シリコン基板の評価方法、汚染検出方法及びエピタキシャル基板の製造方法
【課題】基板表面での再結合を従来より抑制することによって、基板中の金属不純物濃度を高感度で正確に評価することのできるシリコン基板の評価方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波光導電減衰法少数キャリアライフタイム法により、シリコン基板の金属汚染を評価する方法であって、前記シリコン基板の表面に熱酸化によりパッシベーション膜を形成した後に、マイクロ波光導電減衰法少数キャリア励起のために前記シリコン基板がＰ型シリコン基板の場合は３×１０１２〜１×１０１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２、Ｎ型シリコン基板の場合は２×１０１１〜１×１０１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２のキャリア注入を行って、前記シリコン基板中の再結合ライフタイムを測定することを特徴とするシリコン基板の評価方法。
【解決手段】マイクロ波光導電減衰法少数キャリアライフタイム法により、シリコン基板の金属汚染を評価する方法であって、前記シリコン基板の表面に熱酸化によりパッシベーション膜を形成した後に、マイクロ波光導電減衰法少数キャリア励起のために前記シリコン基板がＰ型シリコン基板の場合は３×１０１２〜１×１０１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２、Ｎ型シリコン基板の場合は２×１０１１〜１×１０１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２のキャリア注入を行って、前記シリコン基板中の再結合ライフタイムを測定することを特徴とするシリコン基板の評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン基板の評価方法、汚染検出方法及びエピタキシャル基板の製造方法に関し、特に、シリコン基板中の金属不純物を高い感度で評価することのできるシリコン基板の評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン基板中の金属不純物の検出方法としてウェーハライフタイム（以下略してＷＬＴ）法があり（例えば非特許文献１参照）、このＷＬＴ法の代表的な方法として、マイクロ波光導電減衰法少数キャリアライフタイム法（以下略してμＰＣＤ法）がある。この方法は、例えば試料（基板）に対して光を当てて、発生する少数キャリアの寿命をマイクロ波の反射率の変化で検出することで、試料中の金属不純物を評価するものである。
【０００３】
そして、基板内に金属が取り込まれると、このＷＬＴ値が小さくなるため、熱処理や気相成長させた基板のＷＬＴ値を測定して評価することで、熱処理炉内の金属汚染の管理を行うことができる。つまり、汚染管理用のウェーハを準備して実工程で用いる熱処理炉で熱処理を行い、熱処理後の基板のＷＬＴ値を測定することで、熱処理炉が金属不純物に汚染されているかいないかを判定することができる。
【０００４】
【非特許文献１】「シリコン結晶・ウェーハ技術の課題」（リアライズ社、平成６年１月３１日発行）２６５頁〜２６９頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のμＰＣＤ法では、基板表面でキャリアが表面再結合する影響を除去するための処理を行う必要がある。この処理方法には、例えば、測定対象の基板に対して高温の熱処理を行って表面に良質の酸化膜を形成し、Ｓｉ／ＳｉＯ２界面の界面準位密度を少なくし、且つ表面の汚染金属をバルク中に拡散させる熱酸化法がある。
【０００６】
ところで、近年、遷移金属不純物の量の低減の要求が益々厳しくなってきており、それに伴って高い感度で金属不純物を評価することのできる評価方法も当然求められている。
そこで、近年の低金属不純物濃度のシリコン基板の金属不純物の影響をμＰＣＤ法で評価しようとすると、金属不純物濃度が低くなったため、ＷＬＴ値が高く（１０００μｓｅｃ以上）なってきた。
【０００７】
ここで、ＷＬＴ値（τｅｆｆ）は、主に基板バルク中でのバルクライフタイム（τＢ）と、表面再結合での再結合ライフタイム（τＳ．Ｒ）に分けられる（１／τｅｆｆ≒（１／τＳ．Ｒ＋１／τＢ）であり、τＳ．Ｒ≫τＢの場合は、１／τｅｆｆ≒１／τＢつまりτｅｆｆ≒τＢとなる）。
近年の高ＷＬＴ値化によって、表面再結合での再結合ライフタイム（τＳ．Ｒ）のＷＬＴ値（τｅｆｆ）への影響が大きくなってきており、バルクライフタイム（τＢ）≒ＷＬＴ値（τｅｆｆ）と見なせなくなってきた。
このため、この表面再結合をできるだけ抑制する必要があるが、従来行われている測定条件では表面再結合速度を遅くできなかったため、表面再結合を十分に抑制することができず、正確なバルクライフタイム評価を行うことが非常に困難となってきていた。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みなされたものであって、基板表面での再結合を従来より抑制することによって、基板中の金属不純物濃度を高感度で正確に評価することのできるシリコン基板の評価方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明では、μＰＣＤ法により、シリコン基板の金属汚染を評価する方法であって、前記シリコン基板の表面に熱酸化によりパッシベーション膜を形成した後に、マイクロ波光導電減衰法少数キャリア励起のために前記シリコン基板がＰ型シリコン基板の場合は３×１０１２〜１×１０１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２、Ｎ型シリコン基板の場合は２×１０１１〜１×１０１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２のキャリア注入を行って、前記シリコン基板中のウェーハライフタイム値を測定することを特徴とするシリコン基板の評価方法を提供する（請求項１）。
【００１０】
このように、パッシベーション膜の形成に熱酸化を行った場合のμＰＣＤ法において、シリコン基板中のＷＬＴ値を測定する際に、キャリアの注入量を、測定対象のシリコン基板の導電型がＰ型の場合は３×１０１２〜１×１０１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２、Ｎ型の場合は２×１０１１〜１×１０１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２とする。
Ｐ型シリコン基板の測定の際にキャリアの注入量を上述の範囲とすることによって、キャリアの表面再結合を従来に比べて大きく抑制することのできるキャリアの注入条件とすることができる。またＮ型の場合のキャリアの注入量をＰ型とは異なる上述の範囲とすることによって、キャリアの表面再結合を大きく抑制することができる。
これらによって、基板中の金属不純物を高感度で評価することができ、現状の高ＷＬＴ値にも十分に対応することのできるシリコン基板の評価方法とすることができる。
【００１１】
また、前記シリコン基板の厚さを５００〜１０００μｍとすることが好ましい（請求項２）。
このように、シリコン基板の厚さを５００μｍ以上とすることによって、シリコン基板の強度を確保することができるため、評価の際にシリコン基板の扱いが困難なものとなることを抑制することができる。また１０００μｍ以下とすることによって、シリコン基板に注入するキャリアの注入に用いるレーザー光に強力なものを用いることなく、一般的に用いられている強度の光源を用いることができるため、評価を容易に実施することができる。
【００１２】
そして、本発明では、熱処理炉でシリコン基板を熱処理し、その後、本発明に記載のシリコン基板の評価方法によって該熱処理後のシリコン基板の再結合ライフタイムを測定し、該測定値を用いて前記熱処理炉の金属汚染の有無を検出することを特徴とする汚染検出方法を提供する（請求項３）。
前述のように、本発明のシリコン基板の評価方法は、基板内の金属不純物の影響を高感度で検出することができる。従って、金属汚染の有無を評価したい熱処理炉で熱処理を行ったシリコン基板の金属不純物濃度を本発明のシリコン基板の評価方法を用いて評価することによって、従来に比べ、金属不純物の影響を高精度で評価することができる。
【００１３】
また、前記熱処理炉を、気相成長炉とすることが好ましい（請求項４）。
このように、本発明の汚染検出方法によって気相成長炉の金属不純物汚染をモニターすることによって、従来に比べて、金属不純物で汚染された気相成長炉でシリコン基板上に単結晶薄膜を気相成長させることが起こることを抑制することができる。このため、シリコン基板上に単結晶薄膜を形成する際に、作製したエピタキシャル基板や単結晶薄膜が金属不純物で汚染される可能性をより低減することができる。
【００１４】
更に、本発明に記載の汚染検出方法によって汚染を管理した気相成長炉を用いて、シリコン基板上に単結晶薄膜を気相成長させることを特徴とするエピタキシャル基板の製造方法を提供する（請求項５）。
前述のように、本発明の汚染検出方法によれば、気相成長炉内の金属不純物の有無を厳密に管理することができるため、このような気相成長炉で製造したエピタキシャル基板は、金属不純物濃度を低減させたものとすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明によれば、シリコン基板表面でのキャリアの表面再結合を従来より抑制することができるため、キャリアの高寿命化に対応することができる。このため、低金属不純物濃度となった近年のシリコン基板を評価する場合であっても、τｅｆｆ≒バルクライフタイムとみなすことができ、シリコン基板中の金属不純物の影響を高感度で正確に評価することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明についてより具体的に説明する。
前述のように、基板表面での再結合を従来より抑制することによって、基板中の金属不純物濃度を高感度で正確に評価することのできるシリコン基板の評価方法の開発が待たれていた。
【００１７】
そこで、本発明者らは、評価するシリコン基板の条件の最適化のみならず、キャリアの注入条件を変更することによって、キャリアの表面再結合を抑制できないか鋭意検討を重ねた。
その結果、シリコン基板の導電型でキャリアの注入量を変え、シリコン基板の厚みが５００μｍから１０００μｍの範囲では、Ｐ型の場合は、３×１０１２〜１×１０１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２と、Ｎ型の場合は２×１０１１〜１×１０１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２とすることによって、シリコン基板表面でのキャリアの表面再結合を従来に比べて大きく抑制することができることを発見し、本発明を完成させた。
【００１８】
以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１９】
まず、評価対象のシリコン基板を準備する。
準備するシリコン基板には、特に制限はないが、本発明においては導電型によって後述のキャリアの注入条件を変えるため、少なくとも導電型は把握しておく。また、シリコン基板は抵抗率が高ければ高いほど望ましい。例えば、シリコン基板がＰ型の場合は１０００Ω・ｃｍ以上、Ｎ型の場合は５００Ω・ｃｍ以上とすることが望まれる。
【００２０】
また、準備するシリコン基板は、厚さが５００〜１０００μｍのものを準備することができる。
準備するシリコン基板の厚さが５００μｍ以上あれば、評価の際のハンドリングに支障がきたすことを防止することができ、厚さが１０００μｍ以下であれば、シリコン基板に注入するキャリアの注入に用いるレーザー光に強力なものを用いることなく、一般的に用いられている強度の光源を用いることができるため、評価を容易に実施することができる。
【００２１】
次に、シリコン基板に熱処理を行って、基板表面に熱酸化膜を形成し、これをパッシベーション膜として利用する。
この時の熱処理条件としては、シリコン基板表面に酸化膜を形成することができる条件であれば良く、例えば、酸素含有雰囲気にて、１０００℃で３０分の熱処理をすることができ、またＲＴＯ処理とすることもできる。
このように熱酸化でパッシベーション膜を形成することによって、界面準位が低い酸化膜をシリコン基板表面に形成することができる。このため、表面再結合を抑制することができ、高い感度で正確にＷＬＴ値を評価することができる。
【００２２】
その後、μＰＣＤ法によって、熱酸化膜がその表面に形成されたシリコン基板のＷＬＴ値を評価する。
まず、パッシベーション膜が形成されたシリコン基板の表面にキャリアを励起させるためのレーザー光を照射する。次にシリコン基板からのマイクロ波の透過波又は反射波を検出する。そしてマイクロ波の透過波又は反射波の変化に基づいて上記シリコン基板中に誘起されたキャリアのライフタイムを測定する。
そしてこの測定値を解析することによって、シリコン基板中の金属不純物濃度を評価する。
【００２３】
このとき、キャリア励起のために、シリコン基板がＰ型シリコン基板の場合は３×１０１２〜１×１０１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２、Ｎ型シリコン基板の場合は２×１０１１〜１×１０１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２のキャリア注入を行う。
【００２４】
このような本発明のシリコン基板の評価方法によれば、従来に比べてキャリアが表面再結合で消滅することを抑制できるキャリア注入条件となる。これによって、シリコン基板のバルク中の金属不純物にキャリアが捕らわれる様子を高感度・高精度で測定することができ、よって金属不純物の影響を正確に評価することができる。
【００２５】
そしてこのようなシリコン基板の評価方法を用いた汚染検出方法について以下に説明するが、もちろんこれに限定されるものではない。
【００２６】
まず、モニター用のシリコン基板を準備する。
この準備するシリコン基板は、通常の規格のものでよいが、高抵抗率のものが好ましく、このような高抵抗の基板はＦＺ法で作製することが望ましい。
【００２７】
次に、準備したモニター用シリコン基板を汚染管理を行いたい熱処理炉に導入して、熱処理を行う。そしてこのときの熱処理条件は、実際にウェーハの生産を行う際に使用する条件と同様の条件とすることができるし、また専用の熱処理条件とすることができる。
【００２８】
その後、上述の本発明のシリコン基板の評価方法で、熱処理を行ったモニター用シリコン基板のＷＬＴ値を測定する。
【００２９】
そして、先に測定したＷＬＴ測定値が、熱処理を行う前のモニター用シリコン基板のＷＬＴ値に比べてどの程度減少したかを評価し、熱処理炉が金属不純物に汚染されているか否か、どの程度汚染されているか判定を行って、検出が終了する。
そして熱処理炉の金属汚染が検出された場合は、熱処理炉の洗浄、パーツの交換等の金属不純物低減のための処理を行う。
【００３０】
このとき、汚染検出を行う熱処理炉は、気相成長炉とすることができる。
このように、本発明の汚染検出方法によって気相成長炉の金属不純物汚染の有無を検出すれば、高温熱処理が必須の気相成長工程において、工程後にシリコン基板が金属不純物に汚染される可能性を低減させることができる。
【００３１】
そして本発明の汚染検出方法を用いて汚染を管理した気相成長炉を用いて、シリコン基板上に単結晶薄膜を気相成長させて、エピタキシャル基板を製造することができる。
前述のように、本発明の汚染検出方法によって金属不純物の有無の管理を行った気相成長炉は、金属不純物濃度が厳密に管理されたものであるため、このような気相成長炉を用いてシリコン基板上に単結晶薄膜を気相成長させることによって、金属不純物濃度を低減させたエピタキシャル基板を製造することができる。
【００３２】
以下、実験例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実験例１）
シリコン基板として、Ｎ型のＦＺ法で作製した直径６インチ（１５０ｍｍ）・厚さ７００μｍのシリコン単結晶基板を３枚準備した。このうち２枚は抵抗率が６８０〜８２０Ω・ｃｍ（以下７５０Ω・ｃｍと表記）、残りの１枚が４２〜５８Ω・ｃｍ（以下５０Ω・ｃｍと表記）とした。ドーパントにはＰを用いた。また抵抗率７５０Ω・ｃｍのシリコン基板のうちの片方の基板には、その両主表面に厚さ１０μｍのノンドープの単結晶薄膜を気相成長させた。
【００３３】
準備した３枚のシリコン基板に、熱酸化によって表面にパッシベーション膜を形成した。この熱処理条件は、酸素含有雰囲気にて１０００℃・３０分の熱処理とした。
【００３４】
次に、熱処理を行った３枚のシリコン基板のＷＬＴ値をμＰＣＤ法によって評価した。
この時のキャリア励起のためのレーザー光の入射強度（キャリア注入量）を１×１０１１〜１×１０１４Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２の間で変化させた。その結果を図１に示す。図１は、Ｎ型のシリコン基板をキャリア注入量を変化させてμＰＣＤ法で評価した時のキャリア注入量とＷＬＴ値の関係を示した図である。図１の横軸はキャリア注入量、縦軸はＷＬＴ値である。
なお、従来は装置の仕様の都合等の問題により、キャリア注入は２×１０１３〜１×１０１４Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２の間で行われていた。
【００３５】
図１に示すように、抵抗率が７５０Ω・ｃｍのＮ型シリコン基板では、単結晶薄膜層がある基板でもない基板でも、キャリアの注入量が２×１０１１〜１×１０１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２のときにＷＬＴ値が高くなった。特に、２〜５×１０１１Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２での時のＷＬＴ値τｅｆｆは最高値（１００００μｓｅｃ以上）を示した。更に、この領域で前記両基板のＷＬＴ値の間に明確な差が見られ、熱処理炉の１つである気相成長炉の評価ができることを確認できた。
また、抵抗率が５０Ω・ｃｍの低抵抗率のＮ型シリコン基板も、高抵抗率のＮ型シリコン基板の時と同様に低キャリア注入量のときにＷＬＴ値が最大をとる傾向は同様なことが判った。
【００３６】
このことから、キャリアの注入量が少ない（１×１０１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２以下）ほど表面再結合を抑制することができ、ＷＬＴ値τｅｆｆ≒バルクライフタイムと見なすことができることが判った。そしてこのようなキャリア注入条件でμＰＣＤ法によってＷＬＴ値を評価することは、シリコン基板バルク中の金属不純物を評価することに関して、非常に高感度で好ましい手法であると言えることが判った。
なお、２×１０１１Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２以下のキャリアの注入では、ＷＬＴ値が減少しており、またこれ以上の低キャリア注入量を実現することは装置の構成上困難であることから実施のメリットが小さく、２×１０１１Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２を下限とすることがよい。
【００３７】
（実験例２）
次に、シリコン基板として、Ｐ型のＦＺ法で作製した直径６インチ（１５０ｍｍ）・厚さ７００μｍのシリコン単結晶基板を３枚準備した。このうち２枚は抵抗率が２０００Ω・ｃｍ以上（以下２０００Ω・ｃｍと表記）、残りの１枚が２０〜４０Ω・ｃｍ（以下３０Ω・ｃｍと表記）とした。ドーパントにはＢを用いた。また抵抗率２０００Ω・ｃｍ以上のシリコン基板のうちの片方の基板には、その両主表面に厚さ１０μｍのノンドープの単結晶薄膜を気相成長させた。
【００３８】
準備した３枚のシリコン基板に、熱酸化によって表面にパッシベーション膜を形成した。この熱処理条件は、酸素含有雰囲気にて１０００℃・３０分の熱処理とした。
【００３９】
次に、熱処理を行った３枚のシリコン基板のＷＬＴ値をμＰＣＤ法によって評価した。
この時のキャリア励起のためのレーザー光の入射強度（キャリア注入量）を１×１０１１〜１×１０１４Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２の間で変化させた。その結果を図２に示す。図２は、Ｐ型のシリコン基板をキャリア注入量を変化させてμＰＣＤ法で評価した時のキャリア注入量とＷＬＴ値の関係を示した図である。図２の横軸はキャリア注入量、縦軸はＷＬＴ値である。
【００４０】
図２に示すように、抵抗率が２０００Ω・ｃｍのＰ型シリコン基板では、キャリアの注入量が３×１０１２〜１×１０１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２のときにＷＬＴ値が高くなった。特に、４〜６×１０１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２の時にＷＬＴ値τｅｆｆが高い値を示した。更に、この領域で前記両基板のＷＬＴ値の間に明確な差が見られ、気相成長炉の評価ができることを確認できた。
また、抵抗率が３０Ω・ｃｍの低抵抗率のＰ型シリコン基板の場合でも、高抵抗率のＰ型シリコン基板の時と同様に高キャリア注入量のときにＷＬＴ値が最大をとる傾向は同様なことが判った。
【００４１】
このことから、Ｐ型のシリコン基板の場合は、キャリアの注入量が３×１０１２〜１×１０１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２であれば、表面再結合を抑制することができるキャリア注入条件とみなせることが判った。
【００４２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】Ｎ型のシリコン基板をキャリア注入量を変化させてμＰＣＤ法で評価した時のキャリア注入量とＷＬＴ値の関係を示した図である。
【図２】Ｐ型のシリコン基板をキャリア注入量を変化させてμＰＣＤ法で評価した時のキャリア注入量とＷＬＴ値の関係を示した図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン基板の評価方法、汚染検出方法及びエピタキシャル基板の製造方法に関し、特に、シリコン基板中の金属不純物を高い感度で評価することのできるシリコン基板の評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン基板中の金属不純物の検出方法としてウェーハライフタイム（以下略してＷＬＴ）法があり（例えば非特許文献１参照）、このＷＬＴ法の代表的な方法として、マイクロ波光導電減衰法少数キャリアライフタイム法（以下略してμＰＣＤ法）がある。この方法は、例えば試料（基板）に対して光を当てて、発生する少数キャリアの寿命をマイクロ波の反射率の変化で検出することで、試料中の金属不純物を評価するものである。
【０００３】
そして、基板内に金属が取り込まれると、このＷＬＴ値が小さくなるため、熱処理や気相成長させた基板のＷＬＴ値を測定して評価することで、熱処理炉内の金属汚染の管理を行うことができる。つまり、汚染管理用のウェーハを準備して実工程で用いる熱処理炉で熱処理を行い、熱処理後の基板のＷＬＴ値を測定することで、熱処理炉が金属不純物に汚染されているかいないかを判定することができる。
【０００４】
【非特許文献１】「シリコン結晶・ウェーハ技術の課題」（リアライズ社、平成６年１月３１日発行）２６５頁〜２６９頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のμＰＣＤ法では、基板表面でキャリアが表面再結合する影響を除去するための処理を行う必要がある。この処理方法には、例えば、測定対象の基板に対して高温の熱処理を行って表面に良質の酸化膜を形成し、Ｓｉ／ＳｉＯ２界面の界面準位密度を少なくし、且つ表面の汚染金属をバルク中に拡散させる熱酸化法がある。
【０００６】
ところで、近年、遷移金属不純物の量の低減の要求が益々厳しくなってきており、それに伴って高い感度で金属不純物を評価することのできる評価方法も当然求められている。
そこで、近年の低金属不純物濃度のシリコン基板の金属不純物の影響をμＰＣＤ法で評価しようとすると、金属不純物濃度が低くなったため、ＷＬＴ値が高く（１０００μｓｅｃ以上）なってきた。
【０００７】
ここで、ＷＬＴ値（τｅｆｆ）は、主に基板バルク中でのバルクライフタイム（τＢ）と、表面再結合での再結合ライフタイム（τＳ．Ｒ）に分けられる（１／τｅｆｆ≒（１／τＳ．Ｒ＋１／τＢ）であり、τＳ．Ｒ≫τＢの場合は、１／τｅｆｆ≒１／τＢつまりτｅｆｆ≒τＢとなる）。
近年の高ＷＬＴ値化によって、表面再結合での再結合ライフタイム（τＳ．Ｒ）のＷＬＴ値（τｅｆｆ）への影響が大きくなってきており、バルクライフタイム（τＢ）≒ＷＬＴ値（τｅｆｆ）と見なせなくなってきた。
このため、この表面再結合をできるだけ抑制する必要があるが、従来行われている測定条件では表面再結合速度を遅くできなかったため、表面再結合を十分に抑制することができず、正確なバルクライフタイム評価を行うことが非常に困難となってきていた。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みなされたものであって、基板表面での再結合を従来より抑制することによって、基板中の金属不純物濃度を高感度で正確に評価することのできるシリコン基板の評価方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明では、μＰＣＤ法により、シリコン基板の金属汚染を評価する方法であって、前記シリコン基板の表面に熱酸化によりパッシベーション膜を形成した後に、マイクロ波光導電減衰法少数キャリア励起のために前記シリコン基板がＰ型シリコン基板の場合は３×１０１２〜１×１０１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２、Ｎ型シリコン基板の場合は２×１０１１〜１×１０１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２のキャリア注入を行って、前記シリコン基板中のウェーハライフタイム値を測定することを特徴とするシリコン基板の評価方法を提供する（請求項１）。
【００１０】
このように、パッシベーション膜の形成に熱酸化を行った場合のμＰＣＤ法において、シリコン基板中のＷＬＴ値を測定する際に、キャリアの注入量を、測定対象のシリコン基板の導電型がＰ型の場合は３×１０１２〜１×１０１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２、Ｎ型の場合は２×１０１１〜１×１０１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２とする。
Ｐ型シリコン基板の測定の際にキャリアの注入量を上述の範囲とすることによって、キャリアの表面再結合を従来に比べて大きく抑制することのできるキャリアの注入条件とすることができる。またＮ型の場合のキャリアの注入量をＰ型とは異なる上述の範囲とすることによって、キャリアの表面再結合を大きく抑制することができる。
これらによって、基板中の金属不純物を高感度で評価することができ、現状の高ＷＬＴ値にも十分に対応することのできるシリコン基板の評価方法とすることができる。
【００１１】
また、前記シリコン基板の厚さを５００〜１０００μｍとすることが好ましい（請求項２）。
このように、シリコン基板の厚さを５００μｍ以上とすることによって、シリコン基板の強度を確保することができるため、評価の際にシリコン基板の扱いが困難なものとなることを抑制することができる。また１０００μｍ以下とすることによって、シリコン基板に注入するキャリアの注入に用いるレーザー光に強力なものを用いることなく、一般的に用いられている強度の光源を用いることができるため、評価を容易に実施することができる。
【００１２】
そして、本発明では、熱処理炉でシリコン基板を熱処理し、その後、本発明に記載のシリコン基板の評価方法によって該熱処理後のシリコン基板の再結合ライフタイムを測定し、該測定値を用いて前記熱処理炉の金属汚染の有無を検出することを特徴とする汚染検出方法を提供する（請求項３）。
前述のように、本発明のシリコン基板の評価方法は、基板内の金属不純物の影響を高感度で検出することができる。従って、金属汚染の有無を評価したい熱処理炉で熱処理を行ったシリコン基板の金属不純物濃度を本発明のシリコン基板の評価方法を用いて評価することによって、従来に比べ、金属不純物の影響を高精度で評価することができる。
【００１３】
また、前記熱処理炉を、気相成長炉とすることが好ましい（請求項４）。
このように、本発明の汚染検出方法によって気相成長炉の金属不純物汚染をモニターすることによって、従来に比べて、金属不純物で汚染された気相成長炉でシリコン基板上に単結晶薄膜を気相成長させることが起こることを抑制することができる。このため、シリコン基板上に単結晶薄膜を形成する際に、作製したエピタキシャル基板や単結晶薄膜が金属不純物で汚染される可能性をより低減することができる。
【００１４】
更に、本発明に記載の汚染検出方法によって汚染を管理した気相成長炉を用いて、シリコン基板上に単結晶薄膜を気相成長させることを特徴とするエピタキシャル基板の製造方法を提供する（請求項５）。
前述のように、本発明の汚染検出方法によれば、気相成長炉内の金属不純物の有無を厳密に管理することができるため、このような気相成長炉で製造したエピタキシャル基板は、金属不純物濃度を低減させたものとすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明によれば、シリコン基板表面でのキャリアの表面再結合を従来より抑制することができるため、キャリアの高寿命化に対応することができる。このため、低金属不純物濃度となった近年のシリコン基板を評価する場合であっても、τｅｆｆ≒バルクライフタイムとみなすことができ、シリコン基板中の金属不純物の影響を高感度で正確に評価することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明についてより具体的に説明する。
前述のように、基板表面での再結合を従来より抑制することによって、基板中の金属不純物濃度を高感度で正確に評価することのできるシリコン基板の評価方法の開発が待たれていた。
【００１７】
そこで、本発明者らは、評価するシリコン基板の条件の最適化のみならず、キャリアの注入条件を変更することによって、キャリアの表面再結合を抑制できないか鋭意検討を重ねた。
その結果、シリコン基板の導電型でキャリアの注入量を変え、シリコン基板の厚みが５００μｍから１０００μｍの範囲では、Ｐ型の場合は、３×１０１２〜１×１０１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２と、Ｎ型の場合は２×１０１１〜１×１０１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２とすることによって、シリコン基板表面でのキャリアの表面再結合を従来に比べて大きく抑制することができることを発見し、本発明を完成させた。
【００１８】
以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１９】
まず、評価対象のシリコン基板を準備する。
準備するシリコン基板には、特に制限はないが、本発明においては導電型によって後述のキャリアの注入条件を変えるため、少なくとも導電型は把握しておく。また、シリコン基板は抵抗率が高ければ高いほど望ましい。例えば、シリコン基板がＰ型の場合は１０００Ω・ｃｍ以上、Ｎ型の場合は５００Ω・ｃｍ以上とすることが望まれる。
【００２０】
また、準備するシリコン基板は、厚さが５００〜１０００μｍのものを準備することができる。
準備するシリコン基板の厚さが５００μｍ以上あれば、評価の際のハンドリングに支障がきたすことを防止することができ、厚さが１０００μｍ以下であれば、シリコン基板に注入するキャリアの注入に用いるレーザー光に強力なものを用いることなく、一般的に用いられている強度の光源を用いることができるため、評価を容易に実施することができる。
【００２１】
次に、シリコン基板に熱処理を行って、基板表面に熱酸化膜を形成し、これをパッシベーション膜として利用する。
この時の熱処理条件としては、シリコン基板表面に酸化膜を形成することができる条件であれば良く、例えば、酸素含有雰囲気にて、１０００℃で３０分の熱処理をすることができ、またＲＴＯ処理とすることもできる。
このように熱酸化でパッシベーション膜を形成することによって、界面準位が低い酸化膜をシリコン基板表面に形成することができる。このため、表面再結合を抑制することができ、高い感度で正確にＷＬＴ値を評価することができる。
【００２２】
その後、μＰＣＤ法によって、熱酸化膜がその表面に形成されたシリコン基板のＷＬＴ値を評価する。
まず、パッシベーション膜が形成されたシリコン基板の表面にキャリアを励起させるためのレーザー光を照射する。次にシリコン基板からのマイクロ波の透過波又は反射波を検出する。そしてマイクロ波の透過波又は反射波の変化に基づいて上記シリコン基板中に誘起されたキャリアのライフタイムを測定する。
そしてこの測定値を解析することによって、シリコン基板中の金属不純物濃度を評価する。
【００２３】
このとき、キャリア励起のために、シリコン基板がＰ型シリコン基板の場合は３×１０１２〜１×１０１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２、Ｎ型シリコン基板の場合は２×１０１１〜１×１０１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２のキャリア注入を行う。
【００２４】
このような本発明のシリコン基板の評価方法によれば、従来に比べてキャリアが表面再結合で消滅することを抑制できるキャリア注入条件となる。これによって、シリコン基板のバルク中の金属不純物にキャリアが捕らわれる様子を高感度・高精度で測定することができ、よって金属不純物の影響を正確に評価することができる。
【００２５】
そしてこのようなシリコン基板の評価方法を用いた汚染検出方法について以下に説明するが、もちろんこれに限定されるものではない。
【００２６】
まず、モニター用のシリコン基板を準備する。
この準備するシリコン基板は、通常の規格のものでよいが、高抵抗率のものが好ましく、このような高抵抗の基板はＦＺ法で作製することが望ましい。
【００２７】
次に、準備したモニター用シリコン基板を汚染管理を行いたい熱処理炉に導入して、熱処理を行う。そしてこのときの熱処理条件は、実際にウェーハの生産を行う際に使用する条件と同様の条件とすることができるし、また専用の熱処理条件とすることができる。
【００２８】
その後、上述の本発明のシリコン基板の評価方法で、熱処理を行ったモニター用シリコン基板のＷＬＴ値を測定する。
【００２９】
そして、先に測定したＷＬＴ測定値が、熱処理を行う前のモニター用シリコン基板のＷＬＴ値に比べてどの程度減少したかを評価し、熱処理炉が金属不純物に汚染されているか否か、どの程度汚染されているか判定を行って、検出が終了する。
そして熱処理炉の金属汚染が検出された場合は、熱処理炉の洗浄、パーツの交換等の金属不純物低減のための処理を行う。
【００３０】
このとき、汚染検出を行う熱処理炉は、気相成長炉とすることができる。
このように、本発明の汚染検出方法によって気相成長炉の金属不純物汚染の有無を検出すれば、高温熱処理が必須の気相成長工程において、工程後にシリコン基板が金属不純物に汚染される可能性を低減させることができる。
【００３１】
そして本発明の汚染検出方法を用いて汚染を管理した気相成長炉を用いて、シリコン基板上に単結晶薄膜を気相成長させて、エピタキシャル基板を製造することができる。
前述のように、本発明の汚染検出方法によって金属不純物の有無の管理を行った気相成長炉は、金属不純物濃度が厳密に管理されたものであるため、このような気相成長炉を用いてシリコン基板上に単結晶薄膜を気相成長させることによって、金属不純物濃度を低減させたエピタキシャル基板を製造することができる。
【００３２】
以下、実験例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実験例１）
シリコン基板として、Ｎ型のＦＺ法で作製した直径６インチ（１５０ｍｍ）・厚さ７００μｍのシリコン単結晶基板を３枚準備した。このうち２枚は抵抗率が６８０〜８２０Ω・ｃｍ（以下７５０Ω・ｃｍと表記）、残りの１枚が４２〜５８Ω・ｃｍ（以下５０Ω・ｃｍと表記）とした。ドーパントにはＰを用いた。また抵抗率７５０Ω・ｃｍのシリコン基板のうちの片方の基板には、その両主表面に厚さ１０μｍのノンドープの単結晶薄膜を気相成長させた。
【００３３】
準備した３枚のシリコン基板に、熱酸化によって表面にパッシベーション膜を形成した。この熱処理条件は、酸素含有雰囲気にて１０００℃・３０分の熱処理とした。
【００３４】
次に、熱処理を行った３枚のシリコン基板のＷＬＴ値をμＰＣＤ法によって評価した。
この時のキャリア励起のためのレーザー光の入射強度（キャリア注入量）を１×１０１１〜１×１０１４Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２の間で変化させた。その結果を図１に示す。図１は、Ｎ型のシリコン基板をキャリア注入量を変化させてμＰＣＤ法で評価した時のキャリア注入量とＷＬＴ値の関係を示した図である。図１の横軸はキャリア注入量、縦軸はＷＬＴ値である。
なお、従来は装置の仕様の都合等の問題により、キャリア注入は２×１０１３〜１×１０１４Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２の間で行われていた。
【００３５】
図１に示すように、抵抗率が７５０Ω・ｃｍのＮ型シリコン基板では、単結晶薄膜層がある基板でもない基板でも、キャリアの注入量が２×１０１１〜１×１０１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２のときにＷＬＴ値が高くなった。特に、２〜５×１０１１Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２での時のＷＬＴ値τｅｆｆは最高値（１００００μｓｅｃ以上）を示した。更に、この領域で前記両基板のＷＬＴ値の間に明確な差が見られ、熱処理炉の１つである気相成長炉の評価ができることを確認できた。
また、抵抗率が５０Ω・ｃｍの低抵抗率のＮ型シリコン基板も、高抵抗率のＮ型シリコン基板の時と同様に低キャリア注入量のときにＷＬＴ値が最大をとる傾向は同様なことが判った。
【００３６】
このことから、キャリアの注入量が少ない（１×１０１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２以下）ほど表面再結合を抑制することができ、ＷＬＴ値τｅｆｆ≒バルクライフタイムと見なすことができることが判った。そしてこのようなキャリア注入条件でμＰＣＤ法によってＷＬＴ値を評価することは、シリコン基板バルク中の金属不純物を評価することに関して、非常に高感度で好ましい手法であると言えることが判った。
なお、２×１０１１Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２以下のキャリアの注入では、ＷＬＴ値が減少しており、またこれ以上の低キャリア注入量を実現することは装置の構成上困難であることから実施のメリットが小さく、２×１０１１Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２を下限とすることがよい。
【００３７】
（実験例２）
次に、シリコン基板として、Ｐ型のＦＺ法で作製した直径６インチ（１５０ｍｍ）・厚さ７００μｍのシリコン単結晶基板を３枚準備した。このうち２枚は抵抗率が２０００Ω・ｃｍ以上（以下２０００Ω・ｃｍと表記）、残りの１枚が２０〜４０Ω・ｃｍ（以下３０Ω・ｃｍと表記）とした。ドーパントにはＢを用いた。また抵抗率２０００Ω・ｃｍ以上のシリコン基板のうちの片方の基板には、その両主表面に厚さ１０μｍのノンドープの単結晶薄膜を気相成長させた。
【００３８】
準備した３枚のシリコン基板に、熱酸化によって表面にパッシベーション膜を形成した。この熱処理条件は、酸素含有雰囲気にて１０００℃・３０分の熱処理とした。
【００３９】
次に、熱処理を行った３枚のシリコン基板のＷＬＴ値をμＰＣＤ法によって評価した。
この時のキャリア励起のためのレーザー光の入射強度（キャリア注入量）を１×１０１１〜１×１０１４Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２の間で変化させた。その結果を図２に示す。図２は、Ｐ型のシリコン基板をキャリア注入量を変化させてμＰＣＤ法で評価した時のキャリア注入量とＷＬＴ値の関係を示した図である。図２の横軸はキャリア注入量、縦軸はＷＬＴ値である。
【００４０】
図２に示すように、抵抗率が２０００Ω・ｃｍのＰ型シリコン基板では、キャリアの注入量が３×１０１２〜１×１０１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２のときにＷＬＴ値が高くなった。特に、４〜６×１０１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２の時にＷＬＴ値τｅｆｆが高い値を示した。更に、この領域で前記両基板のＷＬＴ値の間に明確な差が見られ、気相成長炉の評価ができることを確認できた。
また、抵抗率が３０Ω・ｃｍの低抵抗率のＰ型シリコン基板の場合でも、高抵抗率のＰ型シリコン基板の時と同様に高キャリア注入量のときにＷＬＴ値が最大をとる傾向は同様なことが判った。
【００４１】
このことから、Ｐ型のシリコン基板の場合は、キャリアの注入量が３×１０１２〜１×１０１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２であれば、表面再結合を抑制することができるキャリア注入条件とみなせることが判った。
【００４２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】Ｎ型のシリコン基板をキャリア注入量を変化させてμＰＣＤ法で評価した時のキャリア注入量とＷＬＴ値の関係を示した図である。
【図２】Ｐ型のシリコン基板をキャリア注入量を変化させてμＰＣＤ法で評価した時のキャリア注入量とＷＬＴ値の関係を示した図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波光導電減衰法少数キャリアライフタイム法により、シリコン基板の金属汚染を評価する方法であって、
前記シリコン基板の表面に熱酸化によりパッシベーション膜を形成した後に、マイクロ波光導電減衰法少数キャリア励起のために前記シリコン基板がＰ型シリコン基板の場合は３×１０１２〜１×１０１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２、Ｎ型シリコン基板の場合は２×１０１１〜１×１０１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２のキャリア注入を行って、前記シリコン基板中のウェーハライフタイム値を測定することを特徴とするシリコン基板の評価方法。
【請求項２】
前記シリコン基板の厚さを５００〜１０００μｍとすることを特徴とする請求項１に記載のシリコン基板の評価方法。
【請求項３】
熱処理炉でシリコン基板を熱処理し、その後、請求項１または請求項２に記載のシリコン基板の評価方法によって該熱処理後のシリコン基板のウェーハライフタイム値を測定し、該測定値を用いて前記熱処理炉の金属汚染の有無を検出することを特徴とする汚染検出方法。
【請求項４】
前記熱処理炉を、気相成長炉とすることを特徴とする請求項３に記載の汚染検出方法。
【請求項５】
請求項４に記載の汚染検出方法によって汚染を管理した気相成長炉を用いて、シリコン基板上に単結晶薄膜を気相成長させることを特徴とするエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項１】
マイクロ波光導電減衰法少数キャリアライフタイム法により、シリコン基板の金属汚染を評価する方法であって、
前記シリコン基板の表面に熱酸化によりパッシベーション膜を形成した後に、マイクロ波光導電減衰法少数キャリア励起のために前記シリコン基板がＰ型シリコン基板の場合は３×１０１２〜１×１０１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２、Ｎ型シリコン基板の場合は２×１０１１〜１×１０１２Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ２のキャリア注入を行って、前記シリコン基板中のウェーハライフタイム値を測定することを特徴とするシリコン基板の評価方法。
【請求項２】
前記シリコン基板の厚さを５００〜１０００μｍとすることを特徴とする請求項１に記載のシリコン基板の評価方法。
【請求項３】
熱処理炉でシリコン基板を熱処理し、その後、請求項１または請求項２に記載のシリコン基板の評価方法によって該熱処理後のシリコン基板のウェーハライフタイム値を測定し、該測定値を用いて前記熱処理炉の金属汚染の有無を検出することを特徴とする汚染検出方法。
【請求項４】
前記熱処理炉を、気相成長炉とすることを特徴とする請求項３に記載の汚染検出方法。
【請求項５】
請求項４に記載の汚染検出方法によって汚染を管理した気相成長炉を用いて、シリコン基板上に単結晶薄膜を気相成長させることを特徴とするエピタキシャル基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１０−４０６８８（Ｐ２０１０−４０６８８Ａ）
【公開日】平成２２年２月１８日（２０１０．２．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２００４３３（Ｐ２００８−２００４３３）
【出願日】平成２０年８月４日（２００８．８．４）
【出願人】（０００１９０１４９）信越半導体株式会社 (867)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年２月１８日（２０１０．２．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年８月４日（２００８．８．４）
【出願人】（０００１９０１４９）信越半導体株式会社 (867)
【Ｆターム（参考）】
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