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Fターム[4M106BA01]の内容

半導体等の試験・測定 (39,904) | 手段 (6,361) | プローバ (2,607)

Fターム[4M106BA01]に分類される特許

2,001 - 2,020 / 2,607


【課題】セキュリティを維持しつつ簡便に操作可能な半導体処理装置を提供する。
【解決手段】 半導体処理装置は、半導体装置を検査するテスタと、表示部25と、制御部21と、ICタグリーダ29と、各オペレータに与えられた権限を記憶する補助記憶部23とを備える。制御部21は、ICタグリーダ29で接近してきたオペレータが保持するICタグからIDを読み取って、補助記憶部23を参照して、そのオペレータの権限を判別し、判別した権限の範囲内で指示を入力可能とし及び処理状況を参照可能な操作画面を合成して、表示部25に表示させる。オペレータが装置から離れてIDが読めなくなると、スクリーンセーバをONして、表示を隠蔽する。 (もっと読む)


【課題】簡易な方式で微小な可動部を有する微小構造体を精度よく検査するプローブカードおよび検査装置を提供する。
【解決手段】プローブカード6は、スピーカ2と、プローブ針4を固定する回路基板100とを含み、回路基板100にスピーカ2が載置される。そして、回路基板100には開口領域が設けられ、その上にスピーカ2を載置することによりテスト音波が微小構造体の可動部に対して出力される。そして、このテスト音波に従って可動部が動くことにより変化する電気的特性の変化をプローブ針4により検出して微小構造体の特性を検査する。 (もっと読む)


【課題】スクラブマークを生じずに電気的なコンタクトを可能にし、かつエリア・アレイタイプの電極パッド構成にも対応することができる半導体装置の検査方法を提供する。
【解決手段】ウェハ全面の電極パッドにコンタクトするメンブレン方式プローブ5をコンタクト動作させ、電極パッド4に対してバンプ5cをウェハ上面に当接配置したままの状態で、バンプ裏面部5bに、カンチレバー方式のプローブ針2をコンタクトさせることで、電極パッド4上にスクラブマークを発生させない。 (もっと読む)


【課題】 プローブのピッチが小さくなっても不良プローブを簡単に交換することが可能なようにする。
【構成】 複数の電気配線20が設けられた配線基板10と、配線基板10上に固着された電気配線20に電気的に接続された複数のプローブ30と、プローブ30のうち破損や磨耗等により不良になった不良プローブ30aを切除した後にその代わりに使用される交換用プローブ40とを具備している。特に交換用プローブ40を電気配線20上に設定した固着領域22に固着するようにしている。 (もっと読む)


【課題】Z軸のローリング誤差又は移動台のヨーイングによるウエハステージの回転誤差を低減できるプローバ及びプローバにおける回転・移動制御方法の実現。
【解決手段】プローバであって、ウエハWの電極に接触してテスタの端子に接続するプローブニードル25を有するプローブカード24と、ウエハを保持するウエハステージ16と、ウエハステージを回転すると共にZ軸方向に移動するZ軸移動・回転部15と、Z軸移動・回転部15を支持するX軸移動台14と、X軸移動台14をX軸方向及びY軸方向に移動する移動ベース12と、X軸移動台14に設けられ、プローブニードル25の先端位置を検出するプローブニードル位置検出カメラ18と、ウエハステージ16にプローブニードル位置検出カメラ18で検出可能に設けられたターゲットと、を備える。 (もっと読む)


【課題】ウェハ面で温度分布が不均一であり、チャックの温度が不均一である場合においても、検査位置の温度を設定温度に確実に制御することが出来、正確な検査を行うことが出来る集積回路検査装置を提供する。
【解決手段】集積回路検査装置1は、ステージ2、電熱ヒータ線3、ヒータ電源5、温度センサ、マルチプレクサ8、制御部9及びブローブカード11を備える。制御部9は、ステージ移動部4の駆動を制御してステージ2を所要距離移動させ、マルチプレクサ8からセンシング値を取得すべき温度センサを選択して、選択した温度センサのセンシング値に基づき、ヒータ電源5の電熱ヒータ線3への通電を制御してチャック面2aの温度を制御する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハを検査室に配置した状態のまま移動せずにダストを除去できるとともに、検査室内全体を高清浄度に保つことができる半導体検査装置を得る。
【解決手段】集積回路の形成された被検査対象であるウェーハWを保持するステージ17と、ウェーハWの表面を照射する光源25と、ウェーハWの表面に接触する検査用プローブ29とを有し、検査用プローブ29を用いて信号印加と信号読み出しを行い集積回路を検査する半導体検査装置100であって、少なくともウェーハWが収容される空間13を画成する検査室11と、この検査室11内でウェーハWの表面に対して略平行に送風する送風手段33とを備えた。 (もっと読む)


レーザー加工装置は、プローブ要素(例えばプローブピン)を素子インターフェース要素(例えば回路基板の導体パッド)に位置合わせする方法を実行する。先ず、レーザー加工装置は、基準領域を較正する1若しくはそれ以上の所定の位置において基準光ビームを発生させる。次に、レーザー加工装置は、基準領域にプローブ要素の位置を検出する。また、レーザー加工装置は、基準領域における素子インターフェース要素の相対位置を決定する。プローブ要素および素子インターフェース要素の位置に基づいて、レーザー加工装置は、次に、プローブ要素および素子インターフェース要素の位置合わせを起動する。1用途において、プローブ要素および素子インターフェース要素の位置合わせは、さらに、電気的接続を形成するために素子インターフェース要素にプローブ要素を接触させる工程を含む。 (もっと読む)


【課題】 ボンディング領域における接続信頼性を確保するとともに、ボンディング領域の選択の自由度に優れたボンディングパッドを備える半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置100は、ボンディングパッド110と、ボンディングパッド110に設けられたエリア識別マークと、を含む。ボンディングパッド110は、第一領域125と、第二領域129と、第一領域125と第二領域129との間に設けられた第三領域127と、を含む。また、エリア識別マークは、第一領域125と第三領域127との第一境界を示す第一切欠部121と、第二領域129と第三領域127との第二境界を示す第二切欠部123と、を含む。そして、第一領域125と第二領域129とは、いずれも、プロービング傷111の形成領域とすることができるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】 半導体集積回路装置の機能試験の際、機能試験終了と同時に生じる電源電圧をオーバーシュートを抑制する。
【解決手段】 機能試験手順の後、半導体集積回路装置にダミーテストデータを供給して後処理手順を行い、その際クロック速度を徐々に低下させる。 (もっと読む)


【目的】 本発明の目的はプローブの犠牲層形成工程、鍍金工程及び犠牲層除去工程を低減することができ、且つプローブを複数の被測定対象物の対向する一辺の面上に各々並べられた複数の電極に対応可能に配列することができるプローブの製造方法を提供する。
【構成】 このプローブの製造方法は、基板100の面上の一部及び第1のプローブ210a上に第2の台座420を形成する工程と、基板100の面上に当該基板100の面上の一部及び第2の台座420を露出させる開口531( 第2の開口) を有したレジスト530( 第2の犠牲層) を形成する工程と、このレジスト530の開口531に鍍金を行い、基板100の面上の一部及び第2の台座420上に第2のプローブ210bを形成する工程と有する。 (もっと読む)


【課題】複数のDUTのレイアウトを実現する。
【解決手段】ウェハ・テスト用の半導体ウェハ上に形成されるDUT(被試験デバイス)用のレイアウトは、第1のアレイのDUT(102)と、その第1のアレイに隣接して形成された第1のパッド・セット(104)とを含んでいる。その第1のパッド・セットは、ゲート・フォース・パッド(108)、ソース・パッド(110)およびドレイン・パッド(112)を含んでいる。第1のアレイにおけるそれらDUTの各々は、その第1のパッド・セットのゲート・パッドに接続されている。第1のアレイにおけるそれらDUTの各々は、その第1のパッド・セットのソース・パッドに接続されている。第1のアレイにおけるそれらDUTの各々は、その第1のパッド・セットのドレイン・パッドに接続されている。 (もっと読む)


【課題】 熱変形によるプローブ位置の変位が小さい簡単な構造のカードホルダの実現。
【解決手段】 プローブカード24を取り付けるカードホルダ23であって、カードホルダ23をプローバ10に固定するための略環状の周辺部分51と、周辺部分の内側の、プローブカードが取り付けられる略環状の薄い板状部分52と、板状部分の中心に設けられ、プローブカードのプローブが設けられた部分が配置される穴53と、周辺部分と板状部分の間の、被検査物Wが配置されるのと反対側の表面に設けられた略環状の溝54と、を備える。 (もっと読む)


【課題】単焦点だけで評価していた固体撮像素子の光学特性が、ズームカメラ仕様に対応するテレ端、ワイド端で評価することができる固体撮像素子の検査装置を提供する。
【解決手段】電極にプローブ針17aを接触させた固体撮像素子に所定条件の光を照射しながら、固体撮像素子に対して信号印加と信号読み出しを行う固体撮像素子の検査装置100であって、固体撮像素子に向けて照明を行う光源21と、光源21からの光を固体撮像素子に導く光学系23とを有し、光学系23が、光軸を固体撮像素子に向ける光学レンズ25と、光学レンズ25を光軸と平行に移動させる焦点距離調整部27とを備えた。 (もっと読む)


【課題】外部磁界に対する磁気センサの出力の検査がウェハの状態で行われ、複数方向の外部磁界に対する磁気センサの出力の検査が磁気センサとの相対的な位置を変更することなく行われるプローブカードを提供する。
【解決手段】基部12には、磁気センサに磁界を方向可変に印加するための第一コイル21、22および磁気センサの出力信号を検出するためのプローブ2が一体に設けられている。第一コイル21、22は、複数のプローブ2から構成されるプローブ群の中心を貫く第一仮想直線上にプローブ群を挟んで配置されている。第二コイル25は、プローブ群および第一コイル21、22の外周側を包囲している。二つの第一コイル21、22により発生する磁界と、第二コイル25により発生する磁界とを制御することにより、基部12の表面に対し垂直な仮想平面と平行な任意の合成磁界が形成される。 (もっと読む)


【課題】 プローブカードそのものの熱変形量を少なくし、撓みなどの機械的変形を抑制しプローブテストの精度を向上し得るプローブカードを提供する。
【解決手段】 プローブカードを構成するカード基板の絶縁材料に、ベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類とを反応させて得られる引張弾性率が5〜30GPaのポリイミド樹脂を使用したプローブカードであり、さらにはポリイミド樹脂の面方向での線膨張係数が0〜10ppm/℃であるプローブカードである。 (もっと読む)


【課題】狭ピッチの電極構造を有する複数の半導体素子を一括して検査できる検査装置を提供する。
【解決手段】ウエハ1に設けられた電極3と接触する接触端子4aと、接触端子4aから引き回された引き出し配線4cと、引き出し配線4cと電気的に接続された電極4dを有するプローブシート4と、プローブシート4の電極4dに電気的に接続される電極50aを有する多層配線基板50とを有するプローブカードにおいて、接触端子4aとウエハ1の電極3との接触は、接触端子4aの端子群の背面から、スプリング5aを有した押圧ブロック5bを介して端子群に加圧力を及ぼして電極3に接触させる1個もしくは複数個の接着ホルダ5を有して行われる。プローブシート4を接着ホルダ5に接着し、この接着ホルダ5を組み合わせて多数チップを同時検査する装置が構成される。 (もっと読む)


【課題】プローブ接触痕検出方法においては、複数の接触痕や電極パッドが均一に平面で無い場合、新たに加えられた接触痕を特定して検出することが困難であった。
【解決手段】ウェハW上に形成された半導体装置の動作を電気的に検査するためにプローブ26を該半導体装置の電極に接触させることで生じた接触痕を確認するために、ウェハアライメントカメラ23と、画像処理部28とによって画像検出及び処理するプローバにおいて、プローブ接触前に電極を画像検出及び処理した画像と、プローブ接触後に電極を画像検出及び処理した画像とを比較することによって、接触痕を検出するプローバを構成する。 (もっと読む)


【課題】 低コストで、小型で、軽量で、低振動のZ移動機構を有するプローバの実現。
【解決手段】 プローブ29を有するプローブカード28と、ウエハWを保持するウエハステージ18と、プローブに対して所定の処理を行う処理手段21,22と、ウエハステージ及び処理手段を第1の方向に移動する第1移動機構と、第1移動機構を保持して、第1の方向に垂直な方向に制御する共通移動機構12-14と、を備え、第1移動機構は、送り機構52,53と、ウエハステージ18を、送り機構の送りに対して第1の方向に移動するウエハステージ移動機構56,58と、処理手段21,22を、送り機構の送りに対してウエハステージと逆の第1の方向に移動する処理ステージ移動機構57,59とを、備える。 (もっと読む)


【課題】 プローブカードそのものの熱変形量を少なくし、撓みなどの機械的変形を抑制しプローブテストの精度を向上し得るプローブカードを使用する半導体検査装置を提供する。
【解決手段】 プローブカードを構成するプローブ基板の絶縁材料に、ベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類とを反応させて得られる引張弾性率が5〜15GPa、線膨張係数が1〜8ppm/℃のポリイミド樹脂を使用したプローブカード。 (もっと読む)


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