【課題】高価な評価機器や顕微鏡を用いることなく、非破壊にて行える精度の高いＳｉＣ基板の評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳｉＣ基板の欠陥を評価する方法であって、少なくとも、液体上にＳｉＣ基板を載置して、該ＳｉＣ基板の裏面側から表面側に前記液体を毛管現象により半球状になるまで染み出させた後、該染み出した半球状の液体を観察することによって、前記ＳｉＣ基板の評価を行うことを特徴とするＳｉＣ基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウエーハのシリコン膜厚を目視により検査する方法を実現する。
【解決手段】光源から放出される赤外線に近い波長を含む可視光２をＳＯＩウエーハ１の表面４に斜めに照射し、ＳＯＩウエーハ１から反射される反射光７，８の干渉縞を目視観察することにより、シリコン膜厚を検査する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハの衝撃強度を従来より安定かつ正確に評価することができる評価方法や評価装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも、半導体ウェーハである試料を載置する載置台と、前記試料の一方の主表面を支持する片押さえ手段と、球状物と、該球状物を任意の所望の高さから落下させるための落下手段とを具備し、前記試料を前記載置台に載置した後、前記片押さえ手段により前記試料の一方の主表面を支持した状態で、前記落下手段により前記球状物を前記所望の高さから前記主表面に向けて落下させることができるものであることを特徴とする半導体ウェーハ評価装置。 （もっと読む）

本発明によると、粘着性フィルム（２）上にマウントされたウェハ（１）を装填するためのウェハ装填ステーション（３）と；粘着性フィルムにテンションを加えるためのテンショナー（３０）と；前記ウェハから複数のデバイスを連続してピッキングするためのピッキングモジュール（６６）と；前記ウェハまたは前記ウェハの各部分の第一の画像をキャプチャするための一つまたは複数のカメラ（５０）を有するビジョンシステム（５、５０）とを含むウェハハンドラを提供し、前記第一の画像が複数のデバイスを含んでおり、前記ビジョンシステムは、前記第一の画像から複数のデバイスの個別位置を判定するために配置されており、ウェハハンドラはさらに、前記ピッキングモジュール（６６）の近位に位置決めされピッキングすべきデバイスの第二の画像をキャプチャするために配置された追加のカメラ（６３）を含み、第二の画像は、ピッキングすべきデバイスをピッキングモジュールの下でセンタリングすることを目的として、ウェハの精細な調整をするために使用される。 （もっと読む）

研磨および洗浄などのウエハプロセシング操作の間に与えられる金属汚染物混入の量をモニタリングするための方法を開示する。当該方法は、シリコン−オン−インシュレータ構造を半導体プロセスに供する工程、前記構造に金属汚染物質を析出させる工程、および前記金属汚染物質をデリニエーションする工程を含む。
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【課題】チップサイズを増加させずに、チップ位置情報等の識別情報を記録した集積回路装置を提供すること。
【解決手段】集積回路を有する集積回路基板と、前記集積回路に接続された導電性パッドと、前記導電性パッドを露出する開口部を持つ絶縁膜を備えた外部電極構造体とを有し、前記外部電極構造体が、前記集積回路基板の識別情報に対応する形状を有すること。 （もっと読む）

【課題】欠陥を生じさせる原因となる装置を容易に特定することができる基板検査方法を提供する。
【解決手段】基板２１を処理する複数の設備１〜８のそれぞれについて基板２１の搬出時の第１のノッチ方向を設備１〜８に関連づけてデータ化して記憶部１３に記憶する工程と、複数の設備１〜８の少なくとも一部により処理された処理基板２１に発生した傷のパターンと処理基板２１の第２のノッチ方向を検出する工程と、処理基板２１の第２のノッチ方向と基板の第１のノッチ方向を照合し、同じ方向を有する設備１〜８を傷発生源と特定する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハを変質させることなく長時間の外観検査が可能な観察装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る観察装置は、ウェハＷの表面に照明光を照射する照明部１０と、照明光１０が照射されたウェハＷを撮像する撮像部２５と、撮像部２５により撮像されたウェハＷの画像を記憶する記録部３２と、記録部３２に記憶されたウェハＷの画像を表示するモニタ３４とを備え、照明光が照射されたウェハＷの静止画像を撮像部２５が撮像し、静止画像の取得後に照明部１０が照明光の照射を中止し、照明光の照射が中止された状態で、記録部３２に記憶されたウェハＷの画像がモニタ３４に表示されるようになっている。 （もっと読む）

【解決手段】時間的に変化する分類性能の監視のためのシステムおよび方法が開示される。方法は、１つまたは複数の走査型検査ツールからの１つまたは複数の標本の１つまたは複数の特性の指標となる、１つまたは複数の信号を受信することと、前記１つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記１つまたは複数の信号に、１つまたは複数の分類規則を適用して、前記１つまたは複数の標本における１つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、１つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、前記１つまたは複数の走査型検査ツールから受信した１つまたは複数の信号に適用される１つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数と、前記１つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の１つまたは複数の相関を計算することと、を含みうるが、これに限定されるものではない。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの下面の外観異常箇所に対応するウエハの上面の位置を正確に特定することができる外観検査方法を提供する。
【解決手段】 複数の半導体素子領域が形成されたウエハ５０の下面５０ｂの外観異常を検査する方法であって、ウエハ５０の下面５０ｂの外観異常箇所を特定する外観異常箇所特定工程と、ウエハ５０を透過可能なレーザをウエハ５０の下面５０ｂの外観異常箇所に向けて照射して、ウエハ５０の上面５０ａのうちの外観異常箇所の裏側の箇所にマークを形成するレーザ照射工程を有する。 （もっと読む）

本発明は、ウエハ表面の欠陥分析のためにウエハ欠陥部位にイオンデコレーションを行う際に、デコレーション作業とイオン抽出作業とを別に分離し、イオン抽出の完了した電解液を循環させることで、デコレーション作業時に面倒で長い時間がかかる過程を最小化し、全体デコレーションにかかる時間を画期的に短縮させて、終局としてウエハ欠陥分析時間の短縮と欠陥分析の効率性を向上させることができるウエハ欠陥分析装置及びこれに用いられるイオン抽出装置、並びに該ウエハ欠陥分析装置を用いるウエハ欠陥分析方法を提供する。
また、デコレーション作業のためのイオン抽出時にイオンの活動性を向上させてイオン抽出時間を画期的に短縮させることができるウエハ欠陥分析装置及びこれに用いられるイオン抽出装置、並びに該ウエハ欠陥分析装置を用いるウエハ欠陥分析方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電極パッドの異常を容易に発見することが可能である。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０と、前記半導体基板の第１領域における第１表面から前記第１表面に対向する第２表面まで空けられた第１貫通孔８０内に形成された第１貫通電極２５と、前記半導体基板の前記第１表面において、前記第１貫通電極に接して形成された第１電極パッド２８と、前記第１電極パッドと離間して形成され、前記第１電極パッドと対向する第２電極パッド２９と、前記半導体基板の前記第２表面上に形成され、前記第１貫通電極と電気的に接続された外部端子２７と、前記半導体基板の前記第１表面において、前記半導体基板の前記第１領域と異なる第２領域における前記第１表面から前記第２表面まで空けられた第２貫通孔８０上に形成され、電気的に浮遊した第３電極パッド２８と、を具備する。 （もっと読む）

イメージングツールによって観察される欠陥は、欠陥画像で観察される特徴の、画像の対応する部分に関する設計情報との自動的な比較によって分類され得る。欠陥情報は、欠陥イメージングツールからの欠陥画像から生成されてよい。欠陥の近傍で基板上に形成される１つ又は複数の構造体に関する設計情報は取り出されてよい。欠陥は、欠陥画像からの欠陥情報と、欠陥の近傍での基板上に形成される１つ又は複数の構造体に関する設計情報との組み合わせに基づいて分類されてよい。
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【課題】タングステン等のＣＭＰ（化学機械研磨）後、エロージョン量をモニタリングできるパターンを提示する。
【解決手段】ホールアレイサイズスプリットａと配列間スペースの長さスプリットｂを一定に規定したモニタリングパターンを利用して、プラグＣＭＰ時に発生するエロージョンレベルを評価する。前記ホールアレイサイズによる影響はホールアレイサイズに応じて増加するため、エロージョン量は特定のサイズにおいて飽和になるのかをモニタリングする。また前記配列の間で影響を受けるスペースの長さをモニタリングする。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁膜を含む層の境界を明確に判別可能とすることができる試料作製方法および試料作製装置を提供する。
【解決手段】有機絶縁膜と他の絶縁膜とが積層されてなる試料Ｗａに対して集束イオンビーム２０Ａを照射して試料の断面を露出させる断面露出工程と、断面に対して水または水蒸気を供給しつつ、集束イオンビームを照射して断面の各膜が判別可能となるように処理する断面処理工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】複数のカラー光源を利用して、鏡面状の検査面を有する検査対象物の欠陥を確実に検出できるようにする。
【解決手段】 検査面２の法線方向に光軸を一致させてカラーラインＴＶカメラ３を配置し、検査面２を横切るカラーラインＴＶカメラ３のライン状視野に対して平行でかつカラーラインＴＶカメラ３の光軸から離れた位置に赤緑青３色の棒状のライン光源４，５，６を配置し、検査面２とカラーラインＴＶカメラ３との間にハーフミラー７を配置し、緑色ライン光源５をその光がハーフミラー７を介してカラーラインＴＶカメラ３の光軸と同軸に検査面２に照射されるように配置し、緑色ライン光源５を挟んで赤色ライン光源４および青色ライン光源６を平行に並べて配置し、ハーフミラー７を介して赤色ライン光源４および青色ライン光源６の光が緑色ライン光源５の光路を挟んで検査面２に対し斜め方向から照射されるようにした。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ周端縁の三面を一台のカメラで同時に画像検査する。
【解決手段】 ウエハ周端縁の外周端面Ｗ１及び面取り部Ｗ２，Ｗ３から一台のカメラ１へ向けて、三つの屈曲する光路３ａ，３ｂ，３ｃを有する光学系３を設け、これら光路３ａ，３ｂ，３ｃで導かれる反射光を上記一台のカメラ１で撮像して、上記外周端面Ｗ１及び面取り部Ｗ２，Ｗ３の３面を同時に映像化することにより、これら外周端面Ｗ１と面取り部Ｗ２，Ｗ３及びその境界Ｗ５，Ｗ６に生じた表面欠陥が同時に検出可能となる。
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【課題】半導体ウエハの裏面に被着した薄膜の不良箇所を半導体ウエハの主面側から効率よく検出する技術を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１の裏面に被着された金属膜からなる裏面電極の不良箇所を半導体ウエハ１の主面側から判別する半導体ウエハ検査の際、半導体ウエハ１をその裏面が上に向いた状態で搭載するＸＹステージ１２と、ＸＹステージ１２の上方に設置された目合わせガイド１５と、ＸＹステージ１２の下方に設置され、その先端が前記目合わせガイド１５の真下に配置されたニードル１７と、ＸＹテーブル１１をＸＹ方向に移動させるＸＹ操作レバー１４と、ニードル１７を前記ＸＹ方向に対して垂直なＺ方向に移動させるマーキングレバー１６とを備えたウエハ検査装置３０を用い、裏面に被着された裏面電極の不良箇所に対応する前記半導体ウエハ１の主面にニードル１７の先端で傷を付ける。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝シリコン単結晶においても正確にＯＳＦ検査を行う方法を提供する。
【解決手段】｛１１０｝面を主面とするシリコン単結晶から切り出したスラグもしくはウェーハを使用してＯＳＦを検査する際に、｛１００｝面がそのスラグもしくはウェーハの厚み方向に現れるように方向を選んで劈開し、選択エッチングすることにより｛１１０｝面の代わりにＯＳＦの見やすい｛１００｝面でＯＳＦを検査する。 （もっと読む）

少なくとも１つのウエハ支持体が設けられているウエハ移送アーム（３０）と、ウエハの対向する縁部をつかむように構成される２つのリモートリム（１８、１９）を有するウエハグリッパ（１５）であって、前記グリッパ（１５）はおおよそ水平方向位置とおおよそ垂直方向位置との間でウエハを回転させるために軸上で回転するように取付けられたグリッパと、前記ウエハの一方側および他方側に、おおよそ垂直方向位置で前記ウエハを通る平面に対して対称的に配置された少なくとも２つの検査システムとを備える半導体ウエハ検査装置（１）。 （もっと読む）