【課題】電子デバイスの電気的特性評価方法及び電子デバイスの電気的特性評価装置に関し、実電子デバイスの電気特性を高精度でモニタリングするとともに、実測したモニタリング結果から抽出した物性値を用いて理論計算を行って精度の高いキャリア分布を取得する方法の提供。
【解決手段】電子デバイス試料の電気的物性値を測定する測定工程と、前記電子デバイス試料の歪み分布及び元素分布を数値的に畳み込んだ電気抵抗モデルを用いて、前記電子デバイス試料の電気的物性値を計算する計算工程と、前記測定工程で取得した実測値と前記計算工程で取得した計算値を照合して、前記実測値との差分が最小になるまで畳み込みの度合いを変化させて反復計算を続ける反復計算工程とを用いて前記電子デバイス試料のキャリア分布を取得する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＱ基板上のクラックを容易に検出可能な半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、石英基板の上に半導体層を形成してなるＳＯＱ基板を準備する工程と；前記ＳＯＱ基板上に、複数の半導体装置形成領域とクラック検査用のパターンを形成する工程と；前記パターンを観察し、当該パターンにクラックが発生しているか否かを検査する第１の検査工程と；前記第１の検査工程の結果、前記パターンにクラックが発生している場合には、前記半導体装置形成領域内のクラックを検査する第２の検査工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

ウェーハ検査のための方法および装置を開示する。本方法および装置は、ウェーハの第１表面に向けて第１軸に実質的に沿って光を向け、それによりウェーハの第２表面から第１軸に沿って発散する光を取得することを含み、ウェーハの前記第１表面および第２表面は、実質的に外向きに対置し、面に平行に実質的に延びる。本方法および装置は、ウェーハの第１表面に向けて第２軸に実質的に沿って光を向け、それによりウェーハの第２表面から第２軸に沿って発散する光を取得することをさらに含み、第１軸は、面に沿って延びる基準軸に対して第２軸から離れるように角度をなす。さらに具体的には、面上の第１軸の直交射影は、面上の第２軸の直交射影と実質的に平行であり、面上の第１軸および第２軸の直交射影の各々は、基準軸に対して実質的に直交する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ等の基板に欠陥などを生じさせることなく、ウェハを帯電させることのできる半導体検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いた吸収電流測定方法を用いて、ウェハ２３のコンタクトホール界面状況や薄膜を評価する半導体検査装置において、ウェハ２３外から前記電子ビームを照射し、この照射によってウェハ２３または薄膜周辺に電子を間接的に照射させ、この後に、前記電子ビームをウェハ２３または薄膜等の測定点に照射して前記測定を行う。 （もっと読む）

【課題】暗視野検査装置の測定結果を微小領域まで保証できる技術を提供する。
【解決手段】表面に不規則な凹凸パターンのマイクロラフネスが精度よく形成され、その表面のマイクロラフネスの粗さが保証されたバルクウエハを基準ウエハとして暗視野検査装置の校正を行う。マイクロラフネスは、薬液による化学処理により精度よく形成することができる。このようなマイクロラフネスをＡＦＭを用いて測定し、測定値を基にヘイズ期待値を求める。その後、校正する暗視野検査装置で基準ウエハの表面のヘイズを測定してヘイズ実測値を求め、ヘイズ期待値とヘイズ実測値との差を求める。この差を基にヘイズ実測値がヘイズ期待値と合致するように暗視野検査装置のヘイズ測定パラメータを調整する。 （もっと読む）

【課題】層厚の厚い窒化物半導体層を有している窒化物半導体装置、及びＨＥＭＴが作り込まれている窒化物半導体装置を検査する場合においても、欠陥を確実に励起させ、かつ欠陥に由来するイエロールミネッセンスを精度良く検出する。
【解決手段】サファイア基板１５の表面に形成されたＧａＮ（窒化物半導体層）１７に対して、表面と対向する裏面側から、第１励起光４７を、サファイア基板を透過させて照射する。そして、第１励起光４７によって窒化物半導体層１７に発生し、かつサファイア基板１５の裏面から出射される、欠陥に基づくイエロールミネッセンス４９の第１強度を検出することによって、第１強度から窒化物半導体層１７の評価を行う。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＧに対してパッドの大きさは非常に大きい。よって、パッドの数が増えると配置できるＴＥＧの数が減ってしまう。したがって、パッドの数を減少させることによって、ＴＥＧの占有面積を減少させることを目的とする。
【解決手段】複数のトランジスタにそれぞれ振り分け回路を介して電気的に接続された１つのパッドを有し、前記振り分け回路のうち１つが導通状態となるとき、他の前記振り分け回路は非導通状態となるようにする。 （もっと読む）

【課題】走査型容量顕微鏡を用いた半導体測定装置において、半導体基板などの測定サンプルのキャリア濃度を定量的に正確に測定することができ、しかもこのようなキャリア濃度の測定を、測定システムの規模の増大やコストアップを招くことなく低コストで行う方法の提供。
【解決手段】探針６ａと測定対象サンプル（濃度校正サンプル）３ｂ、３ｃとの間に形成される容量に交流電圧を印加したときの、該交流電圧の変化に対する容量の変化の比率である容量変化率を検出し、既知のキャリア濃度を有する測定比較サンプル３ｂ、３ｃにおける、その容量変化率とキャリア濃度との関係に基づいて、測定対象サンプル３ａの容量変化率から、該測定対象サンプル３ａのキャリア濃度の分布を導出する。 （もっと読む）

【課題】金属又は半導体の原子又は分子１〜２層からなる量子構造を評価する方法、該評価方法を用いて量子構造を製造する方法、及び該製造方法によって製造される量子構造を提供する。
【解決手段】金属又は半導体が金属又は半導体の融点又は分解温度より高い温度の基板の表面に蒸着されることで形成された金属又は半導体の原子又は分子１〜２層からなる薄膜と基板とからなる積層体を高温に保持することで薄膜を構成する金属又は半導体を脱離させる過程において、波長及び偏光を制御した照射光を積層体の薄膜側の面に照射し、照射光が積層体で反射されることによって得られる反射光を検出することで求められる擬誘電関数の時間変化、及び照射光の波長から薄膜の量子構造を評価する、量子構造の評価方法、該評価による結果を製造工程にフィードバックして量子構造を製造する方法、及び該方法で製造される量子構造とする。 （もっと読む）

【課題】微細な活性層上にひずみ半導体素子を形成しても、活性層のひずみの緩和を抑制することを可能にする。
【解決手段】基板１と、基板上にメサ状に形成されひずみを有する第１半導体層であって、離間して設けられる第１導電型のソースおよびドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間に設けられる第１導電型と異なる第２導電型のチャネル領域と、を有する第１半導体層３と、ソースおよびドレイン領域上に第１導電型の不純物を含むように形成され、第１半導体層のひずみを制御する第２および第３半導体層４ａと、チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜１０と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極１２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】被検査対象である半導体基板上の欠陥を高速かつ容易に検出し、適切に分類する手法を提供すること、すなわち、同一原因に起因することが多い１つの欠陥を複数報告する煩雑さを無くし、一欠陥に対して一報告するべきという課題を解決し、かつその演算時間をより短くして出力することが可能な検査装置および検査方法を提供すること。
【解決手段】検査対象物を撮像する撮像手段と、前記撮像手段によって撮像した検査対象物の画像データを複数の領域に分割する領域分割手段と、前記撮像手段によって撮像した検査対象物の画像データから欠陥部分を検出する欠陥検出手段と、前記欠陥検出手段によって検出された欠陥部分が存在する前記領域を算出する欠陥領域算出手段と、前記欠陥領域算出手段によって算出された欠陥領域を出力する欠陥領域出力手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の不純物分析をするために、基板の主表面をエッチングして基板を処理するときのエッチングの精度を向上し、高感度にシリコン基板の不純物を分析することができる基板処理装置およびシリコン基板の不純物分析方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板の不純物の分析に用いる基板処理装置であって、少なくとも、被処理基板を保持するステージと、エッチング溶液を貯留する容器と、前記エッチング溶液の蒸気を前記基板の主表面に局所的に噴射するノズルと、前記ノズルを前記基板の主表面に沿って移動する移動機構と、前記容器から前記ノズルに前記エッチング溶液の蒸気を供給するエッチングガス供給管とを備え、前記ノズルおよび／または前記エッチングガス供給管の外側周囲に前記エッチング溶液の蒸気を加熱するヒーターが設置されているものであることを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】イオンスパッタを用いて半導体ウエハ上の結晶シリコン等の深さ方向元素もしくは深さ方向不純物分析を行う際に、アモルファスシリコンで構成される深さ校正用標準試料から結晶シリコン等の正確なスパッタ率を評価することのできるスパッタ率補正用標準試料およびその試料を用いたスパッタ率比の算出方法を提供すること。
【解決手段】第１の材料２からなる第１の層と、第２の材料３からなる第２の層と、を備え、第１の層は、第２の層の上に積層され、第１の層と第２の層は、それぞれ面方向に隣接する第１の領域４と第２の領域５を有し、第１の層における第１の領域４と第２の領域５とは、上面位置が同一であり、第１の領域４における第１の層の厚さは、第２の領域５における第１の層の厚さより薄く形成されていること。 （もっと読む）

【課題】Ｎ／Ｎ／Ｎエピタキシャル基板を製造する際に必要となる、ＦｅやＭｏ等の重金属の同定と定量を高感度に行うことのできるシリコン単結晶基板の評価方法、及びＦｅやＭｏ等の重金属不純物濃度が低い良好なエピタキシャル基板を得ることが出来るエピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐ型シリコン単結晶基板を準備する工程と、該Ｐ型シリコン単結晶基板の一主表面上にＮ型シリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程と、該Ｎ型シリコン単結晶薄膜を有するＰ型シリコン単結晶基板の前記Ｎ型シリコン単結晶薄膜のみを除去して前記Ｐ型シリコン単結晶基板の主表面を露出させる工程と、ＤＬＴＳ法によって該主表面を露出させたＰ型シリコン単結晶基板の重金属濃度の測定を行う工程と、を含むことを特徴とするシリコン単結晶基板の評価方法。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面の計測特性を評価するシステムであって、このシステムは、光学的な基板測定システムと、基板上の評価領域内のデータを解析するとともに、特徴特有のフィルタを適用して基板の表面を特性評価するとともに、対象の特徴を特性評価及び定量化するための表面特有の測定基準を発生させるデータ解析システムとを備える。前記表面特有の測定基準は、前記評価領域内の最大及び最小偏差を定量化するためのレンジ測定基準と、評価領域に適合する基準平面からの偏差量である一組の点偏差において最大値を有する点偏差を定量化する偏差測定基準と、パワースペクトル密度から計算する二乗平均平方根測定基準とを有する。 （もっと読む）

【課題】デバイスの高集積化に伴い、熱処理の低温化が進んだことにより、抵抗率の低いシリコン単結晶ウエーハに形成されるようになった小さなＢＭＤなどの微小な欠陥であっても検出することができる高感度の結晶欠陥の検出方法を提供する。
【解決手段】欠陥検出用のレーザーをシリコン単結晶ウエーハに入射し、結晶欠陥で散乱した散乱光を検出することにより、シリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥を検出する結晶欠陥の検出方法において、シリコン単結晶ウエーハの抵抗率が０．０５Ω・ｃｍ以下のシリコン単結晶ウエーハを用いて、シリコン単結晶ウエーハの主表面に対して直角に劈開し、欠陥検出用のレーザーを劈開面に対して斜めに入射し、劈開面からの散乱光を検出して劈開面の表面層に存在する欠陥を検出することによってシリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥を検出することを特徴とする結晶欠陥の検出方法。 （もっと読む）

【課題】基材の厚み及び誘電率の変動にかかわらず、精度良く半導体薄膜の結晶性を評価すること。
【解決手段】ｐ−Ｓｉ半導体薄膜３の表面に励起光を照射する励起光源６と、ｐ−Ｓｉ半導体薄膜３にマイクロ波を照射するマイクロ波放射部７と、ｐ−Ｓｉ半導体薄膜３からのマイクロ波の反射波のうち、ガラス基板２の誘電率及び厚みに起因して変動する直流成分の強度と、前記誘電率、厚み及びキャリアの生成に起因して変動する交流成分の強度とを検出可能な検出部８と、既知の誘電率、厚み及び結晶性に設定された試料４について予め測定された直流成分の強度と交流成分の強度のピーク値とをパラメータとしてｐ−Ｓｉ半導体薄膜３の結晶性を示す指標データを記憶するとともに、検出部８によって検出された直流成分の強度、交流成分の強度のピーク値及び指標データに基づいて、ｐ−Ｓｉ半導体薄膜の結晶性を評価するコンピュータ９とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面での再結合を従来より抑制することによって、基板中の金属不純物濃度を高感度で正確に評価することのできるシリコン基板の評価方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波光導電減衰法少数キャリアライフタイム法により、シリコン基板の金属汚染を評価する方法であって、前記シリコン基板の表面にケミカルパッシベーション法によりパッシベーション膜を形成した後に、マイクロ波光導電減衰法少数キャリア励起のために前記シリコン基板がＰ型シリコン基板の場合は１×１０^１２〜１×１０^１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ^２、Ｎ型シリコン基板の場合は１×１０^１４〜５×１０^１４Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ^２のキャリア注入を行って、前記シリコン基板中のウェーハライフタイム値を測定することを特徴とするシリコン基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】 ４探針抵抗率測定において試料の測定に必要な電圧値を実現するために、試料に供給すべき電流の電流値を決定する方法を提供する。
【解決手段】 ４探針抵抗率測定において試料の電気抵抗を測定する際に、特定電圧値により測定するために試料に供給すべき電流値を決定する測定電流値決定方法であって、試料の測定結果である２組の電流値と電圧値を取得し、２組の電流値と電圧値の座標を結ぶ直線式、ｙ＝ａｘ＋ｂを求め、特定電圧値をこの直線式のｘに代入することで電流値ｙを計算し、計算で求めた電流値ｙを試料に供給して電圧値を測定し、測定された電圧値が特定電圧値の許容範囲に含まれるとき測定された電圧値に対応した電流値を試料の測定に使用する電流値と決定する測定電流値決定方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面での再結合を従来より抑制することによって、基板中の金属不純物濃度を高感度で正確に評価することのできるシリコン基板の評価方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波光導電減衰法少数キャリアライフタイム法により、シリコン基板の金属汚染を評価する方法であって、前記シリコン基板の表面に熱酸化によりパッシベーション膜を形成した後に、マイクロ波光導電減衰法少数キャリア励起のために前記シリコン基板がＰ型シリコン基板の場合は３×１０^１２〜１×１０^１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ^２、Ｎ型シリコン基板の場合は２×１０^１１〜１×１０^１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ^２のキャリア注入を行って、前記シリコン基板中の再結合ライフタイムを測定することを特徴とするシリコン基板の評価方法。 （もっと読む）