【課題】半導体層に存在する転位の種類を正確に特定することができる技術を提供する。
【解決手段】半導体層４に存在する転位６，８，１０，１２の種類を特定する方法である。この方法は、半導体層４を化学エッチングすることによって、半導体層４の表面４ｂから窪んでいるエッチピット６ａ，８ａ，１０ａ，１２ａを形成する形成工程と、上記表面４ｂに対するエッチピット６ａ，８ａ，１０ａ，１２ａの傾斜角度αを特定する傾斜角度特定工程と、傾斜角度特定工程で特定されたエッチピット６ａ，８ａ，１０ａ，１２ａの傾斜角度αに基づいて、各転位６，８，１０，１２の種類を特定する転位種類特定工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造工程の途中でエピ膜厚を測定できる手段を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面にｎ型エピ層２を成膜すると、第１、第２の溝４ａ、４ｂの外側ではｎ型エピ層２が成膜されるが、これらの間となる突出部５の上にはｎ型エピ層２が成膜されない。このため、これらの高さの差、つまり段差を測定することにより、ｎ型エピ層２を測定することができる。すなわち、これら各部において、測定装置から測定対象の最表面までの距離を求め、その差を測定することにより、半導体基板１の表面に成長したｎ型エピ層２の膜厚を測定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の極表層領域の金属汚染を評価するための手段を提供すること。
【解決手段】同一の製造ロットで製造された複数の半導体基板から２枚の分析用基板を抽出すること、抽出した半導体基板の一方の基板（基板Ａ）の少なくとも一方の表面をアルカリ溶液と接触させることにより基板Ａの表層部を溶解すること、表層部を溶解した基板Ａおよび他方の半導体基板（基板Ｂ）の表面を酸溶液と接触させることにより基板Ａおよび基板Ｂの少なくとも一部を溶解すること、上記溶解後の酸溶液中の金属成分量を測定すること、および、上記基板Ａ表層部の金属汚染量を、上記測定により求められた基板Ｂ溶解後の酸溶液中の金属成分量から基板Ａ溶解後の酸溶液中の金属成分量を差し引いた値として求めること、を含む半導体基板表層部の金属汚染評価方法。 （もっと読む）

【課題】凹凸表面を有する支持体上に形成された半導体層の膜厚を高精度に測定することができる積層体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】凹凸表面ｃ１を有する支持体Ｂ１と、支持体表面に積層された半導体層Ｔとを備え、半導体層Ｔを有する支持体Ｂ１はその一部に、半導体層Ｔの層厚ｔが光学的に測定されるように構成された層厚被測定部位Ｇ１を有する積層体。 （もっと読む）

【課題】オートドープの影響を適切に検出可能なオートドープの検出方法の提供。
【解決手段】オートドープの検出方法として、サセプタ４にＡｓウェハＷａとＰウェハＷｐとを配置してエピ膜を気相成長させ、ＰウェハＷｐの断面深さ方向の抵抗分布を測定する方法を適用している。このため、ＡｓウェハＷａとともにＰウェハＷｐにエピ膜を気相成長させるときに、ＡｓウェハＷａから多量のドーパントを意図的に蒸発させることで、ＰウェハＷｐのエピ成長膜に多量のドーパントを取り込ませることができる。したがって、エピ成長膜におけるオートドープ取り込み部分の抵抗率を、ＰウェハＷｐの抵抗率やエピドープ制御膜部分の抵抗率よりも低くすることができ、この抵抗分布を測定することで、オートドープの発生状況を適切に検出できる。 （もっと読む）

【課題】微小な特定箇所を劈開して断面を得ることができるミクロ断面加工方法の提供を提供する。
【解決手段】試料表面２ａに、観察対象３が含まれる線状の断面予想位置３Ｌを決定する工程と、断面予想位置に対して、集束イオンビーム２０Ａを垂直または傾斜角を持って照射させ、断面予想位置の前方の位置で断面１０を形成する工程と、断面の両端部に集束イオンビームを照射させ、断面予想位置より後方の位置まで延びる側面切込み１２、１２を形成する工程と、断面予想位置より後方の位置まで延びる底部切込み１４を形成する工程と、側面切込みから断面予想位置に沿って集束イオンビームを照射させ、底部切込みに接続する楔１６，１６を形成する工程と、試料の断面予想位置より前方の部位２ｘに衝撃を加え、楔で挟まれた断面予想位置の近傍を劈開させ、劈開面Ｓを形成する工程とを有するミクロ断面加工方法である。 （もっと読む）

【課題】集束ビームを使用して基板を選択的にエッチングする方法および装置を提供する。
【解決手段】ステップ１０２では、少なくとも２種類の材料を有する基板を用意する。この基板は、その上に集積回路が製造されたシリコン・ウェーハとし、この基板はさらに、集積回路の一部分の断面を露出させるために集束イオン・ビームによって切削されたトレンチを含む。ステップ１０４では、エッチングする基板表面の一部分に、エッチング剤前駆体ガスの流束を供給する。ステップ１０６では、基板表面に、エッチング抑制前駆体ガスの流束を供給する。ステップ１０８では、電子ビームなどの集束ビームを基板に向かって、少なくとも２種類の材料を含む領域上に誘導する。このエッチング前駆体ガス、エッチング抑制ガスおよび集束ビームの組合せは、第１の材料を第２の材料に比べて選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】３層構造体の第３の光透過層の厚さの算出方法および活性層の厚さを正確に算出しながら前記活性層の薄膜化を行うＳＯＩウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の光透過層３と、第１の光透過層３の一面３ａに形成された第２の光透過層２と、第２の光透過層２の第１の光透過層３と反対側の面２ａに形成された第３の光透過層１とからなる３層構造体１０へ第３の光透過層１側から光を照射したときに３層構造体１０から得られる反射光の理論強度を計算する工程と、３層構造体１０に第３の光透過層１側から光を照射して、３層構造体１０から得られる反射光の実測強度を測定する工程と、前記理論強度と前記実測強度とを比較して第３の光透過層１の厚さｄ_１を算出する工程と、を有する３層構造体の第３の光透過層の厚さの算出方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセスの影響によって発生するシリコン基板の結晶欠陥を高感度に検出できるモニター用結晶欠陥検出素子、半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るモニター用結晶欠陥検出素子は、シリコン基板に形成された素子分離膜１１と、素子分離膜１１の内側の素子領域１０ｃに形成された複数のトランジスタとを有するモニター用結晶欠陥検出素子であって、複数のトランジスタそれぞれのゲート電極１２が互いに電気的に接続されており、複数のトランジスタそれぞれのソース領域の拡散層１０ａが互いに電気的に接続されており、複数のトランジスタそれぞれのドレイン領域の拡散層１０ｂが互いに電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】組立工程前の半導体集積回路におけるレーザ光照射対象箇所に対する明瞭な画像を取得できるようにする手段を提供する。
【解決手段】半導体集積回路解析装置１０は、半導体集積回路９０へレーザ光を照射して発生した光誘起電流による場を場検出器によって検出するレーザ顕微鏡２２を備え、レーザ２１の波長は、半導体集積回路を構成する半導体を１光子励起するには不十分であって２光子励起するには十分である範囲の１．２μｍ以上であって、２．３μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによる結晶化を利用した半導体薄膜の形成において、その結晶化度を従来よりも高精度に評価することが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて、ＬＥＤ１２によって照射光Ｌoutを照射する。これにより、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の干渉縞画像（干渉縞画像データＤ１）を取得する。また、画像処理用コンピュータ１５において、ｐ−Ｓｉ膜２３（結晶化領域５１）とａ−Ｓｉ膜２３０（未結晶化領域５０）との（反射）光学的段差を求める。そして求めた（反射）光学的段差に基づいて、ｐ−Ｓｉ膜２３に対する選別および結晶化度の制御量の算出のうちの少なくとも一方の評価を行う。これにより、従来よりも確実な選別が実現されると共に、新たな制御（結晶化度の制御）が実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】必要最低限のプロセスでイオン注入層を有したエピタキシャルウエーハを製造でき、また付加される工程での汚染の低減とコスト低減を両立させ、かつ製造中の金属不純物汚染を高感度で評価・保証して汚染の少ないウエーハを効率よく製造できるエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板の主表面に対してイオン注入を行い、その後洗浄を行った後、エピ層の形成を行う際に、ボロン、炭素、アルミニウム、砒素、アンチモンのうち少なくとも１種類をドーズ量１×１０^１４〜１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２の範囲でイオン注入し、エピ層は枚葉式エピタキシャル装置を用いて１０８０℃以上の温度で形成し、イオン注入後からエピ層形成前の何れかの段階でシリコン単結晶基板の金属不純物濃度評価を行うか、またはエピ層形成後に一部抜き取りによりエピ層を形成したシリコン単結晶基板の金属不純物濃度の評価を行う。 （もっと読む）

【課題】表面に有機物が形成されている試料の断面を精度よく得ることができる断面加工方法及び断面観察試料の製造方法を提供する。
【解決手段】有機物の層又は構造８を表面に有する試料２に、集束イオンビーム装置１００を用いて集束イオンビームを照射し、試料の断面加工位置Ｌに断面加工を行う方法であって、保護膜となる原料ガスの存在下、断面加工位置を含む試料の表面に集束イオンビームを照射し、有機物の層又は構造の表面に保護膜７ａを形成する保護膜形成工程と、保護膜が形成された断面加工位置に、保護膜形成工程における加速電圧より高い電圧で集束イオンビームを照射し、断面加工を行う断面加工工程とを有する試料の断面加工方法である。 （もっと読む）

【課題】従来、無理と考えられてきたイオン注入層や拡散層が形成されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを、精度よく且つ簡易に測定するための評価方法を提供する。
【解決手段】片面にドーパント不純物が拡散されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを評価する方法であって、前記ライフタイムを評価する際に、前記拡散シリコン単結晶ウエーハの全表面に対してパッシベーションを行い、その後、前記拡散面とは反対側の表面に対して励起光の照射と、高周波の入射及びその反射波の検出を行うことでライフタイムの評価をすることを特徴とするライフタイムの評価方法。 （もっと読む）

【課題】サンプリング動作中にステージを移動させることなく試料から試料片を短時間に取り出すことができるイオンビーム加工装置及び試料加工方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ３１を保持する試料ステージ３３と、イオン源１１で発生したイオンビーム１２をマスク１５によってプロジェクションビームに成形するプロジェクション光学系を有し、イオンビーム１２を試料面に斜めに照射可能な第１イオンビームカラム１０と、第１イオンビームカラム１０よりもイオンビーム２２を細く絞ることが可能なイオンビーム光学系を有し、第１イオンビームカラム１０と同時にイオンビーム２２を試料面に垂直に照射可能な第２イオンビームカラム２０と、イオンビーム１２，２２の照射により加工した試料片５０をウェーハ３１から摘出するマニピュレータ４２と、摘出した試料片５０を保持するカートリッジ５１とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気特性のバラツキが少ないＴＦＴを備えた電気光学装置の製造方法及び電気光
学装置を提供すること。
【解決手段】本発明の電気光学装置１０の製造方法は、表示領域１２の周囲の少なくとも
１箇所に、ＴＦＴの製造時に、同時に、同条件で、同じ層構造の半導体層を備える膜厚測
定用素子Ｘ部分を形成する工程と、前記ＴＦＴのチャネルエッチング時に前記膜厚測定用
素子Ｘ部分の半導体層も同時にエッチングする工程と、得られた膜厚測定用素子Ｘの半導
体層の膜厚を測定することによって前記ＴＦＴのチャネル領域の半導体層の膜厚を求める
工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】欠陥を、さらに詳細には、少なくとも1つのゲルマニウム系の結晶表面層を有するエレメントに発生した転位を、検出する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、アニールするステップを、すなわち、ゲルマニウム系の結晶表面層に発生した転位を選択的に酸化させることができる、少なくとも酸化ガスと中性ガスとの混合物であるベースを有する雰囲気中でエレメントをアニールするステップを、備える。 （もっと読む）

【課題】コストを低減して化合物半導体結晶の導電率を測定する、導電率測定方法および導電率測定装置を提供する。
【解決手段】円柱形状の化合物半導体結晶１０を準備する工程と、マイクロ波を用いて化合物半導体結晶１０の導電率を測定する工程とを備えている。化合物半導体結晶１０は、５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下の直径を有し、５０ｍｍ以上５００ｍｍ以下の厚みを有することが好ましい。化合物半導体結晶１０は、側面に平坦面１１を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 エッチング処理を行わなくても、基底面内転位を有する半導体層から結晶成長された半導体層に基底面内転位が伝播することを防止することができる技術を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、半導体層２の表面２ａにおける基底面内転位６の位置８を特定する特定工程と、特定工程で特定された位置８において結晶の再配列を行う結晶再配列工程と、結晶再配列工程の後に表面２ａから半導体層を結晶成長させる結晶成長工程とを備えている。本発明によると、結晶成長された半導体層に基底面内転位６が伝播しない。基底面内転位６が結晶成長された半導体層に伝播していないために、リーク電流を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】面だれを発生させることなくウェハの一面を斜めに研磨可能な試料ウェハの研磨方法の提供。
【解決手段】試料ウェハＷのウェハ鏡面加工面Ｗ２に、ダミーウェハＤを積層する状態で設けた被研磨体Ｈを作製している。そして、ウェハ鏡面加工面Ｗ２がダミーウェハＤを介して装置研磨面２３Ａと略対向し、かつ、ウェハ鏡面加工面Ｗ２と装置研磨面２３Ａとのなす角度が鋭角となるように、被研磨体Ｈを装置研磨面２３Ａおよび砥粒２４に接触させて、この接触部分のダミーウェハＤ側に砥粒２４を滞留させるように被研磨体Ｈと装置研磨面２３Ａとを相対移動させて、ウェハ鏡面加工面Ｗ２を斜めに研磨している。 （もっと読む）