【課題】ライフタイム測定ができない低抵抗のシリコン単結晶の金属汚染状況を速やかに確認することができるシリコン単結晶の金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】ライフタイム測定ができない低抵抗のシリコン単結晶から切り出したウェーハを、金属汚染評価用ウェーハと同じ熱処理装置内で同時に熱処理を行って、前記評価用ウェーハに低抵抗シリコン単結晶の汚染金属をゲッタリングさせ、評価用ウェーハのライフタイムを測定することにより低抵抗シリコン単結晶の金属汚染状況を確認する。金属汚染の有無を判定する方法であり、評価用ウェーハとしてライフタイム測定が可能な抵抗（より望ましくは、抵抗率が１０Ωｃｍ前後）を有するウェーハを用い、また、熱処理を１０００〜１２００℃で行えば、金属汚染の評価を安定して確実に、しかも簡便に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】薄厚化半導体基板における重金属汚染測定法を提供する。
【解決手段】有機系酸化膜をスピンコート法、ゾルゲル法により半導体基板に形成し、水銀プローブ法を用いて金属・酸化膜・半導体接合素子を形成するゲート酸化膜形成工程と、これらの素子の接合容量特性から重金属の表面濃度を算出し重金属の検出および定量化をおこなう工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は一つの軸に回転性と移動性が集中されないスキャニングアームを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による半導体ウエーハ汚染物質捕集装置のスキャニングアームは、半導体ウエーハの汚染物質捕集装置のスキャニングアームにおいて、Ｘ軸部（１１）と；該Ｘ軸部（１１）に沿って前、後進移動するようにＸ軸部（１１）に垂直設置されたＺ軸部（１２）；および該Ｚ軸部（１２）で昇、下降するようにＺ軸部（１２）に設置されるＹ軸部（１３）から成ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 表面再結合とバルクの再結合とを区別することを可能とし、バルクの少数キャリアの再結合ライフタイムτ_r を区別して測定できる事を可能とし，ウェハ基板内の金属汚染であるかどうかの選別できるようにする。
【解決手段】 表面再結合の抑制としては、ウェハボート搬出時に導入ガスであるN2ガスをウェハボート内のウェハに均一に流れるようする事で改善が見込まれる。実際のウェハボート位置の影響をなくす方法として、ウェハボートを搬出する際の強制的な排気口の設ける事で解決できる。上記方法で処理を行うとウェハボート内のウェハに均一な流れのN2ガスがウェハ表面に導入されて、ウェハ本体の表面再結合とバルクの再結合とを区別することが可能となり、金属汚染管理がより正確な結果を得る事が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウェーハの貼り合わせ界面の貼り合わせ不良を高感度に検出するための手段を提供すること。
【解決手段】支持基板上に絶縁層と活性層をこの順に有するＳＯＩウェーハの評価方法であって、前記活性層の一部を前記絶縁層上からウェットまたはドライエッチングを施すことによって除去した後、前記絶縁層上にパターンを形成し、前記パターンの剥離および／または接着不良の有無を観察することにより前記活性層と前記絶縁層との貼り合わせ界面を評価する。 （もっと読む）

本発明は、応力の加わったシリコン表面のみならず、歪んだシリコン−オン−インシュレーターを含む、多様なシリコン含有表面の処理に適したクロム不含エッチング組成物を提供する。
本発明による新規、かつ独創性あるエッチング組成物は、フッ化水素酸、硝酸、酢酸及びアルカリヨウ化合物、好ましくはヨウ化カリウムを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体基板中などに存在する酸化珪素を含有する微小な結晶欠陥を検出して評価する方法を提供する。
【解決手段】異方性エッチングにより半導体単結晶基板の主表面を含む表層部をエッチングして、前記半導体単結晶基板中に存在する結晶欠陥領域に起因したエッチング残渣を露出させ、該エッチング残渣に基づいて結晶欠陥を評価する方法において、前記異方性エッチングは、前記表層部における酸化珪素を含有する結晶欠陥を含まない結晶欠陥非形成領域をエッチングし、該エッチングにより生じる反応生成物を前記表層部における酸化珪素を含有する結晶欠陥形成領域に堆積させて該結晶欠陥形成領域がエッチングされないようにする条件で行われ、その結果形成される前記酸化珪素を含有する結晶欠陥が含まれる欠陥強調突起部に基づいて酸化珪素を含有する結晶欠陥を評価することを特徴とする結晶欠陥の評価方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコン膜の表面粗さおよび面内の膜厚均一性の悪化を抑えながらエッチングすることで、ＳＯＩ基板の欠陥を検出容易にする、欠陥検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、エッチング溶液としてＳＣ１溶液を準備する工程と、ＳＯＩ基板を前記ＳＣ１溶液に浸漬してエッチングする工程と、前記エッチングしたＳＯＩ基板の欠陥を、検出装置で観察する工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基板の欠陥検出方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】有害なクロムを含有しないクロムレスのエッチング液を用いて、優れた欠陥検出能力でＳＯＩ基板のＳＯＩ層の結晶欠陥を評価することができる結晶欠陥評価方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板を、少なくとも第１の溶液および第２の溶液に浸漬させてＳＯＩ層のエッチングを行い、該ＳＯＩ層の結晶欠陥を光学顕微鏡で観察することにより前記ＳＯＩ基板の結晶欠陥を評価する方法であって、前記第１の溶液をアンモニア過酸化水素水とし、前記第２の溶液をＨＦ溶液とし、前記第１の溶液による前記ＳＯＩ層のエッチング量を、該ＳＯＩ層の残膜厚さが２００ｎｍ以下または浸漬前の膜厚の半分以下とすることを特徴とするＳＯＩ基板の欠陥検出方法。 （もっと読む）

【課題】正確にかつ簡便に半導体基板の表面処理工程をモニターできる方法を提供する。
【解決手段】本半導体基板の表面処理のモニター方法は、半導体基板の表面にマーカ１０を形成する工程と、マーカ１０が形成された表面を処理する工程とを備え、表面を処理する工程における表面のマーカ１０の形態の変化により表面を処理する工程をモニターする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、開口部内の残渣を検出すると同時に除去することにより、高いスループットで半導体装置の歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、複数の開口部が形成されたウェーハｗが搬入され、検査、処理されるチャンバ１１と、ウェーハｗの所定位置に電子ビーム１４を照射する機構１５、１６と、電子ビーム１４の照射により、複数の開口部より残渣を有する開口部を検出する機構１７と、活性化されることにより残渣の除去が可能なプロセスガスを、チャンバ１１内に供給するガス供給機構１８と、チャンバ１１内の圧力を制御して排気するガス排出機構１９を備える。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチ、かつ、酸化皮膜を形成する材料の外部端子を備える半導体装置の検査に適する実用性のある検査プローブの電気接点構造の素子検査方法を提供する。
【解決手段】振動エネルギーの発生装置を組み込んだ半導体の検査装置（プローバ）を用い、電気接点構造を有するプローブを半導体装置電極にプロービングさせた後、左右、前後、斜め方向いずれかの振動を半導体装置に伝播させることにより、半導体装置電極を左右、前後、斜め方向に振動させ、微細凹凸で酸化皮膜を破壊するというメカニズムである。プローブピンの配列と電極形状を考慮すると、斜め方向に動作させることが最適である。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ表面の銀汚染を高精度に評価でき、従来法に比べて銀の回収作業が簡便で、高い作業効率が得られる半導体ウェーハおよびその銀汚染評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面に硝酸水溶液を接触させ、ウェーハ表面の銀を硝酸水溶液に溶解して回収し、その回収された銀からシリコンウェーハの銀汚染度を評価するので、従来のＨＦ／Ｈ_２Ｏ_２の混合水溶液により銀を回収し、シリコンウェーハの銀汚染度を評価するものに比べて、銀の評価精度が高まる。しかも、従来法より銀回収の作業が簡便となり、高い作業効率が得られる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ上に非検知元素よりなる疎水性膜２を設けた、液滴状分析試料の乾固を行う全反射蛍光Ｘ線分析用試料板の改良により、空実験でＳｉピークを確実に消滅させ、気相分解法と全反射蛍光Ｘ線分析を組み合わせる高感度化手法において、Ｓｉとエレルギー値の近いＰ，Ａｌ，Ｍｇ等も高感度化させる。
【解決手段】Ｓｉの特性Ｘ線が発生するのは、膜２の表面４で全反射するＸ線５が表面下８まで侵入し、この領域には微小欠陥群が存在してＸ線の散乱９が起こり膜界面のシリコンが励起する為と考え、試料板の試料乾固域の下方に十分の広さのシリコン欠如部分（凹部）を設けて、散乱Ｘ線９がシリコンと遭遇しないようにした。凹部の天井の乾固用膜は十分に薄く出来て不純物の絶対量が減るので、Ｓｉピークの消滅と同時に分析対象元素全般の空試験値も低減させ得る。 （もっと読む）

【課題】パーティクルを増大させて容易にこれを検出することが可能なパーティクル検出方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷにエッチング処理を施すプラズマ処理装置に、パーティクル２が付着したウエハＷ上に第１膜３が予め成膜されたウエハＷを搬送する。プラズマ処理装置は、ウエハＷ上の第１膜３をエッチバックする。続いてプラズマ処理装置は、パーティクル２近傍に残存した第１膜３をマスクとしてウエハＷをエッチングする。これにより、第１膜３を上部に有する突起物が形成される。検査装置は、照射手段により、ウエハＷに光を照射し、受光手段は突起物からの散乱光を受光する。最後に、検出手段は受光手段により受光した散乱光に基づき突起物を検出する。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウム層中の欠陥を露出させるエッチング溶液、そのようなエッチング溶液を用いてゲルマニウム層の中の欠陥を露出させる方法、およびそのような溶液を作製する方法を提供する。
【解決手段】エッチング溶液は、Ｃｅ４＋またはＭｎＯ４−を含む酸化剤と、溶剤とを含み、４ｎｍ・ｍｉｎ^−１と４５０ｎｍ・ｍｉｎ^−１との間のエッチング速度を示し、これは、薄いＧｅ層、即ち、２０ｎｍと１０μｍの間、例えば２０ｎｍと２μｍの間、２０ｎｍと１μｍの間、または２０ｎｍと２００ｎｍの間の膜厚を有するＧｅ層中の欠陥を露出させるのに適している。 （もっと読む）

【課題】掴む等の保持が困難な接触子を損傷することなく、容易に正確な実装を行うことが可能な接触子構造体および接触子の実装方法を得る。
【解決手段】切断予定部を介してつながる保持部と先端部とを有し、接触子をその実装部が露出するよう前記先端部に埋め込んでなる接触子を保持するための接触子構造体を作製し、該接触子構造体を用いて実装を行う。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を用いたデバイスの歩留まり低下の原因となる結晶欠陥の密度を低減することを目的とする。
【解決手段】本発明における炭化珪素半導体基板１０の製造方法は、（a）炭化珪素基板１を準備する工程と、（b）炭化珪素基板１上に第１のエピタキシャル層５を形成する工程と、（c）第１のエピタキシャル層５に発生する結晶欠陥４の位置を特定する工程と、（d）特定した位置において、第１のエピタキシャル層５を除去するように、かつ炭化珪素基板１に溝２１を形成するようにエッチングを行う工程と、（e）第１のエピタキシャル層５および炭化珪素基板１上に第２のエピタキシャル層２を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウォーターマークの高精度の検出・評価を実現する。
【解決手段】半導体基板表面に形成されたウォーターマークの評価方法であり、ウォーターマークに対するエッチング速度が基板材料よりも遅い高選択比の異方性エッチングによって半導体基板をエッチングし、エッチング表面に露出した突起状のエッチング残渣のうち、基板に対するエッチング深さと等しい高さのエッチング残渣を抽出する。抽出したエッチング残渣の先端形状に基づき、ウォーターマークに起因したエッチング残渣以外の（例えば結晶欠陥やゴミなどに起因した）残渣を除外する。残ったエッチング残渣の形状や分布などに基づけばウォーターマークを高精度に評価できる。 （もっと読む）

【課題】使用済みの半導体ウエハを、より少ない損失量で使用済み半導体ウエハや基板を再生する技術を提供すること。
【解決手段】（ａ）表面に機能層を有する使用済みの半導体ウエハ１を粗削りし、機能層を除去する工程と、（ｂ）粗削りした半導体ウエハ１の表面に、ドライエッチングにより除去可能な保護層２を形成する工程と、（ｃ）保護層２を形成した半導体ウエハ１をドライエッチングし、保護層２と、ウエハ１表面のうち保護層２により被覆されずに露出する部分とを除去する工程と、（ｄ）ドライエッチングした半導体ウエハ１の平坦度を計測する工程と、を含み、（ｄ）工程において所望の平坦度が得られない場合、所望の平坦度が得られるまで（ｂ）から（ｄ）までの工程を繰り返す。 （もっと読む）