【課題】フラットパネルディスプレイの高性能化に伴い、その製造工程でのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜の評価・管理の必要性が高まってきた。
【解決手段】ガラス基板上にａ−Ｓｉ膜を成膜した試料３２に対してレーザ光照射手段３６からレーザ光を照射する。試料３２におけるレーザ光を照射した各サンプリング点に、マイクロ波照射手段３８からマイクロ波を照射し、反射波検出手段４０でその反射強度を測定する。各サンプリング点での反射強度の測定結果に基づいて、基板面内でのａ−Ｓｉ膜の物性の均一性を評価する。 （もっと読む）

【課題】より簡便な方法で、ライフタイム測定までの時間を短縮し、かつ、高精度でバラツキの少ないライフタイム値を得ることができるシリコンウェーハのライフタイム評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面にゲート酸化膜を形成して、水銀プローブ法によりライフタイムを評価する方法において、フタル酸エステル化合物を容器内に収容した後、その中に前記ウェーハを入れることにより、前記ゲート酸化膜表面にフタル酸エステル化合物を付着させた後にライフタイムの測定を行う。 （もっと読む）

【課題】基板抵抗にかかわらずシリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および面内分布を高精度に評価するための手段を提供すること。
【解決手段】評価対象シリコンウェーハに対して該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第一の面内分布情報を取得すること、上記第一の面内分布情報取得後の評価対象シリコンウェーハに対して熱酸化処理を施した後、該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第二の面内分布情報を取得すること、第一の面内分布情報と、第二の面内分布情報に１未満の補正係数による補正を加えて得られた第三の面内分布情報との差分情報を得ること、および、得られた差分情報に基づき、評価対象シリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および酸素析出物の面内分布からなる群から選ばれる評価項目の評価を行うこと、を含むシリコンウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】ウェハを外周で保持する機構では、ウェハが自重で撓む場合がある。そこで平面度を保持するためにウェハとウェハ下の保持台との間に空気を供給する方法がある。しかし、この方法では異物がウェハに付着する場合がある。
【解決手段】ウェハの平面度を保持するためにウェハ、及びウェハ下の保持台に負電圧をかける。この静電力によってウェハに上向きの力を与え、平面を保持する。また、この方法により負に帯電した異物の付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】同じ導電型の半導体層が２層に形成された半導体基板において、表層側の半導体層の実効厚さを精密に評価するための評価用電極パターンを提供する。
【解決手段】表層部に第１導電型の第１半導体層１ａが形成され、第１半導体層１ａの下に、第１導電型で第１半導体層１ａより不純物濃度が高い第２半導体層１ｂが形成されてなる半導体基板において、第１半導体層１ａの実行厚さを評価するための一対の電極パターンＰ２であって、一対の電極パターンＰ２の間隔Ｌ２が、第１半導体層１ａの設計厚さＤよの２倍より大きく設定されてなる電極パターンＰ２とする。 （もっと読む）

【課題】日常的な工程管理に利用可能な、多結晶シリコンウェーハの品質を簡便に評価する方法を提供すること。
【解決手段】評価対象の多結晶シリコンウェーハ表面を選択エッチングし、該表面において結晶欠陥を顕在化させること、結晶欠陥を顕在化させた多結晶シリコンウェーハ表面のマクロ画像を散乱画像として取得すること、および、取得したマクロ画像の輝度分布に基づき、前記多結晶シリコンウェーハにおける結晶欠陥分布を定量的に評価すること、を含む多結晶シリコンウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面から所定深さでのイオン注入量を測定し得、また、表層よりも深層の影響をより低減してイオン注入量をより精度よく測定し得る。
【解決手段】本発明では、測定対象のイオン注入半導体ＳＭにおけるバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光が光源部１から放射され、所定の測定波が測定波生成部６から放射され、これらがイオン注入半導体ＳＭへ照射される。一方、測定波をその照射前に一部が分岐されて、参照波としてイオン注入量を測定したい表面からの深さに応じた位相に調整される。参照波とイオン注入半導体ＳＭでの測定波の反射波とが合波され、その強度が検出部１１で検出される。そして、この検出波の強度に基づいて光励起キャリアの寿命に関する指標値が求められ、所与の、光励起キャリアの寿命に関する指標値とイオン注入量との対応関係を表すイオン注入量対応情報に基づいてイオン注入量が求められる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電子線照射後のライフタイム値を簡便に見積もることができ、測定時間を大幅に短縮することができ、デバイス作製の生産性を向上させることができるライフタイム値の測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 電子線照射後のウエーハのライフタイム値を検査する方法であって、電子線照射前キャリア濃度算出工程、電子線照射前準位密度算出工程、電子線照射工程、電子線照射後キャリア濃度算出工程、キャリア濃度差算出工程、準位密度差算出工程、及びライフタイム値算出工程を有することを特徴とするライフタイム値の測定方法。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコン膜における結晶化の程度を示す結晶化指数を容易かつ精度良く取得する。
【解決手段】結晶化指数取得装置１では、微結晶シリコン膜の理論誘電関数を複数の部分誘電関数モデルの合成として表現し、微結晶シリコン膜における結晶化の程度を示す結晶化指数κが、複数の部分誘電関数モデルのうち、結晶シリコン膜の誘電関数における虚部の高エネルギー側のピークに寄与する高エネルギーピークモデルの振幅に基づいて設定される。そして、複数の部分誘電関数モデルに含まれるパラメータ群の各パラメータを結晶化指数κにより表現し、結晶化指数κを変更することにより各パラメータの値を変更し、分光エリプソメータ３により取得された測定誘電関数に対する理論誘電関数のフィッティングが行われる。これにより、微結晶シリコン膜の結晶化指数κを容易かつ精度良く求めることができる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板又は炭化珪素基板に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥を検出し、検出された欠陥を分類する検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む走査装置を用いて、炭化珪素基板の表面又はエピタキシャル層の表面を走査する。炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ（２３）により受光され、その出力信号は信号処理装置（１１）に供給する。信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する２次元画像生成手段（３２）を有する。基板表面の微分干渉画像は欠陥検出手段（３４）に供給されて欠陥が検出される。検出された欠陥の画像は、欠陥分類手段（３６）に供給され、欠陥画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥が分類される。欠陥分類手段は、特有の形状を有する欠陥像を識別する第１の分類手段（５０）と、点状の低輝度欠陥像や明暗輝度の欠陥像を識別する第２の分類手段（５１）とを有する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板又は炭化珪素基板に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥を検出し、検出された欠陥を分類する検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む走査装置を用いて、炭化珪素基板の表面又はエピタキシャル層の表面を走査する。炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ（２３）により受光され、その出力信号は信号処理装置（１１）に供給する。信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する２次元画像生成手段（３２）を有する。基板表面の微分干渉画像は欠陥検出手段（３４）に供給されて欠陥が検出される。検出された欠陥の画像は、欠陥分類手段（３６）に供給され、欠陥画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥が分類される。欠陥分類手段は、特有の形状を有する欠陥像を識別する第１の分類手段（５０）と、点状の低輝度欠陥像や明暗輝度の欠陥像を識別する第２の分類手段（５１）とを有する。 （もっと読む）

【課題】気相エッチング法によるシリコンウェーハの金属汚染分析において、気相分解反応に要する時間の短縮化および分析感度の向上を実現するための手段を提供すること。
【解決手段】分析対象のシリコンウェーハを、弗化水素ガス、硝酸ガス、および窒素酸化物ガスの混合ガスと接触させることにより、該シリコンウェーハの表層領域をエッチングすること、前記エッチング後のシリコンウェーハを、エッチングにより露出した表面が１８０℃以上の温度となるように加熱すること、前記加熱後のシリコンウェーハ表面を弗酸蒸気に曝露すること、前記曝露後のシリコンウェーハ表面上の金属成分を回収用水溶液中に捕集すること、ならびに、前記回収用水溶液中の金属成分を分析すること、を含むシリコンウェーハの金属汚染分析方法。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ全面において高精度に評価が可能な、Ｐ型シリコンウェーハ中の金属不純物濃度を評価する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｐ型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法であって、
（Ａ）Ｐ型モニター用シリコンウェーハを用いてＦｅ以外のキャリア再結合中心密度とバルク金属不純物濃度との相関関係を決定するステップと、
（Ｂ）ＳＰＶ法により評価対象のＰ型シリコンウェーハのＦｅ以外のキャリア再結合中心密度を測定するステップと、
（Ｃ）前記ステップ（Ｂ）において測定したＦｅ以外のキャリア再結合中心密度と、前記ステップ（Ａ）において予め決定された相関関係とに基づき、前記評価対象のＰ型シリコンウェーハのバルク金属不純物濃度を算出するステップと
を有することを特徴とするＰ型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法。 （もっと読む）

【課題】デバイスが形成されている半導体基板の全面について厚さムラを短時間で検査することができる検査装置を実現する。
【解決手段】本発明による検査装置は、半導体基板（７）のデバイス形成面とは反対側の裏面（７ａ）に向けて、前記半導体基板に対して半透明な照明光を照射する照明手段（１，２，３）と、半導体基板の裏面に入射し、デバイス構造面（７ｂ）で反射し、前記裏面側から出射した照明光を受光する撮像手段（１５）と、 撮像手段からの出力信号を用いて厚さムラを検出する信号処理装置（２０）とを具える。信号処理装置は、前記撮像手段からの出力信号を用いて、半導体基板に形成されているデバイスの半導体基板の裏面側から撮像した２次元画像を形成する手段（２１）と、撮像されたデバイスの２次元画像と基準画像とを比較し、画像比較の結果に基づいて前記半導体基板の厚さムラを検出する厚さムラ検出手段（２２，２３，２４）とを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜を精度良く検査するシリコン膜検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、シリコン膜の形成された領域を第１膜厚の第１領域と前記第１膜厚と異なる第２膜厚の第２領域とに仮想的に分割する分割工程と、互いに異なる波長の第１波長と第２波長とを含む照射光を前記シリコン膜に照射する照射工程と、前記照射光が照射された前記第１領域からの前記第１波長の第１反射光を用いて第１反射率の測定を行う第１測定工程と、前記第１反射率から前記シリコン膜の第１結晶化率を導出する第１導出工程と、前記照射光が照射された前記第２領域からの前記第２波長の第２反射光を用いて第２反射率の測定を行う第２測定工程と、前記第２反射率から前記シリコン膜の第２結晶化率を導出する第２導出工程と、を含む有機ＥＬ表示装置用シリコン膜検査方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】製品の半導体チップ毎にシート抵抗を測定することが可能で、また、ウェーハ全面にわたってシート抵抗を測定することが可能なシート抵抗の測定方法を提供する。
【解決手段】半導体装置に形成される寄生トランジスタのコレクタ電流を、エピタキシャル層の不純物濃度及び厚さを変化させて測定するとともに、半導体装置の近傍に形成したＴＥＧにおけるエピタキシャル層のシート抵抗を測定することにより、半導体装置に形成される寄生トランジスタのコレクタ電流とエピタキシャル層のシート抵抗との関係を示す検量線を作成する第１ステップと、測定対象の半導体装置における寄生トランジスタのコレクタ電流を測定するとともに当該コレクタ電流の値を上記した検量線に当てはめることにより、エピタキシャル層のシート抵抗を算出する第２ステップとをこの順序で含むシート抵抗の測定方法。 （もっと読む）

【課題】ＥＬＡ工程において、高速、かつ目視検査員の品質評価値や最終画質と整合のとれた基板の品質評価方法及びその装置を提供する。
【解決手段】評価対象となる基板５を一方向に連続的に移動させながら基板５に斜め方向から光を照射して基板５上に形成された多結晶シリコン薄膜により発生する１次回折光による像を撮像して１次回折光像を取得すると共に、基板５からの正反射光又は透過光の光軸近傍の散乱光の像を撮像して光軸近傍の散乱光像を取得し、この取得した１次回折光像の画像と光軸近傍の散乱光像の画像を処理して複数の特徴を抽出し、この抽出した複数の特徴のうち、少なくとも１つ以上の特徴を用いて、事前に設定した評価基準に従って基板５上に形成された多結晶シリコン薄膜の品質評価値を算出して基板５上に形成された多結晶シリコン薄膜の品質を評価するようにした。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、微小な結晶欠陥を検出して精度良くシリコン単結晶の結晶欠陥を評価することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶の結晶欠陥を評価する方法であって、前記シリコン単結晶から切り出されたサンプルを、水平な状態で、少なくともフッ酸、硝酸、酢酸、及び水の混合液またはフッ酸、重クロム酸カリウム（Ｋ_２Ｃｒ_２Ｏ_７）、及び水の混合液中に浸漬させることによって、前記サンプルの表面を選択的にエッチングし、該エッチングしたサンプル表面の前記エッチング時に発生した気泡による痕跡を基に結晶欠陥を評価するシリコン単結晶の結晶欠陥の評価方法。 （もっと読む）

【課題】
キャリアの発生、消滅を評価する手段を有する検出装置を提供すること。
【解決手段】
観察対象物に設けられた電極間における電界分布またはキャリア分布を高次高調波に基づいて検出する検出装置において、前記観察対象物に基本波を照射する照射部と、前記観察対象物における電圧印加時の電圧分布又はキャリア分布に応じて生成された前記高次高調波を検出する検出部と、前記観察対象物にキャリアを発生させるための励起光を照射する励起照射部と、前記励起照射部の第１信号に基づき、前記励起照射部より前記観察対象物に前記基本波を第２信号で照射させ、第３信号で高次高調波を前記検出部で検出する制御信号出力部を備え、前記制御信号出力部は、前記第１信号の出力時点と前記第２及び第３の出力時点との間の時間間隔を変更可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】
既製のInfiniBand（Ｒ）制御を用いる画像分配制御部は、単一ＣＰＵ上のＯＳでバッファメモリ制御と分配処理を行うため、競合が発生し分配レイテンシが変動してしまい、半導体外観検査装置には適用不可であった。
【解決手段】
検査部と、検出部と、前記検出部で検出された反射光に基づく画像を処理して該被検査対象の表面を検査する処理部とを備えた半導体検査装置であって、前記処理部は、該画像を分配する画像分配制御部と前記画像分配制御部により分配された画像を処理する画像処理部とを備え、前記画像分配制御部は、該画像の入力画像量をカウントする画像バッファカウンタと、該画像に関する情報を格納する分配制御テーブルと、入力画像量と前記分配制御テーブルからの該画像に関する情報に基づき該画像の分配開始タイミングを決定する分配タイミング制御回路と、を有することを特徴とする半導体検査装置である。 （もっと読む）