【課題】 気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる清浄度評価方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、前記気相成長装置を用いて、シリコンウェーハ上に、該シリコンウェーハの厚みに対する割合が２０％以上１００％以下である厚みを有するシリコンエピタキシャル層を成長させたモニタウェーハを作製し、前記モニタウェーハのライフタイム値を測定し、前記測定したモニタウェーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。 （もっと読む）

【課題】表面にＤＺを有する半導体基板において、該ＤＺの有無を判定することを目的の一とする。
【解決手段】表面にＤＺ、内部にＩＧ層を有する半導体基板において、表面再結合速度を１×１０^４ｃｍ／ｓｅｃ以上に調整した第１のサンプルの一次モードのライフタイムτ_１１を測定し、一次モードのライフタイムτ_１１および下記数式を用いて、ＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧを求め、第１のサンプルに対して、表面再結合速度を１×１０^２ｃｍ／ｓｅｃ以下に調整した第２のサンプルの一次モードのライフタイムτ_１２を測定し、一次モードのライフタイムτ_１２とＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧを比較し、一次モードのライフタイムτ_１２とＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧの差が０となったとき、ＤＺが消失したと判定することができる。
（もっと読む）

【課題】 シリコン基板製造プロセスやデバイス製造プロセスにおける金属汚染を高感度かつ高精度で評価することができる金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】 金属汚染評価用シリコン基板の再結合ライフタイムの測定値を用いて熱処理炉の金属汚染を評価する方法であって、前記金属汚染評価用シリコン基板として、抵抗率が４０〜１５０Ω・ｃｍであり、かつ酸素濃度が５〜１２ｐｐｍａであるシリコン基板を準備する工程と、前記シリコン基板を評価対象の熱処理炉内で熱処理する工程と、前記シリコン基板の表面に対して表面パシベーション処理を行う工程と、前記熱処理及び表面パシベーション処理を行った後のシリコン基板の再結合ライフタイムを、マイクロ波光導電減衰法により測定する工程と、該測定値を用いて前記熱処理炉の金属汚染を評価する工程とを含む金属汚染評価方法。 （もっと読む）

【課題】電極とシリコンとのオーミック・コンタクトを容易に得ることができ、その電極を使用してシリコンのライフタイム測定ができ、その測定に利用できる測定ヘッドを提供する。
【解決手段】測定対象であるシリコン１に電極２Ａ，２Ｂを押し当てて回転させ、シリコン１と電極２Ａ，２Ｂとの接触部にオーミック・コンタクトを形成し、シリコン１にパルス光を照射し、その照射により発生する過剰キャリアにより変化する電気伝導度の時間的な変化量を測定して少数キャリアの再結合ライフタイムを測定する。電極２Ａ，２Ｂをシリコン１に押し付けるシリンダと、電極２Ａ，２Ｂを回転させるモータと、当該電極と電気的に導通するプローブと、シリコン１に励起エネルギーを出射する光照射部を備え、電極を押し具でシリコン１に押し付けながらモータで回転させて、電極２Ａ，２Ｂとシリコン１とのオーミック・コンタクトを得られるようにした。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板に対して再結合ライフタイムの測定を行うにあたって、信頼性の高い測定値が得られるように前処理を行う方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板の再結合ライフタイムを測定する前に行う前処理方法において、前記シリコン基板を熱処理炉内に搬入する工程と、前記熱処理炉内を酸化性雰囲気下で８００℃以上１２５０℃以下に加熱して前記シリコン基板に酸化膜を形成する工程と、前記熱処理炉内が７００℃以上１０００℃以下の範囲内の温度のときに、前記熱処理炉内から前記シリコン基板を搬出する工程と、前記シリコン基板にシンター処理を行う工程とを含むことを特徴とするシリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板に対して再結合ライフタイムの測定を行うにあたって、信頼性の高い測定値が得られるように前処理を行う方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板の再結合ライフタイムを測定する前に行う前処理方法において、前記シリコン基板を熱処理炉内に搬入する工程と、前記熱処理炉内を酸化性雰囲気下で加熱して前記シリコン基板に酸化膜を形成する工程と、前記熱処理炉内から前記シリコン基板を搬出する工程と、前記シリコン基板から前記酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜を除去したシリコン基板の表面に対してケミカルパッシベーション処理を行う工程とを含むことを特徴とするシリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板中での少数キャリアの拡散定数を簡便に求めることのできる手法を提供する。
【解決手段】第１の面および第２の面の表面再結合速度が２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上に調整された第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１^（１）（１０４）、ならびに、第１の面および第２の面の一方の表面再結合速度が２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上、他方の表面再結合速度が１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下に調整された第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１^（２）（１０６）をμ−ＰＣＤ法により測定し、得られたτ_１^（１）τ_１^（２）および半導体基板の厚さＷを以下の近似式に代入することで、半導体基板中の少数キャリアの拡散定数Ｄを簡便に求める。
（もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイの高性能化に伴い、その製造工程でのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜の評価・管理の必要性が高まってきた。
【解決手段】ガラス基板上にａ−Ｓｉ膜を成膜した試料３２に対してレーザ光照射手段３６からレーザ光を照射する。試料３２におけるレーザ光を照射した各サンプリング点に、マイクロ波照射手段３８からマイクロ波を照射し、反射波検出手段４０でその反射強度を測定する。各サンプリング点での反射強度の測定結果に基づいて、基板面内でのａ−Ｓｉ膜の物性の均一性を評価する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板において、表面再結合速度およびバルクライフタイムを分離評価する方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板において、３種類の半導体基板に対してそれぞれの一次モードのライフタイムτ_１１、τ_２１、τ_３１を測定し、得られたτ_１１、τ_３１および数式（１）乃至数式（３）を用いて、第１乃至第３の相関曲線を得て、第３の相関曲線にτ_２１を代入し、バルクライフタイムτ_ｂを得ることができる。また、第１および第２の相関曲線に得られたτ_ｂを代入し、表面再結合速度Ｓ_０およびＳ_１を得ることができる。




（もっと読む）

【課題】より簡便な方法で、ライフタイム測定までの時間を短縮し、かつ、高精度でバラツキの少ないライフタイム値を得ることができるシリコンウェーハのライフタイム評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面にゲート酸化膜を形成して、水銀プローブ法によりライフタイムを評価する方法において、フタル酸エステル化合物を容器内に収容した後、その中に前記ウェーハを入れることにより、前記ゲート酸化膜表面にフタル酸エステル化合物を付着させた後にライフタイムの測定を行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電子線照射後のライフタイム値を簡便に見積もることができ、測定時間を大幅に短縮することができ、デバイス作製の生産性を向上させることができるライフタイム値の測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 電子線照射後のウエーハのライフタイム値を検査する方法であって、電子線照射前キャリア濃度算出工程、電子線照射前準位密度算出工程、電子線照射工程、電子線照射後キャリア濃度算出工程、キャリア濃度差算出工程、準位密度差算出工程、及びライフタイム値算出工程を有することを特徴とするライフタイム値の測定方法。 （もっと読む）

【課題】キャリア寿命をより精度よく測定することができる半導体キャリア寿命測定方法及び半導体キャリア寿命測定装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、半導体Ｘ表面の第１照射範囲に互いに波長が異なる第１及び第２光Ｌ_１、Ｌ_２を照射したときの当該第１照射範囲で反射した各測定波の変化から第１の１次モードキャリア寿命τ_１−１を求め、第１照射範囲より小さな第２照射範囲に対して第１及び第２光Ｌ_１、Ｌ_２を照射したときの当該第２照射範囲で反射した各測定波の変化から第２の１次モードキャリア寿命τ_１−２を求める。そして、半導体Ｘの特定の位置で求めた第１の１次モードキャリア寿命τ１−１と第２の１次モードキャリア寿命τ１−２との相関関係に基づいて、半導体Ｘの各部位での第２の１次モードキャリア寿命τ_１−２ｎをそれぞれ補正することにより半導体Ｘのキャリア寿命τ_ｂを求める。 （もっと読む）

【課題】
キャリアの発生、消滅を評価する手段を有する検出装置を提供すること。
【解決手段】
観察対象物に設けられた電極間における電界分布またはキャリア分布を高次高調波に基づいて検出する検出装置において、前記観察対象物に基本波を照射する照射部と、前記観察対象物における電圧印加時の電圧分布又はキャリア分布に応じて生成された前記高次高調波を検出する検出部と、前記観察対象物にキャリアを発生させるための励起光を照射する励起照射部と、前記励起照射部の第１信号に基づき、前記励起照射部より前記観察対象物に前記基本波を第２信号で照射させ、第３信号で高次高調波を前記検出部で検出する制御信号出力部を備え、前記制御信号出力部は、前記第１信号の出力時点と前記第２及び第３の出力時点との間の時間間隔を変更可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセス中の汚染管理のためのＰＣＤ、ＳＰＶ等による金属不純物汚染の評価における、モニターウエーハ外周部の測定結果の信頼性向上を実現することができる金属汚染評価用シリコンウエーハを提供する。
【解決手段】金属汚染を評価するための金属汚染評価用シリコンウエーハであって、該金属汚染評価用シリコンウエーハは、酸素濃度が０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、抵抗率が１Ωｃｍ以上であるＣＺシリコンウエーハであり、該ＣＺシリコンウエーハは、成長インゴットの直径に対して、縮径して外周部が除去されたものであることを特徴とする金属汚染評価用シリコンウエーハ。 （もっと読む）

【課題】本発明は、キャリア寿命をより精度よく測定し得る半導体キャリア寿命測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体キャリア寿命測定装置Ｘａは、波長の異なる第１および第２光を、被測定試料ＳＷの半導体における互いに異なる第１および第２領域に照射する光照射部１と、第１および第２領域のそれぞれに所定の測定波を照射するとともに、第１領域での測定波の第１反射波または第１透過波と第２領域での測定波の第２反射波または第２透過波との差である差測定波を、第１反射波または第１透過波のままで用いるとともに第２反射波または第２透過波のままで用いることによって生成する測定波入出力部２と、測定波入出力部２の差測定波を検出する検出部３と、検出部３の検出結果に基づいて被測定試料ＳＷの半導体におけるキャリア寿命を求める演算制御部４とを備える。 （もっと読む）

少数担体の寿命を測定する装置が提供される。装置は、インダクターおよびコンデンサーを有している共振回路を含む。共振回路は、測定周波数で振動するように構成されている。装置は、第一の部分および第二の部分を有している強磁性コアも含む。第一の部分は、ギャップを規定し、第一の部分の外側の磁場が横に広がることを妨げるように、インダクターによって確立される磁場を第一の部分に沿って方向付けることと、磁場をギャップにわたり、概して均一に方向付けることとを行うように構成され得る。第二の部分は、磁場を第二の部分に沿って、第一の部分と協働して、閉ループに方向付けるように構成され得る。放射線供給源は、強磁性コアの第一の部分によって規定されるギャップに近接する範囲を照射するように構成され得る。
（もっと読む）

【課題】本発明は、製造ライン中での測定を可能とし、従来のような事前の前処理や拡散係数の仮定を必要とせず、キャリア寿命をより精度よく測定し得る半導体キャリア寿命測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体キャリア寿命測定装置Ａでは、マイクロ波光導電減衰法が利用されており、半導体の被測定試料Ｘが第１表面再結合速度状態である場合において、光照射部１によって互いに波長の異なる少なくとも２種類の光が被測定試料Ｘに照射されるとともに測定波入出力部２によって測定波が被測定試料Ｘに照射されて検出部３で検出された反射波または透過波の時間的な相対変化の第１差が求められ、前記第１差と同様に、第２表面再結合速度状態での第２差が求められ、これら第１および第２差に基づいて被測定試料Ｘのキャリア寿命が求められる。 （もっと読む）

【課題】本発明はプローブカード用空間変換機及び空間変換機の復旧方法に関する。
【解決手段】対向する第１面及び第２面と、前記第１面及び第２面を連結する複数の側面を有する多層回路基板と、前記第１面に形成され、外部から電気的信号が印加される第１パッドと、前記第２面に形成され、プローブが連結される第２パッドと、前記多層回路基板を貫通し、前記第１及び第２パッドを連結する貫通配線を有する複数のチャンネルと、前記側面に形成され、前記複数のチャンネルのうち損傷したチャンネルの第１及び第２パッドを連結する側面配線を含む。本発明による空間変換機は、プローブに電気的信号を伝達する一部のチャンネルが損傷した場合、側面配線により損傷したチャンネルの復旧が可能である。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度の分析方法における定量分析限界を、高い信頼性をもって決定するための手段を提供すること。
【解決手段】Ｆｅ−Ｂペア乖離前後の測定値の変化を利用してボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度を求める分析方法の定量分析限界決定方法。上記定量分析限界を、ボロンドープｐ型シリコン中のＦｅ−Ｂペア乖離中に、上記分析方法により該シリコン中の鉄濃度を求めることによって得られた定量値に基づき決定する。 （もっと読む）