【課題】設計したドーピング濃度および深さ方向分布の製造ばらつき（生産揺らぎ）を抑えて、発光出力を向上させかつ安定化させる。
【解決手段】ｐ型電極１１とｎ型電極１２の形成後に、静電容量測定手段が、ｐ型電極１１とｎ型電極１２間の静電容量を測定する静電容量測定工程と、不純物濃度分布演算手段が、測定した静電容量から不純物濃度分布を演算する不純物濃度分布演算工程（図示せず）と、第１不純物濃度分布制御手段が、演算した不純物濃度分布が最も低い値を特徴量として、次のロットまたは基板における発光層の形成時に、ＭＯＣＶＤ手段を制御して最大の発光出力が得られるように制御する第１不純物濃度分布制御工程（図示せず）とを有している。 （もっと読む）

【課題】ウェーハレベルＬＥＤチップのための検出用法及び検出装置並びにそれらの等眼０プローブカードについて開示している。
【解決手段】透明プローブカードが備えられ、その透明プローブカードは、ＬＥＤチップにおいて照明試験を実行するようにコンタクトを介してＬＥＤチップの試験パッドに電気的に接続するためのウェーハを覆う。ＬＥＤチップが照明されるとき、イメージング処理が、検知要素において画像を生成するようにＬＥＤチップの光信号に関して実行される。画像が捕捉され、画像浸透は、ＬＥＤチップの各々に対応する光フィールド情報及び位置情報に変換される。ＬＥＤチップのスペクトル及び発光強度は、ＬＥＤチップの光フィールド情報に従って得られる。ＬＥＤチップは、ＬＥＤチップのスペクトル及び発光強度に従って分類される。 （もっと読む）

【課題】隣接するＬＥＤからの干渉がウエハステージテスト中に得た電気的および光学的データに影響しないようにすること。
【解決手段】テストを受ける半導体装置（１０）の特性をテストするためのプローブヘッドがテストを受ける少なくとも一つの半導体装置（１０）を支持する誘電体フィルム（２４）を含み、この誘電体フィルム（２４）を支持フレーム（２６）がぴんと張って支持する。第１支持体（４０）がテストを受ける半導体装置（１０）の第１側（１６）と電気的に接触するための第１プローブ（２８）を位置決めし、第２プローブ（３０）を第１位置（Ｐ１）と第２位置（Ｐ２）の間で動かすアクチュエータを有する第２支持体（３４）が第２プローブ（３０）を位置決めし、この第２位置（Ｐ２）は、このテストを受ける半導体装置の対向する第２側（１８）と電気的に接触するためである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的画素欠陥検査と、画像分析による画素欠陥検査を行うことができ、歩留まりを向上させる固体撮像素子の検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像素子検査装置は、複数の画素が形成された固体撮像素子２に対して電気的欠陥検査を行う接触型のプローブ１２１ｂを備えるテスタ１１と、テスタ１１による欠陥画素の検出結果に基づき、欠陥画素が検出された固体撮像素子を撮像する撮像部１２３、及び、撮像部１２３からの出力画像を基に異物の有無を検出する画像分析部（例えば、画像分析部１１２）を備えるプローバ１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＧの被検査配線に非接触で電位を印加し、非接触で被検査配線の欠陥の有無及び位置を迅速に特定する。
【解決手段】半導体基板１の上面に光起電力素子２を形成し、光起電力素子２上に形成された絶縁層３上面に、一端が光起電力素子２の正電極２−１に接続されかつ他端が光起電力素子２の負電極２−２に接続された被検査配線４ｔを形成し、半導体基板１下面から光１１を入射して光起電力素子２を励起して被検査配線４ｔの両端に電位差を発生させ、非接触走査型表面電位顕微鏡を用いて被検査配線４ｔの表面電位分布を測定する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハスケールレンズおよびウエハスケールカメラモジュールを、ウエハレベルで検査するトレイを用いることによって、検査時間を短縮する方法の提供。
【解決手段】検査装置１００は、遮光筺体１０４内に、検査対象となるウエハスケールレンズ２を保持するウエハトレイ１と、テスト用の被写体１０１と、検査用のマスターチップである受光部１０３と、受光部１０３を保持する保持台１０２とを備えている。検査装置１００は、被写体１０１と、受光部１０３との間に配置されたウエハスケールレンズ２の撮像テストを、ウエハレベルで行う。 （もっと読む）

【課題】フォトカプラ製品のＣＭＲ特性について全数測定が困難な状況にあった。
【解決手段】受光素子１０を有する半導体装置であって、受光素子１０は、電気ノイズを除去するシールド膜を有するフォトダイオード部１１と、少なくとも二つのテストパッド１３−１〜１３−３と、シールド膜と同じ膜種で形成され、二つのテストパッド１３−１、１３−２に接続されたシールド膜擬似パターン１４と、を備える。また、フォトダイオード部１１とシールド擬似パターン１４とは１つの半導体チップ上に集積されている。シールド膜擬似パターンを接続したテストパッドを用いて、シールド膜擬似パターンの抵抗値を測定する。測定結果とシールド膜のシート抵抗とＣＭＲとの相関関係とに基づいて、フォトカプラのＣＭＲを評価する。 （もっと読む）

【課題】焦点検出画素が配列された撮像素子の焦点検出性能を、撮像素子を撮像装置に組み込む前に簡単に評価する。
【解決手段】撮像光学系により結像された像を撮像するための撮像画素が二次元配列された撮像素子１３の一部に、撮像光学系の焦点調節状態を検出するための焦点検出画素を複数個配列した撮像素子を検査する素子検査用光源２１であって、照明灯２１ａと、照明光学系２１ｂと、照明灯２１ａから発せられ照明光学系２１ｂを透過した光束を、所定形状の開口２１ｄにより制限して撮像素子１３上の焦点検出画素に照射する遮光板２１ｅとを備え、遮光板２１ｅは、撮像光学系の射出瞳の一対の領域の内の一方の領域を通過する光束と同等な光束を照明光学系２１ｂを透過した光束より生成する第１開口２１ｄを有する第１遮光板２１ｅと、射出瞳の一方の領域以外の領域を通過する光束と同等な照明光学系２１ｂを透過した光束より光束を生成する第２開口を有する第２遮光板とからなる。 （もっと読む）

【課題】撮像素子チップを低温環境でプローブテストを実施する際に、テスト対象チップとプローブカードとの間に水気が生成しない手段を提供する。
【解決手段】ポゴタワー１２の中空開口部内に断熱レンズセット２０を配置する。断熱レンズセット２０は、レンズ本体と平行に装着された２枚のレンズ２４および２５とを含み、レンズ本体と平行に配置された２枚のレンズで仕切られた密閉空間内は真空を保つ。このようにテストに用いる光線の光源からの熱をチャック１３で低温に冷却されているテスト対象チップに対して遮断することによって、水気の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】低照度の場合のみならず高照度の場合であっても、均一性及び平行性（テレセントリック性）が高い照明光で被照明物上の所望の領域を照明することができる照明装置を提供する。
【解決手段】照明装置１は、主光源１１及び補助光源１２と、像側に被照明物上の所定領域が配置される無限共役な像側テレセントリック光学系である照明光学系１３とを備える。主光源１１は照明光学系１３の焦点面ＦＣ上における照明光学系１３の焦点を含む第１領域を照明し、補助光源１２は主光源１１とは独立して制御されて焦点面ＦＣ上における第１領域の周囲に位置する第２領域を照明する。これにより、照度分布が均一であって所定の第１照度を有する照明光と、第１照度よりも高い第２照度を有する照明光とが被照明物上の所定領域に切り替え可能に照射される。 （もっと読む）

【課題】光を照射して検査を行う必要のあるデバイスを平面的に配置して一度に検査することができる受光手段を備える半導体装置、該半導体装置の検査方法及び半導体装置検査装置の提供。
【解決手段】半導体装置１１０の表面に、受光手段１１１ａと、受光手段１１１ａに電気的に接続され受光手段１１１ａの動作を検査する検査情報処理手段１１１ｃと、検査情報処理手段１１１ｃに電気的に接続されている複数の検査用電極パッド１１３とを備えており、検査用電極パッド１１３は、半導体装置１１０上の対向する一組の辺の外縁部であり、かつ上記一組の辺のそれぞれに一組ずつ設けられている。 （もっと読む）

【課題】 撮像素子が形成された半導体ウェハに対して品質の劣化させることなく効率的に電気的テストを行うことを可能にする。
【解決手段】 半導体基板１の主面側に撮像素子５及び主面側電極３を備えると共に、接着樹脂４を介して撮像素子５の受光可能な周波数範囲の光を透過可能な補強板２が貼り付けられている。半導体基板１は、裏面側が研磨された後に、主面側電極３の表面が露出するように形成されたスルーホール６内に導電性材料を形成し、当該導電性材料を介して主面側電極３と電気的に接続を有する裏面側電極８を裏面側に形成する。このように構成される半導体ウェハに対し、主面側からテスト用の対象光を照射し、裏面側から測定用プローブを接触させる。 （もっと読む）

【課題】撮像素子の斜め方向に発生する欠陥を精度良く検出することが可能な撮像素子の欠陥検出方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】ウエハ上のＸ方向とこれに直交するＹ方向に配列して多数形成された撮像素子１４から得られたＹ方向及びＸ方向に配列された多数の画素データから構成される画像データＡを取得するステップＳ１と、画像データＡの画素データの配列を（４５×ｎ）度（ｎは１，３，５，７のいずれか）回転させた回転画像データＢを生成するステップＳ２と、回転画像データＢに対し、Ｙ方向及びＸ方向の両方の特徴成分を強調するための空間フィルタ処理を施すステップＳ３と、ステップＳ３で得られた画像データＢ’をステップＳ２での回転方向と逆方向に同じ回転角度だけ回転させた画像データＢ’’を生成するステップＳ５と、少なくとも画像データＢ’’に基づいて撮像素子１４の欠陥を検出するステップＳ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】不良素子の位置を容易に特定することができるマーキング方法を提供する。
【解決手段】所定配列された複数の光電変換素子１３ａを有する撮像装置の不良解析用の指標を形成するためのマーキング方法であって、複数の光電変換素子１３ａのうち一部の光電変換素子１３ａの受光面の表面形状をその他の光電変換素子１３ａの受光面の表面形状と異ならせ、その形状を不良解析用の指標２０とした。 （もっと読む）

【課題】単焦点だけで評価していた固体撮像素子の光学特性が、ズームカメラ仕様に対応するテレ端、ワイド端で評価することができる固体撮像素子の検査装置を提供する。
【解決手段】電極にプローブ針１７ａを接触させた固体撮像素子に所定条件の光を照射しながら、固体撮像素子に対して信号印加と信号読み出しを行う固体撮像素子の検査装置１００であって、固体撮像素子に向けて照明を行う光源２１と、光源２１からの光を固体撮像素子に導く光学系２３とを有し、光学系２３が、光軸を固体撮像素子に向ける光学レンズ２５と、光学レンズ２５を光軸と平行に移動させる焦点距離調整部２７とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 実際のデバイスとなる有機半導体装置を無駄にすることなく膜厚を測定でき、また、電流を流さなくても有機膜の不良を検出できる有機半導体装置の製造方法、及び有機半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】 基板２０上に有機膜６０，７０を備える有機半導体装置の製造方法であって、基板２０上における、所定の領域と、当該所定の領域を除く部分に設定されたダミー領域３とに、有機膜６０，７０を製膜する製膜工程と、ダミー領域３に製膜された有機膜６０，７０の吸光度を測定する測定工程と、を含み、測定工程によって測定された吸光度に基づいて有機膜６０，７０の膜厚を求めること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ローコストで、安定かつ安全に受光デバイスを検査する。
【解決手段】受光デバイス６Ａの端子に電気的接続をとる接続部（プローブ４等）と、受光デバイス６Ａに光を照射する光源部９と、振動を検出する加速度センサ２２と、加速度センサ２２の出力から所定周波数の振動成分を抽出する重み付けフィルタ２３Ａ,２３Ｂと、光を照射し、受光デバイス６Ａの端子にバイアスを印加したときに受光デバイス６Ａの端子から出力された受光信号レベル値の有効性を、所定周波数の振動成分のレベル値から判断可能な検査部（ＬＳＩテスタ１）とを有する。
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固体撮像素子に試験用光を照射する光学系を固体撮像素子へ位置決めするのが容易で、効率の高い試験を行うことができる試験装置を提供する。 光源からの光をピンホールを通じて固体撮像素子の受光面に照射する光学モジュール３５と、固体撮像素子のパッドと接触する接触針を有するプローブカード２０と、試験すべき固体撮像素子のパッドに接触針２１が接触した状態にあるプローブカード２０のもつ開口２０ｈを通じて、光学モジュール３５を試験すべき固体撮像素子に対して所定の位置に移動させるモータ３０，保持アーム３１を有する。
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【課題】 光照射面における照明の均一性と入射光束の開口数と色温度とを一定に保ちつつ照明光量を調整可能な照明光学装置を提供する。
【解決手段】 光源１１と、光源と光照射面１０ａとの間に配置され、光源側から順にコレクタレンズ１２とアフォーカル系１３とフライアイレンズ１４とコンデンサレンズ１５とを含み、光照射面をテレセントリック照明する光学系と、アフォーカル系の中に配置された径可変な絞り部材１６とを備える。 （もっと読む）