【課題】正確にかつ簡便に半導体基板の表面処理工程をモニターできる方法を提供する。
【解決手段】本半導体基板の表面処理のモニター方法は、半導体基板の表面にマーカ１０を形成する工程と、マーカ１０が形成された表面を処理する工程とを備え、表面を処理する工程における表面のマーカ１０の形態の変化により表面を処理する工程をモニターする。 （もっと読む）

【課題】有害なクロムを含有しないクロムレスのエッチング液を用いて、優れた欠陥検出能力でＳＯＩ基板のＳＯＩ層の結晶欠陥を評価することができる結晶欠陥評価方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板を、少なくとも第１の溶液および第２の溶液に浸漬させてＳＯＩ層のエッチングを行い、該ＳＯＩ層の結晶欠陥を光学顕微鏡で観察することにより前記ＳＯＩ基板の結晶欠陥を評価する方法であって、前記第１の溶液をアンモニア過酸化水素水とし、前記第２の溶液をＨＦ溶液とし、前記第１の溶液による前記ＳＯＩ層のエッチング量を、該ＳＯＩ層の残膜厚さが２００ｎｍ以下または浸漬前の膜厚の半分以下とすることを特徴とするＳＯＩ基板の欠陥検出方法。 （もっと読む）

【課題】基板検査装置及び基板検査方法において、基板検査装置のフットプリントを小さくしながら基板検査の自由度を高める。
【解決手段】
基板（Ｗ）のマクロ検査及びミクロ検査を行うための基板検査装置１において、基板（Ｗ）を保持して移動させ、マクロ検査及びミクロ検査の検査中にも基板（Ｗ）を保持するロボットアーム２ａと、光軸（Ｚ軸）に直交する面内において少なくとも１軸方向（Ｘ軸及びＹ軸方向）に移動可能な顕微鏡５とを備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップを基板上に実装し、エンジンの制御ユニット等の電子機器を製造する製造工程において、当該ＩＣチップで静電気放電による絶縁破壊が発生した場合に、その旨を高い確度で検出可能な静電気放電検出素子及び静電気放電検出方法を提供すること。
【解決手段】ＩＣチップをプリント基板上に実装し、エンジンの制御ユニットを製造する製造工程において当該ＩＣチップで静電気放電による絶縁破壊が発生した旨を検出するための静電気放電検出素子１である。この静電気放電検出素子１では、絶縁破壊が発生し易く、且つ、該絶縁破壊が発生した旨を絶縁抵抗試験器５等の機器を用いて確認可能な絶縁破壊部位を故意に設けている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ表面の検査結果はいわゆるウエハ・マップ・データとして表示画面に表示可能な形で電子情報処理システムに格納され、後の処理に活用される。従って、裏面検査の結果もウエハ・マップ・データに反映する必要があるが、欠陥や不良のあった裏面の位置と対応する表面の位置を検査者が判断して当該不良情報をウエハ・マップ上に登録する必要がある。しかし、このような表裏の対応付け作業はウエハの大型化に伴い著しく困難なものになってきている。
【解決手段】本願発明はウエハ・プロセス完成時の外観検査において、ウエハ裏面の不良位置と対応するウエハ表面の位置を自動的に対応させることで、ウエハ裏面の外観不良データのウエハ・マップ・データへの反映を確実にするものである。 （もっと読む）

【課題】製造時に大幅な工程数増加を招くことなく、半導体チップのウェハ面内位置のトレーサビリティを実現する。
【解決手段】半導体ウェハ１に複数の半導体チップ領域５がマトリクス状に配置されている。各半導体チップ領域５は、下地絶縁膜７上に形成された配線パターン及び枠状の配線ダミーパターン９と、下地絶縁膜７、配線パターン及び配線ダミーパターン９よりも上層側に形成された複数層の絶縁膜を備えている。複数層の絶縁膜はＳＯＧ膜１３を含んでいる。半導体ウェハ１の中央部と周縁部で、上方から見て配線ダミーパターン９内のＳＯＧ膜１３の形成領域及び膜厚分布が異なっていることに起因して、上方から見て配線ダミーパターン９内の絶縁膜表面に半導体ウェハの中央部からの距離に応じた色ムラが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 モニタ上に表示された画像に不具合を発見した際にその領域を明確に認識することができ、原因究明等を迅速に且つ適正に行うことである。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を加工する加工手段と、被加工物を撮像する撮像手段と、該撮像手段で撮像した画像を表示する表示手段とを備えた加工装置であって、前記撮像手段は、前記チャックテーブルに保持された被加工物の全体を撮像する全体撮像部と、被加工物の細部を撮像する細部撮像部と、前記全体撮像部で撮像した被加工物の全体画像と前記細部撮像部で撮像した細部画像を前記表示手段上に合成して表示するとともに、被加工物の全体画像に細部画像の位置を表示する画像合成部と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価する方法を提供する。
【解決手段】本発明の包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価する方法は、半導体基板を室温Ｔａｍで包装材料にて包装し、
（１）温度Ｔａｍより昇温して高温度Ｔｈｉで時間ｔｈｉ維持し、
（２）降温して低温度Ｔｌｏｗで時間ｔｌｏｗ維持し、
（３）昇温して室温Ｔａｍで時間ｔａｍ時間維持した後、
半導体基板の表面品質の劣化を検査することを特徴とする。
【効果】本発明の方法により、包装状態での半導体基板の表面品質の劣化の程度を迅速に評価すること、半導体基板の使用前保存期限を推定すること、包装材料の品質の劣化の評価すること、及び劣化因子の同定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】少ない教師サンプルを用いて抽出程度の変化に対する分類性能のロバスト性を確保すること。
【解決手段】画像より欠陥領域を抽出する欠陥領域抽出手段１０１と、前記欠陥領域が抽出されるべき正解カテゴリを入力する操作手段１０４と、正解カテゴリが入力された領域に対し、新たな抽出パラメータを設定する抽出パラメータ設定手段１０８と、前記新たな抽出パラメータを基に欠陥領域を再抽出する欠陥領域抽出手段１０１と、再抽出結果を基に前記欠陥領域に対して抽出程度が異なる複数の教師データを作成する教師データ作成手段１０５と、前記教師データを基に分類を行う分類手段１０７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】観察窓の大きさを大きくしても、ウェハの周縁形状を正確に測定できるウェハ方向検出装置を提供する。
【解決手段】ウェハ１０を支持して回転駆動するウェハ回転手段３０と、ウェハの周縁形状を検出するウェハ周縁検出手段４０と、略箱形状で光線を遮断する素材で構成された遮光手段５０を備えるウェハ方向検出装置２０において、ウェハ周縁検出手段は、互いに向かい合いかつ互いの間にウェハの周縁が存するように配置される投光部４１および受光部４３、ウェハと受光部の間に介在される受光フィルタ４２、テーブル駆動部と投光部を制御する制御部４４を有し、受光フィルタは、投光部が投光する検出光線の波長の範囲の少なくとも一部の範囲を含む第１の範囲の波長の光線のみを透過し、遮光手段は、第１の範囲の波長の光線は遮断するが可視光線の少なくとも一部の範囲を透過する観察窓５１を有し、受光部は、受光フィルタが透過した光線のみを受光する。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を維持するとともに、コストを低減して窒化物半導体結晶を成長させる窒化物半導体結晶の成長方法および窒化物半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶の成長方法は、使用される領域を含む表面を有し、窒化物半導体からなる基板を準備する工程（Ｓ１０）と、ハイドライド気相成長法により、基板の表面上に窒化物半導体結晶を成長させる工程（Ｓ２０）とを備えている。準備する工程（Ｓ１０）では、使用される領域に存在する異物の大きさが１μｍ以上１０μｍ以下であり、使用される領域において異物が覆う面積が使用される領域の面積の０．０１％未満である基板を準備する。 （もっと読む）

【課題】オペレータの負荷を軽減しつつ、不良ダイのマーキング判断を精度良く行う。
【解決手段】基板検査システムでは、ダイ２が複数配置されたウェハ１の表面を目視により概略的に検査して表面不良箇所を検査するマクロ検査部２０と、前記マクロ検査部２０の表面検査結果に基づき、前記ウェハ１の表面を第１の撮像装置４２により詳細に検査して表面不良箇所を検査するミクロ検査部４０と、前記マクロ検査部２０の表面検査結果と前記ミクロ検査部４０の表面検査結果とを所定のダイレイアウト上に記憶するシステムＰＣ５０内の記憶装置と、前記記憶装置の記憶結果と、前記ウェハ１に対する他の欠陥検査装置６２による欠陥検査結果と、前記ウェハ１に対する電気特性の不良箇所の測定結果とを解析して重ね合わせて前記不良箇所に対するマーキングデータ及び／又はインクレスデータを出力するデータ解析装置６３とを有している。 （もっと読む）

【課題】ハンダバンプを介して実装基板との導通を取るタイプのパッケージにおいて、予め、半導体デバイス上の塗膜のクラック等の不具合を簡単に評価できる技術を提供することである。
【解決手段】 膜の耐性を評価する素子であって、基板１と、前記基板１上に設けられた二つ以上のコーナー部を有するメタル部４と、前記メタル部４を被覆する膜３とを具備してなり、前記コーナー部の少なくとも二つが角度は異なっている耐性評価素子。 （もっと読む）

【課題】収納容器の再搬入によるタイムロスを削減することができる基板検査装置を提供する。
【解決手段】キャリア４には複数枚の基板が収納されている。検査部２は、基板の検査が実行される場所に設けられている。ローダー１は、抜き取り条件に従いキャリア４から検査対象のウェハを抜き取って検査部２へ搬送し、検査の終了したウェハを検査部２からキャリア４まで搬送してキャリア４に収納する。ＰＣ３は、検査によってウェハに欠陥が発見された場合に抜き取り条件を変更し、検査を続行する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、複数枚の半導体ウェハを短時間に一括して識別する。
【解決手段】ウェハ治具３に収容された複数枚の半導体ウェハ１をウェハ識別補助装置２によって識別する工程であって、ウェハ治具載置領域７に複数枚の半導体ウェハ１が収容されたウェハ治具３を載置する工程と、載置面４ａと鋭角をなして第一方向Ａに延在するように備えられた接触箇所６ａを有するウェハ押し出し部６によって複数枚の半導体ウェハ１を押し出す工程と、前記工程によって、各々が第一方向Ａに所望の長さだけずれた状態となるように、ウェハガイド部８に押し出された複数枚の半導体ウェハ１において、識別子ＩＤを識別する工程とを含むものである。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査システムおよび方法において、基板の各レイヤーでの欠陥検査で、それより下層レイヤー、すなわち前の製造工程で形成された欠陥が検出される場合でも、下層レイヤーの欠陥を簡素かつ容易に除去し、欠陥検査の効率、精度を向上することができるようにする。
【解決手段】欠陥検査システムは、被検体の欠陥抽出を行って、抽出された欠陥の欠陥情報および位置情報を検査結果として取得する検査部３０と、検査結果を、各検査実行時の直前の製造工程の工程順番情報とともに保存する結果保存部２０と、結果保存部２０に保存された欠陥の位置情報を比較して略同一位置の欠陥を重複欠陥群として検出し、同一被検体内の重複欠陥群において工程順番情報を比較して後工程側の重複欠陥をすべて削除し、検査結果を補正する結果比較部１０を備える。 （もっと読む）

【課題】より容易にプラズマの分布が把握できるようにする。
【解決手段】複数の凹部１０２ｂ，凹部１０２ｃ，凹部１０２ｄ，凹部１０２ｅからなるテストパターン領域を備えたテスト基板１０１を用意する。次に、各凹部が形成されたテスト基板１０１の上に、マスク層１０３が形成された状態とし、加えて、マスク層１０３に複数の開口部１０４が形成された状態とする。テスト基板１０１を用意した後、Ｃ₄Ｆ₈ガスのプラズマにテスト基板１０１を曝し、各開口部１０４の側面，領域１０２ａの表面，凹部１０２ｂの底部１０５ｂと側壁１０６ｂ，凹部１０２ｃの底部１０５ｃと側壁１０６ｃ，凹部１０２ｄの一部の底部１０５ｄ，凹部１０２ｅの一部の底部１０５ｅに、保護膜（堆積物）１１０が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】基板搬送に要する時間を短縮化する。
【解決手段】ウェハＷを搬送する基板搬送装置であるウェハ搬送装置３０は、回転軸３１を中心に３つの搬送アーム３２が放射状に延設されている。搬送アーム３２にはウェハＷを保持するハンド３３が設けられており、ハンド本体３５に貫通された孔３７を覆うように固定部３８が取り付けられている。搬送アーム３２を下降させて孔３７にピン４２を挿入させると、固定部３８がピン４２に押されてウェハＷから退避する。搬送アーム３２を上昇させると、ピン４２が抜けて固定部３８がウェハＷを位置決めして保持する。 （もっと読む）

【課題】絶対的なモデル画像を必要とすることなく、誤検出を防ぎながら高精度かつ効率的にＭＥＭＳデバイスの欠陥を検出すること。
【解決手段】欠陥検出装置１００は、ウェハ１の各ダイ３０に形成されたプロテインチップ３５を、各ダイが複数に分割された第１分割領域７１毎にそれぞれ撮像して、各第１分割領域７１を識別するＩＤとともに検査対象画像として保存し、各検査対象画像に対してハイパスフィルタを施して低周波成分を除去した後、対応するＩＤを有する各検査対象画像の各画素毎の平均輝度値を算出して各第１分割領域７１毎のモデル画像を作成し、モデル画像と各検査対象画像との差分を差分画像として抽出した後、各差分画像に対してＢｌｏｂ抽出によるフィルタリングを施して所定面積以上のＢｌｏｂを欠陥として抽出し、抽出されたＢｌｏｂの特徴量を基に欠陥の種類を分類する。 （もっと読む）

【課題】絶対的なモデル画像を必要とすることなく、高精度かつ効率的にＭＥＭＳデバイスの欠陥を検出するとともに、欠陥の種類を正確に分別すること。
【解決手段】欠陥検出装置１００は、ウェハ１の各ダイ３０に形成されたプロテインチップ３５を、各ダイが複数に分割された第１分割領域７１毎に低倍率で撮像して、各第１分割領域７１を識別するＩＤとともに検査対象画像として保存し、対応するＩＤを有する各検査対象画像の各画素毎の平均輝度値を算出して各第１分割領域７１毎のモデル画像を作成し、モデル画像と各検査対象画像との差分を差分画像として抽出した後、各差分画像に対してＢｌｏｂ抽出を行ない所定面積以上のＢｌｏｂを抽出して欠陥の有無を判断し、更に、欠陥が有る場合には第１分割領域７１を更に分割した第２分割領域７２毎に高倍率で撮像し、再度モデル画像を作成してＢｌｏｂを抽出し、欠陥の特徴点を基に欠陥の種類を分別する。 （もっと読む）