【課題】本発明は、試料に荷電粒子ビームを照射することなく、帯電等の影響が反映された画像を形成する画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体デバイスの設計データから、荷電粒子ビームを照射する範囲を含む領域の情報を取得し、当該情報に基づいて、前記荷電粒子ビームの照射範囲について画素単位で、試料に荷電粒子ビームを照射したときの前記画素部分にて検出される電子の量を計算し、当該電子量に基づいて求められる輝度情報を配列して、画像を形成する画像形成装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の配線の良否を高精度で検査することが可能な半導体基板の検査方法および検査装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１４に電子ビーム１３を照射し二次電子１６を検出する。信号処理装置１８は、二次電子１６の信号強度に応じて半導体基板１４の被検査面の状態を示す電位コントラスト画像を作成する。制御用計算機１９は、欠陥検査においてノイズ源となる非検査対象の配線の画像を自己生成画像で置き換え、置換処理後のコントラスト画像に基づいて検査対象の配線の欠陥を検査する。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理によるダメージを検査するためのＴＥＧを有する半導体装置において、倒壊しやすいパターンを有するＴＥＧを提供し、洗浄処理によるダメージ検査の結果を半導体装置の製造に反映する。
【解決手段】洗浄処理によるダメージ検査用のＴＥＧとして、シリコン基板１の主面上にコの字型にパターニングされた、熱酸化膜２および導電膜３からなる倒壊パターン６を形成することにより、超音波や水溶液による洗浄処理を行なったウエハが受けたダメージを、倒壊パターン６の倒壊状況をＳＥＭで観察することで調べることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＦＯＶ内外のパターンの形成状況に依らず、高い再現性による測定を行い得るパターン測定条件設定方法、及びパターン測定条件設定装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、以下に荷電粒子ビーム装置のパターン測定条件設定方法、及びパターン測定条件設定装置であって、パターンが形成された試料の設計データから得られるＳＥＭの視野内、及び／又は視野外のパターン情報に基づいて、ＳＥＭのビーム条件を導出する方法、及び装置を提案する。また、当該方法及び装置の具体的な態様の１つとして、ＦＯＶが設定される領域のパターン情報に応じて、光学条件を導出するパターン測定条件設定方法、及びパターン測定条件設定装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】指定された配線の不良位置を自動で検出する装置を提供する。
【解決手段】試料にプローブと電子線を当て試料に吸収された吸収電流の像を利用して、長い配線でも不良位置を自動で検出する装置とその方法。プローブを当てたまま真横へ移動しながら吸収電流画像を取得し、その画像の吸収電流像を基にイメージシフトとステージの両方で補正する。試料回転ステージのないステージでバックラッシュ等の正しい角度で移動しないハード要因を含めて対策し、正確に長い配線の端まで移動しても配線を表示し続け、自動で配線の両端まで数往復する間に不良位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アスペクト比の大きなパターンの高さ（深さ）測定を実現することが可能な試料高さ測定方法、及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料上の第１の部分の高さと、第２の部分の高さの差違に関する情報と、前記第２の部分の輝度に関する情報を関連付けて記憶媒体に記憶させ、前記試料に荷電粒子線を走査したときに検出される荷電粒子に基づいて、前記第２の部分の輝度に関する情報を検出し、当該検出された輝度に関する情報と、前記記憶媒体に記憶された情報に基づいて、前記試料上の第１の部分と第２の部分との差違を求める方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
露光ショット内の任意の位置で合わせずれ量とずれ方向とを評価することが可能なパターンの重ね合わせ評価方法を提供する。
【解決手段】
重ね合わせ評価パターンを用いるパターンの重ね合わせ評価方法であって、重ね合わせ評価パターンの画像を、電子顕微鏡１０、１０９を用いて取得し（Ｓ１）、取得した画像と、記憶部１１１に登録されていた、重ね合わせ評価パターンが配置されるべきレイアウト情報とを比較して、各露光ステップのずれ量と方向とを算出（Ｓ２）し、評価結果を表示（Ｓ３）する。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターン画像と検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンを検査する検査部１２とを備え、データに基づいて製造された半導体デバイスから欠陥情報を得て、得られた欠陥情報から、データを構成する同じ幾何学情報に関連する繰り返し発生する欠陥を認識する繰り返し欠陥認識部２５を備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程の加熱処理プロセスにおいて、ウェーハ面内における輻射率など光学特性の差異に起因するウェーハ面内の到達温度のばらつきを抑えるとともに、配線幅などの形状の差異に起因する特性のばらつきを抑えることが可能な半導体装置の製造装置と半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の出力分布でウェーハを熱処理する熱処理ユニット11と、熱処理後の特性分布の目標値の入力部31と、光学特性の分布情報を取得する光学特性情報取得部34と、形状の分布情報を取得するための形状情報取得部33と、熱処理後の所定特性の分布情報を取得するための熱処理後特性情報取得部35と、目標値と、光学特性、形状、所定特性の分布情報と、出力分布を算出するための計算パラメータとを含むデータを保持する記憶部41と、記憶部41に保持されたデータに基づいて、所定特性の分布が目標値加熱源を制御する制御部44とを備える。 （もっと読む）

【課題】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて試料上の欠陥を観察する装置において、高倍率の欠陥画像と比較するための高倍率の参照画像を、欠陥画像を取得した後にステージを移動させることなく、かつ画像の解像度を低下させることなく高スループットで取得できるようにする。
【解決手段】
欠陥部位を低倍率で撮像した位置からステージ移動なしに低倍率の視野内で撮像できる高倍参照画像の撮像領域を探索し，探索できた場合には該領域を撮像して高倍参照画像を得、探索できなかった場合には欠陥部位の隣接チップから高倍参照画像を取得する方式に切り替えるようにした。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハを検査するための方法およびシステム。
【解決手段】 このシステムは、光検査ヘッド、ウェーハテーブル、ウェーハスタック、ＸＹテーブルおよび振動絶縁装置を含む。光検査ヘッドは、複数の照明器、画像収集装置、対物レンズおよび他の光学部品を含む。このシステム及び方法は、明視野画像、暗視野画像、３Ｄ形状画像および検査画像の収集を可能にする。収集画像は、画像信号に変換され、かつ処理のためにプログラマブルコントローラに伝送される。ウェーハが動いている間、検査が実行される。収集画像は、ウェーハ上の欠陥を検出するための基準画像と比較される。基準画像を作り出すための例示的な基準作成プロセスおよび例示的な画像検査プロセスもまた、本発明によって提供される。基準画像作成プロセスは、自動プロセスである。 （もっと読む）

【課題】上層配線層を除去しなくても下層配線層を検査することができるようにする。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下層配線層及び上層配線層を形成する工程（ステップＳ４０）と、下層配線層及び上層配線層を検査する工程（ステップＳ６０及びステップＳ８０）とを含む。下層配線層及び上層配線層を検査する工程において、下層配線層及び上層配線層に対して斜め方向から光を照射し（ステップＳ６０）、上層配線層の上方から半導体装置を光学的に観察することにより、下層配線層を検査する（ステップＳ８０）。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、試料搬送中に、試料に付着した異物の除去を行う試料搬送機構、及び試料搬送機構を備えた走査電子顕微鏡の提供を目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するための一態様として、試料を裏面から支持する試料搬送用ハンドを備えた試料搬送機構であって、前記試料を吸着して保持する吸着機構と、当該吸着された試料と、前記試料搬送ハンド間に形成される閉空間内で、試料に気体を吸着する吸着機構と、当該閉空間内の気体を吸引する吸引機構を備えた試料搬送機構を提案する。更に走査電子顕微鏡内で発生した異物を、試料カセット等に持ち込まないように、走査電子顕微鏡鏡体と試料カセットとの間に設けられた試料搬送用ハンドに設けられた異物除去機構によって、異物を回収する走査電子顕微鏡を提案する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハが大型化した場合における、検査装置における（１）ステージの加速・減速制御の複雑化、（２）スループット低下、（３）ステージ反転動作時のステージ支持台の振動増大（分解能劣化）等の問題を解決する。
【解決手段】ウェハ６を回転させ、回転するウェハ６に対して走査型電子顕微鏡１から電子ビームを照射し、ウェハ６から放出される２次電子９を検出する。検出された２次電子９は画像処理部において、ＡＤ変換１６され、画像データ並べ替部１７において並べかえられ、画像演算１８されて表示される。これによってステージ４をＸ方向、Ｙ方向に大きく移動することなく、ウェハ６の全ダイの画像情報を取得することが出来る。 （もっと読む）

【課題】低酸素のシリコン単結晶に含まれるＰｖ領域とＰｉ領域の境界を判定する。
【解決手段】チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェーハに対し、少なくとも５００℃〜９００℃までの温度範囲を２℃／ｍｉｎ以下のレートで昇温させるランピング昇温熱処理を施した後、酸素析出物を成長させる酸素析出物成長熱処理を行い、これによって顕在化された酸素析出物の分布によって、シリコンウェーハの結晶欠陥分布を判定する。本発明によれば、低酸素のシリコン単結晶であっても、Ｐｖ領域における酸素析出が十分となることから、Ｐｖ領域とＰｉ領域の境界判別を容易に行うことが可能となる。したがって、ＯＳＦ領域を指標とすることなく、Ｐｖ領域かＰｉ領域しか含まないシリコン単結晶を育成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 基盤電流値を用いてコンタクトホール底、ビアホール底のプロセス状態の定量評価を実施する際に、ホール底以外の影響を最小限に抑制し、ホール底のプロセス状態を評価できるコンタクトホール界面評価方法を提供する。
【解決手段】 本発明のコンタクトホール界面評価方法は、電子ビームＥＢをウェハ基板ＷＥＨのコンタクトホールＣＯＮＨに照射して、ウェハ基板ＷＥＨに吸収される吸収電流値をウェハ基板電流値ＩＡＣとして測定することによってコンタクトホール界面ＣＯＮＨＤを評価するものであり、電子ビームＥＢの照射により測定されるウェハ基板電流値ＩＡＣがウェハ基板ＷＥＨの帯電状態や微妙な表面状態の影響を受けることを避けるために、任意のコンタクトホールＣＯＮＨのウェハ基板電流値ＩＡＣを基準にして、それ以外の複数のコンタクトホールＣＯＮＨのウェハ基板電流値ＩＡＣとの差分を求め、コンタクトホール界面を評価する。 （もっと読む）

【課題】パターンが連結しているか分断しているかを確実に判断することができ、さらに、パターン形状を定量的に評価することが可能なパターン形状の評価方法を提供する。
【解決手段】測定対象パターンが連結しているか分断しているかを判定するパターン形状の評価方法であって、
前記測定対象パターンを有する画像データに対して、所定の領域に測定対象領域を設定し、
前記測定対象領域における前記測定対象パターンの輪郭を構成する、複数のパターン輪郭点を抽出し、
前記複数のパターン輪郭点を元に、前記パターン輪郭点の集合であって隣り合う前記パターン輪郭点間の距離が全て所定の値以下である、２つのパターン輪郭点列を作成し、
前記２つのパターン輪郭点列間の最短距離を算出し、
前記最短距離を与える２つの前記パターン輪郭点を通る直線と、前記測定対象領域に対して任意に定められた基準線のなす角度を算出し、
前記角度に基づいて、前記測定対象パターンの形状の良否判定を行う。 （もっと読む）

【課題】多層配線層の検査工程を含む半導体装置の製造技術において、検査の迅速性を損なうことなく、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体ウェハの主面上に中間配線層（工程ｓ０３，ｓ０５）、ビア層（工程ｓ０４，ｓ０６）、最上配線層（工程ｓ０７）を形成する。中間配線層を形成した後の電位コントラスト観察工程ｖｃ０１，ｖｃ０２と、最上配線層を形成した後の電気的検査工程ｅｃ０１とを有する。中間配線層は、平面積が大きい第１配線パターンと、面積が小さく、浮遊状態となる第２配線パターンとを有する。最上配線層は、第１配線パターンに導通する第１最上配線パターンと、第２配線パターンに導通する第２最上配線パターンとを有する。電気的検査では、第１最上配線パターンと第２最上配線パターンとの間に電位差を与えて導通状態を検査する。 （もっと読む）

【課題】既存の計測装置における検出限界以下の微小な異物であっても安定且つ正確に検出することができる汎用性の高い異物検出方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面にハロゲン元素を含有する油脂状物質又は有機溶媒を噴霧し、ウエハＷの表面温度を調整して噴霧された油脂状物質又は有機溶媒をウエハＷ表面に付着したパーティクルＰの周囲に凝縮させてパーティクルＰを強調し、強調されたパーティクルＰを表面検査装置を用いて光学的に検出する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハの除電を効率よく行うことができ、基板電流をより正確かつ精密に測定可能なウェハ除電方法を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハの除電方法は、電子ビーム照射によりウェハＷＥＨに流れる基板電流を真空中の試料室内で測定する前に、Ｘ線イオナイザー１’を用いて軟Ｘ線を気流存在の条件下で、ウェハＷＥＨに向けて照射して、ウェハＷEＨに帯電している電子を除電する。 （もっと読む）