【課題】参照画像の保存量を低減することができる基板検査装置および基板検査方法を提供する。
【解決手段】記憶部８は、検査対象領域内の検査点で基板を撮像して得られた参照画像を記憶する。また、記憶部８は、第１の検査対象領域内の第１の検査点に対応した第２の検査対象領域内の第２の検査点における参照画像と第１の検査点とが関連付けられた検査情報（レシピ）を記憶する。制御部５は、第１の検査点で検査を行う場合に、検査情報に基づいて、第１の検査点に対応した第２の検査点における参照画像を選択する。表示部６はこの参照画像を表示する。 （もっと読む）

【課題】検査途中で停止させた装置を速やかに復旧できるようにする。
【解決手段】外観検査装置のマクロ検査部には、ウェハＷの表面を目視観察するように支持する表面検査装置３１と、ウェハＷの裏面を目視観察するように支持する裏面検査装置３２とを有し、下降位置確認センサ６１と上昇位置確認センサ６５とが設けられている。下降位置確認センサ６１は、ウェハＷの有無を検出する光学式のセンサである。上昇位置確認センサ６５は、水平姿勢のウェハＷは検出しないが、ウェハＷを傾斜させるとウェハＷの有無を検出する光学式のセンサである。 （もっと読む）

【課題】 単結晶シリコンの酸素濃度に依存せずに結晶欠陥領域を正確かつ簡便に短時間に分析することができる、金属汚染及び熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法を提供する。
【解決手段】 単結晶シリコンインゴットの片またはシリコンウェーハで形成されたサンプルを備えた後、サンプルの少なくとも一面に金属を１×１０^１４〜５×１０^１６ａｔｏｍｓ／cm²濃度で汚染させて、その汚染されたサンプルを熱処理し、その熱処理されたサンプルで汚染された面または汚染された面の反対面を観察して結晶欠陥領域を区分する結晶欠陥領域の区分方法。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの半導体基板における取得位置を特定する半導体装置の製造方法及び半導体チップの特定方法に関し、半導体チップの半導体基板における取得位置を容易に特定することのできる半導体装置の製造方法及び半導体チップの特定方法を提供する。
【解決手段】エッチングにより複数の半導体チップの表面側に形成されるエッチング対象物の残渣を含んだ画像データＤ1を半導体チップ毎に取得し、半導体チップの半導体基板における取得位置と対応させて画像データＤ１を保存する工程と、半導体チップ_X（特定すべき半導体チップ）に形成されたエッチング対象物の残渣を含んだ画像データＤ２を取得する工程と、画像データＤ１，Ｄ２に基づいて、半導体チップ_Xの半導体基板における取得位置を特定する工程と、を設けた。 （もっと読む）

【課題】ＬＣＤ製品に備わるドライバＩＣの外観検査において、不良箇所の位置の特定に要する時間を短縮することのできる技術を提供する。
【解決手段】ＬＣＤ製品に備わるドライバＩＣ１Ａの一部を構成する出力回路部５の長手方向の側縁部に沿って複数個の出力バンプ７を形成し、作業者が出力バンプ７の数を間違えることなく容易に数えることのできる個数置き、例えば１０の倍数、２０の倍数、２５の倍数または５０の倍数の出力バンプ７の個数置きに最上層配線と同一層からなる目印パターン８を配置し、目印パターン８を数えることによって外観不良９の位置を特定する。 （もっと読む）

【課題】装置内の清浄度を高めた基板検査装置においてランプ光源の交換を容易にする。
【解決手段】基板検査装置１は、マクロ照明装置４０で基板Ｗの外観検査が可能に構成されている。マクロ照明装置４０は、高清浄部３内でミクロ検査部１５の上方に光源装置９０を有する。光源装置９０は、前壁扉９３から内部のランプを交換可能に構成されている。光源装置９０は、基板を扱う領域よりも清浄度が相対的に低い第一の領域８１に配置されているので、光源装置９０のランプ交換を行っても基板を扱う領域の清浄度が下がることはない。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの表面を検査する作業者の負担を軽減できる検査補助装置を提供する。
【解決手段】回動支持機構１２０により回動自在に支持されて初期位置に保持されているキャリア保持部材１１０にウェハキャリア２００が保持され、このウェハキャリア２００を保持したキャリア保持部材１１０が検査位置まで回動される。これでウェハキャリア２００は下面開口２０２が後方に位置する状態となるので、その下面開口２０２から半導体ウェハＷの表面を目視により検査することができる。このため、作業者がウェハキャリア２００を目視できる位置まで持ち上げ続ける必要がなく、落下させることもない。 （もっと読む）

【課題】量産時の加工品質の管理が容易な上に表面品質の経時変化を所望時に目視で確認することができるウエーハの加工結果管理方法を提供する。
【解決手段】形成された切削溝を撮像手段に位置付けて撮像するカーフチェック毎（ステップＳ１０８）に生成される切削溝データを画像情報とともにその位置情報に関連して記憶手段に累積的に記憶させておき（ステップＳ１１０）、また、ウエーハの形状と分割予定ラインの模式図をウエーハマップとして表示するとともにカーフチェックの位置情報を示すマークもウエーハマップ上に併せて表示させ（ステップＳ１１１）、該マークを利用した所望のカーフチェック箇所の指定により切削溝データとともに画像情報を表示パネル上に再生するようにした。 （もっと読む）

【課題】外観検査装置において、被検体を回転、揺動させて目視検査する場合に、検査効率を向上することができるようにする。
【解決手段】目視により平板状のウエハ４の外観検査を行うために、ウエハ４を保持するとともに揺動させるウエハ揺動部３と、ウエハ４を撮像する撮像カメラ１と、撮像カメラ１で撮像したウエハ４の画像を表示するモニタ８と、モニタ８に表示されたウエハ４の画像上で位置情報の入力を行うマウス９ｃと、マウス９ｃにより入力された位置情報に基づいて、モニタ８に表示されたウエハ４の画像の一部を拡大表示するカメラ駆動部を備える。 （もっと読む）

【課題】高倍率での検査を精度よく行う。
【解決手段】本願発明の装置調整方法は複数の大きさの欠陥の少なくとも１つの大きさの欠陥の個数がピークを有するウェハを用いて、フォーカスを変化させて各フォーカス値での欠陥検出数を取得し、所定の欠陥の大きさについて欠陥検出数がピークとなるフォーカス値を取得し、このフォーカス値を用いて装置のフォーカスの調整を行なう方法である。 （もっと読む）

【課題】背面からテストを実行するための半導体ウェハを準備する方法の提供。
【解決手段】ウェハ３００におけるテスト対象のダイ３２５を選択するステップと、ダイ３２５の対角線を測定するステップと、スクライブライン３２０ａおよび３２０ｂを越えて延在するダイ３２５上のエリアを薄型化するステップと、該薄型化エリア３５０内にインサート３６０を載置するステップと、ダイ３２５までの光路を不明瞭にしないように、インサート３６０の周辺エリアに接着剤３８０を塗布するステップとを含む。インサート３６０は、ドープされていないシリコンから作られることが有益である。 （もっと読む）

【課題】基板検査装置内で人間が作業を行った場合に、検査を長時間停止しなければならなくなることを防止することができる基板検査装置を提供する。
【解決手段】基板検査装置１は、装置本体２内にフィルタファンユニット５からの清浄空気を通流させるようなミニエンバイロンメント方式を採用しており、清浄空気によって外部よりも清浄度の高い高清浄部３は、複数の仕切り板５１，５３，５４によって第一の領域６０と第二の領域６１とにさらに区分けされている。第一の領域６０には、顕微鏡４０の鏡筒などが配置され、第二の領域６１には基板Ｗが搬送されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】 外観検査装置において、外観検査の検査設定条件を迅速かつ効率的に設定できるとともに、熟練した検査者が検査する場合と同じように効率的に検査を行うことができるようにする。
【解決手段】 ウエハ１３に照明光を照射する広域照明部２、スリット照明部３、スポット照明部４などの照明部と、ウエハ１３を揺動移動可能に保持する揺動機構１２と、それら照明部および揺動機構１２の制御を行う制御ユニット９とを備える外観検査装置において、キーボード１６、マウス１７などにより検査条件設定値を入力し、それらを検査工程の種類ごとにまとめた検査工程設定情報として記憶部に記憶し、制御ユニット９中の設定情報選択部により検査工程設定情報を選択して検査を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】 目視検査時に欠陥情報を表示し、オペレータの判定のばらつきを少なくするマクロ画像表示システムを提供する。
【解決手段】 生産ラインの製造装置で製造された基板は、自動マクロ検査装置１０３で自動的に検査され、欠陥に関する基板情報データと、画像データとが作成される。これらデータは、目視マクロ検査装置１００の基板ごとに複数取り込まれ、データ処理部４０８にて、基板ごとの欠陥位置に基づいて欠陥の重なり合いが計算される。この計算結果は、画面表示されると共に、必要に応じて他のコンピュータ装置に出力される。 （もっと読む）

【課題】 検査時の欠陥の位置確認を容易にし、検査時間を削減することができる外観検査装置を提供する。
【解決手段】 画像処理部２４は、欠陥の大きさを示す情報に基づいて、目視によって欠陥の判断が可能な大きさの欠陥があるかどうかを判断する。条件に合致する欠陥が存在した場合、画像処理部２４は、欠陥の画像データを用いて、条件に合致した欠陥を表示するための表示画像データを生成し、表示部２５へ出力する。表示部２５は、表示画像データに基づいて、欠陥を含むウェハ表面の画像を表示する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で固浸レンズを観察対象物に密着させることが可能である対物レンズソケットを提供する。
【解決手段】 対物レンズソケット９は、対物レンズ２１の鏡筒２６の先端部に取り付けられるベース部７０と、固浸レンズホルダ８が取り付けられると共に、ベース部７０に対物レンズの光軸Ｌ方向に摺動可能に取り付けられる可動部材８０とを備え、固浸レンズホルダを対物レンズの前方に配置する。この構成では、固浸レンズホルダを対物レンズの前方に好適に配置できる。そして、固浸レンズホルダが有する固浸レンズを光軸Ｌ方向に移動させることが可能であり、その結果として、固浸レンズ６を観察対象物１１に容易に密着させることができる。 （もっと読む）

【課題】 基板載置台から基板を剥離させる際に生ずる静電気を確実に除電する静電気除去方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 板状の基板１を基板載置台２から剥離する際にイオンを放出し基板１に生ずる静電気を除去する静電気除去方法において、基板１を複数の昇降ピン３により基板載置台２から持ち上げて剥離させる際に、昇降ピン３による剥離中心部分からイオンまたはイオン化気体を放出し、基板載置台２と基板１との間に発生する静電気を除去する。 （もっと読む）

【課題】安全性が高く、かつ、精度良く短時間で簡便にウェーハ表面の結晶欠陥を評価する方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面に酸化膜を形成するための熱処理を行った後、前記シリコンウェーハをアルゴンを含む雰囲気で熱処理して前記シリコンウェーハ表面に酸化膜ホールを形成し、該酸化膜ホールを検出することによって、前記シリコンウェーハ表面に存在する結晶欠陥を評価する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの裏面におけるマクロ検査結果の正常あるいは異常判定は異物数を閾値としていたために、異物やチッピングそしてチャック痕を識別することが困難であった。
【解決手段】ウェーハ裏面を任意のエリアに分割して、チャック痕の対象となるエリア数Ｓ１の設定、Ｓ１における単位面積あたりの異物数ＰＳ１の規格値を設定することにより、ウェーハ裏面の異物とチャック痕の識別を迅速に行うことが可能である。
また、チッピング判定エリアおよびチッピング判定エリア内における単位面積あたりの欠陥数の閾値を設定することで、迅速に異物とチッピングを識別することが可能でるため、半導体装置の製造ロスを未然に防ぐことが可能である。 （もっと読む）

【課題】この発明の目的は、容易且つ迅速にウエハの検査を行う事ができるウエハ検査装置を提供することである。
【解決手段】複数のウエハを載置し、ウエハ出し入れ用の開口を一方に有するウエハ保持体１１と、ウエハ保持体１１から所望のウエハを取り出し、所望の検査終了後にウエハを所望の位置に返却するウエハ取り出し／返却腕３４と、取り出されたウエハのマクロ検査をするためにウエハを載置するマクロテーブル３６と、ウエハの裏面をマクロ検査するためのウエハ裏返し手段とを備えており、上記ウエハ保持体１１のウエハ取り出し方向とウエハ取り出し／返却腕３４とを長手方向に配置したものである。 （もっと読む）