【課題】 欠陥強調突起部の形成に基づいて結晶欠陥を高精度に検出できるとともに、結晶欠陥の種別の特定も可能な結晶欠陥の評価方法を提供する。
【解決手段】 欠陥強調突起部の頂面部をレーザー散乱式検出装置にて検出し、その検出された頂面部の寸法情報により結晶欠陥の種別を識別する。結晶欠陥の基板上での形成状態や分布の情報を欠陥種別の情報と合わせて把握することができ、基板の品質評価や製造工程管理等へのフィードバックも有効に図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程における欠陥検出検査を高精度で行うことが可能な半導体検査装置及び半導体検査方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の形成される被検査半導体基板１の露出した導電体層の表面に、窒素を含む反応層を形成する手段と、前記被検査半導体基板における前記半導体素子内の位置に対応する電気的特性の情報を取得する手段と、前記電気的特性情報に基づき選択された領域における外観検査を行う手段を備える。 （もっと読む）

【課題】高品質のウェーハについても結晶欠陥以外の箇所への銅の析出を防いで高い信頼性で検査することができる銅析出法によるウェーハ検査方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの表面に絶縁膜を形成し、絶縁膜側に銅イオンを含むメタノール液を介在させて電極間に配置し、電極間に電圧を印加することによりウェーハ表面の欠陥部位に銅を析出させる。この際、まず絶縁膜側が負電位となるような電圧を印加することによりウェーハ表面の欠陥部位の酸化膜に絶縁破壊を生じさせ、その後、絶縁膜側が正電位となるような電圧を印加して、絶縁破壊した箇所に銅を析出させる。
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【課題】フォトリソグラフィ工程後にエッチング処理が施された基板において、パターンの線幅（ＣＤ）とサイドウォールアングル（ＳＷＡ）とを夫々、前記基板面内で均一に形成すること。
【解決手段】現像処理後に基板に形成されたレジストパターンの状態を測定検査し第一の検査結果を出力すると共に、エッチング処理後に基板に形成されたパターンの状態を測定検査し第二の検査結果を出力する検査装置４００と、前記第一の検査結果と前記第二の検査結果から求められた相関式を記録した記憶手段５０２と、前記相関式に基づき、前記エッチング処理後のパターン状態の目標値から前記現像処理後のパターン状態の目標値を求め、前記現像処理後のパターン状態の目標値と前記第一の検査結果との差分に基づいて、前記第一の加熱処理及び／または前記第二の加熱処理での条件設定を行う制御部５００とを備える。 （もっと読む）

【課題】FIBによる断面加工や薄片加工に先立って行なわれていたFIBAD膜による試料表面平坦化作業を行なうこと無く、試料表面にFIB照射損傷を与えることなく、SEM試料やSTEM試料を作製する。
【解決手段】試料加工の際に試料表面に作製していた集束イオンビームアシストデポジション（FIBAD）膜の代わりに、対象試料とは別の微小な薄膜の薄板を加工位置に移設固定して保護膜とする。 （もっと読む）

【課題】半導体インゴットから半導体ウエーハを製造する際、所望の品質の半導体ウエーハを確実に製造することができる方法及びシステムを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により半導体インゴットを育成し、該インゴットから半導体ウエーハを製造する方法において、前記半導体インゴットの成長軸に沿って該インゴットの直径及び／又は引上げ速度に係る操業データをコンピュータ１４に取り込み（Ｓ３）、前記インゴットの直径及び／又は引上げ速度に係る前記操業データと目標値との差が所定の値以上となった場合は少なくとも当該所定の値以上となった位置で切断するように切断位置を決定し（Ｓ４，Ｓ５）、少なくとも前記切断位置において成長軸に垂直な方向に前記インゴットを切断してブロックに分け（Ｓ６）、該ブロックをスライスして半導体ウエーハにする。 （もっと読む）

【課題】従来の欠点を解消した、対象物のパターンの高さを測定する方法及び同方法を実施するための装置を提供することを課題とする。
【解決手段】少なくとも一つの対象波長のための対象伝搬モードを有する入射光を、対象物（１４）の表面（１８）によって反射させる。その反射光は、少なくとも一つのパターン（５）によって分割成分（１６，１７）にされる、光の分割波面を有している。この方法は、次に、反射光（７）を集光して、その集光した光をフィルタリングし、対象波長のために、分割成分間の位相差に関するデータを抽出することを含んでいる。この方法によって、表面が構造化されて光を反射する対象物上のパターン、特に、シリコンウェーハ上のパターンの高さを測定することが可能になる。この測定方法は、例えば、深堀りプラズマエッチング中にパターンのエッチングをインサイチュ及びリアルタイムでモニターすることを可能にさせる。

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【課題】ＦＴ−ＩＲ法によるシリコン結晶中の炭素濃度の測定において、カーボン赤外吸収ピーク近傍のベースラインを水平化し、簡便に特定することができ、低濃度であっても、より正確に測定することができるシリコン結晶中の炭素濃度測定方法を提供する。
【解決手段】被測定シリコン結晶が、ｎ型であり、抵抗率が１．５Ωｃｍ以上の場合は、両面ミラー研磨加工、１．０Ωｃｍ以上１．５Ωｃｍ未満の場合は、片面アルカリエッチング、０．５Ωｃｍ以上１．０Ωｃｍ未満の場合は、両面アルカリエッチングを施し、また、前記被測定シリコン結晶が、ｐ型であり、抵抗率が２０Ωｃｍ以上の場合は、両面ミラー研磨加工、１．５Ωｃｍ以上２０Ωｃｍ未満の場合は、片面アルカリエッチング、１．０Ωｃｍ以上１．５Ωｃｍ未満の場合は、両面アルカリエッチングを施し、エッチング面の反射率が３５％以上４５％以下となるように、サンプルの表面形状を制御する。 （もっと読む）

【課題】 基準直線に対してメサ方向が適切な方向であるか否かを短時間且つ非破壊で検査することができる基板検査装置及び基板検査方法を提供する。
【解決手段】 基板検査装置１０は、円弧状の縁Ｅを有する化合物半導体基板Ｗの縁に設けられたオリエンテーションフラットＯＦの位置を検出するＬＥＤセンサ２と、化合物半導体基板Ｗの表面Ｓにエッチングにより形成された複数のパターンＰを撮像する撮像部４と、撮像部４から得られる画像を用いてメサ方向Ｄｍを決定すると共に、化合物半導体基板Ｗの中心ＯとオリエンテーションフラットＯＦの位置Ａとを結ぶ基準直線Ｌと、決定されたメサ方向Ｄｍとのなす角θを算出する解析部６とを備える。 （もっと読む）

【課題】
電子顕微鏡を用いずに銀を用いた反射電極の微小な欠陥の観察を簡易な光学顕微鏡等により実現するための手段を提供することにある。
【解決手段】
基板上にｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層をこの順序で含み、負極および正極がそれぞれｎ型半導体層およびｐ型半導体層に接して設けられており、該正極が少なくともコンタクトメタル層と、少なくともＡｇを成分として含む金属乃至合金からなっている反射層と、コンタクトメタル層および反射層の上面および側面全面を覆う様に設けられたＡｇを成分として含まない保護金属層を備える半導体発光素子の製造方法である。この方法において、発光素子を保護金属層に対しては侵食せず、Ａｇに対しては侵食作用を有する工程に曝し、発光素子の欠陥を検出する工程を設けたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 プローブシート等のディップ方式によるめっき方法で、めっき液への型材からの溶出成分の除去を行う。
【解決手段】 プローブシートに形成する接触端子を、ディップ方式によるめっきで形成するに際して、型材からめっき溶液に溶出する揮発性不純物、不揮発性不純物を、めっき溶液内から除去しながらめっきを行う。例えば、揮発性不純物の除去には、プローブシートを型材と共にウエハホルダ１５５にセットし、貯液温調槽１６４のめっき液１６３を蓋をすることなく加熱させて行う。 （もっと読む）

【課題】
シリコンウェーハのライフタイムを測定するに際し、長時間にわたり表面再結合を抑制するためのパッシベーション効果を持続して測定する方法を提供する。
【解決手段】
シリコンウェーハをマイクロ波光導電減衰法によりライフタイムを測定する方法において、表面再結合を抑制するためにケミカルパシベーション処理し、シリコンウェーハ表面に帯電した電荷を一定状態に維持する。 （もっと読む）

【課題】水銀プローブ法により測定されるシリコンウェーハの電気的特性からシリコンウェーハの品質を評価する際に、ウェーハの電気的特性を高い信頼性をもって効率的に測定する手段を提供すること。
【解決手段】水銀プローブ法を用いてシリコンウェーハの品質を評価する方法。少なくとも弗酸処理からシリコンウェーハ表面と水銀を接触させるまでの間、前記ウェーハを、実質的にウェーハ表面に自然酸化膜が形成されない環境下におく。水銀プローブ法を用いてシリコンウェーハの面内複数点の測定を行いシリコンウェーハの品質を評価する方法。少なくとも前記測定を、実質的にウェーハ表面に自然酸化膜が形成されない環境下にて行う。水銀プローブ法を用いて複数のシリコンウェーハの品質を評価する方法。弗酸処理を施した複数のシリコンウェーハを、実質的にウェーハ表面に自然酸化膜が形成されない環境下に保管し、前記保管された複数のシリコンウェーハを順次、前記測定に付す。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層およびSOI層の品質を高い信頼性をもって評価すること。
【解決手段】基板上にエピタキシャル層を有するシリコンウェーハにおいて、前記エピタキシャル層の品質を再結合ライフタイムを求めることによって評価する。基板上に酸化膜層とSOI層をこの順に有するシリコンウェーハにおいて、前記SOI層の品質を再結合ライフタイムを求めることによって評価する。エピタキシャル層またはSOI層の再結合ライフタイムを、前記ウェーハに対して第一の表面不活性化処理を行った後に測定される第一の再結合ライフタイムと、前記第一の再結合ライフタイム測定後のウェーハに対して第二の表面不活性化処理を行った後に測定される第二の再結合ライフタイムを用いて求める。 （もっと読む）

【課題】 製品不良の原因となる開口不良を感度よく検出することが可能な、開口不良の評価方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体基板１上に設けられた第１の絶縁膜２に形成され、かつ少なくとも１つの接続孔を有する接続孔パターンの開口不良を評価する方法であって、接続孔パターンを半導体基板１に転写する転写工程と、転写工程後に第１の絶縁膜２を除去する除去工程と、転写工程にて接続孔パターンが転写された場合に、開口不良がない正常接続孔３であると判定する一方、接続孔パターンが転写されない場合には、開口不良が生じた不良接続孔４である判定する判定工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】デバイスで主に使用される基板の表面付近の欠陥情報を、直接的に表現することのできる簡便な測定方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造された半導体シリコン基板の表面にある欠陥を測定する方法であって、前記半導体シリコン基板に対してエッチング作用を持つ雰囲気ガス下において、１１００℃以上融点未満の温度で１０分以上４時間以下の熱処理を前記半導体シリコン基板に施すことによって、該半導体シリコン基板の表面にある欠陥をエッチングしてピットを形成し、その後、該ピットを計測することにより、前記半導体シリコン基板の表面の欠陥を測定する半導体基板の測定方法。 （もっと読む）

【課題】 最上層を検査する装置条件（検査条件）を容易に設定可能な表面検査装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る表面検査装置１は、ウェハ１００に照明光を照射する照明機構部１０と、照明光が照射されたウェハ１００の像を撮像する撮像機構部１９と、ウェハ１００の表面の一部を変化させる溶剤供給手段３０と、ウェハ１００において溶剤供給手段３０により変化した部分を撮像可能な条件で撮像したウェハ１００の画像からウェハ１００を検査する画像処理検査装置２５とを有している。 （もっと読む）

【課題】 例えば、光学式の結晶欠陥装置により定量測定した結晶欠陥数の選択エッチング処理以外で生じたノイズ成分を低減することが可能な半導体ウェーハの検査方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体ウェーハの検査方法は、半導体ウェーハの素子構造膜を薬液により剥離して半導体ウェーハの結晶表面を露出し（ステップＳ１）、水洗・乾燥し（ステップＳ２）、マスク材により半導体ウェーハの保護領域を被覆し（ステップＳ３）、非保護領域の結晶欠陥を表出させるように、半導体ウェーハを選択エッチングし（ステップＳ４）、マスク材を除去し（ステップＳ５）、洗浄処理の後（ステップＳ６）、保護領域および非保護領域を、光学式欠陥検査装置またはビーム式欠陥検査装置によりそれぞれ定量測定し（ステップＳ７）、この測定結果に基づいて、半導体ウェーハの結晶欠陥数を算出する（ステップＳ８）。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウェーハの電気特性を測定するに際し、長時間にわたり表面再結合を抑制するためのパッシベーション効果を持続して測定する方法を提供する。
【解決手段】
表面再結合を抑制するためのパシベーションを実施して半導体ウェーハのライフタイムを測定する方法において、半導体ウェーハ表面の自然酸化膜をフッ酸で除去し純水リンス洗浄を施した半導体ウェーハを窒素雰囲気下において反射マイクロ波光導電減衰法を用いる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの周辺部の分析面積を拡大しないようにして、シリコンウェーハ周辺部を必要な範囲に限定して分析でき、しかもシリコンウェーハ周辺部を表面から数十nｍ〜数μｍの深さで複数回エッチングすることによって、シリコンウェーハ周辺部の深さ方向の分析も行うことが出来るようにしたシリコンウェーハ周辺部の分析方法を得ようとすることである。
【解決手段】シリコンウェーハ周辺部のエッチングを１回または複数回行ってこの部分を分析する方法であって、シリコンウェーハの周辺部のエッチングを行う前或いは複数回行うエッチングの間に、シリコンウェーハ周辺部にフッ酸蒸気を吹き付けてシリコンウェーハ周面の酸化膜を分解してこの部分を疎水性とし、その後、シリコンウェーハの周辺部表層をエッチング液に一回または複数回浸漬してその都度エッチング液を回収し、このエッチング液を高周波誘導結合プラズマ質量分析装置又は原子吸光分析装置で分析してシリコンウェーハの周辺部の所定の範囲の深さ方向の不純物濃度を分析するシリコンウェーハ周辺部の分析方法である。 （もっと読む）