【課題】赤外反射法を用いて、ヘビードープＳｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、高確度・高分解能で、簡便に測定することができるヘビードープＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法を提供する。
【解決手段】反射鏡にＰ偏光を斜め入射した際の赤外反射スペクトルと、前記Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハ表面に、前記入射角と同一角度でＰ偏光入射した際の赤外反射スペクトルを測定し、前記反射鏡の赤外反射スペクトルに対する前記Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハの赤外反射スペクトルの比率である反射率スペクトルを算出して、波数ベクトルｋ≒０のＴ₂フォノンのＴＯモードおよびＬＯモードの波数を求める。 （もっと読む）

【課題】表層にイオン注入がなされた半導体におけるイオン注入量を，その半導体にダメージを与えることなく，かつ，比較的簡易な構成によって高い精度で測定できるイオン注入量測定装置を提供すること。
【解決手段】マイクロ波発振器１からイオン注入物である試料６に対しマイクロ波波を照射し，励起レーザ光源１２から，試料６に対する浸透長がその試料６におけるイオン注入深さよりも短く，かつ試料６のバンドキャップ以上のエネルギーを有する励起光を試料６に照射し，励起光の照射により変化する，試料６からの反射マイクロ波の強度をミキサ１０により検出し，その検出強度の信号からロックインアンプ１５により光励起キャリアのライフタイムの指標値を検出し，その指標値から計算機１６によりイオン注入量を算出する。 （もっと読む）

【課題】作業員の負担を軽減させるとともに、製造効率と歩留まりを向上させることができ、さらに、膜質の計測を高精度で行うことができる結晶質シリコン膜の膜質計測装置、結晶質シリコン膜の膜質計測方法、及び結晶質シリコン膜の膜質評価方法を提供する。
【解決手段】結晶質シリコン膜が形成された基板Ｗに対して結晶質シリコン膜の形成された膜面側から白色光を照射する光源装置１１と、白色光が照射されている状態での基板Ｗからの反射光を検出するカラーラインカメラ１２と、カラーラインカメラ１２の検出結果に基づいて反射光の輝度に係るパラメータを計測し、この反射光の輝度に係るパラメータに基づいて基板Ｗ上の結晶質シリコン膜の膜質を計測する演算装置１３と、カラーラインカメラ１２の周囲を覆う遮光部材１４とを設け、遮光部材１４の基板Ｗに対向する部位に、反射光の通過を許容する反射光通過部１４ａを設ける。 （もっと読む）

【課題】被検査物の欠陥検出の感度を向上することができる欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】欠陥検出方法は、欠陥強調処理工程と欠陥検出工程を有する。欠陥強調処理工程は、撮像画像から平滑化画像を作成する工程ＳＴ２０と、検査対象画素を順次選定する工程ＳＴ２１と、検査対象画素に対応する平滑化画像の着目画素の周囲に複数配置された比較対象画素を複数の比較対象画素群に分けて設定する工程ＳＴ２２と、比較対象画素群の各比較対象画素と検査対象画素の各輝度値の差である輝度差データを求め、その値が最小となる最小輝度差を比較対象画素群毎に求める工程ＳＴ２３と、比較対象画素群毎に算出された最小輝度差のうち、値が最大となる最小輝度差を前記検査対象画素の欠陥強調値とする工程ＳＴ２４とを備える。欠陥検出工程は、欠陥強調値を閾値と比較して抽出した欠陥候補画素で構成される欠陥候補領域の特徴量から欠陥を判別する。 （もっと読む）

【課題】トンネル電流が流れやすい絶縁膜を有する半導体装置について正確な界面準位密度及びそのエネルギー分布を評価することを可能とする半導体装置の試験方法及び試験装置を提供することを提供する。
【解決手段】チャージポンピング法を用いて、半導体基板上に形成されたＭＩＳ型トランジスタの界面準位密度を求める半導体装置の評価方法において、まず、パルス波が連続してなる第１の測定信号をＭＩＳ型トランジスタのゲートに印加して前記半導体基板に流れる第１の電流値を測定する。次に、第１の電流値に含まれるトンネル電流成分を評価すべく、前記第１の測定信号を時間軸方向にα（α＞１）倍した第２の測定信号をＭＩＳ型トランジスタのゲートに印加して半導体基板に流れる第２の電流値を測定する。そして、第１の電流値から第２の電流値を減算して、正確なチャージポンピング電流を求める。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハについて、前記３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、高確度・高分解能で、簡便に測定することができるＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法を提供する。
【解決手段】前記Ｓｉ基板およびその上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハのそれぞれに、Ｐ偏光をＳｉのブルースター角に調整して、または、干渉縞が最小値となるようにＰ偏光の角度を調整して入射し、それぞれの赤外透過スペクトルを測定し、両者の比から透過率または吸光度スペクトルを算出して、少なくともＬＯモードの波数を求めることにより、前記３Ｃ−ＳｉＣ層についての波数ベクトルｋ≒０のＴ₂フォノンを測定する。 （もっと読む）

【課題】基板パターンの何れか一辺が搬送方向と平行となっている基板の回折光観察において、合焦不良欠陥などの観察方向によって欠陥検出感度が不安定である欠陥に対して、欠陥検出感度を向上させるための基板検査装置および基板検査プログラムを提供すること。
【解決手段】繰返しパターンが表面に形成された基板を搬送する手段と、搬送された基板に対して線状の照明光を照射する手段と、照明された基板の線状領域の画像を撮像する手段と、照射される照明光の照射方向を、搬送される基板の搬送方向と一致する第１の方向と、搬送方向に対して所定の角度を有する第２の方向とで切替える手段と、繰り返しパターンの縦横サイズが縦方向と横方向とで異なる長さである場合、照射方向を第２の方向に切替え、縦横サイズの短い方から発生する回折光が取り込めるように、照射する照明光の照明角度と撮像するための撮像角度とを調整する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウム層中の欠陥を露出させるエッチング溶液、そのようなエッチング溶液を用いてゲルマニウム層の中の欠陥を露出させる方法、およびそのような溶液を作製する方法を提供する。
【解決手段】エッチング溶液は、Ｃｅ４＋またはＭｎＯ４−を含む酸化剤と、溶剤とを含み、４ｎｍ・ｍｉｎ^−１と４５０ｎｍ・ｍｉｎ^−１との間のエッチング速度を示し、これは、薄いＧｅ層、即ち、２０ｎｍと１０μｍの間、例えば２０ｎｍと２μｍの間、２０ｎｍと１μｍの間、または２０ｎｍと２００ｎｍの間の膜厚を有するＧｅ層中の欠陥を露出させるのに適している。 （もっと読む）

【課題】直接接合ウェーハの接合界面に酸化膜が存在しないことを、ウェーハ全面でウェーハを破壊すること無く、簡便な方法で保証することができる検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ベースウェーハ上に薄膜化されたボンドウェーハが直接接合されたウェーハの接合界面の酸化膜の有無を検査する方法であって、少なくとも、前記直接接合ウェーハの薄膜表面のヘイズを測定し、該測定されたヘイズパターンの形状から前記酸化膜の有無を判断することを特徴とする直接接合ウェーハの検査方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 チップ分割時の不良発生率が低減され、歩留まりの向上が図られた半導体デバイスの製造方法を提供する
【解決手段】 ＧａＮ基板中の主面と交差する断面の転位密度を測定し、当該転位密度が一定の数値以下であるＧａＮ基板を選択する転位密度評価工程と、転位密度評価工程で選択されたＧａＮ基板上に機能素子部を積層した後、チップ状に分割する分割工程と、を有することを特徴とする。ＧａＮ基板上にエピタキシャル層や電極等を形成した後、チップ状に分割する際の欠け、バリ、ひび割れの発生が、ＧａＮ基板の欠陥密度、特に横方向の欠陥密度と深い関係がある。したがって、この横方向の欠陥密度に相当する主面と交差する断面の転位密度を測定し、当該転位密度が一定の数値以下であるＧａＮ基板を選択して用いることで、半導体デバイスの歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に発生する結晶欠陥を検出する工程を有する半導体装置の製造技術において、半導体装置の生産性を向上させる方法の提供。
【解決手段】Ｐ型のＰ基板１ｐの主面ｆ１上にダイオードＰＮＤ２を形成し、そのダイオードＰＮＤ２に逆方向電圧を印加したときの電気特性を検査することで、Ｐ基板１ｐ内の結晶欠陥を検出する。この欠陥を検出するためのダイオードＰＮＤ２は、Ｐ基板１ｐの主面ｆ１に分離部２を形成することで活性領域ａｃｔを規定した後に、活性領域ａｃｔの一部の主面ｆ１にＮ型のＮ領域Ｎ１を形成し、そのＮ領域Ｎ１を含む活性領域ａｃｔの主面ｆ１を覆うようにして、酸素および窒素を含む界面緩衝膜ＢＦを形成し、続いて、Ｐ基板１ｐおよびＮ領域Ｎ１に電気的に接続するように、それぞれ、アノード導電部ＥＡ２およびカソード導電部ＥＣ１を形成することで形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の均一化を達成できる半導体基板を提供する。
【解決手段】この半導体基板１では、直径２インチの半導体基板１一枚あたり１個以上２０個以下のピンホール３が形成されている。これにより、半導体膜形成後の半導体基板１の反り値が減少し、露光後の寸法ばらつきが減少する効果を得ることができる。これはピンホール３の存在によって、半導体基板１表面の転位が解消されるためであると推定される。したがって、半導体膜の膜質の均一化、半導体デバイスの性能の均一化、半導体基板１の割れ防止を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】円盤状基板の表面に形成される膜層の形成位置を精度良く定量的に検査することのできる円盤状基板の検査装置を提供すること。
【解決手段】膜層の形成された円盤状基板の検査装置であって、円盤状基板の外周部分における所定面を撮影する撮影部から順次出力される画像信号に基づいて、撮影視野範囲に対応した撮影画像を表す撮影画像データを生成し、前記撮影画像データから、前記撮影画像上における前記所定面に対応した面画像部分Ｉ_Saとその外側画像部分Ｉ_BKLとの境界線Ｅ_15aの前記周方向の各位置（θ）での縦方向位置Ｙ_E15aL（θ）を基準にして、前記面画像Ｉ_Sa上の膜層２４に対応した膜層画像部分Ｉ_Sa（２４）の縁線Ｅ₂₄の前記周方向の対応した位置（θ）での縦方向位置を表す膜層縁位置情報Ｙ_4E24（θ）を生成するようにした。 （もっと読む）

【課題】円盤状基板の連続する複数の面の状態をより精度良く検査（評価）することのできる円盤状基板の検査装置を提供することである。
【解決手段】円盤状基板の外周部分において複数の面を撮影する撮影部から順次出力される画像信号に基づいて、各撮影視野範囲に対応した撮影画像を表す撮影画像データを生成し、それらの撮影画像データから、前記複数の面に対応した複数の面画像部分Ｉ_Sa、Ｉ_12U、Ｉ_12A、Ｉ_12L、Ｉ_Sbをそれらの対応する境界線Ｅ_15a、Ｅ_15b、Ｅ_15c、Ｅ_15dを合致させるようにして接合させた合成画像を表す合成画像データを生成し、その合成画像データに基づいて前記合成画像を表示ユニットに表示させるようにした。 （もっと読む）

【課題】エッチングなどの表面処理における膜厚測定において、照明光などの外乱によって受光部の検出精度が損なわれるのを防止する。
【解決手段】表面処理装置１０に膜厚測定設備２０Ｘを付設する。その発光部２１は、所定波長の測定光Ｌ１を被処理物９０に出射し、受光部２２は、被処理物９０からの光を検出し、膜９２の厚さの測定に供する。さらに照明部２３を設け、処理チャンバー１２内を前記所定波長の光を含まない照明光Ｌ３で照明する。受光部２２は、前記所定波長の光に感応する一方、前記照明光Ｌ３の波長の光に感応しない。処理チャンバー１２を画成する仕切りには、前記所定波長の光をカットする入射フィルタ１１ｆを設ける。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体よりなる半導体装置の積層欠陥の有無を短時間で検査する方法の提供。
【解決手段】炭化珪素半導体からなる半導体ウェハー（ＳｉＣウェハー）９に、この炭化珪素半導体のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有するレーザー光２を照射する。そのレーザー照射によって半導体ウェハーから放射された光６を波長選択手段（分光器）４により分光し、特定波長の光の強度を測定手段（光電子倍増管）５により観測する。測定した光強度に基づいて半導体装置の特性劣化を判定する。 （もっと読む）

【課題】簡易評価であるグルービング法の測定精度を向上させることができるグルービング加工方法を提供する。
【解決手段】基板上に発光層２を含むエピタキシャル層を形成したエピタキシャルウエハ１の発光特性を検出すべく、前記エピタキシャルウエハ１の任意位置の測定部分３の周囲に堀４を形成するためのグルービング加工を施す方法において、前記堀４の断面形状を、前記エピタキシャルウエハ１の表面から基板側に向けて逆台形に形成し、前記測定部分３の断面形状を台形に形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】 画像特徴量の数の増加に関係なく欠陥の分類性能が向上する欠陥分類装置および方法並びにプログラムを提供すること
【解決手段】 外観検査装置１５から取得した検査対象品の画像データから画像特徴量を抽出する画像処理部２６と、画像処理部で抽出された検査対象品の画像特徴量に対して主成分分析或や部分最小２乗法を行なって寄与率を求め、寄与率が高い画像特徴量を抽出し、抽出した画像特徴量から欠陥種別を決定する多変量解析処理部２８と、を備える。同種の欠陥の場合、寄与率が高くなる画像特徴量も同じになるため、抽出された画像特徴量の組み合わせから欠陥分類が行なえる。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体薄膜の結晶性の評価を迅速かつ正確に行うことができるシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置を提供すること。
【解決手段】励起光レーザ３と、赤外光レーザ４と、赤外光の波長よりも小さな直径の小孔６ａを有し、当該小孔６ａの一方の開口に照射された赤外光を、当該孔６ａの他方の開口から滲み出る近接場光Ｌ１としてシリコン半導体薄膜２ｂに照射することが可能な金属膜６と、赤外光レーザ４から放射された赤外光のうち孔６ａの他方の開口の手前側で反射された反射光の強度を検出してその検出信号を出力する光検出器２３と、前記検出信号に基づいて薄膜２ｂの結晶性を評価するためのデータを作成する信号処理装置２６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】光透過性を有する基材の厚み寸法のバラつきに伴い結晶性評価精度が悪化するのを抑制することができる半導体薄膜の結晶性の評価方法を提供する。
【解決手段】シリコン半導体薄膜の所定の照射領域にキャリア励起光を照射する励起レーザ１と、赤外光を放射する半導体レーザ１０と、半導体レーザ１０に対し強度変調された電流を供給することにより、当該半導体レーザ１０に波長の異なる複数種の赤外光を照射させることが可能な高周波パルス電源１８と、シリコン半導体薄膜５ａ又は基材５ｂにおいて反射された反射光であって、前記複数種の赤外光のうちの少なくとも２種の赤外光を含む反射光の強度を検出してその検出信号を出力する光検出器１３と、前記検出信号に基づいて前記シリコン半導体薄膜５ａの結晶性を評価するためのデータを作成する信号処理装置９とを備えている。 （もっと読む）