【課題】デバイスプロセス工程でウェハの欠陥そのものを検出しなくても、欠陥位置が容易に分かり、欠陥位置情報のデータを別途用意しなくても、基板自体からその欠陥位置を識別することができる欠陥識別マーカー付き基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶からなる単結晶基板、又は、炭化珪素単結晶上にエピタキシャル層を備えたエピタキシャル基板において、欠陥が存在する位置に対応する基板の表面側又は裏面側に、レーザー照射加工によって形成された識別マーカーが付された欠陥識別マーカー付き基板であり、また、欠陥の位置に対応させて、基板の表面側又は裏面側にマーカー加工用のレーザー光を照射して識別マーカーを形成する欠陥識別マーカー付き基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】転位や積層欠陥などの結晶欠陥を容易かつ精度よく検出する。
【解決手段】単結晶基板上に化合物半導体層をエピタキシャル成長させたエピタキシャル成長基板１７の上方より励起光を照射して励起した後に、フォトルミネッセンスによる発光強度のマッピングをエピタキシャル成長基板全体に渡って行う座標変換手段としてのＸＹ座標変換手段１１２と、座標変換手段１１２により座標に分割された複数のピクセルのそれぞれとこれに隣接する複数ピクセルとの差を用いて、欠陥検出すべきピクセルが欠陥ピクセルかどうかを順次検出する欠陥検出手段１１３とを有している。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、デバイスに影響するミクロな薄膜（ＳＯＩ層）膜厚分布のウェーハ全面に渡る測定を、低コストかつ簡便に、十分な空間分解能で行うことができる薄膜付ウェーハの評価方法を提供する。
【解決手段】 基板の表面上に薄膜を有する薄膜付ウェーハの前記薄膜の膜厚分布を算出する薄膜付ウェーハの評価方法であって、
前記薄膜付ウェーハ表面の一部領域に単一波長λの光を照射し、前記領域からの反射光を検出して前記領域を多数に分割したピクセル毎の反射光強度を測定することによって、前記領域内の反射光強度分布を求め、該反射光強度分布から前記領域内における薄膜の膜厚分布を算出することを特徴とする薄膜付ウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、キャリア寿命をより精度よく測定し得る半導体キャリア寿命測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体キャリア寿命測定装置Ｘａは、波長の異なる第１および第２光を、被測定試料ＳＷの半導体における互いに異なる第１および第２領域に照射する光照射部１と、第１および第２領域のそれぞれに所定の測定波を照射するとともに、第１領域での測定波の第１反射波または第１透過波と第２領域での測定波の第２反射波または第２透過波との差である差測定波を、第１反射波または第１透過波のままで用いるとともに第２反射波または第２透過波のままで用いることによって生成する測定波入出力部２と、測定波入出力部２の差測定波を検出する検出部３と、検出部３の検出結果に基づいて被測定試料ＳＷの半導体におけるキャリア寿命を求める演算制御部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ端部付近における測定値変動を正しく補正し、正確な値を求めることができる半導体ウェーハ抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】４探針抵抗率測定器を用いて半導体ウェーハ１２の抵抗率を測定する半導体ウェーハ抵抗率測定装置において、４探針プローブ１４の４探針に供給する電流の探針と測定する電圧の探針を変更して半導体ウェーハ１２の端部から半径方向の直線上における複数の位置の抵抗率を測定手段により測定する。前記測定手段により測定された複数値に対して演算を行ってから前記各測定位置から前記ウェーハ端部までの距離と半導体ウェーハ上に生成される薄膜の端部までの距離との差による端部補正係数を乗じて抵抗値を得る。 （もっと読む）

【課題】SiC基板及びエピタキシャル層に形成されたマイクロパイプ欠陥及び基底面内欠陥を高精度に検出でき、他の欠陥から区別できる検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む共焦点走査装置を用いて、SiC基板表面又はエピタキシャル層表面の共焦点微分干渉画像を撮像する。共焦点微分干渉画像は、試料表面の数ｎｍ程度の凹凸変化を輝度分布として表すので、SiC基板表面又はエピタキシャル層表面に出現した結晶欠陥を、輝度分布に基づいて検出することができる。欠陥の種類に応じて、輝度分布が相違するので、欠陥画像の形状及び輝度分布の観点より欠陥を分類する。特に、本発明による分類方法を用いることにより、マイクロパイプ欠陥及び基底面内欠陥を他の欠陥から区別することが可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶基板の検査方法に関するもので、結晶の検査工程に要する時間を短縮することを目的とするものである。
【解決手段】準備工程として、結晶基板に樹脂溶液を塗布する第１の工程と、検査工程として、前記樹脂溶液を塗布した結晶基板を検査装置に固定し、検査を行い、その後、結晶基板を検査装置から取り外す第２の工程と、検査後工程として、検査装置から取り外された結晶基板を樹脂除去溶媒に浸漬し、結晶基板表面の樹脂を除去する第３の工程と、を備えた結晶基板の検査方法。 （もっと読む）

【課題】試料分解時の不純物の混入を確実に避けることにより、精度の高い多結晶シリコンの分析を可能にする。
【解決手段】上方が開放され、前記試料を収容可能な試料容器と、上方が開放され、前記試料を分解する分解用溶液を保持する溶液容器と、前記試料容器および前記溶液容器を収容して密閉空間を形成するチャンバと、前記試料容器を所定の試料温度に加熱する試料加熱器と、前記分解用溶液を所定の溶液温度に加熱する溶液加熱器とを備え、多結晶シリコンに含まれる不純物濃度を分析するために多結晶シリコンの試料を分解昇華させる装置。 （もっと読む）

【課題】アルカリエッチングにより、製造プロセス中で容易かつ安価に炭化珪素単結晶の欠陥を高精度で検出する方法を提供する。
【解決手段】溶融ＫＯＨにＮａ_２Ｏ_２，ＢａＯ_２，ＮａＮＯ_３，ＫＮＯ_３の少なくとも１種を添加したエッチング液によりｎ型炭化珪素単結晶をエッチングし、形成されたエッチピットにより結晶の欠陥を検出することを特徴とする炭化珪素単結晶の欠陥検出方法。 （もっと読む）

【課題】迅速かつ簡易的な測定方法によりイオン注入装置によって注入されるイオンのドーズ量を推定すること。
【解決手段】本発明の実施形態に係るドーズ量管理方法においては、結晶性のＳｉの水に対する接触角を測定することにより、モニタ基板に注入されたイオンのドーズ量を推定するため、迅速かつ簡易的な測定方法を用いて、イオン注入装置によって注入されたイオンのドーズ量を管理することができる。また、推定したドーズ量に応じてイオン注入装置の設定を補正することにより、半導体基板に対して注入するイオンのドーズ量を目標のドーズ量に近づけることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ上の高濃度にドープされたエピタキシャル層の抵抗率であっても、従来に比べて正確且つ容易に測定することができるエピタキシャル層の抵抗率の測定方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶ウェーハ上に形成されたエピタキシャル層の抵抗率を測定する方法であって、少なくとも、エピタキシャル成長装置に、モニターウェーハとしてＳＯＩウェーハを投入し、該ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層上に、前記シリコン単結晶ウェーハの主表面に成長させるエピタキシャル層の成長条件と同一条件でモニターエピタキシャル層を成長させ、その後、前記モニターエピタキシャル層の膜厚及び抵抗値を測定して前記モニターエピタキシャル層の抵抗率を算出し、該算出された抵抗率を、前記シリコン単結晶ウェーハの主表面に成長させる前記エピタキシャル層の抵抗率とすることを特徴とするエピタキシャル層の抵抗率測定方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ表面の超微量不純物金属の分析、特に自動分析の方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る分析方法は、第１工程である分解（又はエッチング）表面に生じる種々の生成物（副生物）を除去又は不活性化処理を行い、かつその後必要であれば表面を速やかにＨＦガスで疎水性化することで、極めて再現よく効率的に、疎水性シリコンウェハ表面を水滴でスキャンして表面の分解物を回収して分析する。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャルウェーハに含まれる重金属不純物の定性・定量分析を高感度に行うことができる不純物評価方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、該成膜工程により前記シリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを、前記シリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値又は工程平均値と前記評価対象不純物の固溶限界濃度が一致する温度を算出し、該算出温度の少なくとも上下５０℃の温度範囲において、前記シリコンエピタキシャルウェーハの成膜後の冷却速度を２０℃／ｓｅｃ以上として冷却する冷却工程と、前記シリコン単結晶薄膜の表層を化学分析して、前記評価対象不純物の濃度を測定する評価工程とを行うシリコンエピタキシャルウェーハの不純物評価方法。 （もっと読む）

【課題】測定時において疑似ピークが現れないＤＬＴＳ測定用電極を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に設けられたアンチモンからなるショットキー電極１２ａと、シリコン基板１０の表面１０ａとショットキー電極１２ａとの間に設けられたチタンからなる密着膜１２ｂとを備える。本発明によれば、ショットキー電極の材料としてアンチモンを用いていることから、ＤＬＴＳ測定において疑似ピークがほとんど現れず、しかも、測定時におけるリーク電流を抑制することが可能となる。このため、シリコンウェーハに含まれている重金属の種類や濃度を正確且つ高感度に評価することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウェーハの支持基板層中に存在する不純物金属及び積層欠陥を区別して簡便且つ低コストに検査することが可能な方法を提供する。
【解決手段】支持基板層（１３）上に埋め込み酸化膜層（１２）を有するとともに該埋め込み酸化膜層（１２）上にＳＯＩ層（１１）を有するＳＩＭＯＸウェーハ（１０）に関して、支持基板層（１３）中の欠陥を検査する方法は、ＳＯＩ層（１１）及び酸化膜層（１２）を除去し、続いて支持基板層（１３）をエッチング液により選択エッチングして表面に存在する欠陥をエッチピットとして顕在化させ、エッチピットのサイズをカウンタにより測定し、前記サイズが１μｍ以上の場合には不純物金属に起因するものと同定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体単結晶基板の結晶欠陥を、高感度に検出し精度良く評価することのできる半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶基板を水素雰囲気下８００〜１１００℃で熱処理した後、該熱処理した半導体単結晶基板の表面に顕在化した結晶欠陥の検出を行うことによって、前記半導体単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とする半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法。 （もっと読む）

【課題】高品質な製品を出荷するために必要な高感度化学分析による金属不純物評価を行うために重要なシリコン基板のエッチングにおいて、シリコン基板以外が発生源となる金属不純物の絶対量を従来に比べて低くすることができるシリコン基板のエッチング方法と、それを利用したシリコン基板の不純物分析方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板のエッチング方法であって、フッ酸と硝酸と酢酸の混合液にキャリアガスをバブリングし、該バブリングによって発生した酸蒸気を含むエッチングガスを、前記シリコン基板を格納した容器内に導入するか又は前記シリコン基板表面に直接吹きつけることによって、前記シリコン基板の表面をエッチングすることを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶の加工変質層の評価を簡便かつ定量的にできるような非破壊検査を提供する。
【解決手段】単結晶の加工変質層を検出するための単結晶から得られるＸ線ロッキングカーブの解析方法であって、ピーク強度に対する裾部分の強度の比率に基づいて前記加工変質層を評価する方法である。この際、前記裾野部分の位置を、Ｘ線解析強度がバックグラウンドレベルまで減衰した位置、または、ピーク位置から±５０００秒離れた位置とする。 （もっと読む）

【課題】半導体層の表面状態を短時間で精度良く測定できる半導体層の検査方法を提供する。
【解決手段】単色プローブ光は試料Ｓに照射され（ステップｃ１）、励起光は強度変調されて試料Ｓに照射される（ステップｃ２）。ロックインアンプ１３７の位相調整を行った後（ステップｃ３）、光学フィルタ１３２を用いて散乱した励起光を遮蔽し、信号検出器１３３にはプローブ光のみが入るようにする（ステップｃ４）。分光器１１３を掃引し、試料Ｓから反射されたプローブ光を信号検出器１３３で電気信号に変換する（ステップｃ５）。得られた信号は、バンドパスフィルタ回路１３５を通して、反射率Ｒに相当する直流成分と変調反射率ΔＲに相当する交流成分に分け（ステップｃ６）、それぞれ直流電圧計１３６とロックインアンプ１３７で計測する（ステップｃ７）。コンピュータ１４０は、各計測値を用いてΔＲ／Ｒを計算し、ＰＲスペクトルを得る（ステップｃ８）。 （もっと読む）

【課題】半導体基板内部に含まれる金属不純物汚染を低コストかつ容易に回収および分析可能な半導体基板の分析方法および分析装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に回収液の濃硫酸２を供給し、該濃硫酸２を半導体基板１との間に挟むように疎水性部材３を配置し、該濃硫酸２を前記半導体基板１に広く接触させ、前記半導体基板１の内部に含まれる金属不純物を前記濃硫酸２中へ溶解させた後、前記疎水性部材３を取り外し、前記半導体基板１および前記疎水性部材３の少なくとも一方の表面に残留する前記濃硫酸２を分析する。また、前記半導体基板１を加熱することが好ましい。 （もっと読む）