【課題】半導体チップなどの高密度電極の通電検査の際に剥離除去でき、手間のかからない経済的な電子部品の検査用接着剤を提供する。
【解決手段】相対峙する電極の少なくとも一方が基板面より突出した電極と、他方の対向する電極との間に下記（イ）〜（ロ）群より選ばれた１種もしくは２種以上の複合系からなる吸水率０．５％以上の接着剤層を形成し、その後、加圧により相対峙する電極の接触を得た状態で、前記接着剤層で両電極を固定して、電気特性が未知の電子部品の通電検査を行い、検査終了後に電子部品の電極を含む基板面から水を媒体として接着剤を除去することを特徴とする。
（イ）界面活性剤を含有もしくは、表面層に形成した粘接着剤
（ロ）親水性物質を含有もしくは、表面層に形成した粘接着剤
また、（イ）の界面活性剤がノニオン性、または（ロ）の親水性物質が極性基含有物質、あるいは潮解性物質であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、エッチング終了後のウエハ基板に照射面積０．００００１ｃｍ^２〜１ｃｍ^２の強度またはエネルギーが時間的に変調された電子線を照射する手段と、該電子線照射によるウエハ基板に励起する基板電流強度または音波強度の該電子線とウエハ基板面の相対角度依存性を検出する手段、その検出手段によりエッチング結果、特にコンタクトホール形成の開口性および形状の良否を判定し、後続するウエハに対するエッチング処理の停止指示、エッチング処理条件の修正指示あるいは処理条件の自動修正を行う手段とを有することを特徴とするエッチング装置を提供するものである。
（もっと読む）

【課題】 微細加工の精度及び均一性を向上させることが可能な半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 複数に区分された半導体基板の露光領域に、露光領域毎の露光量を半導体基板の位置座標の関数で近似して設定し、半導体基板上に形成した下地膜上に、光透過特性が一方向に単調に変化する回折格子からなる露光モニタパターンを転写してモニタレジストパターンを形成し、モニタレジストパターンをマスクとして下地膜を設定されたエッチング条件で選択的にエッチングしてモニタ下地膜パターンを形成し、一方向のモニタ下地膜パターンの幅とモニタレジストパターンの幅との差のずれ幅分布を露光領域毎に測定し、ずれ幅分布のばらつきを、基準値と比較して、露光領域の露光量を設定することを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハの表面及び内部のほぼ全ての不純物を、非破壊で、簡単に、穏和な条件下で、短時間に抽出除去する方法を提供する。また、抽出された不純物を定量分析する方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハを、希薄酸水溶液からなる抽出液に浸漬し、この抽出液を加熱してシリコンウェハの不純物を抽出液中に抽出する。 （もっと読む）

【課題】半導体表面から１０ｎｍ程度の極浅い領域にドーピングされた不純物の深さ方向分布を測定する事は、既存のどの方法においても、主として深さ方向分解能の不足によって、不可能であった。しかし、これを実現させることが最新半導体デバイス開発において必要であるため、これを可能にする技術の実現が切望されていた。
【解決手段】本発明では、半導体表面から１０ｎｍ程度の極浅い領域について、その最表面の１ｎｍ以下の薄い領域を、不純物分布を乱すことなく酸化し、その酸化膜中を薬液により溶解させる。そして、薬液中にとりこまれる不純物量と半導体構成元素量を既存の方法で定量する。これを繰り返すことによって、今まで実質的に不可能だった１０ｎｍ程度の極浅領域の不純物深さ方向濃度分布測定を可能にさせる。 （もっと読む）

【課題】少ない労力でプラズマチャージ量が基準値より多いか否かを評価することができるようにする。
【解決手段】プラズマチャージ評価基板を、半導体装置の製造工程で使用されるプラズマに曝露する工程と、プラズマチャージ評価基板を調べることにより、プラズマが基板に与えるプラズマチャージ量を評価する工程とを具備する。プラズマチャージ評価基板は、半導体基板１に形成された放電領域１ａと、半導体基板１上に形成された層間絶縁膜２と、層間絶縁膜２に形成され、放電領域１ａ上に位置する接続孔２ａと、層間絶縁膜２上に形成されたアンテナ用導電膜３と、層間絶縁膜２上に形成され、接続孔２ａを介してアンテナ用導電膜３と放電領域１ａとを接続するヒューズ用配線４とを備える。ヒューズ用配線４が溶断している場合には、プラズマチャージ量が基準値より多いと評価する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程等のような大掛かりな装置や多数の工程を必要とせず、ＳＯＩウエーハの電気特性を短時間で簡便かつ高精度に測定でき、測定装置の稼働率を向上させて効率的にＳＯＩウエーハを評価することのできる評価方法を提供する。
【解決手段】水銀プローブを用いてＳＯＩウエーハを評価する方法において、少なくとも、前記ＳＯＩウエーハにフッ酸洗浄処理を行って該ＳＯＩウエーハの表面に形成されている自然酸化膜を除去し、次に、該自然酸化膜を除去したＳＯＩウエーハに紫外線照射処理を行ってＳＯＩウエーハのＳＯＩ層表面に酸化膜を形成し、その後、該酸化膜を形成したＳＯＩウエーハに水銀プローブを接触させてＳＯＩウエーハの評価を行うことを特徴とするＳＯＩウエーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】不均一性を客観的かつ正確に定量化し、その不均一性をシステム内の何らかの関連する変化（例えば、処理変数、ハードウェアの変化）に相関させる改良されたシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ製造処理の多数の均一性測定基準を決定するシステムおよび方法は、半導体ウエハ群のそれぞれでの量を収集する工程を含む。収集された量データはスケーリングされ、収集およびスケーリングされた量データに対して主成分解析（ＰＣＡ）が実行され、第１の半導体ウエハ群に関する第１の測定基準セットが生成される。第１の測定基準セットは、第１の負荷マトリクスと第１のスコアマトリクスとを含む。
（もっと読む）

【課題】 インジウム含有ウエハの特性を精度よく測定することができかつ非破壊試験である水銀Ｃ−Ｖ法を適用可能とするために、水銀除去を確実に行なうことのできるインジウム含有ウエハを提供する。
【解決手段】 本発明にかかるインジウム含有ウエハは、表面に付着した水銀を除去する目的で最外表面層に形成された付加的な化合物半導体からなる水銀除去層を有することを特徴とする。ここで、水銀除去層として、化学的水銀除去層または物理的水銀除去層を用いることができる。さらに、２層以上の水銀除去層を設けることもできる。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程等のような大掛かりな装置や多数の工程を必要とせず、ＳＯＩウエーハの電気特性を短時間で簡便かつ高精度に測定でき、測定装置の稼働率を向上させて効率的にＳＯＩウエーハを評価することのできる評価方法を提供する。
【解決手段】水銀プローブを用いてＳＯＩウエーハを評価する方法において、少なくとも、前記ＳＯＩウエーハにフッ酸洗浄処理を行って該ＳＯＩウエーハの表面に形成されている自然酸化膜を除去し、次に、該自然酸化膜を除去したＳＯＩウエーハにシリコン酸化膜の形成が可能な洗浄溶液を用いて第二洗浄処理を行ってＳＯＩウエーハのＳＯＩ層表面に酸化膜を形成し、その後、該酸化膜を形成したＳＯＩウエーハに水銀プローブを接触させてＳＯＩウエーハの評価を行うことを特徴とするＳＯＩウエーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】
従来技術の問題点を解消し、アニールウエーハ、特に、その表面に作られる無欠陥層の厚さを簡便に精度よく評価することのできるアニールウエーハの評価方法及びこの評価方法を利用したアニールウエーハの品質保証方法を提供する。
【解決手段】
アニールウエーハの表面無欠陥層の厚さを評価するに際し、該アニールウエーハの表面をエッチング液によりエッチングし、ウエーハ表面に欠陥が観察されるまでのエッチング代を無欠陥層の厚さとして評価するようにした。 （もっと読む）

【課題】 微細化、狭ピッチ化が進んでいるコンタクトプローブとして使用可能なニッケルバンプを、湿式めっきプロセスを用いて形成する方法を提供すること。
【解決手段】 微小開口部を有するフォトレジストで被めっき基板を被覆し、次いで当該被めっき基板を、添加剤として次の式（Ｉ）、
【化１】


（式中、Ｒ_１は水素原子または水酸基を示し、Ｒ_２は水素原子またはビニル基を示す）
で表されるピリジニウムプロピルスルホネートまたはその誘導体を含有するニッケルめっき浴により電気めっきし、前記微小開口部部分にニッケルめっき皮膜を析出させることを特徴とするマイクロバンプの形成方法。 （もっと読む）

【課題】 少ない労力でビアホール等を形成するときのエッチング条件が適切か否かを確認できるようにする。
【解決手段】 基準部、該基準部より低地である低地部、及び前記基準部より高地である高地部を有する半導体基板１上に、導電膜２及び層間絶縁膜３を形成し、層間絶縁膜３の表面を平坦化する。層間絶縁膜３をエッチングすることにより、低地部の上方に位置する第1及び第２の接続孔３ａ、前記基準部の上方に位置する第３の接続孔３ｂ、及び高地部の上方に位置する第４の接続孔３ｃを同時に形成する。第１〜第４の接続孔３ａ〜３ｃそれぞれに、第1〜第４の導電体４ａ〜４ｃを埋め込む。層間絶縁膜３上に、第1の導電体３ａ、第３の導電体４ｂ及び第４の導電体４ｃを互いに接続する上部電極５ｂを形成し、上部電極５ｂと、第１の導電体３ａとの間の抵抗を測定する。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスの製造工程における半導体素子等の試料の検査を行うために好適な装置および方法であって、構造が簡単で廉価で操作性が良好な試料の検査装置および方法を提供する。
【解決手段】 試料室２内に配置された試料１表面に電荷を与える電荷供給装置３と、試料１表面にガスを供給するガス供給装置４と、前記ガスが試料１表面に接触し試料１表面の電荷がガスに転化することにより生成されたイオンを加速する静電レンズ５と、加速され結像したイオンを撮像する検出器７とを備えた。 （もっと読む）

基板検査装置を、基板を保持面で保持して回転させる基板回転機器と、ベースに回転自在に支持されたディスク本体と該ディスク本体の上側に固定され回転方向へ傾斜した傾斜面で構成されたカム面を形成する３個のリフトカムとを有するディスクと、基板を乗せる支持面を持ち上下方向に移動自在に案内されたリフタ本体と該リフター本本の下側へ突起して各々固定されたリフター従動節とを有するリフターと、を備え、前記リフ
ター従動節の下側が前記カム面に摺動自在に各々の接触点で当接し、前記接触点が前記傾斜面の上側に移動すると前記支持面が前記保持面よりも高くなる、ものとした。この構成により、測定精度をより向上させることのできる基板検査装置と基板検査方法、及び基板の外面に液滴を付着させて外面に沿って移動させるのに好適な基板検査装置と基板検査方法と回収治具とを提供できる。 （もっと読む）