【課題】処理前に基板温度を計測する基板の温度計測装置及び方法、基板温度が所定の温度範囲内にない場合に再加熱、冷却を行う基板の温度調整装置及び方法を提供する。
【解決手段】搬送ロボットで搬送された基板が停止する成膜室の入口の手前の位置であり、当該位置の基板の裏面側に、加熱した基板の裏面の温度を計測する温度計測装置を設け、当該温度計測装置により、加熱した基板の裏面の温度を計測し（Ｓ５）、計測した基板の裏面の温度が所定の温度範囲内にない場合（Ｓ６）、所定の温度範囲より大きい場合には、搬送ロボットで保持した状態で基板を冷却し（Ｓ７→Ｓ８）、所定の温度範囲より小さい場合には、搬送ロボットで再び加熱室へ搬送し、加熱室で加熱する（Ｓ７→Ｓ２）。 （もっと読む）

【課題】サセプタ上の複数の領域毎に材料ガスの混合比および流量を調整する。
【解決手段】被処理基板１０が載置され、上面に複数の領域を有するサセプタ１２０と、サセプタ１２０と対向し、上記複数の領域の各々に複数の材料ガスを供給するシャワーヘッド１３０とを備える。また、複数の材料ガスを上記複数の領域の数だけ所定の分岐比率で分岐して所定の流量でシャワーヘッド１３０に導入するための複数のガス分岐機構と、複数の材料ガスのうちの所定の複数の材料ガスを混合し、複数のガス分岐機構とそれぞれ接続された複数の混合配管と、複数のガス分岐機構を制御する制御部１９０とを備える。制御部１９０は、複数のガス分岐機構の各々の上記所定の分岐比率を設定することにより、上記複数の領域のそれぞれにおいて供給される複数の材料ガスの流量を調整する。 （もっと読む）

【課題】搬送室とチャンバの温度差にかかわらず、基板をサセプタ上の所定位置に載置することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】ロボットハンドで基板をチャンバの内部へ搬送し（Ｓ１０１）、基板支持部へ受け渡す（Ｓ１０２）。基板支持部を下降させて、サセプタの上に基板を載置する（Ｓ１０３）。基板を回転させながら温度測定を行う（Ｓ１０４）。放射温度計による測定結果と、エンコーダによる検出結果とを用いて、温度データと位置データを作成する（Ｓ１０５）。これらから基板の位置ずれ量を求めて（Ｓ１０６）、この位置ずれ量が許容値以下であるか否かを判定する（Ｓ１０７）。位置ずれ量が許容値より大きい場合には、搬送室内でロボットハンドの位置調整を行った後（Ｓ１０８）、次に成膜予定の基板をチャンバの内部へ搬送し、基板支持部を介してサセプタの上に載置する（Ｓ１０９）。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に保持されている基板の移載状態とその詳細情報とを同じ画面上に同
時に表示させる。
【解決手段】複数の基板を載置した基板保持具を炉内に搬入して所定の処理を行う基板処
理装置であって、各基板の移載状況と、各基板の割れ検知結果情報と、割れ検知結果情報
で異常とされた基板の復旧状況と、を操作画面上に表示させる。 （もっと読む）

【課題】加熱手段を精密にキャリブレーションし、キャリブレーション時の時間を短縮できる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】キャリブレーション工程は、基板搬送手段が、表面温度を検出する温度検出手段が設けられたキャリブレーション基板を処理室１に搬入し載置するステップと、前記基板支持部２１７内に設けられた加熱手段が設定温度に基づいて加熱するステップと、温度記憶手段が前記温度検出手段で検出した前記表面温度を記録するステップと、結果に基づいて前記加熱手段２１７ｂの設定温度を補正するためのパラメータを取得するステップと、補正手段が前記パラメータに基づいて前記加熱手段２１７ｂの設定温度を補正するステップと、前記補正ステップの後に、前記キャリブレーション基板を前記処理室１から搬出するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を歩留まり良く形成する方法。
【解決手段】底部材および蓋部材ならびに底部材および蓋部材から絶縁されている壁部材からなる反応容器の中に基体および基体を保持している基体ホルダを入れ、基体ホルダの一端と底部材とを電気的に接続し、基体ホルダの他端と蓋部材とを電気的に接続する工程（ｉ）と、蓋部材、基体ホルダおよび底部材からなる電気が伝わる経路の電気抵抗値を測定する工程（ｉｉ）とをこの順に有し、電気抵抗値が所定値以下である場合、底部材および蓋部材を反応容器の外部で電気的に接続し、反応容器に堆積膜形成用原料ガスを導入し、反応容器に導入された堆積膜形成用原料ガスを励起させて励起種を生成して基体上に堆積膜を形成する工程（ｉｉｉ）に進み、電気抵抗値が所定値を超える場合、工程（ｉｉｉ）に進まない。 （もっと読む）

【課題】窒化膜の屈折率及び／又は堆積速度の分布の均一性を所定の数値範囲内に収めるとともに、窒化膜の応力の制御性を高める。
【解決手段】本発明の１つの窒化膜の製造装置１００は、チャンバー３０内に配置された基板２０上にプラズマＣＶＤ法によって窒化膜７０（７０ａ）を形成する窒化膜の製造装置１００である。具体的には、この窒化膜の製造装置１００は、窒化膜７０（７０ａ）の形成のために独立に印加する相対的に高い周波数の第１高周波電力及び／又は相対的に低い周波数の第２高周波電力とを用いて得られる、所定の数値範囲内に収まった前述の窒化膜の屈折率の分布及び／又は前述の窒化膜の堆積速度の分布に基づいて、所望（応力が０の場合を含む）の窒化膜７０（７０ａ）の圧縮応力又は引張応力を得るための第１高周波電力が印加される第１期間と第２高周波電力が印加される第２期間とを算出する制御部３９を備えている。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にて基板が載置されると共に回転する回転テーブルを備えた熱処理装置において、処理容器内の温度分布を推測する技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの一面側を径方向に沿って繰り返し走査し、複数のスポット領域の温度を測定する放射温度測定部と、回転テーブル上における放射温度測定部の走査領域に割り当てられたアドレスと放射温度測定部の温度測定値とを対応付けた温度データを記憶する記憶部と、回転テーブルを静止させて温度が安定した後、回転テーブルを回転させる間に放射温度測定部により繰り返し回転テーブルの一面側を走査し、回転テーブルの静止時における処理容器内の温度分布を推測するために、回転テーブルの一面側の温度分布をデータ処理部に表示させる制御部と、を備えるように装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】上下方向で基板両面が基板よりも大きい輪郭の処理手段で覆われる場合でも基板とマスクの相対位置を撮像し、基板とマスクを精度よく位置決めでき、ＣＶＤ装置に適用したときでも、膜厚や膜質の面内均一性よく成膜できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１ａ内で基板Ｓに対向配置されるマスクＭと、基板に対してマスクを相対移動させる移動手段６３と、基板上側に配置されて基板の片面に対してマスク越しに所定の処理を施すガス導入部３及び高周波電源５と、基板の他面を覆うように基板下側に配置される本体２１を有して基板の他面側から所定の処理を施す加熱プレート２とを備える。本体２１下側に撮像手段７を設け、本体２１に上下方向の透孔２４ａを形成すると共に透孔内に透光性部材２４ｂを埋め込んで撮像用光路２４を構成し、撮像用光路を通して撮像手段により基板とマスクの相対位置を撮像し、この撮像データを基に移動手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層を成長させる際の高温状態で基板の載置位置の偏心量を高精度に簡便に評価でき、コストの増加を抑制できる偏心量の評価方法、及びこの評価方法で評価した偏心量に応じて基板の載置位置を補正することによって、膜厚均一性を向上できるエピタキシャルウェーハを製造することを目的とする。
【解決手段】基板にエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルウェーハの製造における、サセプタに載置する前記基板の載置位置の偏心量の評価方法であって、基板を室温で複数の貫通孔を有するサセプタ上の載置位置に載置する工程と、エピタキシャル層を成長させる温度でエッチングガスを導入することによりサセプタ上に載置した基板の裏面にサセプタ貫通孔パターンを転写する工程と、基板の裏面に転写したサセプタ貫通孔パターンの位置を測定して、基板の載置位置の偏心量を評価する工程とを有することを特徴とする偏心量の評価方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置間でのマイクロ波の実効パワーのずれ量を求める。
【解決手段】複数のプラズマ処理装置１００、２００間に生じるマイクロ波の実効パワーのずれ量を求める方法であって、排気した処理容器１２内に所定の圧力で処理ガスを供給して密閉し、密閉した処理容器１２に所定の電力でマイクロ波を導入して処理ガスのプラズマを生成し、プラズマ生成前の処理容器１２内の圧力とプラズマ生成後の処理容器内の圧力との変化幅を測定し、予め求められた、基準となる他のプラズマ処理装置における圧力の変化幅とマイクロ波供給電力との相関関係に基づいて、プラズマ処理装置１００と他のプラズマ処理装置２００との間のマイクロ波の実効パワーのずれ量を求める。 （もっと読む）

【課題】珪素水素化物ガスを使用する装置に不純物が混入していない珪素水素化物ガスを確実に供給することができる珪素水素化物ガスの供給方法を提供する。
【解決手段】珪素水素化物ガス使用装置に供給する珪素水素化物ガス、例えばモノシラン中の酸素含有化合物、例えばジシロキサンの濃度を測定し、測定した酸素含有化合物の濃度があらかじめ設定された濃度を下回ったときに珪素水素化物ガス使用装置への珪素水素化物ガスを開始する。 （もっと読む）

【課題】 基板ごとに処理条件の指定を可能にする。
【解決手段】 基板に対する処理を実行するプロセスモジュールを制御するプロセスモジュール制御装置を備え、プロセスモジュール制御装置は、処理すべき基板がプロセスモジュールに搬送される搬送タイミングを取得する搬送タイミング取得手段と、プロセスモジュールにおける基板の処理条件に関する処理条件基本情報を取得する基本情報取得手段と、プロセスモジュールにおける基板の処理条件の一部であって、基板ごとに設定される処理条件に関する処理条件差分情報を取得する差分情報取得手段と、搬送タイミング取得手段により取得される基板の搬送タイミングに応じ、基本情報取得手段及び差分情報取得手段により取得される処理条件に基づいて、プロセスモジュールに対し搬送される基板の処理条件を設定する制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】反応炉内の実際の反応条件下におけるＳＯＩウェーハの真の表面温度及び温度均一性を正確に求めることができるＳＯＩウェーハの熱処理温度を求める方法及びそれを用いた反応炉の温度管理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳＯＩウェーハに施された熱処理温度を求める方法であって、少なくとも、イオン注入により不純物注入層が形成された拡散用ＳＯＩウェーハを、ランプ加熱型の気相成長装置における反応炉内で熱処理する工程と、該熱処理された拡散用ＳＯＩウェーハのシート抵抗を測定する工程とを有し、該測定された拡散用ＳＯＩウェーハのシート抵抗を用いて、予め求めた熱処理後の拡散用ＳＯＩウェーハのシート抵抗と熱処理温度とのキャリブレーションカーブから、前記拡散用ＳＯＩウェーハに施された熱処理温度を求めるＳＯＩウェーハの熱処理温度を求める方法。 （もっと読む）

【課題】支持機構の設置空間を極小化することで処理装置全体の小形化に貢献し、また、搬送アームとの間の移載時に起こる被処理体の位置ずれを格段に低減することができる被処理体の支持機構及び支持方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗと接触してこれを支持するリフトピン３８と、リフトピン３８を昇降させるモータ１００と、モータ１００を駆動する駆動制御装置２００と、からなるユニットをＮ組（Ｎは少なくとも３以上の整数）備え、駆動制御装置２００が、Ｎ組のそれぞれのリフトピン３８の先端から、搬送アーム１４に載置された被処理体Ｗまでの距離あるいは搬送アーム１４の被処理体Ｗの載置面までの距離、がすべて同じになるようにＮ組のモータ１００のそれぞれを独立して駆動してから被処理体Ｗを授受する。 （もっと読む）

【課題】高温かつ高速回転時にウェーハを確実に保持することができ、ウェーハに均一な成膜を行うことが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハwが成膜処理される反応室11と、反応室11の上部に設けられ、プロセスガスを内部に導入するためのガス供給機構12と、反応室の下部に設けられ、反応室よりガスを排出するためのガス排出機構13と、成膜処理の際に、ウェーハwの端部が所定位置となるように保持するために設けられ、所定位置の上部より中心方向に突出したウェーハ外れ防止部を有する支持部材15と、ウェーハwを支持部材15の上方において保持し、上下駆動可能な突き上げ機構21と、ウェーハwを所定の温度分布となるように加熱するためのヒータ18a、18bと、ウェーハwを回転させるための回転駆動機構17と、を備える。 （もっと読む）

【課題】大面積の良質な半導体膜を安定して簡便に作製することが可能な半導体膜の製造方法を得ること。
【解決手段】前記カソード電極上に堆積した半導体膜を前記カソード電極を加熱することにより加熱する工程と、前記加熱された半導体膜中から離脱した脱離水素原子量を前記カソード電極の温度に応じて複数回測定する工程と、前記脱離水素原子量の測定結果を分析して前記半導体膜の膜質を反映させて製膜条件を調整するための指標となる膜質情報を取得する工程と、前記膜質情報に基づいて前記半導体膜の製膜条件を第２の製膜条件に再設定する工程とを含む。 （もっと読む）

本発明は、固有抵抗を測定するための機器を使用してシラン及びゲルマンの純度を間接的に決定するための方法に関する。本発明はさらに、固有抵抗を測定するための機器を使用した品質管理を含めた、シラン又はゲルマンの工業的製造及び／又は充填のためのプラントに関する。
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【課題】エピタキシャルウェーハの外周部の厚さを容易且つ適切に制御することのできる技術を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層を生成する際における、ウェーハＷを載置するためのサセプタ２６の外周部の高さ位置から、サセプタ２６のウェーハＷを載置する位置までのザグリ深さを特定するザグリ深さ情報を決定し（ステップＳ１）、サセプタ２６におけるザグリ深さが、ザグリ深さ情報により特定されるザグリ深さとなるように、サセプタ２６の外周部の高さ方向にシリコン膜を生成させ（ステップＳ４）、サセプタ２６にウェーハＷを載置させ、ウェーハＷにエピタキシャル層を生成する（ステップＳ７）ようにする。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．７×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のｃ軸を含む面から［０００１］方向に−１０°以上１０°以下の傾斜角を有する。 （もっと読む）