【課題】周期性のある領域を簡易に且つ精密に設定することが困難であり、検査時に領域に対する位置ずれで誤検出が発生する場合がある。
【解決手段】ストライプ状に電子線画像を連続して取得し、画像の明るさ変化より領域情報を設定あるいは補正することで精密に帯電等の影響も含めた領域情報を設定することができるようになる。
【効果】簡易，短時間に精密に領域を設定でき、領域情報と画像との位置ずれによる誤検出を低減でき、検査結果の信頼性，安定性が向上するため、高感度検査が実現できる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ端面に存在しているダメージを検出する方法を提供してデバイス工程における歩留まりを向上させる。
【解決手段】シリコンウェーハの端面に対し、水酸化アンモニウムおよび過酸化水素を含有する水溶液からなり、且つ、水酸化アンモニウムと水との質量比がＮＨ_４ＯＨ：Ｈ_２Ｏ＝１：１６〜１：４の範囲内にある処理液を接触させるウェーハ処理工程と、ウェーハ処理工程を経たシリコンウェーハの端面に対して電子線を照射し、放出される二次電子を用いてシリコンウェーハの端面を観察するウェーハ観察工程とを含むことを特徴とする、シリコンウェーハ評価方法である。また、そのシリコンウェーハ評価方法を用いたシリコンウェーハ製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィ技術を用いて感光性樹脂膜をパターニングする工程の良否を正確且つ簡易に検査することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】パターン形成方法は、基板１の主面上の被検査領域に感光性樹脂膜を形成する工程と、投影光学系を用いて、マスクに形成された原版パターンを透過した露光光を感光性樹脂膜の表面に照射する露光工程と、感光性樹脂膜に現像処理を施して原版パターンに対応する被検査パターン２を形成する現像工程とを備える。被検査パターン２は、一端側から他端側に向かうにつれて厚みが変化する傾斜構造２ｓａ，２ｓｂを有する。原版パターンは、被検査パターン２の厚み分布に応じた光透過率分布を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの端部に存在する接触に起因する欠陥の発生を容易且つ適切に評価することのできる技術を提供する。
【解決手段】ウェーハに対して、外部物との接触による影響を受けている影響部分と、外部物との接触による影響を受けていない正常部分とで異なるエッチング速度となる条件でドライエッチングを行うドライエッチングステップ（ステップＳ１）と、ドライエッチングを行ったウェーハの端面部の外観を観察する端面観察ステップ（ステップＳ３）と、ウェーハの観察結果に基づいて、ウェーハの端面部における接触起因欠陥を評価する評価ステップ（ステップＳ４）とを行うようにする。 （もっと読む）

【課題】絶縁領域と導電領域が形成されている試料面の観察を高コントラストで行い、且つ、欠落欠陥や開放欠陥の検出と欠陥種類の分類を容易なものとする技術を提供すること。
【解決手段】導電領域の輝度が絶縁領域の輝度よりも高い条件下で画像の取得と、絶縁領域の輝度が導電領域の輝度よりも高い条件下で画像の取得とを行い、これらの画像に基づいて、試料面上の欠落欠陥と開放欠陥の双方を高い精度で検出する。この方法は、絶縁領域と導電領域を有する試料面に材料コントラストが最大となる照射エネルギ（ＬＥ）の撮像電子ビームを照射するステップ（Ｓ２０３）と、当該撮像電子ビームの照射を受けた試料面から、導電領域の輝度が絶縁領域の輝度よりも高い条件下で画像を取得するステップ（Ｓ２０５）と、絶縁領域の輝度が導電領域の輝度よりも高い条件下で画像を取得するステップ（Ｓ２０７）とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。
【解決手段】基準パターン画像及び計測対象パターン画像から、各パターンの輪郭線を抽出し、抽出した各パターンの輪郭線からパターンのコーナー部分や欠陥部分などに相当するノイズ領域を除去してパターンマッチング用輪郭線を生成する。続いて、基準パターンのパターンマッチング用輪郭線と、計測対象パターンのパターンマッチング用輪郭線とのマッチングを行い、マッチングした位置で元の輪郭線同士を重ね合わせ表示する。そして、その重ね合わせ画像から、基準パターンと計測対象パターンとの差分を計測する。 （もっと読む）

【課題】歩留り予測の精度を向上することができる歩留り予測システム及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のチップ領域が設定された基板の処理を行う工程と、前記処理後の基板の状態に基づいて歩留りを予測する工程と、を繰り返し行う。前記歩留りを予測する工程では、前記基板に存在する欠陥の状態を把握し（Ｓ１４）、前記欠陥の状態に基づいて前記複数のチップ領域のうちから不良チップ領域を特定し（Ｓ１６）、前記不良チップ領域に関するデータをデータベースに格納し（Ｓ１７）、前記データベースに格納されている不良チップ領域に関するデータに基づいて歩留りを算出する（Ｓ１８）。また、前記欠陥の状態を把握する際には、前記データベースを参照して、既に不良チップ領域であるとして特定されているチップ領域については前記欠陥の状態の把握を省略する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造方法に係り、例えばＣＤ−ＳＥＭとスキャトロメトリを併用し、処理工程等をより適切に制御できる技術を提供する。
【解決手段】本半導体装置製造方法では、半導体デバイスの製造の処理工程に関する寸法等をＣＤ−ＳＥＭ（第１の計測手段）とスキャトロメトリ（第２の計測手段）との両方で計測する（Ｓ２０２，Ｓ２０３等）。ウェハ内の複数の計測点に関し、第１及び第２の計測手段の計測値を用いて、誤計測を検出・補正する（Ｓ２１０等）。この際、例えば、ロット内の各ウェハの第２の計測手段の計測値の平均値を用いて処理する。また第１及び第２の計測手段のロットの各ウェハの計測値の平均値を用いて処理する。補正した計測値に基づき、制御対象の工程（Ｓ２０７）の処理条件の制御パラメータを計算（Ｓ２１３）し、変更する。 （もっと読む）

【課題】試料の欠陥を検査する装置において、装置が小型化できて省スペース，コストダウン，振動抑止と高速化，検査の信頼性が得られ、特に大口径化したウエハの場合に効果が大きい荷電ビーム検査装置を得る。
【解決手段】試料を搭載する回転ステージと、該回転ステージを一軸方向へ移動させる一軸移動ステージと、該一軸移動ステージを内蔵する真空室と、前記試料へ光または荷電粒子ビームを照射して前記試料上の欠陥を検出する第一のカラムと、該第一のカラムで検出された前記欠陥の座標に基づいて前記試料に荷電粒子ビームを照射し該欠陥を再検出する第二のカラムとを備え、前記欠陥を検出する検出器の検出面の方向は、それぞれのカラムの中心へ向いていることを特徴とする荷電粒子ビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数の外観検査装置から出力される外観不良箇所の位置情報が大きな誤差をもつことが原因で、実施が困難な工程トレースを通常の自動撮像時に同時に実行する。
【解決手段】外観検査装置から出力される外観不良箇所の位置を、ＳＥＭ式レビュー装置内の絶対座標として記憶し、工程が異なっても、ユーザーが指示した絶対座標の自動撮像を実施することによって工程トレースが容易に実施可能となる。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置において、オートフォーカスを実行する際の焦点測度のステップ量を、焦点測度分布の近似曲線の広がりに対して最適な値に適正化する。
【解決手段】第一の倍率で撮像した画像または設計データから求まるレイアウト画像から得られる画像特徴量を用いて、オートフォーカス実行時の焦点測度のステップ量を補正する。得られたステップ量に基づきオートフォーカスを実行し、観察，計測あるいは検査対象試料を撮像する。 （もっと読む）

【課題】ウェハなどの試料の欠陥を検出する検査速度を向上させる。
【解決手段】電子ビームを検査試料に照射する一次電子光学系と、ウェハから放出された二次ビームを検出器に入射する二次光学系と、検出器と、検出器を制御するための制御装置とを備えた、電子線検査装置において、電子線検査装置は、一次コラム、二次コラムおよびチャンバーを有し、一次コラムには、電子銃、一次電子光学系が配置されており、チャンバーには、ステージが設置され、その上に試料が載置されており、二次コラムには、光軸上に、カソードレンズ、ニューメニカルアパーチャ、ウィーンフィルタ、第２レンズ、フィールドアパーチャ、第３レンズ、第４レンズおよび検出器が配置されており、開口部が電子ビームの集束位置およびカソードレンズの焦点位置になるように配置されて、カソードレンズと前記ニューメニカルアパーチャとは、テレセントリックな電子光学系を構成している。 （もっと読む）

【課題】
レビューＳＥＭを用いて回路パターンを定点観察する場合に、観察する回路パターンのばらつきが大きい場合でも、虚報の発生を抑えて安定した検査を行えるようにする。
【解決手段】
レビューＳＥＭを用いて所定の回路パターンを順次撮像してえたＳＥＭ画像を記憶手段に記憶し、この記憶したＳＥＭ画像の中から設定した条件に適合する画像を選択し平均化して平均画像(ＧＰ画像)を作成し、このＧＰ画像を用いたＧＰ比較によりパターン検査を行うことにより、回路パターンのばらつきが大きい場合でも虚報の発生をおさえた検査を可能にした。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークが複数のショットに跨って形成されている場合、完成形であるアライメントマークをＣＡＤデータから作成するためにはユーザ自身の手作業が求められる。
【解決手段】１つのアライメントマークが複数のショットに跨って作成される場合に、各アライメントマークに関連する複数のショットのＣＡＤデータを相互の位置関係に応じて合成し、アライメントマークの完成形を含む合成ＣＡＤデータを自動的に作成する。 （もっと読む）

【課題】複数の検出器からの検出信号をパターン配置に応じた適切な配分比を用いて合成して、多層レイヤにおける下層パターンのコントラストを向上する技術を提供する。
【解決手段】複数の検出器から得られた検出画像を用いて画質改善を図ることを可能とする荷電粒子線装置およびその画質改善方法において、配置場所の異なる各検出器の出力に対応する検出画像を用いて、１枚以上の出力画像を生成する方法を、設計データや検出画像から算出したパターン方向あるいはエッジ強度の情報等を用いて制御するものである。このように、複数の検出器を用いることで検出信号範囲を拡大し、設計データや検出画像から算出したパターン方向あるいはエッジ強度を用いて検出信号を合成することで、コントラスト等の画質の改善を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を電子顕微鏡等で詳細に観察する装置において、観察対象の欠陥を確実に電子顕微鏡等の視野内に入れることができ、かつ装置規模を小さくできる装置を提供する。
【解決手段】光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を観察する電子顕微鏡5において、欠陥を再検出する光学顕微鏡14を搭載し、この光学顕微鏡14で暗視野観察する際に瞳面に分布偏光素子及び空間フィルタを挿入する構成とする。光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を観察する電子顕微鏡5において、欠陥を再検出する光学顕微鏡14を搭載し、この光学顕微鏡14で暗視野観察する際に瞳面に分布フィルタを挿入する構成とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜の端部を精度よく検出することが可能な基板検査装置を提供する。
【解決手段】基板検査装置１は、表面に薄膜が設けられたウェハ１０を支持するウェハ支持部２０と、ウェハ支持部２０に支持されたウェハ１０の端部または端部近傍に対して微分干渉観察を行うための観察ユニット３０と、観察ユニット３０で得られたウェハ１０の微分干渉像を撮像する撮像素子５０と、撮像素子５０に撮像された微分干渉像の画像から薄膜の端部を検出する画像処理部５１とを備え、微分干渉観察におけるシアー方向がウェハ１０の半径方向に設定される。 （もっと読む）

【課題】
チルト像には立体的なパターンの様々な輪郭線が存在し、またパターン表面のラフネス等により計測対象外の形状変化に伴うエッジも含まれるため形状認識は複雑になり画像処理による形状計測は容易でない。さらに，パターンの形状評価に適した観察方向を判断することが困難であった。
【解決手段】
評価対象となるパターンの撮像方向と撮像領域内に含まれる回路パターンの設計データから撮像画像上でのパターンの輪郭線の予想位置（予想輪郭線）を推定し，予想輪郭線と実際の輪郭線との位置ずれ予想範囲を設定し，前記位置ずれ予想範囲を基に画像処理範囲あるいは画像処理方法を設定してパターンの寸法，輪郭線，画像特徴量，三次元形状を算出するようにした。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置で撮像された試料の画像を、受像処理装置に伝送する際の欠落やデータ化けを、高速性を損なわずに検出できる仕組みを提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置で撮像された試料の画像又はその一部画像の識別子を生成する。一方、受像処理装置は、受信データに基づいて試料の画像又はその一部画像に対応する識別子を生成し、別に受信した識別子と比較する。二つの識別子が一致しなければ、画像の欠損やデータ化けが発生したと判定する。 （もっと読む）

【課題】パターン寸法やパターン形状ばらつきの低減や下層との重ね合わせやダブルパターニング法を用いた半導体デバイス製造時の重ね合わせ精度向上。
【解決手段】本発明では、パターン形状のばらつきの定量化および適正化を達成するために、以下の手段を用いた。半導体集積回路の一部が形成されたシリコン基板上で、電子を発生させる電子源と電磁レンズあるいは静電レンズからなる電子光学系により試料上で上記電子を走査して得られる信号により構成したＳＥＭ画像を取得して、複数の画像を平均化あるいは設計データから自動生成によって参照画像をもとめ、比較して、パターンの形状ばらつきや重ねあわせ精度を統計的に算出する。これらの算出をもとに、製造条件にフィードバックあるいはフィードフォワードをかけるＡＰＣを実施する。 （もっと読む）