【課題】半導体基板特性に悪影響を与えるＮｉ及びＣｕについての簡便で、かつ高精度の定量分析方法を提供する。
【解決手段】被評価対象のシリコン基板の表裏面にポリシリコン膜を形成する工程(1)、ポリシリコン膜を形成した前記シリコン基板を800℃〜950℃で30分〜60分加熱する工程(2)、800℃〜950℃で加熱した前記シリコン基板を430〜480℃まで降温し、さらに430〜480℃から1〜10℃/minの冷却速度で270〜330℃まで降温する工程(3)、前記シリコン基板を270〜330℃で30分〜60分保持してから、前記シリコン基板を室温に降温する工程(4)、降温した前記シリコン基板のポリシリコン膜を溶解し、溶解液中のCu及びNiを定量する工程(5)を含む、シリコン基板中のCu及びNiの含有量の評価方法。 （もっと読む）

本発明は、ウエハ表面の欠陥分析のためにウエハ欠陥部位にイオンデコレーションを行う際に、デコレーション作業とイオン抽出作業とを別に分離し、イオン抽出の完了した電解液を循環させることで、デコレーション作業時に面倒で長い時間がかかる過程を最小化し、全体デコレーションにかかる時間を画期的に短縮させて、終局としてウエハ欠陥分析時間の短縮と欠陥分析の効率性を向上させることができるウエハ欠陥分析装置及びこれに用いられるイオン抽出装置、並びに該ウエハ欠陥分析装置を用いるウエハ欠陥分析方法を提供する。
また、デコレーション作業のためのイオン抽出時にイオンの活動性を向上させてイオン抽出時間を画期的に短縮させることができるウエハ欠陥分析装置及びこれに用いられるイオン抽出装置、並びに該ウエハ欠陥分析装置を用いるウエハ欠陥分析方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来、無理と考えられてきたイオン注入層や拡散層が形成されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを、精度よく且つ簡易に測定するための評価方法を提供する。
【解決手段】片面にドーパント不純物が拡散されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを評価する方法であって、前記ライフタイムを評価する際に、前記拡散シリコン単結晶ウエーハの全表面に対してパッシベーションを行い、その後、前記拡散面とは反対側の表面に対して励起光の照射と、高周波の入射及びその反射波の検出を行うことでライフタイムの評価をすることを特徴とするライフタイムの評価方法。 （もっと読む）

【課題】電気特性のバラツキが少ないＴＦＴを備えた電気光学装置の製造方法及び電気光
学装置を提供すること。
【解決手段】本発明の電気光学装置１０の製造方法は、表示領域１２の周囲の少なくとも
１箇所に、ＴＦＴの製造時に、同時に、同条件で、同じ層構造の半導体層を備える膜厚測
定用素子Ｘ部分を形成する工程と、前記ＴＦＴのチャネルエッチング時に前記膜厚測定用
素子Ｘ部分の半導体層も同時にエッチングする工程と、得られた膜厚測定用素子Ｘの半導
体層の膜厚を測定することによって前記ＴＦＴのチャネル領域の半導体層の膜厚を求める
工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電層が絶縁層を介して積層された多層配線基板において、導電層と絶縁層の密着強度を高め、歩留まりを向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】第１配線パターン１２ａ上に感光性ポリイミド前駆体を用いて、ポリイミド絶縁層１３を形成し、このポリイミド絶縁層１３上にフォトリソグラフィーにて、図１（３）に示すようにコンタクトホール１４を形成する。次に、酸素プラズマ処理をおこなった後、０．９５％（重量百分率）の酸性フッ化アンモンＮＨ_４Ｆ・ＨＦ（ＮＨ₄Ｆ・ＨＦ＝１：１）水溶液に２０秒浸漬する。 （もっと読む）

【課題】例えば高抵抗の半導体シリコン基板の導電型及び抵抗率の測定において、電荷によるチャージアップの発生を防止しながら、安定して信頼性の高い測定結果を得ることができる測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体シリコン基板の導電型及び抵抗率を測定する方法において、測定対象となる半導体シリコン基板の被測定面の酸化膜を除去した後、酸化膜成長を伴う洗浄を行い、その後被測定面に洗浄による酸化膜が形成された状態で導電型及び抵抗率を測定する半導体シリコン基板の導電型及び抵抗率の測定方法。 （もっと読む）

【課題】欠陥を、さらに詳細には、少なくとも1つのゲルマニウム系の結晶表面層を有するエレメントに発生した転位を、検出する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、アニールするステップを、すなわち、ゲルマニウム系の結晶表面層に発生した転位を選択的に酸化させることができる、少なくとも酸化ガスと中性ガスとの混合物であるベースを有する雰囲気中でエレメントをアニールするステップを、備える。 （もっと読む）

【課題】高額な装置を必要とせず、比較的短時間に、かつ高感度にて半導体基板表面上の欠陥を検出できる方法を提供する。
【解決手段】ポリッシュ後等の半導体基板を過酸化水素（３〜６質量％）、フッ化水素酸（５〜１０質量％）と塩酸（３〜６質量％）の混合水溶液に浸漬して、前記半導体基板の表面における気泡発生を視覚的に検出し、かつ、その気泡発生状況をカメラを用いて撮影することによって半導体基板表面の欠陥や金属シリサイドを検出する。 （もっと読む）

【課題】タングステン等のＣＭＰ（化学機械研磨）後、エロージョン量をモニタリングできるパターンを提示する。
【解決手段】ホールアレイサイズスプリットａと配列間スペースの長さスプリットｂを一定に規定したモニタリングパターンを利用して、プラグＣＭＰ時に発生するエロージョンレベルを評価する。前記ホールアレイサイズによる影響はホールアレイサイズに応じて増加するため、エロージョン量は特定のサイズにおいて飽和になるのかをモニタリングする。また前記配列の間で影響を受けるスペースの長さをモニタリングする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの外周部の膜を確実に除去し、シリコンウェーハの外周部に含まれる金属不純物を高感度に分析可能なシリコンウェーハの分析方法を提供する。
【解決手段】溶出装置３０を用いて、外周部Ｅまで酸化膜を除去したシリコンウェーハの外周部Ｅに含まれる金属不純物を溶媒３６に溶出（回収）させる際には、まず、溶出用容器３３に所定量の溶媒３６を注入する。溶媒３６は、シリコンウェーハ１０の特性劣化の原因となるＣｕを確実に溶出させることが可能な、フッ化水素酸、過酸化水素水、および塩酸を含む溶媒を用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来困難であったμ−ＰＣＤ法によるライフタイム測定を用いた拡散ウエハのより的確な品質評価を可能にすることを課題とする。
【解決手段】本発明によると、拡散ウエハ表面に膜厚１．４μｍ以上１．５μｍ以下の酸化膜を形成したのち、μ−ＰＣＤ法により再結合ライフタイムを測定することを特徴とする拡散ウエハのライフタイム評価方法が提供される。また、本発明によると、前記拡散ウエハの熱酸化処理は、ウェット酸化で行われてもよい。 （もっと読む）

【課題】研磨前のＳＲ法による先行抜き取り評価を最適化することで、非拡散層厚のバラツキを抑制する拡散ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハと面抵抗モニタウェーハに不純物を拡散する第１の拡散工程と、不純物を更に深さ方向に拡散する第２の拡散工程と、面抵抗モニタウェーハの面抵抗を評価する工程と、この評価結果に基づき、補正値算出用ウェーハの抜き取り枚数を決定する抜き取り枚数決定工程と、補正値算出用ウェーハの非拡散層厚をＦＴ−ＩＲ法で測定する第１の非拡散層厚測定工程と、補正値算出用ウェーハの非拡散層厚をＳＲ法により測定する第２の非拡散層厚測定工程と、これらの測定結果から両者の測定結果間の補正値を算出する工程と、ＦＴ−ＩＲ法による非拡散層厚測定と補正値を用いて研磨量をモニタしながら半導体ウェーハの非拡散層を研磨する研磨工程とを有することを特徴とする拡散ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【目的】 本発明の目的はプローブの実装位置の精度を向上させることができ且つ実装工程にかかる時間を短縮することができるプローブカードの製造方法を提供することにある。
【構成】 複数の開口３２１を有する型３００に複数のプローブ２００の接続部２１１を各々嵌合させ、この状態で、型３００の面上にプローブ２００を囲繞する犠牲層４００を形成し、その後、型３００を除去して犠牲層４００に囲繞されたプローブ２００を型３００から取り外し、その後、プローブ２００の接続部２１１を基板１００の面上の複数の電極パッド１１０に各々接続させ、その後、犠牲層４００を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板特性に悪影響を与える金属不純物を簡便かつ高精度に分析するための手段を提供すること。
【解決手段】半導体基板中の金属汚染評価方法。半導体基板にリン拡散熱処理を施し、該基板の表裏面の少なくとも一方の表層部にリン含有領域を形成すること、上記リン含有領域を、該リン含有領域を溶解可能な溶液と接触させることにより溶解すること、および、上記リン含有領域を溶解した溶液中の金属成分を分析すること、を含む。 （もっと読む）

【課題】低酸素のシリコン単結晶に含まれるＰｖ領域とＰｉ領域の境界を判定する。
【解決手段】チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェーハに対し、少なくとも５００℃〜９００℃までの温度範囲を２℃／ｍｉｎ以下のレートで昇温させるランピング昇温熱処理を施した後、酸素析出物を成長させる酸素析出物成長熱処理を行い、これによって顕在化された酸素析出物の分布によって、シリコンウェーハの結晶欠陥分布を判定する。本発明によれば、低酸素のシリコン単結晶であっても、Ｐｖ領域における酸素析出が十分となることから、Ｐｖ領域とＰｉ領域の境界判別を容易に行うことが可能となる。したがって、ＯＳＦ領域を指標とすることなく、Ｐｖ領域かＰｉ領域しか含まないシリコン単結晶を育成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの更なる微細化及び高集積化が進んでも、リソグラフィー及びエッチングにより被加工対象の極めて高い寸法精度を達成し、信頼性の高い電子デバイスを実現する。
【解決手段】被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 （もっと読む）

【課題】既存の計測装置における検出限界以下の微小な異物であっても安定且つ正確に検出することができる汎用性の高い異物検出方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面にハロゲン元素を含有する油脂状物質又は有機溶媒を噴霧し、ウエハＷの表面温度を調整して噴霧された油脂状物質又は有機溶媒をウエハＷ表面に付着したパーティクルＰの周囲に凝縮させてパーティクルＰを強調し、強調されたパーティクルＰを表面検査装置を用いて光学的に検出する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の不純物分析をするために、半導体ウェーハ全面のＢＭＤ密度を短時間で取得し、ＢＭＤ密度分布を高精度に評価することができる半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの評価装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ中のＢＭＤ密度を評価する方法であって、半導体ウェーハ全面の強励起顕微ＰＬ値を測定し、その後、半導体ウェーハ面内の複数箇所のＢＭＤ密度を測定し、半導体ウェーハの同じ位置における強励起顕微ＰＬ値と測定したＢＭＤ密度との関係式を求めて、求めた関係式から半導体ウェーハ全面の強励起顕微ＰＬ値を用いて、半導体ウェーハ全面のＢＭＤ密度を数値化してＢＭＤ密度分布を評価することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセス工程において欠陥が発生する可能性が高いウェーハであるか否かを容易且つ適切に評価することのできる技術を提供する。
【解決手段】ウェーハＷに対して、ケミカルドライエッチングを行い（ステップＳ２）、ケミカルドライエッチングを行ったウェーハＷの端面部の外観をＳＥＭにより観察し（ステップＳ３）、ウェーハＷの端面部の観察結果に基づいて、ウェーハＷがデバイスプロセスにおいて、欠陥を発生させる可能性が高いか否かを評価する（ステップＳ４）ようにする。デバイスプロセスの欠陥の発生と関連性が強い、ドライエッチングを行った際のウェーハＷの端面部の外観を観察するようにしているので、ウェーハＷがデバイスプロセスにおいて欠陥を発生させる可能性が高いか否かを適切に評価することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板特性に悪影響を与える金属不純物を簡便かつ高精度に分析するための手段を提供すること。
【解決手段】半導体基板の表裏面の一方に粗面化領域を形成すること、上記粗面化領域形成後の半導体基板を加熱処理すること、および上記粗面化領域上に溶液を走査させた後、該溶液中の金属成分を分析すること、を含む半導体基板の金属汚染評価方法。 （もっと読む）