【課題】基板搬送に要する時間を短縮化する。
【解決手段】ウェハＷを搬送する基板搬送装置であるウェハ搬送装置３０は、回転軸３１を中心に３つの搬送アーム３２が放射状に延設されている。搬送アーム３２にはウェハＷを保持するハンド３３が設けられており、ハンド本体３５に貫通された孔３７を覆うように固定部３８が取り付けられている。搬送アーム３２を下降させて孔３７にピン４２を挿入させると、固定部３８がピン４２に押されてウェハＷから退避する。搬送アーム３２を上昇させると、ピン４２が抜けて固定部３８がウェハＷを位置決めして保持する。 （もっと読む）

【課題】より容易にプラズマの分布が把握できるようにする。
【解決手段】複数の凹部１０２ｂ，凹部１０２ｃ，凹部１０２ｄ，凹部１０２ｅからなるテストパターン領域を備えたテスト基板１０１を用意する。次に、各凹部が形成されたテスト基板１０１の上に、マスク層１０３が形成された状態とし、加えて、マスク層１０３に複数の開口部１０４が形成された状態とする。テスト基板１０１を用意した後、Ｃ₄Ｆ₈ガスのプラズマにテスト基板１０１を曝し、各開口部１０４の側面，領域１０２ａの表面，凹部１０２ｂの底部１０５ｂと側壁１０６ｂ，凹部１０２ｃの底部１０５ｃと側壁１０６ｃ，凹部１０２ｄの一部の底部１０５ｄ，凹部１０２ｅの一部の底部１０５ｅに、保護膜（堆積物）１１０が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】撮像レシピ又は／及び計測レシピを自動かつ高速に生成できるようにして検査効率及び自動化率を向上させたＳＥＭ装置又はＳＥＭシステム並びにその方法を提供することにある。
【解決手段】ＳＥＭ装置又はＳＥＭシステムにおける撮像レシピ及び計測レシピ生成方法であって、レシピ演算部において、評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の許容値を評価する評価ステップと、回路パターンの設計データ上の任意の領域をアドレッシングポイントとした場合における前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の予想値を評価する評価ステップと、前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の許容値と前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の予想値との関係に基づいて、撮像レシピ及び計測レシピを決定する決定ステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶対的なモデル画像を必要とすることなく、高精度かつ効率的にＭＥＭＳデバイスの欠陥を検出するとともに、欠陥の種類を正確に分別すること。
【解決手段】欠陥検出装置１００は、ウェハ１の各ダイ３０に形成されたプロテインチップ３５を、各ダイが複数に分割された第１分割領域７１毎に低倍率で撮像して、各第１分割領域７１を識別するＩＤとともに検査対象画像として保存し、対応するＩＤを有する各検査対象画像の各画素毎の平均輝度値を算出して各第１分割領域７１毎のモデル画像を作成し、モデル画像と各検査対象画像との差分を差分画像として抽出した後、各差分画像に対してＢｌｏｂ抽出を行ない所定面積以上のＢｌｏｂを抽出して欠陥の有無を判断し、更に、欠陥が有る場合には第１分割領域７１を更に分割した第２分割領域７２毎に高倍率で撮像し、再度モデル画像を作成してＢｌｏｂを抽出し、欠陥の特徴点を基に欠陥の種類を分別する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子などの外観検査において、電極パターンなどの被検査対象の大きさのばらつきなどを許容しつつ、局所的な欠陥を高い検査精度で検出できる外観検査方法を提供する。
【解決手段】良否判定がなされる被検査対象の設計形状が、少なくとも１本の対称軸を有する線対称形状である場合において、その被検査対象の画像内にその対称軸に相当する基準線を設定し、その基準線を境とする上記被検査対象の一方の画像と他方の画像とを対比して、前記被検査対象の良否判定を行う。 （もっと読む）

【課題】絶対的なモデル画像を必要とすることなく、誤検出を防ぎながら高精度かつ効率的にＭＥＭＳデバイスの欠陥を検出すること。
【解決手段】欠陥検出装置１００は、ウェハ１の各ダイ３０に形成されたプロテインチップ３５を、各ダイが複数に分割された第１分割領域７１毎にそれぞれ撮像して、各第１分割領域７１を識別するＩＤとともに検査対象画像として保存し、各検査対象画像に対してハイパスフィルタを施して低周波成分を除去した後、対応するＩＤを有する各検査対象画像の各画素毎の平均輝度値を算出して各第１分割領域７１毎のモデル画像を作成し、モデル画像と各検査対象画像との差分を差分画像として抽出した後、各差分画像に対してＢｌｏｂ抽出によるフィルタリングを施して所定面積以上のＢｌｏｂを欠陥として抽出し、抽出されたＢｌｏｂの特徴量を基に欠陥の種類を分類する。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＥＭ等の走査型荷電粒子顕微鏡を用いた断面形状計測を１回のサンプル作成で複数の断面について行うことができるようにしたパターン寸法計測方法及びそのシステムを提供することにある。
【解決手段】走査型荷電粒子線顕微鏡を用いて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うパターンの計測方法であって、収束荷電粒子線の焦点位置を前記計測対象パターンの所望の断面に合せてｚ方向に対して順次変化させ、それぞれの焦点位置での前記計測対象パターンの透過電子画像若しくは散乱電子画像を取得し、それぞれの焦点位置で取得した透過電子画像若しくは散乱電子画像を処理して、該それぞれの焦点位置での電子画像内での計測対象パターンのエッジ位置を算出し、該算出されたそれぞれの焦点位置での電子画像内の計測対象パターンのエッジ位置とそれぞれの焦点位置との組み合わせに基づいて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】二次電子又は反射電子の強度が時間的に変化しても適切な条件で検査を行う。
【解決手段】電子線を検査対象物に照射する照射光学系（１，４）と、この照射光学系の照射位置をＸ方向及びＹ方向に走査する走査部（７）と、電子線が照射されることにより検査対象物で発生した二次電子又は反射電子を制御する帯電制御電極（５）と、この帯電制御電極を介して二次電子又は反射電子を検出するセンサ（１３）と、このセンサで検出した信号を電子線の照射開始時刻からディジタル画像信号に逐次変換するＡ／Ｄ変換器（１４）とを備えた半導体ウェーハ検査装置であって、ディジタル画像信号を第１の設定時刻から第２の設定時刻まで画素毎に加算して検出画像を生成する加算回路（１５）と、検出画像と検査対象物に形成された回路パターンの参照画像とを比較して欠陥を判定する画像処理回路（１６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】検査装置の検出欠陥数の増大に伴い、データ処理／整理に多くの時間を要する。操作性を改良して、使い勝手を向上させ、原因究明の手がかりを早期に探索できる機能を備えた欠陥レビュー方法および装置を提供する。
【解決手段】検査装置とレビュー装置から出力されたデータを処理し、同じ検査条件あるいは検査条件を変えて複数回検査した結果の欠陥マップと、その画像一覧とを並べて表示し、かつ、両者の欠陥をリンクさせ、所望の欠陥が検出できているか、大量の画像データから確認・判定する事が出来る欠陥レビュー方法および装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のような微細なパターンを有する試料の形状を短時間で観察でき、試料に与えるダメージが小さい形状観察装置を提供する。
【解決手段】基準方向３２から見た形状が基準形状４１乃至４５である観察マーク３１を試料１１の表面に形成する形成部１９と、観察マーク３１の形成後に、観察マーク３１を基準方向３２とは異なる観察方向３３から撮影し観察画像５１を取得する観察画像撮影部２１と、観察画像５１を表示する観察画像表示部２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】一台で、測長と欠陥検査が可能な走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】参照パターン７６を写した参照画像５２を記憶する参照画像記憶部と、参照画像５２に基づいて、参照パターン７６とパターンマッチングする検査パターン８５が写った検査画像８４を撮影する検査画像撮影部と、前記検査画像８４を用いて検査パターン８５の測長を行う測長部と、参照画像５２と検査画像８４とを比較して、検査パターン８５の内または外の欠陥検査を行う欠陥検査部とを有する。 （もっと読む）

【課題】描画加工に費やす時間が短縮でき、試料の加工や観測の精度が高い半導体の加工観察装置を提供すること。
【解決手段】Ｇａイオンビームが含まれる描画加工用イオンビームを照射する加工装置と、電子ビームを照射する走査形電子顕微鏡装置と、Ａｒイオンビームが含まれる除粉用イオンビームを照射する除粉装置と、これらの三つの装置をまとめて収める真空容器と、この真空容器に置かれ、かつ試料を載置する載置テーブルとを有し、三つの装置の照射する各ビームが試料に集合するように配置され、電子ビームの照射で試料から発生する二次電子を検知する検知器を有し、かつ電子ビームを照射する走査形電子顕微鏡装置の加速電圧を０．６ｋｅＶ〜３ｋｅＶ程度にしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平坦面（テラス）が結晶面である段差（ステップ）構造を有する半導体ウェーハの表面構造を、広範囲に短時間で評価できる半導体ウェーハの評価方法および評価装置を提供する。
【解決手段】平坦面（テラス）が結晶面である段差（ステップ）構造を有する半導体ウェーハの評価方法であって、近接場光を、半導体ウェーハ上を走査しながら照射する手順と、半導体ウェーハから生じるラマン散乱光を受光する手順と、受光したラマン散乱光を分光器により分光しラマンスペクトルを導出する手順と、導出したラマンスペクトルから平坦面の幅（テラス幅）を算出する手順を有することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法およびこれを実現する評価装置。 （もっと読む）

【課題】
回路パターンを有する半導体装置等の検査において、陰影コントラストの強調された像を取得することを可能にし、浅い凹凸の微細な異物等を高感度に検出することを可能にする荷電粒子ビーム検査技術を提供する。
【解決手段】
高分解能観察の為に電子光学系の対物レンズに電磁重畳型対物レンズ１０３を用い、その対物レンズを用いて電子ビームを細く絞り、対物レンズ内にアシスト電極１０６と左・右検出器１１０、１１１を設け、その電子ビームを試料１０４に照射することで発生する二次電子の速度成分を選別し、さらに方位角成分を選別して検出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジストの保護膜異常を確実に検出することの可能なウエハ検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のウエハ検査装置は、レジスト及びその保護膜が表面に形成されたウエハ（１１）を検査するウエハ検査装置であって、前記レジストの外周部と前記保護膜の外周部との位置関係が反映されたデータを前記ウエハから取得する測定手段（１２，１３，１５）と、前記測定手段が取得したデータに基づき前記保護膜の異常を検出する検出手段（１６）とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
マルチ撮像ヘッド方式の複数の画像処理部は、各画像処理部を制御するための操作が複雑になり操作者の負担が増大するため、複数の画像処理部を効率的に操作できるマルチ撮像ヘッド方式の画像処理装置の実現が望まれている。
【解決手段】
試料台と、上記試料台上の被測定対象物を撮像する複数の撮像部と、上記複数の撮像部で撮像された上記被測定対象物の映像信号を処理する複数の画像処理部と、上記画像処理部からの出力信号を表示する表示部と、入出力切替部と、上記複数の画像処理部および上記入出力切替部を制御する制御部を有し、上記制御部の制御に基づいて上記入出力切替部を制御し、上記複数の画像処理部の出力信号のいずれか一方の出力信号を上記表示部に表示するように構成される。 （もっと読む）

【課題】検査途中で停止させた装置を速やかに復旧できるようにする。
【解決手段】外観検査装置のマクロ検査部には、ウェハＷの表面を目視観察するように支持する表面検査装置３１と、ウェハＷの裏面を目視観察するように支持する裏面検査装置３２とを有し、下降位置確認センサ６１と上昇位置確認センサ６５とが設けられている。下降位置確認センサ６１は、ウェハＷの有無を検出する光学式のセンサである。上昇位置確認センサ６５は、水平姿勢のウェハＷは検出しないが、ウェハＷを傾斜させるとウェハＷの有無を検出する光学式のセンサである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のパターン欠陥検査方法を得る。
【解決手段】重複パターンを除外した座標ファイルをもとに発生させた欠陥の発生しているパターンの画像データを参照することにより、欠陥検査機１が検出した箇所について、オペレータは、正確にレビュー検査を実行することができる。パターンの参照は、２値パターンを発生させ、レビュー箇所をナビゲートすることにより、行われる。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ加工による薄板化を行うＴＥＭ用観察試料の作製において、ＦＩＢ加工試料台への試料設置における試料表面の傾斜誤差を精度高く補正する。
【解決手段】観察を行う試料表面とその近傍の斜面部に、それぞれ直線状をなす目印があり、各部の目印の直線状位置関係に関し、一直線に繋がっていない場合、あるいは平行関係にない場合、ＦＩＢ加工面は所定の位置から傾いており、試料台の回転機構などを用いて、前記関係が一直線に繋がるように調整することで、試料面の傾斜を補正する。 （もっと読む）

【課題】 非接触方式と接触方式とを混用して適用可能なテストパターンを提供することにある。また、前記のようなテストパターンを用いて欠陥をモニタリングする方法を提供することにある。
【解決手段】 半導体装置の欠陥を検査する装備の検査条件を設定するに用いられるテストパターン１００は、正常パターン１１０、欠陥を有する非正常パターン１２０、及び前記正常パターン１１０と電気的に接続され、前記非正常パターン１２０からは電気的に分離された導電性ライン１３０を含む。したがって、一つのテストパターン１００に非接触方式と接触方式と両方とも適用することができるようになる。 （もっと読む）