【課題】表面にＤＺを有する半導体基板において、該ＤＺの有無を判定することを目的の一とする。
【解決手段】表面にＤＺ、内部にＩＧ層を有する半導体基板において、表面再結合速度を１×１０^４ｃｍ／ｓｅｃ以上に調整した第１のサンプルの一次モードのライフタイムτ_１１を測定し、一次モードのライフタイムτ_１１および下記数式を用いて、ＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧを求め、第１のサンプルに対して、表面再結合速度を１×１０^２ｃｍ／ｓｅｃ以下に調整した第２のサンプルの一次モードのライフタイムτ_１２を測定し、一次モードのライフタイムτ_１２とＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧを比較し、一次モードのライフタイムτ_１２とＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧの差が０となったとき、ＤＺが消失したと判定することができる。
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【課題】 シリコン基板製造プロセスやデバイス製造プロセスにおける金属汚染を高感度かつ高精度で評価することができる金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】 金属汚染評価用シリコン基板の再結合ライフタイムの測定値を用いて熱処理炉の金属汚染を評価する方法であって、前記金属汚染評価用シリコン基板として、抵抗率が４０〜１５０Ω・ｃｍであり、かつ酸素濃度が５〜１２ｐｐｍａであるシリコン基板を準備する工程と、前記シリコン基板を評価対象の熱処理炉内で熱処理する工程と、前記シリコン基板の表面に対して表面パシベーション処理を行う工程と、前記熱処理及び表面パシベーション処理を行った後のシリコン基板の再結合ライフタイムを、マイクロ波光導電減衰法により測定する工程と、該測定値を用いて前記熱処理炉の金属汚染を評価する工程とを含む金属汚染評価方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板中での少数キャリアの拡散定数を簡便に求めることのできる手法を提供する。
【解決手段】第１の面および第２の面の表面再結合速度が２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上に調整された第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１^（１）（１０４）、ならびに、第１の面および第２の面の一方の表面再結合速度が２．８×１０^４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上、他方の表面再結合速度が１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下に調整された第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ_１^（２）（１０６）をμ−ＰＣＤ法により測定し、得られたτ_１^（１）τ_１^（２）および半導体基板の厚さＷを以下の近似式に代入することで、半導体基板中の少数キャリアの拡散定数Ｄを簡便に求める。
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【課題】フラットパネルディスプレイの高性能化に伴い、その製造工程でのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜の評価・管理の必要性が高まってきた。
【解決手段】ガラス基板上にａ−Ｓｉ膜を成膜した試料３２に対してレーザ光照射手段３６からレーザ光を照射する。試料３２におけるレーザ光を照射した各サンプリング点に、マイクロ波照射手段３８からマイクロ波を照射し、反射波検出手段４０でその反射強度を測定する。各サンプリング点での反射強度の測定結果に基づいて、基板面内でのａ−Ｓｉ膜の物性の均一性を評価する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオン注入された表層よりも深層の影響をより低減し、イオン注入量をより精度よく測定し得るイオン注入量測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明のイオン注入量測定装置Ｄａは、光源部１ａおよび変調部２ａによってイオン注入された半導体である測定対象のイオン注入半導体ＳＭにおけるバンドギャップ以上のエネルギーを有するとともに、強度を周期的に変調した励起光をイオン注入半導体ＳＭに照射し、測定波生成部６で生成された測定波をイオン注入半導体ＳＭに照射し、検出部１０ａによってイオン注入半導体ＳＭで反射された測定波の反射波を検出し、イオン注入量演算部１４２ａによって、検出部１０ａの検出結果に基づいて、前記励起光の変調周波数の変化に対する前記反射波の強度の変化である前記反射波の変調周波数依存特性を求め、この求めた前記反射波の変調周波数依存特性に基づいてイオン注入量を求める。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された凹部の深度を、非破壊、非接触で検査できるとともに、高速に検査できるようにする技術を提供する。
【解決手段】基板検査装置１００は、ポンプ光の照射に応じて、基板Ｗに向けてテラヘルツ波を照射する照射部１２と、プローブ光の照射に応じて、基板Ｗを透過したテラヘルツ波の電場強度を検出する検出部１３と、テラヘルツ波が検出部１３に到達する時間と、検出部１３における検出タイミングを遅延させる遅延部１４とを備える。また、基板検査装置１００は、基板Ｗの第１領域を透過した第１テラヘルツ波の時間波形を構築する時間波形構築部２１と、基板Ｗの第２領域を透過した第２テラヘルツ波について、特定の検出タイミングで検出される電場強度と、前記時間波形とを比較することにより、第１テラヘルツ波と第２テラヘルツ波の位相差を取得する位相差取得部２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、装置が大型化することなく、検査のばらつきが少ない太陽電池用シリコンウェハのクラックの検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 この発明のシリコンウェハのクラックの検出方法は、シリコンウェハ１に超音波発生装置３から超音波３１を付与し、シリコンウェハ１を共振させ、この共振により、シリコンウェハ１内に不可視クラックが存在する場合にはクラックを成長させて亀裂を生じさせ、欠陥があるシリコンウェハ１を判別可能とする。 （もっと読む）

【課題】μ−ＰＣＤ法を用いて半導体の結晶性を評価するにあたって、前記半導体が薄膜半導体から成り、導電性膜上に形成される場合にも、評価を可能にする。
【解決手段】試料２の測定部位に対して、紫外励起光源１７から半導体のバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光を照射するとともに、マイクロ波発振器１１から、励起光の照射位置にマイクロ波を照射し、検出器１８が反射マイクロ波の強度を検出し、パソコン１９で、その検出結果に基づいて前記試料２の結晶性を評価するようにした前記μ−ＰＣＤ法を用いる評価装置１において、前記半導体が薄膜半導体２ａから成り、導電性膜２ｂ上に形成される場合に、試料２とマイクロ波発振器１１との間に、前記励起光に対して透明である誘電体３を設ける。したがって、光励起キャリアの発生を阻害することなく、誘電体３の表面からの反射マイクロ波の振幅を大きくし、評価を可能にできる。 （もっと読む）

【課題】判定作業の効率化を図り、被測定用半導体材料を面的にＰＮ判定する。
【解決手段】ＰＮ型判定装置は、被測定用半導体材料に検査光を照射する光学系と、前記検査光が照射される部分に発生する電磁波を検出する同調コイルと、当該同調コイルで検出した検出波形の位相のずれ方をもとにＰ型又はＮ型を判定する判定部とを備えた。前記判定部は、前記検出波形と基本波形とを比較したとき、Ｐ型とＮ型の２種類の検出波形のうちの一方が前記基本波形と逆位相又は他方の検出波形と比較して逆位相に近いときＰ型と判定し、前記２種類の検出波形のうちの他方が前記基本波形と同位相又は一方の検出波形と比較して同位相に近いときＮ型と判定する。ＰＮ型判定方法の要部は、前記判定部での処理機能と同様である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜の電気的特性を、電極付けすることなく、非接触型で評価・測定する方法を提供すること。
【解決手段】酸化物半導体薄膜が形成された試料に励起光及びマイクロ波を照射し、前記励起光の照射により変化する前記マイクロ波の前記酸化物半導体薄膜からの反射波の最大値を測定した後、前記励起光の照射を停止し、前記励起光の照射停止後の前記マイクロ波の前記酸化物半導体薄膜からの反射波の反射率の変化を測定し、前記測定した値からライフタイム値を算出することによって、前記酸化物半導体薄膜の移動度を判定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、キャリア寿命をより精度よく測定し得る半導体キャリア寿命測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体キャリア寿命測定装置Ｘａは、波長の異なる第１および第２光を、被測定試料ＳＷの半導体における互いに異なる第１および第２領域に照射する光照射部１と、第１および第２領域のそれぞれに所定の測定波を照射するとともに、第１領域での測定波の第１反射波または第１透過波と第２領域での測定波の第２反射波または第２透過波との差である差測定波を、第１反射波または第１透過波のままで用いるとともに第２反射波または第２透過波のままで用いることによって生成する測定波入出力部２と、測定波入出力部２の差測定波を検出する検出部３と、検出部３の検出結果に基づいて被測定試料ＳＷの半導体におけるキャリア寿命を求める演算制御部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の検査装置においては、非接触通信に適した構成を得ることが困難で、かつ高い信頼性を得ることが困難である。
【解決手段】本発明の半導体装置の検査用素子は、基材と、基材上に配置され検査回路と非接触結合回路を備えた回路層を有する検査回路基板と、検査回路基板との一の主面に接続され貫通電極を備えた支持基板とを有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の大型化を抑制できる被検査装置用インタフェース回路を提供する。
【解決手段】 検査装置４により検査される被検査装置５に設けられた端子回路７と接続されて、検査装置４と非接触で通信する第１の入出力回路６を備え、かつ、端子回路７が被検査装置５に信号を入力する回路の場合には、第１の入出力回路６は入力回路により形成され、端子回路７が被検査装置５から信号を出力する回路の場合には、第１の入出力回路６は出力回路により形成されている。 （もっと読む）

【課題】接触方式及び非接触方式の両方式を用いて供給することが可能な半導体装置の検査において、異なる種類の半導体装置を検査する際の検査に要するコストが増大し、さらに、微細ピッチで配置された半導体装置を検査できない。
【解決手段】本発明のプローブカードは、基板と、基板上に、第１の方向に第１の間隔で配置された複数の接触端子部と、基板上に、第１の方向に第２の間隔で配置された複数の非接触インタフェースと、を備え、非接触インタフェースが第１の方向に第２の間隔で配置された領域に含まれる有効プローブカード領域であって、有効プローブカード領域の両端に配置された非接触インタフェース間の距離である有効プローブカード長さが、第１の間隔と第２の間隔の最小公倍数の整数倍である。 （もっと読む）

【課題】非接触インタフェースを備えた半導体装置において、異なる種類の半導体装置を検査する際のコストが増大する。
【解決手段】
検査用半導体装置は、検査用ＬＳＩを備え、その検査用ＬＳＩは検査対象半導体装置との間で非接触で信号を通信するための複数の非接触インタフェースと、非接触インタフェースに接続された通信部と、通信部を制御する通信制御部と、を有する。通信制御部は、検査対象半導体装置の構成に応じて通信部の動作状態を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに付された情報を確実に読み取ることのできる、半導体装置、半導体パッケージ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置の情報読み取り方法を提供する。
【解決手段】集積回路が形成され、印字面を有するチップと、前記印字面の一部の領域に印字された印字部とを具備する。前記印字部は、超音波探傷を用いて前記印字面における他の領域と区別可能な材料により、形成されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハの製造を分析するための機構を提供する。
【解決手段】ウエハが部分的に製造された状態である時点からでも、ウエハの製造を分析することができる。特定の性能パラメータ値は、ウエハのダイの能動領域の複数の箇所で決定することができる。特定の性能パラメータが、製造の特定の製造プロセスを示すことは周知である。このとき、評価情報は、複数の箇所における性能パラメータ値の変動に基づいて得ることができる。これは、ダイから生成されるチップの有用性に影響を及ぼさずに実施可能である。評価情報は、性能パラメータ値が示した特定の製造プロセスを含む１つ以上のプロセスが実施された方法を評価するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜の膜厚の変動に関わらず、精度良く半導体薄膜の結晶性を評価することができる結晶性評価方法及び結晶性評価装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、半導体薄膜１２にキャリアを励起させるための励起光を照射すると共にこの励起光が照射された範囲を含む半導体薄膜１２の範囲にマイクロ波を照射して半導体薄膜１２からのマイクロ波の反射波の強度を測定し、データ収集用半導体薄膜の膜厚とこのデータ収集用半導体薄膜に前記マイクロ波を照射したときの反射波の強度の値との関係を収集し、この収集した膜厚と反射波の強度の値との関係と、半導体薄膜１２から得られた励起光及びマイクロ波が照射された範囲の膜厚の値Ｒ３ａとに基づいて前記得られた測定値Ｒ２を補正し、この補正された測定値Ｒ２ａに基づいて半導体薄膜１２の結晶性を評価することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料台への基材の配置が容易でありながら基材上に成膜された半導体薄膜の結晶性を高感度で評価可能な半導体薄膜の結晶性評価方法及び結晶性評価装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、試料台１４に基材１１が接するよう試料１３を配置し、半導体薄膜１２に励起光を照射し、特定波長のマイクロ波を励起光が照射された半導体薄膜１２の範囲に照射し、半導体薄膜１２からの反射波の強度を測定する。このとき照射されるマイクロ波は、半導体薄膜１２の表面から配置面１４ａまでの距離の４ｎ／（１＋２Ｎ）倍（ｎ：基材の屈折率、Ｎ：０又は任意の正の整数）の波長λを、又はこれに近似する波長であって波長λをもつマイクロ波を半導体薄膜１２に照射したときに得られる反射波の信号強度Ｒ２に対し、実際に得られる信号強度Ｒ２が９０％以上となる程度まで近似した波長をもつことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の電極パッド及びコンタクタのコンタクト部が微細化、多ピン化、狭ピッチ化した場合においても、基板上にコンタクタを高い精度で位置合わせすることができ、大きな荷重を加えることなく基板の電極パッドとコンタクタのコンタクト部との間を確実に電気的に接続することができる基板検査装置及び基板検査装置における位置合わせ方法を提供する。
【解決手段】電気回路及び電極パッドが形成された基板における電気的な検査を行うための検査装置本体部１１と、検査装置本体部１１に電気的に接続されたコンタクタ１５と、を有する。コンタクタ１５は、半導体ウェハに、導電性材料により形成されたコンタクト部２１ａが形成されたものであって、コンタクト部２１ａと基板１６における電極パッド１８とを電気的に接続させることにより、基板１６における電気回路の検査を行うことを特徴とする。 （もっと読む）