶化度とする結晶化度算出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハに形成されたエピタキシャル層の表面に生じる、転位や微細な結晶欠陥や研磨に起因した欠陥をより高感度に検出できるエピタキシャルウェーハの評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェーハ１の評価方法は、半導体単結晶基板１０の主表面にエピタキシャル層１１を有するエピタキシャルウェーハ１についてエピタキシャル層１１の表面の状態を評価する方法であって、エピタキシャルウェーハ１のエピタキシャル層１１に、気相成長法により被評価層２ａを形成する被評価層形成工程と、被評価層２ａの表面の状態を評価することによりエピタキシャル層１１の表面の状態を評価する評価工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 複数の溝によって複数の電極に区画される、絶縁基板上に成膜された導電性薄膜の特性をより細やかに測定することが薄膜特性測定方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、溝を挟んだ２つの電極間の電気的特性を測定するものである。溝を挟む一方の電極における溝に面した沿面側部分と、溝と、溝を挟む他方の電極における溝に面した沿面側部分とでなる部分を、コンデンサとみなして、コンデンサに対する特性測定方法を適用して、溝を挟んだ２つの電極間の電気的特性を測定する。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度と局所的電気特性（広がり抵抗、静電容量特性及び非線形誘電率特性を含む）との相関を従来よりも正確に求めることができる走査プローブ顕微鏡用標準試料及びキャリア濃度測定方法を提供する。
【解決手段】標準試料１０は、シリコン単結晶よりなる半導体基板１の上に、不純物を添加せずにエピタキシャル成長させたシリコン膜よりなる不活性層３と、不純物を添加してエピタキシャル成長させたシリコン膜よりなる活性層２Ａ〜２Ｆと、を交互に積層して形成される。各活性層２Ａ〜２Ｆはそれぞれ異なるキャリア濃度（不純物濃度）を有しており、キャリア濃度が少なく電気抵抗率の大きな不活性層３で分離されている。このため、異なる活性層間での信号電流のリークを抑制して、キャリア濃度と局所的電気特性との相関を正確に求めることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、従来に比べて、より優れた平坦度及び均一なエピタキシャル膜厚分布を有するエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】エピタキシャル膜２０形成前の第１平坦化処理されたシリコンウェーハ１０（図１(ａ)）の平坦度、エピタキシャル膜２０形成後のエピタキシャルウェーハ３０（図１(ａ)）の平坦度及びエピタキシャル膜２０の膜厚分布を測定し、それらの測定値をフィードフォワードし、前記エピタキシャルウェーハ３０の第２平坦化処理を行う（図１(ｃ)）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱処理の際に、基板支持具によって支持されていた基板裏面側から発生し、基板上面の表面には支障が現れないスリップを検出し得るスリップの検出方法を提供する。
【解決手段】熱処理の際に基板支持具によって支持されていた基板裏面が上面となるように反転させる工程と、上面となった基板裏面に光を照射する工程と、上面となった基板裏面で反射した光を投影し、投影図を作成する工程とを含むことにより、熱処理の際に基板支持具によって支持されていた基板裏面から検査を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板抵抗率によらず基板上にエピタキシャル層が形成され、エピタキシャル層形成後に研磨されたエピタキシャル層の厚さを測定することができる手段および上記手段により製品ウェーハのエピタキシャル層厚を保証したエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】半導体ウェーハをエピタキシャル成長工程に付すことにより、該半導体ウェーハの表面にエピタキシャル層を形成することを含むエピタキシャルウェーハの製造工程におけるエピタキシャル層の膜厚測定方法。エピタキシャル成長工程前に半導体ウェーハの厚みＡを測定すること、エピタキシャル成長工程後に半導体ウェーハの表面に形成したエピタキシャル層を研磨すること、研磨後に得られたエピタキシャルウェーハの厚みＢを測定すること、前記厚みＢと厚みＡとの差分（Ｂ−Ａ）として、エピタキシャル層の厚みを算出することを含む。前記厚みＡおよび厚みＢを、非接触変位測定計により測定する。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長後に、成長した半導体層に基板が有する原因による結晶欠陥が生じない炭化珪素単結晶基板およびそれを製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の炭化珪素単結晶基板の製造方法は、機械研磨が施された主面を有する炭化珪素単結晶基板を用意する工程（Ａ）と、前記炭化珪素単結晶基板の前記主面に化学機械研磨を施す工程（Ｂ）と、前記化学機械研磨によって形成される変質層を、分光エリプソメトリによって評価する工程（Ｃ）と、を包含する。 （もっと読む）

【課題】ガラスや樹脂の基板の上の半導体材料、特に光導電特性をもつポリシリコンやアモルファスシリコンの品質を人の目で管理している。製品の流れを止めずに、基板に針で接触することなく品質管理行うことが課題であった。
【解決手段】光が照射されると、光がキャリアーを生成して半導体薄膜には光導電層ができる。金属の筒を半導体薄膜の付いた基板に接触または近づけて空洞を作り、空洞に光を照射しながら高周波を放射すると光導電膜の特性に応じて高周波の電力透過率が変る。この変化を測定すると半導体膜の品質管理に用いることが出来る。 （もっと読む）

【課題】室温でも非破壊にて半導体の特性を測定する方法を提供する。
【解決手段】半導体試料５２にポンプ光を照射して光学フォノンを生成させた状態で半導体試料５２にプローブ光を照射し、半導体試料５２から反射されたプローブ光を時間分解測定して生成された光学フォノンの減衰定数および周波数を測定し（ステップＳ１００）、測定した減衰定数と、半導体試料５２と同じ元素からなる真性半導体の光学フォノンの減衰定数とを比較して半導体試料５２のキャリア極性を判定し（ステップＳ１１０）、測定した光学フォノンの周波数を、半導体試料５２と同じ元素からなると共に同じキャリア極性を有する半導体における光学フォノンの周波数とキャリア濃度との関係を定めた検量線に適用することにより、半導体試料５２のキャリア濃度を導出する（ステップＳ１２０）。 （もっと読む）

【課題】ベース基板およびバッファ層を含む半導体基板における正孔または電子の移動による漏洩電流または絶縁破壊電圧の測定方法を提供する。
【解決手段】ベース基板と、ベース基板上に設けられたバッファ層とを有する半導体基板における漏洩電流または絶縁破壊電圧の測定方法であって、バッファ層に、電界が印加されるとバッファ層に正孔を注入する材料からなる正孔注入電極を含む複数の電極を設ける段階と、複数の電極から選択した、少なくとも一つの正孔注入電極を含む第１の一対の電極に電圧または電流を印加した場合における、第１の一対の電極を流れる電流および第１の一対の電極間の電圧を測定する段階と、第１の一対の電極を流れる電流および第１の一対の電極間の電圧に基づいて、半導体基板における正孔の移動による漏洩電流または絶縁破壊電圧を測定する段階とを備える測定方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本明細書に記載の様々な例示的実施形態において、システムおよび関連の方法は、基板における１以上の欠陥を検出するための非破壊的信号伝搬に関する。システムは、基板操作機構などの半導体処理ツール内に組み込むことができる。システムは、１以上の周波数を電気信号から少なくとも１つの機械的パルスに変換するよう構成された変換器を備える。機械的パルスは、基板操作機構を通して基板に結合される。複数のセンサが、変換器の遠位に配置されており、音響的または機械的に基板に結合されるよう構成される。複数の遠位センサは、さらに、機械的パルスとパルスの任意の歪みとの両方を検出するよう構成されている。信号解析器が、複数の遠位センサに接続されており、検出されたパルスおよびパルスの任意の歪みをベースライン応答と比較する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板の上の半導体薄膜の電気特性を、迅速に非接触で測定する装置を提供すること。
【解決手段】光がリング状に照射されると半導体薄膜には光導電層がリング状にできる。光の周りにプローブコイルが巻かれてあり、高周波電源に接続されている。プローブコイルから高周波を通じると、導電層と誘導電磁界でコイルが結合して電力損失となる。高周波の電力損失を測定するとキャリアーの数に応じた損失が測定される。光を切断するとキャリアー数が減少して損失もそれに応じて減衰する。キャリアーの単純な一つのライフタイムのときｅ^−ｔ／τに従い減衰する。ｔは時間、τはライフタイムである。減衰を損失の時間関数として表示すると減衰の速度からライフタイムがわかる。ライフタイムは半導体の欠陥の数が多いと短くなるので、半導体膜の品質管理に用いることが出来る。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長に関するウェーハの評価を適切に行うことのできる技術を提供する。
【解決手段】ウェーハ評価方法において、ウェーハの形状を測定する測定ステップと、エピタキシャル成長の成長条件に基づいて、エピタキシャル成長によりウェーハに付加される反り付加形状を特定する反り付加形状特定ステップと、ウェーハの上面に対して、エピタキシャル成長を行った場合の第１推定形状を特定する第１形状特定ステップと、ウェーハの下面に対して、エピタキシャル成長を行った場合のウェーハである第２推定形状を特定する第２形状特定ステップと、第１推定形状及び第２推定形状に基づいて、ウェーハのいずれの主平面に対してエピタキシャル成長を行うか評価する評価ステップとを有するようにする。 （もっと読む）