【課題】
回路設計データを用いた半導体ウェーハ上の欠陥を自動的に検出し、欠陥発生原因の推定を行う半導体欠陥検査装置ならびにその方法を提供する。
【解決手段】
回路設計データから検査対象回路パターンと比較するために，欠陥発生要因毎に定められた形状変形項目について設計データに変形を加え，複数の形状を作成する。作成された形状群と実パターンの比較により欠陥を検出する。また、それらの欠陥の発生原因を推定し，原因別に欠陥を分類する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの電圧コントラストを強める装置及び方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハを電気的に試験するシステムであって、サンプルの第１の領域の帯電に影響を及ぼすように、デフォーカスされた荷電粒子ビームによって該第１の領域を走査するステップと、該第１の領域の少なくとも一部を、フォーカスされた荷電粒子ビームによって走査すると共に、該少なくとも一部から散乱した電子を検出するステップとを含み、該少なくとも一部は、該第１の領域が、該デフォーカスされた荷電粒子ビームによって導入された帯電の影響を受けたままである間に走査される。 （もっと読む）

【課題】
設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】
本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを１枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 （もっと読む）

【課題】検査中のウェーハの震動を防止する。
【解決手段】表面が鏡面化されるとともに外周部が面取り加工された半導体ウェーハについて、その外周部を把持した後、この把持された半導体ウェーハを鉛直状態に保持してその表面に検査用顕微鏡レンズを近接させて前記半導体ウェーハ表面を検査する装置であって、
前記半導体ウェーハを把持するウェーハ把持部分には、前記半導体ウェーハ外周部に接触する接触部分が２カ所以上設けられ、
前記接触部分には、前記半導体ウェーハ面取り部分の表面側位置に接触する表面接触部と、該表面接触部と前記半導体ウェーハ円周方向同位置とされ前記半導体ウェーハ面取り部分の裏面側位置で接触する裏面接触部とが設けられてなる。 （もっと読む）

【課題】
マルチビーム式の荷電粒子線応用装置において、電子光学系と試料を相対的に傾けることなく、試料に対し一次ビームを斜め方向から入射する機能を付与する。
【解決手段】
マルチビーム型の荷電粒子線応用装置において、アレイ状レンズ１０９のレンズ電圧を切った状態でも試料上に合焦させるように、光学系制御回路１３９により、レンズ１４０a、１４０b他を制御する。一次ビーム１０７は試料上の一点に対して複数の方向、すなわち試料ウェハ１１５に対して複数の角度をもって照射され、電子光学系と試料を傾斜させることなく、一次ビーム１０７の試料上到達点を一定に保つ。また、アパーチャーアレイ１０８やアレイ状レンズ１０９に対応して設置されたブランカアレイ１１６を個別に制御することにより、試料ウェハ１１５に照射する一次ビーム１０７の照射角を選択することができる。 （もっと読む）

【課題】
入射電子線により試料上の観察領域内のパターン寸法を計測する方法において、これまで実現困難であった高精度でかつ低ダメージの計測を可能とするパターン寸法計測技術を提供する。
【解決手段】
試料上の観察領域を走査される入射電子線に対して発生する反射電子または二次電子強度の情報から前記観察領域内のパターンの寸法を計測する方法において、前記試料上の複数の観察領域に電子線を照射することで得られる複数の電子顕微鏡像を重ね合わせることにより一つの画像を作成し、重ね合わせた前記一つの画像の強度情報からパターンの寸法を計測することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ビーム偏向制御回路の構成素子で発生する偏向回路雑音による電子ビーム照射位置のずれによる二次元画像化したときの画素ずれを低減して画質及び欠陥検出感度を向上させたＳＥＭ式検査装置を提供することにある。
【解決手段】電子ビームを用いた検査装置において、電子ビーム偏向制御回路は、電子ビーム走査方向成分の信号を生成する第一の偏向回路部と、被検査試料の移動方向成分の信号を生成する第二の偏向回路部を備え、前記第一及び第二の偏向回路部の偏向回路特性を独立に設定する設定手段を備える。 （もっと読む）

【課題】
半導体回路パターンの微細化が進むにつれ，パターン形状に依存して発生するシステマティック欠陥が製造歩留りに与える影響が大きくなっている。このようなシステマティック欠陥と発生位置が回路パターンに依存しないランダム欠陥とでは，その対策方法が異なる為，製造ラインにおいては，システマティック欠陥が発生しているか否かを効率的にモニタリングする必要がある。
【解決手段】
撮像した欠陥画像に対する自動分類結果の情報，その欠陥の座標とホットスポットの座標に関する情報，その欠陥の良品画像から抽出したパターン特徴量と，システマティック欠陥が発生する可能性のある回路パターンから算出されたパターン特徴量に関する情報を用いて，その欠陥がシステマティック欠陥であるか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】
電子ビーム式検査装置の高スループット化および検査画質向上には、偏向制御回路の出力波形の振り戻し時間短縮が課題となる。
【解決手段】
本発明は、検査試料の帯電特性に応じてＧＵＩ画面上スキャンモードを切り替え機能を行い時、スキャンモードと検査視野、画素サイズ、光学条件等具体的な検査条件に応じて、従来画像を取得しない偏向信号の振り戻す期間中、登録したパターンを有する試料を照射することにより画像を取得する。取得したから偏向信号の振り戻すアナログ波形を換算し、同アナログ波形と理想的な振り戻し波形を比較して補正データを抽出する。同補正データを偏向波形データ生成部に入力し、実際の波形が理想の波形に近づくように偏向波形データ生成を行うことで振り戻し時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】オペレータの技量に左右されず、例え初心者のオペレータが操作する場合であっても、欠陥を認識することができる。
【解決手段】試料の観察領域に電子ビームまたは集束イオンビームをある照射条件下で走査照射したときに、観察領域から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出工程（Ｓ４）と、二次荷電粒子検出工程で検出した二次荷電粒子から、観察領域を区分けしたそれぞれ同じ周期パターンの複数枚の観察画像を形成する画像形成工程（Ｓ５）と、画像形成工程で得られた複数枚の観察画象同士を比較し、それらの差分情報から観察領域における欠陥を認識する欠陥認識工程（Ｓ６）とを備え、さらに、観察領域に電子ビームまたは集束オンビームを照射条件とは異なる他の照射条件下で走査照射したときにも、二次荷電粒子検出工程、画像形成工程、欠陥認識工程を備える。 （もっと読む）

【課題】評価すべき局所パターンを漏れの無い範囲で決定できる評価対象パターン決定装置を提供する。
【解決手段】ＬＳＩチップのパターンがＣＡＤデータとして記憶されており、シミュレーションによりプロセスマージンの小さい局所パターンの座標をＣＡＤデータから抽出し、製造ラインで製造されているＬＳＩチップの局所パターンの観察を支援するパターン評価システムで用いられ、観察すべき局所パターンの座標を決定する評価対象パターン決定装置において、ＣＡＤデータと、製造ラインにおいて取得される製造データとによりプロセスマージンが他の領域より小さい領域であることを数値化した危険度が付与された危険領域をＬＳＩチップのパターン上に配置した危険度マップを作成する危険度マップ作成部２０４と、危険度マップに局所パターンの座標を重ね危険領域内に位置する局所パターンの座標を抽出可能にする重ね合わせ処理部２０７とを有する。 （もっと読む）

【課題】
アスペクト比の大きなコンタクトホールの観察，検査、或いは測定を高精度に実現ならしめる方法、及び装置を提供する。
【解決手段】
上記目的を達成するための一態様として、試料に第１の電子ビームを走査して、試料上を帯電させた後に、第２の電子ビームを走査して試料の観察，検査、或いは測定を行う方法、及び装置において、第１の電子ビームのビーム径を、第２の電子ビームのビーム径より大きくする方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線構造の欠陥検出において、欠陥部位と正常部位の階調差が大きく、白黒の濃淡の差が明確な試料面画像を取得し、欠陥の検出が容易な試料面観察方法を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁材料５２、６０と導電性材料５０、５２を含む配線が形成された試料面に電子ビーム１５を照射し、該試料面の構造情報を得た電子を検出することにより、試料面画像を取得して該試料面を観察する試料面観察方法であって、
前記試料面画像における前記絶縁材料と前記導電性材料との輝度を等しくした状態で、前記電子ビームを前記試料面に照射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部からの雑音を減らして精度の高い非破壊検査を可能とする。
【解決手段】電子ビームを半導体デバイスに照射してそのときに半導体デバイスに生じる電流を測定する半導体デバイス検査装置において、前記測定された電流の波形をあらかじめ設定された標準波形と比較する手段と、前記比較する手段の比較結果から半導体デバイス検査装置の異常か半導体デバイスの検査領域の異常かを識別する手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の論理回路に対して共通的な故障を抽出し、結果を表示する。外観検査で得た物理欠陥と論理診断で得た故障欠陥とを一致判定の距離パラメータを使用せずに正確に照合する。
【解決手段】論理回路のテスト結果から取得されたフェイル情報に基づき論理回路の故障箇所を推定する。入力処理ステップとデータ抽出処理ステップと診断処理ステップと出力処理ステップとを備えた構成であり、入力処理ステップでは、故障診断ツールで得られる論理回路ごとの故障候補データについて、複数個の論理回路の故障候補データが入力され、データ抽出処理ステップでは、各論理回路の故障候補データから、故障候補データ内の項目が抽出され、出力処理ステップでは、診断処理で集計した結果が出力される。 （もっと読む）

【課題】一次電子ビームと二次電子ビームとの重複領域で二次電子ビームの空間電荷効果による収差増大を抑制する。
【解決手段】電子ビームを生成して試料である基板Ｓに一次電子ビームＢｐとして照射する電子銃１１と、一次電子ビームＢｐの照射を受けて基板Ｓから放出される二次電子、反射電子および後方散乱電子の少なくともいずれかを検出して基板Ｓの状態を表わす信号を出力する電子検出部３０と、上記二次電子、上記反射電子および上記後方散乱電子の少なくともいずれかを導いて二次電子ビームＢｓとして拡大投影し、電子検出部３０のＭＣＰ検出器３１の検出面に結像させる二次光学系２０と、を備える基板検査装置１に、一次電子ビームＢｐの軌道と二次電子ビームＢｓの軌道との重複領域が縮小するように一次電子ビームＢｐを偏向する偏向器６８をさらに設ける。 （もっと読む）

【課題】寸法検査工程において、回路パターンまたはＱＣパターンの活性化領域上のゲート電極寸法を高精度に計測し、半導体装置を安定して製造する。
【解決手段】測定対象の画像データから、配線幅プロファイルを取得し、設計データベースから活性化領域の幅やピッチなどの下層レイヤの寸法を取得し、活性上解析領域を幅、およびピッチで設定し、画像の端からの位置をｘとする。活性上解析領域の配線幅の平均値をＡＥＩ＿Ａ（ｘ）として計算する。位置ｘを０からＴまで移動すると、配線幅の平均値ＡＥＩ＿Ａ（ｘ）は下層レイヤのピッチ構造に応じて変動する。下層レイヤの活性化領域と活性上解析領域が一致した場合、配線幅の平均値ＡＥＩ＿Ａ（ｘ）は最大値をとる。この極値を活性領域上のゲート電極寸法の計測結果とし、半導体装置の製造工程を管理する。 （もっと読む）

【課題】 試料の断面部の画像を得るための方法及びシステムの提供。
【解決手段】 試料の断面部をさらすように試料を粉砕するが、断面部が、第一材料から製造された少なくとも一つの第一部分と第二材料から製造された少なくとも一つの第二部分を備えるステップと；断面部を平滑にするステップと；断面部の少なくとも一つの第一部分と少なくとも一つの第二部分との間で形状差を生じるように断面部のガス援助エッチングを行うステップと；断面部を導電物質の薄層で被覆するステップと；断面部の画像を得るステップと；を含み、粉砕するステップ、平滑にするステップ、エッチングを行うステップ、被覆するステップ、画像を得るステップが、試料が真空のチャンバ内に配置されている間に行われる。 （もっと読む）

【課題】
試料の検査対象領域の任意の方向に走査（スキャン）可能で高スループットな電子ビームを用いた検査装置を提供する。
【解決手段】
走査電子顕微鏡の電子ビームを走査（スキャン）させるための２次元の座標を生成するスキャン制御部１２に、水平（Ｘ）方向及び垂直（Ｙ）方向毎に個別に座標変換する変換部８，９を備え、試料の検査対象領域で任意の方向に電子ビームを走査させる。この変換部８、９を、水平（Ｘ）方向及び垂直（Ｙ）方向毎に個別に高速動作可能な小容量変換テーブル（ＬＵＴ）で構成し、複数のスキャン種別に対応する座標変換データを格納した大容量変換テーブル（ＬＵＴ）を組み合わせることで、複数のスキャン種別に対応できる多機能で高速なスキャン制御が可能な検査装置を実現する。 （もっと読む）

【課題】本願の第１の目的は、基板を評価のために無駄に廃棄せず、かつ検査の
ための試料を取り出したウェーハをプロセスに戻しても不良を発生させない新た
な検査・解析方法や電子部品製造方法を提供することにありす。
【解決手段】本発明は、基板上で第一のイオンビームが照射された領域を少なく
とも含んだ領域に第二のイオンビームを照射し、第一のイオンビーム元素種が含
まれた試料表面の少なくとも一部を除去することを特徴とする基板の検査・解析
方法とする。
【効果】本願によると、半導体デバイス等の歩留向上のために、途中の検査がウ
ェーハを割断することなく実施でき、かつ、その際にも、イオンビームを構成し
ていた元素種を含む汚染や、デポ膜を構成する元素種を含む汚染を少なくするこ
とが実現できる。 （もっと読む）