【課題】 ＦＺ法により窒素を添加しながら育成したシリコン単結晶インゴットを切断して作製したシリコンウエーハ、特には高抵抗率シリコンウエーハであっても、高精度、高信頼性でＰＮ判定を行うことができ、かつＰＮ（導電型）のシリコンウエーハ面内分布を判定することのできるＰＮ判定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 フローティングゾーン法（ＦＺ法）により窒素を添加しながら育成したシリコン単結晶インゴットを切断して作製したシリコンウエーハのＰＮ判定方法において、該シリコンウエーハの抵抗率を測定し、その後該シリコンウエーハに対して熱処理工程を行い、その後さらに該シリコンウエーハの抵抗率を測定し、熱処理工程後抵抗率から熱処理工程前抵抗率を引いた抵抗率差が正の場合は該シリコンウエーハの該熱処理工程前のＰＮ（導電型）はＮ型、負の場合はＰ型と判定することを特徴とするシリコンウエーハのＰＮ判定方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハ等の試料の熱衝撃強度を従来より安定かつ正確に評価することができる評価装置を提供する。
【解決手段】 脆性材料の熱衝撃耐性を評価するための装置であって、少なくとも、脆性材料である試料を載置する載置台と、前記試料を加熱するための加熱炉と、該加熱炉内に前記載置台および前記試料を搬送するための搬送手段と、落錘を前記炉内の前記試料に落下させるための落錘手段とを具備し、前記試料を前記載置台に載置した後、前記搬送手段により前記載置台および前記試料を前記加熱炉内に搬送して前記試料を加熱した後に、前記落錘手段により前記落錘を前記加熱炉内の前記試料に向けて落下させることができるものであることを特徴とする熱衝撃耐性評価装置。 （もっと読む）

【課題】加工起因欠陥をより高感度に検出することが可能な単結晶シリコンウェーハの評価方法を提供する。
【解決手段】鏡面加工された単結晶シリコンウェーハ１０の表面１０ａに、ＳｉＯ_２よりもＳｉのエッチング速度が大きい条件でドライエッチングを施す第１の工程Ｓ１１と、ドライエッチングされた前記表面に存在するピットの個数を計測する第２の工程Ｓ１２，Ｓ１３とを備える。本発明によれば、ＳｉＯ_２よりもＳｉのエッチング速度が大きい条件でドライエッチングを施していることから、結晶欠陥については突起（凸型の欠陥）として顕在化し、加工起因欠陥についてはピット（凹型の欠陥）として顕在化する。このため、ピットの個数を計測することにより、加工起因欠陥だけを正しく検出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を、Ｆｅ−Ｂペア乖離現象を利用して高精度に測定するための手段を提供すること。
【解決手段】Ｆｅ−Ｂペア結合中の測定値と光照射によるＦｅ−Ｂペア乖離中の測定値の違いに基づきボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を測定する方法。測定対象シリコンウェーハに対して光照射を行うことにより該ウェーハに含まれるボロン原子と酸素原子との結合体であるＢ−Ｏ欠陥を形成した後に、前記測定値を求める。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ端面に存在しているダメージを検出する方法を提供してデバイス工程における歩留まりを向上させる。
【解決手段】シリコンウェーハの端面に対し、水酸化アンモニウムおよび過酸化水素を含有する水溶液からなり、且つ、水酸化アンモニウムと水との質量比がＮＨ_４ＯＨ：Ｈ_２Ｏ＝１：１６〜１：４の範囲内にある処理液を接触させるウェーハ処理工程と、ウェーハ処理工程を経たシリコンウェーハの端面に対して電子線を照射し、放出される二次電子を用いてシリコンウェーハの端面を観察するウェーハ観察工程とを含むことを特徴とする、シリコンウェーハ評価方法である。また、そのシリコンウェーハ評価方法を用いたシリコンウェーハ製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの端部に存在する接触に起因する欠陥の発生を容易且つ適切に評価することのできる技術を提供する。
【解決手段】ウェーハに対して、外部物との接触による影響を受けている影響部分と、外部物との接触による影響を受けていない正常部分とで異なるエッチング速度となる条件でドライエッチングを行うドライエッチングステップ（ステップＳ１）と、ドライエッチングを行ったウェーハの端面部の外観を観察する端面観察ステップ（ステップＳ３）と、ウェーハの観察結果に基づいて、ウェーハの端面部における接触起因欠陥を評価する評価ステップ（ステップＳ４）とを行うようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハから得られる複数のメインチップにおいて、メインチップ毎のＯＮ電圧のバラツキを低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ素子１と、小面積のトランジスタ２とが表面に形成された半導体ウェハ１０を準備する。半導体ウェハ１０の表面全体に電子線等を照射する。ＩＧＢＴ素子１およびトランジスタ２の中に再結合中心を形成する。測定装置１５によりトランジスタ２のＯＮ電圧を測定しつつ、ＩＧＢＴ素子１およびトランジスタ２において規定されたライフタイムを所定のアニール処理を施すことにより回復させる。ライフタイムが回復しているとき、制御装置１６は、ＩＧＢＴ素子１のＯＮ電圧がそれぞれ所定のＯＮ電圧となるように、測定されたトランジスタ２のＯＮ電圧に基づいてアニール処理におけるアニール処理量を制御する。 （もっと読む）

【課題】高価な評価機器や顕微鏡を用いることなく、非破壊にて行える精度の高いＳｉＣ基板の評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳｉＣ基板の欠陥を評価する方法であって、少なくとも、液体上にＳｉＣ基板を載置して、該ＳｉＣ基板の裏面側から表面側に前記液体を毛管現象により半球状になるまで染み出させた後、該染み出した半球状の液体を観察することによって、前記ＳｉＣ基板の評価を行うことを特徴とするＳｉＣ基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成された周辺回路上にさらに多層配線層が形成された構造の半導体装置において、周辺回路を構成する素子の特性を変化させずに周辺回路の不良解析を行うことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１上に層間絶縁膜３０を介して形成される多層配線構造を有する不揮発性メモリ層１４と、半導体基板１１上に形成され、不揮発性メモリ層１４中のメモリセルを制御する回路を含む周辺回路１２と、を備え、周辺回路１２を構成する素子に接続され、周辺回路１２の外部に引き出される配線３５と、配線３５の形成位置に対応する半導体基板１１の上面から所定の深さまで設けられる拡散層２７と、配線３５と拡散層２７との間を接続するコンタクト３１と、を有する電極加工部１５が、半導体基板１１上の周辺回路１２の形成領域Ｒ１以外の領域Ｒ２に形成される。 （もっと読む）

【目的】プラズマプロセスによる半導体集積装置の各製造段階において、所望のエッチング工程で生じたチャージアップの度合いのみを測定することが可能な半導体集積装置の評価システム及び評価用半導体チップを提供することを目的とするものである。
【構成】評価用半導体チップにプラズマエッチング処理を施している間にこの評価用半導体チップ内に生じたチャージアップに伴って流れる電流を、評価用半導体チップから外部に導出されている第１リード線及び第２リード線を介して計測する。評価用半導体チップは、シリコン基板上にゲート酸化膜、ゲート電極、プラズマによる電子電流の流入を部分的に遮断するパターンを有するレジストが積層された構造を有する。この際、レジスト上面側からシリコン基板の表面までを貫通する第１のコンタクトホールを介して上記第１リード線がシリコン基板の表面と電気的に接続されていると共に、上記レジストを貫通する第２のコンタクトホールを介して第２リード線がゲート電極の表面と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】試料分解時の不純物の混入を確実に避けることにより、精度の高い多結晶シリコンの分析を可能にする。
【解決手段】上方が開放され、前記試料を収容可能な試料容器と、上方が開放され、前記試料を分解する分解用溶液を保持する溶液容器と、前記試料容器および前記溶液容器を収容して密閉空間を形成するチャンバと、前記試料容器を所定の試料温度に加熱する試料加熱器と、前記分解用溶液を所定の溶液温度に加熱する溶液加熱器とを備え、多結晶シリコンに含まれる不純物濃度を分析するために多結晶シリコンの試料を分解昇華させる装置。 （もっと読む）

【課題】アルカリエッチングにより、製造プロセス中で容易かつ安価に炭化珪素単結晶の欠陥を高精度で検出する方法を提供する。
【解決手段】溶融ＫＯＨにＮａ_２Ｏ_２，ＢａＯ_２，ＮａＮＯ_３，ＫＮＯ_３の少なくとも１種を添加したエッチング液によりｎ型炭化珪素単結晶をエッチングし、形成されたエッチピットにより結晶の欠陥を検出することを特徴とする炭化珪素単結晶の欠陥検出方法。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウェーハに半導体素子を形成する前に当該ＳＯＩウェーハの転位欠陥に関する良否の判定を行うことが可能な検査方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩウェーハ１にＳＯＩウェーハ１のスクライブ領域６ａにおける表面から埋め込み酸化膜３まで到達する検査用トレンチ７・７・・・を形成し、検査用トレンチ７・７・・・にシリコンと異なる熱膨張係数を有する埋め込み材８・８・・・を埋め込み、ＳＯＩウェーハ１を所定の処理温度に到達するまで加熱し、ＳＯＩウェーハ１の表面のうち検査用トレンチ７・７・・・の周囲となる部分に現れた転位９・９・・・を検出し、検出された転位９・９・・・に基づいてＳＯＩウェーハ１の良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】迅速かつ簡易的な測定方法によりイオン注入装置によって注入されるイオンのドーズ量を推定すること。
【解決手段】本発明の実施形態に係るドーズ量管理方法においては、結晶性のＳｉの水に対する接触角を測定することにより、モニタ基板に注入されたイオンのドーズ量を推定するため、迅速かつ簡易的な測定方法を用いて、イオン注入装置によって注入されたイオンのドーズ量を管理することができる。また、推定したドーズ量に応じてイオン注入装置の設定を補正することにより、半導体基板に対して注入するイオンのドーズ量を目標のドーズ量に近づけることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャルウェーハに含まれる重金属不純物の定性・定量分析を高感度に行うことができる不純物評価方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、該成膜工程により前記シリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを、前記シリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値又は工程平均値と前記評価対象不純物の固溶限界濃度が一致する温度を算出し、該算出温度の少なくとも上下５０℃の温度範囲において、前記シリコンエピタキシャルウェーハの成膜後の冷却速度を２０℃／ｓｅｃ以上として冷却する冷却工程と、前記シリコン単結晶薄膜の表層を化学分析して、前記評価対象不純物の濃度を測定する評価工程とを行うシリコンエピタキシャルウェーハの不純物評価方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ表面の超微量不純物金属の分析、特に自動分析の方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る分析方法は、第１工程である分解（又はエッチング）表面に生じる種々の生成物（副生物）を除去又は不活性化処理を行い、かつその後必要であれば表面を速やかにＨＦガスで疎水性化することで、極めて再現よく効率的に、疎水性シリコンウェハ表面を水滴でスキャンして表面の分解物を回収して分析する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウェーハの支持基板層中に存在する不純物金属及び積層欠陥を区別して簡便且つ低コストに検査することが可能な方法を提供する。
【解決手段】支持基板層（１３）上に埋め込み酸化膜層（１２）を有するとともに該埋め込み酸化膜層（１２）上にＳＯＩ層（１１）を有するＳＩＭＯＸウェーハ（１０）に関して、支持基板層（１３）中の欠陥を検査する方法は、ＳＯＩ層（１１）及び酸化膜層（１２）を除去し、続いて支持基板層（１３）をエッチング液により選択エッチングして表面に存在する欠陥をエッチピットとして顕在化させ、エッチピットのサイズをカウンタにより測定し、前記サイズが１μｍ以上の場合には不純物金属に起因するものと同定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高品質な製品を出荷するために必要な高感度化学分析による金属不純物評価を行うために重要なシリコン基板のエッチングにおいて、シリコン基板以外が発生源となる金属不純物の絶対量を従来に比べて低くすることができるシリコン基板のエッチング方法と、それを利用したシリコン基板の不純物分析方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板のエッチング方法であって、フッ酸と硝酸と酢酸の混合液にキャリアガスをバブリングし、該バブリングによって発生した酸蒸気を含むエッチングガスを、前記シリコン基板を格納した容器内に導入するか又は前記シリコン基板表面に直接吹きつけることによって、前記シリコン基板の表面をエッチングすることを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試料に対する電子ビームの部分的な照射による部分的な影響を抑制する電子ビームの照射方法、及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体の露光工程と、エッチング工程間にて、半導体ウェーハの全面に対し、電子ビームを照射する方法、及び装置を提案する。当該構成によれば、測定や検査のために行われる電子ビームによって生ずる部分的なパターンのシュリンクを抑制し、半導体ウェーハ全体でパターンの形成精度を向上することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板内部に含まれる金属不純物汚染を低コストかつ容易に回収および分析可能な半導体基板の分析方法および分析装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に回収液の濃硫酸２を供給し、該濃硫酸２を半導体基板１との間に挟むように疎水性部材３を配置し、該濃硫酸２を前記半導体基板１に広く接触させ、前記半導体基板１の内部に含まれる金属不純物を前記濃硫酸２中へ溶解させた後、前記疎水性部材３を取り外し、前記半導体基板１および前記疎水性部材３の少なくとも一方の表面に残留する前記濃硫酸２を分析する。また、前記半導体基板１を加熱することが好ましい。 （もっと読む）