【課題】マイクロ波光導電減衰法によりシリコンウェーハのキャリアライフタイムを測定する際に、不純物等による影響を受けることなく、シリコンウェーハ表面全面にわたって、ケミカルパッシベーション効果を、簡便かつ安定的に保持し、正確なキャリアライフタイム測定が可能となるシリコンウェーハのキャリアライフタイム測定方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１をフッ化水素酸溶液に浸漬してケミカルパッシベーション処理を行った後、該シリコンウェーハ１を測定ステージ２に載置し、前記シリコンウェーハ１表面と３ｍｍ以上５０ｍｍ以下の間隔Ｓをあけた位置で、かつ、マイクロ波およびレーザ４の非照射部分に、前記測定時にマイナスに帯電する物質５を配置して、シリコンウェーハ表面に帯電した電荷を一定状態に維持してキャリアライフタイムを測定する。 （もっと読む）

【課題】配線の信頼性試験で検出された不良配線の短絡箇所を、ボルテージコントラスト法により、短時間に確実に特定できる方法を提供する。
【解決手段】多数の第１の並列配線領域が第１の接続領域で接続された一方の（櫛歯状）配線１１と、多数の第２の並列配線領域が第２の接続領域で接続された他方の（櫛歯状）配線１２とを、第１と第２の並列配線領域が対向する配置で、絶縁膜に埋め込まれた状態で形成し、第１の並列配線領域と第２の並列配線領域との間の絶縁膜の信頼性試験を行い、短絡を生じさせ、一方の（櫛歯状）配線１１と他方の（櫛歯状）配線１２のいずれか一方の接続領域を除去ないし断線させ、ボルテージコントラスト法の観察を行ない、並列配線領域間短絡箇所を特定する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入によって形成されたダメージ層を欠陥層とする熱処理の進行状況を、シリコンウエーハを破壊することなく、また短時間で容易に評価する、つまりゲッタリング能力を十分に有しているかどうかを容易に評価することのできるシリコンウエーハの評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエーハの一方の表面からイオン注入することによって形成されたダメージ層を欠陥層とするための熱処理をした後に、前記シリコンウエーハの前記欠陥層の状態を評価するための評価方法であって、前記熱処理後に、前記シリコンウエーハのイオン注入を行った側の表面にＸ線回折法を用いてロッキングカーブを測定し、該ロッキングカーブの回折強度のピークの角度から０．００１°以上高角側及び低角側の積分強度を求め、該積分強度を用いて前記ダメージ層が前記欠陥層へどの程度変化したかを評価することを特徴とするシリコンウエーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁膜を含む層の境界を明確に判別可能とすることができる試料作製方法および試料作製装置を提供する。
【解決手段】有機絶縁膜と他の絶縁膜とが積層されてなる試料Ｗａに対して集束イオンビーム２０Ａを照射して試料の断面を露出させる断面露出工程と、断面に対して水または水蒸気を供給しつつ、集束イオンビームを照射して断面の各膜が判別可能となるように処理する断面処理工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ等の半導体用ウエハの電気的特性を適切に評価すること。
【解決手段】ロットＰＬから任意に選択されたシリコンウエハ１について（Ｓ１）、Ｉ−Ｖ特性を測定し（Ｓ２，Ｓ３）、測定値６と基準値７とが一致するか否かを判定する（Ｓ４）。一致の場合は良品であるから出荷工程に送られる（Ｓ６）。不一致の場合は、犠牲酸化膜の成長及びその除去等を行うことにより、シリコンウエハ１に付着した不純物を取り除く。同一ロットＰＬ内の別のシリコンウエハ１について再びＩ−Ｖ測定を行い、測定値６と基準値７とが一致するか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】ダイボンディング工程などの実装工程において、良品、不良品の識別が容易な半導体装置の製造方法およびウェハを提供する。
【解決手段】表面に回路素子を形成したウェハ１の少なくとも外周部を露出するようにレジスト膜を形成し、混酸を用いてエッチング処理することにより、ウェハ１の不良チップ領域にある外周側のチップ３ａの少なくとも表面を多孔質とし、ウェハ内側のチップ３ｂの表面よりも低反射率の領域とする。低反射率領域は、この他にめっき層の形成による方法もある。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の不純物分析をするために、基板の主表面をエッチングして基板を処理するときのエッチングの精度を向上し、高感度にシリコン基板の不純物を分析することができる基板処理装置およびシリコン基板の不純物分析方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板の不純物の分析に用いる基板処理装置であって、少なくとも、被処理基板を保持するステージと、エッチング溶液を貯留する容器と、前記エッチング溶液の蒸気を前記基板の主表面に局所的に噴射するノズルと、前記ノズルを前記基板の主表面に沿って移動する移動機構と、前記容器から前記ノズルに前記エッチング溶液の蒸気を供給するエッチングガス供給管とを備え、前記ノズルおよび／または前記エッチングガス供給管の外側周囲に前記エッチング溶液の蒸気を加熱するヒーターが設置されているものであることを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ検査における評価の安定性・再現性向上を図る。
【解決手段】上部及び下部電極１０，１２を有する銅の析出装置内に、表面絶縁膜３４を形成したウェーハ３０を装着して、析出装置内に銅イオンを含むメタノール溶液Ｍを注入し、上部及び下部電極１０，１２に外部電圧を印加し、ウェーハ３０の欠陥部位３５上に銅を析出させる銅析出法において、
メタノール溶液Ｍの上部電極１２−下部電極１０間における抵抗値Ｒｍを所定の値に設定した状態で銅析出処理をおこなう。 （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜のＧＯＩ特性を改善した半導体ウエーハ及び半導体ウエーハの製造方法並びにＧＯＩの劣化がないことをＴＤＤＢ法などに比べて容易に評価することのできる評価方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶インゴットを育成する工程と、該シリコン単結晶インゴットをスライスしてウエーハを作製する工程と、該スライスしたウエーハにラッピング、エッチング、研磨のうち少なくとも１つを行う工程と、該ウエーハの表面ラフネスを測定する工程と、前記測定した表面ラフネスの一番強度の強い表面ラフネス周期の波長を求め、前記ゲート酸化膜の厚さが前記測定した表面ラフネスの一番強度の強い表面ラフネス周期の波長に対して１／４以上の関係となる表面ラフネスを有するウエーハを合格と判定して選別する工程とを有することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面での再結合を従来より抑制することによって、基板中の金属不純物濃度を高感度で正確に評価することのできるシリコン基板の評価方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波光導電減衰法少数キャリアライフタイム法により、シリコン基板の金属汚染を評価する方法であって、前記シリコン基板の表面にケミカルパッシベーション法によりパッシベーション膜を形成した後に、マイクロ波光導電減衰法少数キャリア励起のために前記シリコン基板がＰ型シリコン基板の場合は１×１０^１２〜１×１０^１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ^２、Ｎ型シリコン基板の場合は１×１０^１４〜５×１０^１４Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ^２のキャリア注入を行って、前記シリコン基板中のウェーハライフタイム値を測定することを特徴とするシリコン基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャルウェーハに含まれるＣｕの定性、定量分析を高感度に行うための評価方法、及び、優れたＧＯＩ特性をもつシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができる製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハのＣｕ汚染を検出するシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法において、少なくとも、ウェーハの薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てる手段により押し当て、ウェーハの表面にＣｕを析出させる工程と、ウェーハの薄膜の表面を、アンモニア、過酸化水素水から成る洗浄液で洗浄する工程と、洗浄によりウェーハの薄膜の表面に発生したピットの数を測定する工程とを含むことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】 一枚のシリコンウェーハ中の不純物を外部からの汚染を招来することなく、極めて高感度で、短時間に分析しうるシリコンウェーハの金属不純物の分析方法であって、１枚のシリコンウェーハ表面の任意の箇所での任意の深さにおける金属不純物を測定する為の前処理方法を提供する。
【解決手段】 １枚の洗浄済みシリコンウェーハ表面に、任意の測定個所に白金の針を垂直に立て、針の先にエッチング液を滴下してから電圧をかけることによりシリコンウェーハに垂直の孔をあけて、その孔の中のエッチング液を回収して、該回収エッチング液を定容して各種微量成分分析装置により分析することで対応する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ表面の金属汚染を、汚染金属種によらず高感度に分析可能な手段を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ３表面に溶液を走査させた後、該溶液中の金属成分を分析するシリコンウェーハの金属汚染分析方法。前記溶液として、フッ化水素酸と過酸化水素水と塩酸との混合溶液を使用する。上記金属汚染分析方法を使用するシリコンウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 試料の作製が容易であり、高価な装置を必要としない不純物の拡散深さ測定方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型の半導体基板２に複数個のｎ型の不純物を含む複数個の半導体コラム１０ａ〜１０ｅが形成されている試料１００を用意する。隣接するコラム同士は絶縁壁４で絶縁されている。半導体コラム１０ａ〜１０ｅの他方側の面１０ｔは階段状をなしている。次に、半導体コラム１０ａ〜１０ｅの一方側の面１０ｓに同一条件でｐ型の不純物を注入して熱処理する。ｐ型の不純物の拡散深さよりも長い半導体コラム１０ａ〜１０ｃにはｐｎ接合６ｓが形成される。次に、熱処理後の各半導体コラム１０ａ〜１０ｅの長さ方向の抵抗値を計測する。次に、抵抗値の計測結果から、半導体コラム１０ａ〜１０ｅについてｐｎ接合６ｓの有無を判断し、半導体コラムの高さから拡散深さを測定する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの結晶評価を行なうのに適した技術に関し、半導体ウェーハの製造を簡素化して、製造時間の短縮や製造コストの削減を促進することができるようにし、さらには、評価にかかる時間及びコストを低減することができるようにする。
【解決手段】単結晶インゴットの結晶欠陥を評価するための評価用ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法において、単結晶インゴットからウェーハをスライスするスライス工程（Ｓ１０）と、スライス工程（Ｓ１０）でスライスされたウェーハを回転させ、回転状態のウェーハの表面にエッチング液を噴射してウェーハの表面をエッチングする枚葉エッチング工程（Ｓ２０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝シリコン単結晶においても正確にＯＳＦ検査を行う方法を提供する。
【解決手段】｛１１０｝面を主面とするシリコン単結晶から切り出したスラグもしくはウェーハを使用してＯＳＦを検査する際に、｛１００｝面がそのスラグもしくはウェーハの厚み方向に現れるように方向を選んで劈開し、選択エッチングすることにより｛１１０｝面の代わりにＯＳＦの見やすい｛１００｝面でＯＳＦを検査する。 （もっと読む）

【課題】低汚染で高ライフタイムのシリコンウェーハにおいてウェーハ表面での再結合過程を抑制し、適切な再結合ライフタイムが測定できるような前処理方法を提供する。
【解決手段】まずシリコンウェーハ表面に付着した有機物をアンモニアと過酸化水素水との混合液等を用いて除去し、次にＨＦ溶液によりシリコンウェーハ表面の自然酸化膜を除去し、ヨウ素エタノール法によりパッシベーションを行い、反射マイクロ波光導電減衰法によりキャリアの再結合ライフタイムを測定する。例えばキャリアボックスから発生して付着したと思われるようなＨＦ溶液による処理によって除去できない有機汚染物も除去できるため、シリコンウェーハ表面でのキャリアの再結合を一層抑制することができ、バルクライフタイムに近く適切にシリコンウェーハの品質評価が行えるような再結合ライフタイムを測定することができる。 （もっと読む）

【課題】下層にＡｌまたはＡｌ合金電極膜を有する積層金属膜の最表面に金膜を形成することにより前記下層の電極膜の腐食を防止するようにした半導体圧力センサ領域を含む半導体装置に対して、金膜にピンホールを有する半導体装置を有効に選別または除去できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】パッド部を除く半導体基板１００ａの表面に耐食性絶縁膜４を形成し、続いてパッド部の表面に設けられているＡｌ電極膜３上に密着度向上用および相互拡散防止用の金属膜５を介して金膜６を形成して積層金属膜とする工程を有する半導体装置の製造方法において、前記積層金属膜を形成する工程後に、半導体基板１００ａをＡｌのエッチング液に浸漬する工程を設ける半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】溶液中の金属を高感度に分析する手段の提供。
【解決手段】溶液中の金属濃度を分析する方法。分析対象の金属と錯体を形成し得るキレート剤を含む溶液（分析対象の金属が含まれている場合、前記キレート剤の少なくとも一部は前記金属と錯体を形成する）を、前記錯体を捕獲し得る充填剤を含むカラムに通液する工程、前記カラムに金属分離用溶液を通液する工程、および、前記カラムを通過した金属分離用溶液中の分析対象の金属濃度を測定する工程を含む。または、分析対象の金属と錯体を形成し得るキレート剤および前記錯体を捕獲し得る充填剤を含むカラムに溶液を通液する工程、前記カラムに金属分離用溶液を通液する工程、および、前記カラムを通過した金属分離用溶液中の分析対象の金属濃度を測定する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ライフタイム測定ができない低抵抗のシリコン単結晶の金属汚染状況を速やかに確認することができるシリコン単結晶の金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】ライフタイム測定ができない低抵抗のシリコン単結晶から切り出したウェーハを、金属汚染評価用ウェーハと同じ熱処理装置内で同時に熱処理を行って、前記評価用ウェーハに低抵抗シリコン単結晶の汚染金属をゲッタリングさせ、評価用ウェーハのライフタイムを測定することにより低抵抗シリコン単結晶の金属汚染状況を確認する。金属汚染の有無を判定する方法であり、評価用ウェーハとしてライフタイム測定が可能な抵抗（より望ましくは、抵抗率が１０Ωｃｍ前後）を有するウェーハを用い、また、熱処理を１０００〜１２００℃で行えば、金属汚染の評価を安定して確実に、しかも簡便に行うことができる。 （もっと読む）