【課題】半導体ウェーハの特性を高精度かつ簡便に評価し得る手段を提供すること。
【解決手段】被蒸着面上に蒸着パターンを形成するための蒸着用マスク。少なくとも１つの開口を有し、かつ、絶縁性材料からなるマスク基材の一方の面に接着性層を有し、他方の面に一層以上の絶縁性層または金属層を、該基材と剥離可能に有する。前記蒸着用マスクを、蒸着用マスクが有する接着性層を介して被蒸着面と貼り合わせた後、被蒸着面に蒸着処理を施す蒸着パターン作製方法。前記マスクを使用する半導体ウェーハ評価用試料の作製方法。前記方法によって半導体ウェーハ表面上に金属パターンを作製し、半導体ウェーハ上の蒸着用マスク最表面にマスク基材表面を露出させた後、作製された金属パターンを介して半導体ウェーハの電気的特性を測定する半導体ウェーハの評価方法。前記評価方法を使用する半導体ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】１枚の半導体ウエハで、半導体ウエハの表裏両面に付着している金属不純物を収集することを目的とする。
【解決手段】基板面に処理液を滴下し、処理液を回収することにより、基板面に付着している不純物を収集する基板処理装置であって、基板の第１の面を上方に向けて基板が載置される固定部と、基板に処理液を滴下する滴下部と、基板の第１の面を吸着し、基板を上方から保持する保持部と、保持部を垂直面で回転し、基板の第１の面に対する裏面を上方に向ける回転部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】イオン注入量が比較的少なく、イオン注入深さもごく浅い場合でも、イオン注入量を高い精度で求める。
【解決手段】それぞれ異なる複数の材質が積層されて構成されており、前記イオンが注入される最表面層の材質をウエットエッチングすることが可能な薬液に対し、前記複数の材質のうち前記最表面層の材質以外の材質が耐性を有する対象基板を用意し、前記薬液を用いて前記最表面層を選択的にエッチングし、注入された前記イオンを含む前記最表面層の成分が混入したエッチング後薬液を回収し、原子吸光分析または誘導結合プラズマ質量分析のいずれかによって、前記対象基板へ注入されたイオンの量として、回収した前記エッチング後薬液に含まれる前記イオンの量を測定する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板中の微量元素を、酸素雰囲気ではない状態で、深さ方向の分解能を高くかつ短い測定時間で、酸素イオンを一次入射イオンとするＳＩＭＳにより深さ方向の元素分布の分析を行う。
【解決手段】入射エネルギーをパラメータとして試料表面粗さ、および／または減衰深さを、一次イオン入射角度を変化させて測定し、入射エネルギー領域が高い領域の範囲において、かつその範囲で試料表面粗さ、および／または減衰深さが極小値をもつ入射角度範囲を見出し、その条件下でＳＩＭＳの測定を行う。 （もっと読む）

【課題】少なくとも、Ｎ領域のＮ（Ｖ）領域とＮ（Ｉ）領域を、簡単かつ時間をかけずに正確に判定することができるシリコン単結晶ウエーハの評価方法、およびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法を用いて作製したシリコン単結晶ウエーハの品質を評価する方法であって、少なくとも、前記シリコン単結晶ウエーハを酸化性雰囲気下で熱処理した後、選択エッチングにより浅いエッチピット（シャローピット）を形成し、該形成したエッチピットから、少なくとも、無欠陥領域のＮ（Ｖ）領域、Ｎ（Ｉ）領域を判別するシリコン単結晶ウエーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】厚さが薄い半導体基板や表面処理を施していない基板についても評価を行うことができ、大量の太陽電池用半導体基板を短時間で評価することが可能であって、しかも太陽電池等の製造工程におけるインライン検査として利用可能な、半導体基板の評価方法を提供する。
【解決手段】容器に満たされたエッチング液中に半導体基板を浸漬する工程、エッチング液中に浸漬されている半導体基板に対し、エッチング液を介して光を照射して、半導体基板によりフォトルミネッセンス光を放出させる工程、及び放出されたフォトルミネッセンス光を観察する工程を含む、半導体基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】 複数の機能ブロックを有する半導体集積回路において、各機能ブロックの入出力特性を測定できる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】
絶縁膜を介して対向する第１の金属膜３０と第２の金属膜４０とで形成された容量素子１００と、第１の金属膜３０と第２の金属膜４０のうちの一方と出力端が接続され、シリコン基板１１０に形成された第１の回路（増幅器１０）と、第１の金属膜３０と第２の金属膜４０のうちの他方と入力端が接続され、シリコン基板１１０に形成された第２の回路（周波数変換器２０）とを備えた半導体集積回路において、第２の金属膜４０を、シリコン基板１１０上に形成される複数の金属層の中で最も離れた金属層に形成した。このような構成をとることにより、複数の機能ブロックを有する半導体集積回路において、一部の機能ブロックの入出力特性を測定することが可能となった。 （もっと読む）

【課題】引出配線の形成と基板との接合を同時に行い、かつ試料と基板の平行性を保持する引出配線の形成方法及びこの形成方法を適用した走査型プローブ顕微鏡用試料の作成方法を提供する。
【解決手段】試料１１と透明基板１３との間に、導電性物質を混合した光反応性樹脂又は熱反応性樹脂を含む導電剤層１２を形成し、透明基板１３側から導電剤層１２に光を照射して硬化させて試料１１と透明基板１３とを固着させ、未硬化部分を除去して引出配線１７を形成する。必要な配線箇所にのみ光を照射して引出配線１７を形成することができるので、引出配線１７の形成後に不必要な部分を除去し、後工程で透明な樹脂を充填することができるので、測定時に裏面から光を照射することによって測定する箇所を容易に確認することもできる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ表面又はその近傍に存在する汚染または意図的に存在せしめた金属を迅速かつ高精度で分析するための方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ表面のシリコン層を所定の深さまでエッチングするに際して、シリコン酸化性ガスとＨＦガスとをノズルの先端からシリコンウェハ表面に吹き付けてエッチングすることにより、エッチング位置やエッチング深さの制御をするとともに迅速にエッチングすることが可能。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ等のデバイス特性を精確に予測、制御し、特定部位の不良解析を行う、微細な半導体デバイスの半導体基板内のＰＮ接合位置を検出する方法を提供する。
【解決手段】本発明の接合位置の検出方法は、半導体基板にて、Ｐ型不純物領域と、Ｎ型不純物領域との接合位置を検出する方法であり、観察対象の断面を露出させてサンプルを作成する断面露出工程と、断面を洗浄処理する断面処理工程と、断面に遷移金属を堆積させる堆積工程と、サンプルを加熱し、断面の半導体と遷移金属との合金を形成する第１熱処理工程と、過酸化水素水を含む溶液に、サンプルを浸漬する第１浸漬工程と、第１浸漬工程後にサンプルを加熱し、合金化反応を促進する第２熱処理工程と、フッ酸を含む溶液に、サンプルを浸漬し、合金をエッチングする第の浸漬工程と、Ｐ型不純物領域とＮ型不純物領域との合金のエッチング状態を観察し、接合界面を検出する検出工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ等のデバイス特性を精確に予測、制御し、特定部位の不良解析を行うことが可能な、微細な半導体デバイスにおける半導体基板内の冶金学的なＰＮ接合位置を検出する方法を提供する。
【解決手段】本発明の接合位置の検出方法は、半導体基板においてＰ型不純物がドーピングされたＰ型不純物領域と、Ｎ型不純物がドーピングされたＮ型不純物領域との接合位置を検出する方法であり、半導体基板から観察対象となる断面を露出させる断面露出工程と、該断面の洗浄処理を行う断面処理工程と、断面にシリサイドを堆積させる堆積工程と、該シリサイドのグレインサイズを観察することにより、接合界面を検出する検出工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶の表面の螺旋転位、混合転位および刃状転位の各種転位の種別ごとにその転位密度が正確に測定できるＩＩＩ族窒化物結晶の評価方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の評価方法は、エッチングによりＩＩＩ族窒化物結晶１０の表面１０ｓにエッチピット１１ｐ，１２ｐ，１３ｐを形成させて、エッチピット１１ｐ，１２ｐ，１３ｐが形成された表面１０ｓをカソードルミネッセンスにより観察することにより、表面１０ｓの螺旋転位密度、混合転位密度および刃状転位密度を測定する。 （もっと読む）

【課題】 基板を検査する目的で基板に液滴を付着させてた後でその液滴を回収するための回収治具と基板処理装置と基板処理方法とを提供しようとする。
【解決手段】
従来の基板を検査する目的で基板に液滴を付着させ相対移動させるための基板処理装置にかわって、液滴を貯留可能な内部空間と該内部空間と下端部に位置する開口とを連通する貫通孔とを設けられ上下方向に沿った軸心を持つ筒状部を有する回収治具と、前記内部空間から露出した液滴を基板に付着させた状態で前記回収治具を基板の面に沿って相対移動させることをできる移動機構と、を備え、前記開口の大きさが所定の量の液滴を前記内部空間に貯留させて前記回収治具を宙に支えた際に液滴が前記開口から垂れるが落ちない寸法をもつものとした。 （もっと読む）

【課題】太陽電池を製造する際にウェハを評価する方法およびその装置を提供する。
【解決手段】本発明は、太陽電池を製造する際にウェハ（１）を評価する方法であって、ａ）ウェハ（１）を準備し、そのウェハ（１）を用いて１つまたは複数の太陽電池を製造する製造工程を実施する工程と；ｂ）前記製造工程の間にウェハ（１）に対して湿式化学工程を実施して、この湿式化学工程により、ウェハ（１）内の荷電粒子の寿命に対するウェハ表面の影響を低減させる工程と；ｃ）湿式化学工程中にまたは湿式化学工程後に、ウェハ（１）内に荷電粒子を生成するための光をウェハ（１）に照射する工程と； ｄ）前記ステップｃ）で生成された荷電粒子の寿命を判定する工程と；そしてｅ）前記ステップｄ）で判定された寿命に応じて、ウェハ（１）を評価する工程と；を含む方法、およびその装置である。 （もっと読む）

【課題】
シリコンウェーハ表面上の珪素を効率よく脱離することができるシリコンウェーハ表面の珪素脱離方法、この珪素脱離方法を適用することにより採取した液体サンプル中のシリコン含有量を低く抑えることができるようにしたシリコンウェーハ表層下領域の液体サンプル採取方法、及びこの採取方法により採取した液体サンプルを用いて分析することにより分析感度を向上させ高感度で安定した分析が行えるようにしたシリコンウェーハ表層下領域の金属不純物分析方法を提供する。
【解決手段】
ＨＦ溶液、ＨＮＯ₃溶液及びＨ₂ＯのそれぞれをＮ₂ガスでバブリングする工程と、シリコンウェーハを収納したチャンバー内に前記それぞれの溶液の揮発蒸気を含んだＮ₂ガスを導入し当該シリコンウェーハをエッチングする工程と、前記エッチングされたシリコンウェーハをＮ₂ガスでブローすることにより前記シリコンウェーハ表面上の珪素を蒸発する工程と、を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ基板およびＳｉＧｅ基板用のクロムを含まないエッチング液、このエッチング液を使用して欠陥を明らかにする方法、およびこのエッチング液を使用してＳｉ基板およびＳｉＧｅ基板を処理するプロセスを提供する。
【解決手段】 本発明は、本明細書で開示されたようなエッチング液を用いて半導体表面を処理する方法だけでなく、シリコンゲルマニウム表面を含んだ半導体表面の欠陥を特徴付けるのに適した新規なエッチング液に関する。この新規なエッチング液は、クロムを含まず、きわめて十分なエッチング速度およびきわめて満足のいくエッチング結果を可能にする。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面、特にシリコンウエハ上の欠陥を特徴付ける方法、シリコン表面をエッチング液で処理する方法、およびそれに用いるエッチング液を提供する。
【解決手段】ＨＦ、ＨＮＯ3、酢酸、臭化アルカリおよび臭素酸アルカリを含むエッチング液で処理するものであり、特に臭化アルカリおよび前記臭素酸アルカリは、臭化ナトリウムおよび臭素酸ナトリウムであり、又ＨＦ／ＨＮＯ3は、１：１から１：１５のモル比であり、臭化物および臭素酸塩は、５：１のモル比で存在し、ＨＦ／酢酸は、１：５から１：１５のモル比である。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１枚のウェーハから得られる複数の半導体装置の特性のばらつきを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハに設けられた複数の半導体層のすくなくともいずれかの物理量のウェーハ面内分布を測定する工程と、前記測定した前記物理量の前記ウェーハ面内分布に基づき、前記複数の半導体層の前記少なくともいずれかについてのエッチング量のウェーハ面内分布を決定する工程と、前記決定した前記エッチング量のウェーハ面内分布に基づき、前記複数の半導体層の前記少なくともいずれかを前記ウェーハ面内で局所的に異なるエッチング量となるようにエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】煩雑な工程を経ることなく、検査用接触子を所望する形状に加工することができるとともに簡単に大量の検査用接触子を製造することができる検査用接触子の製造方法を提供する。
【解決手段】検査対象物に接触して検査対象物の電気的特性を検出するための検査用接触子（１）を電解研磨により製造する検査用接触子の製造方法であって、線状に形成される線材（１１）と、電解研磨に対する耐性を有する素材により形成され、線材の所定部位の表面を被覆する被覆部（１２）とを有する検査用接触子（１）を、電解液に浸漬して電解研磨するようになっている。 （もっと読む）

【課題】マスク製造工程の際に、マスクパターンを配置する空間においてコンタミネーションを防止することができる、マスクパターン等のパターンを計測するための計測方法及びそのための装置を提供する。
【解決手段】 基板１、クロム膜２上に形成されたレジストパターン３を荷電粒子ビームによって計測する際に、ＨＦ，ＣｌＦ３，ＮＦ３，ＳｉＦ４，ＷＦ６，ＸｅＦ２等のフッ素ガスを試料室内部に注入して、パターン３の表面に導電性のフッ素化合物膜４を成膜し、荷電粒子ビームによって、フッ素化合物膜４が成膜されたパターン３を計測する。 （もっと読む）