【課題】
半導体装置のメモリマット部の最周辺部や、繰り返し性の無い周辺回路まで高感度に欠陥判定できる検査技術を提供する。
【解決手段】
繰り返しパターンを有する複数のダイで構成された回路パターンの画像を取得する画像検出部、取得した検出画像について、繰り返しパターンの領域とそれ以外の領域とに応じて加算対象を切り替えて参照画像を合成し、検出画像と比較して欠陥を検出する欠陥判定部、検出された欠陥の画像を表示する表示装置を備える。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡等で撮影した半導体デバイスの画像に複数レイヤーのパターンが含まれる場合において、検査対象とするレイヤー以外のパターンの影響を排除して、精度の高いパターンの検査を行うことを実現する。
【解決手段】本発明のパターン検査装置は、例えば走査型電子顕微鏡システムに搭載することができ、ＳＥＭ画像に複数レイヤーのパターンが含まれている場合に、前記パターンに対応する複数レイヤーのＣＡＤデータを利用することで、前記パターンをレイヤー毎に分離する。これにより、検査対象レイヤーのパターンのみを利用した検査や、レイヤー毎に異なるパターン検査や、レイヤー間の位置ずれ量の検出を実現する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの複雑な構造のばらつきを直感的かつ定量的に評価することができる外観検査装置を提供する。
【解決手段】被検査物の像を検出する画像検出部６、検出した画像を処理する画像処理部９１、被検査物をスキャンするビーム制御系９２およびステージ制御系９３を有するスキャン制御部を備えた画像検出部１０と、検出した画像から外観を検査する外観検査処理部２０とを備えた外観検査装置において、外観検査処理部１０が、取得した複数の像を重ね合わせ、像の各点（ｘ，ｙ）における代表的な値（代表値データμ(ｘ，ｙ)）を求める代表値データ作成処理機能２１２と、複数の像の各点（ｘ、ｙ）における許容範囲の値（ばらつきデータσ(ｘ，ｙ)）とを求めるばらつきデータ作成処理機能２１３と、代表的値データとばらつきデータとを元に、検査対象物の良否を判定する判定処理機能２１４を有する。 （もっと読む）

【課題】 プロセス中で発生した欠陥と、疑似欠陥とを区別することができない。
【解決手段】 プロセスに起因する欠陥と、他の疑似欠陥とを切り分けるための切り分けサイズが、切り分けサイズ記憶部(21)に記憶される。欠陥の情報が、欠陥情報記憶部(17)に記憶される。処理装置が、画像データに基づいて、ウエハ表面上の欠陥を検出し、欠陥の情報を、欠陥情報記憶部に記憶させる。ウエハ表面の欠陥検出を行うべき範囲の全域について欠陥検出処理が終了する前に、一部の範囲について検出された欠陥のサイズと、前記切り分けサイズ記憶部に記憶されている切り分けサイズとを比較し(SB3)、該切り分けサイズ以上の大きさの欠陥が検出されている場合には、前記出力装置から検査装置異常であることを知らせる警報を出力させ(SB5)、該切り分けサイズ以上の大きさの欠陥が検出されていない場合には、未だ欠陥検出処理が行われていない範囲について欠陥検出処理を行う(SB6)。 （もっと読む）

【課題】複数段多極構成の静電偏向器方式に基づいた電子ビーム式検査装置において、ＰＶＣモードとＮＶＣモードのいずれにも対応できる偏向電圧生成方法を提供すると共に、偏向制御回路のノイズに起因する電子ビームの走査ずれを低減して検出感度を向上できる検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム式検査装置において、静電偏向器を制御する偏向制御手段２は、偏向制御信号を生成する偏向波形生成手段２１と、生成された制御信号を増幅し、この増幅された制御信号を分岐して静電偏向器の各段に違う電圧を印加する偏向信号出力手段２０とを有する。偏向信号出力手段２０は、静電偏向器の各段に違う電圧を印加するために、帯電制御手段により設定されて帯電制御電極に印加する電圧に応じて静電偏向器の各段に印加する制御信号の電圧比を切り替える偏向電圧比切替手段２０３を有する。 （もっと読む）

【課題】
取得画像の像質や分解能の劣化を防ぐことができる走査型電子顕微鏡、および走査型電子顕微鏡の画像の改良方法を提供する。
【解決手段】
試料に電子ビームを照射し該試料から発生する二次信号の情報を画像化する走査型電子顕微鏡において、前記電子ビームを前記試料で走査する走査信号を補正する補正データを格納する記憶部と、該記憶部へ格納された補正データを用いて前記走査信号を補正する補正回路と、該補正回路で補正された走査信号を用いて得られた画像を表示するディスプレイとを備え、該ディスプレイには、さらに、前記補正データに基づいて生成された補正データ波形が表示される。 （もっと読む）

【課題】ノイズ減衰の改善効果が、外部環境の状況に依存せずに得られる電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】複数のラインに沿って電子線１６を走査し、走査上の観察試料４から発生した二次電子１４に基づいて観察信号を生成させる電子顕微鏡２０において、ラインの走査の直前又はライン同士の走査の間に、電子線１６に標準信号発生用試料５を走査させて、発生させた二次電子１４に基づいて標準信号を生成させ、標準信号を周波数空間のスペクトルに変換し、標準信号のスペクトルと標準信号のノイズが無い場合の理想信号のスペクトルとの差分の信号のスペクトルを生成し、差分の信号を減衰させるフィルタをフィルタ処理部１５に設定し、フィルタを用いて観察信号にフィルタ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ウェハの特質により欠陥部位のコントラストが十分に得られない場合であっても、フォーカス精度劣化をきたすことなく、高感度な欠陥検出性能を実現する優れた試料検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】試料を移動可能なステージ上にロード後、試料の高さ計測を行った後、試料に電子線ビームを走査させ、得られた画像から欠陥部を求めるＳＥＭ式外観検査方法及び装置において、高さ計測がステージ移動による補正処理機能を備えている。 （もっと読む）

【課題】試料のパターンからアシストパターンを透過画像と反射画像を用いて識別すること。
【解決手段】パターンを有する試料の透過画像と反射画像を同時に取得する光学画像取得部と、アシストパターンの識別条件により透過画像と反射画像のパターン形状からアシストパターンを識別するアシストパターン識別部と、を備えているアシストパターン識別装置、及び、パターンを有する試料の透過画像と反射画像を同時に取得する光学画像取得部と、アシストパターンの識別条件により透過画像と反射画像のパターン形状からアシストパターンを識別するアシストパターン識別部と、アシストパターンをデセンス領域に設定するデセンス領域設定部と、デセンス領域において、パターンの比較検査を行う比較判定部と、を備えている試料検査装置。 （もっと読む）

【課題】欠陥観察装置を用いて短時間に多数の試料上の欠陥を観察する方法において、高スループットで、かつ安定に欠陥画像を収集する。
【解決手段】欠陥観察装置において、観察対象となる試料上の各欠陥について、試料の設計情報から算出された試料の外観特徴に基づき欠陥検出方式を撮像前に選択して設定し、試料上の欠陥座標および該設定された欠陥検出方式をもとに、ステージの移動時間が短くなるように欠陥画像および参照画像の撮像順序を設定して欠陥画像の収集を行うようにし構成した。 （もっと読む）

【課題】断面および観察対象断面が所定位置に配置された複数の断面像を取得することが可能な、画像取得方法を提供する。
【解決手段】断面像撮影工程（Ｓ５２）の前に、観察対象断面以外の領域をＥＢ走査してリファレンスマーク画像を撮影するマーク画像撮影工程（Ｓ４２）と、撮影されたリファレンスマーク画像をリファレンスマーク基準画像と比較して、所定時点に対する現在のＳＥＭドリフト量を算出するドリフト量算出工程（Ｓ４４）と、所定時点に対する現在の観察対象断面のオフセット量を算出するオフセット量算出工程（Ｓ４６）とを有し、断面像撮影工程（Ｓ５２）では、所定時点におけるＥＢ走査領域をＳＥＭドリフト量およびオフセット量に基づいて補正し、断面像を撮影する構成とした。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのパターンの検査において、非検査領域が混在する試料でも非検査領域への電子ビームの照射を防止し、所望の検査領域を検査することができる検査装置、および検査方法を提供する。
【解決手段】電子ビームは試料の照射領域を画像化するための照射エネルギーを有し、電子ビームの走査中に電子ビームが試料へ照射するのを妨げるように電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器と、電子ビームの走査中に試料を連続的に移動させるステージと、電子ビームの照射領域の選択に従って、電子ビームの非照射領域では電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器へ偏向指令を送信する制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造工程における半導体装置等の欠陥を発見した場合に、後のレビューに有益な情報を取得する方法の提供。
【解決手段】外観検査装置１が取得した検査対象物に関する欠陥情報２１の入力を受け付けて記憶する記憶部３２と、検査対象物に関する画像を取得する画像取得部と、画像取得部を用いて欠陥情報に基づく欠陥レビュー用データを取得する処理部３１と、を備える欠陥レビュー装置２４、２５による欠陥レビュー方法である。処理部は、記憶部から読み出した欠陥情報２２ｂ、２３ｂにおいて、欠陥の集まりを示すクラスタが有るか否かを判定し、クラスタが有ると判定した場合、当該クラスタの分布特徴に基づき、画像取得部を用いて、検査対象物に関してクラスタの一部である欠陥部分の画像と付加的なデータとを取得する。 （もっと読む）

【課題】高精度かつ高速のパターン検査を小さな処理能力で可能にする。
【解決手段】検査対象パターンの画像と検査対象パターンに対応するＣＡＤデータとのマッチングにおけるズレの程度を表す統計量を算出し、該統計量に基づいて補正処理の要否を判定し、補正処理が必要と判定された場合に、ＣＡＤデータ中のポリゴン図形に補正処理を行い、補正されたポリゴン図形とパターン画像とを比較する。 （もっと読む）

【課題】試料の絶縁体に帯電した帯電電位をより正確に測定する帯電電位測定機能、及び測定した帯電電位の情報を用いて試料上のパターンを高精度に計測するシステムを提供する
【解決手段】少なくとも一層の絶縁膜を有する試料（たとえば、半導体基板）における絶縁膜表面の帯電電位を測定する帯電電位測定方法を提供する。本方法では、電子線を、金属薄膜を介して絶縁膜表面に照射し、電子線を絶縁膜表面に照射したときの試料電流を測定する。次に、試料に印加する電圧を所定範囲で変化させて得られる、印加電圧と試料電流との関係（検量線）を用いて得られた試料電流に対応する試料の電圧を求める。そして、この得られた試料の電圧を絶縁膜の帯電電位と定める。試料電流は、電子線照射により誘起された電流を含む。また、検量線は、試料の種類ごとに予め取得しておいてもいいし、帯電電圧測定動作の度に、電子線を照射しながら検量線を取得し、それを用いるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＧの存在する分割予定ラインをカーフチェックの対象とした場合であっても、ＴＥＧに影響されることなく、正確なチッピング検出を行えるようにする。
【解決手段】ＴＥＧが存在する分割予定ラインを切削した場合とＴＥＧが存在しない分割予定ラインを切削した場合との撮像画像上の特性の違いに基づきＴＥＧが存在する分割予定ラインを判定し（ステップＳ６）、さらに、ＴＥＧが存在する分割予定ラインについてはＴＥＧ領域抽出工程（ステップＳ８）によってＴＥＧ領域を抽出することで、ＴＥＧの存在しない部分のみをチッピング領域として認定するようにした（ステップＳ７，Ｓ９）。 （もっと読む）

【課題】検査の高速化を図ることができる電子ビームを用いた検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】電子銃１からの電子ビーム３６は対物レンズ９で収束され、試料１３に与えられるリターディング電圧によって減速され、試料１３は移動しながら電子ビームで走査され、試料１３から発生した２次電子３３はリターディング電圧により加速され、ほぼ平行ビームとなって、対物レンズ９と試料１３との間に配置されたＥ×Ｂ偏向器１８により偏向されて２次電子発生体１９を照射し、２次電子発生体１９から第２の２次電子２０が発生して荷電粒子検出器２１によって検出される。検出されたその出力信号は画像信号として記憶され、記憶された画像は演算部２９及び欠陥判定部３０で比較され、欠陥が判定される。 （もっと読む）

【課題】２次電子像による半導体装置の不具合解析の効率化。
【解決手段】半導体装置の解析装置は、半導体装置に荷電粒子ビームを照射して得られる２次電子を検出して得られる２次電子像を入力する手段と、比較元となる半導体装置の設計データと、該比較元となる半導体装置の２次電子像とに基づいて、比較元となる半導体装置の２次電子像を電位別の領域に区分けする手段と、前記比較元となる半導体装置の設計データに基いて、前記比較元となる半導体装置の２次電子像の電位別に区分けされた前記各領域の電位濃度分布を計算する手段と、前記電位濃度分布に従って、前記比較元となる半導体装置の２次電子像の前記各領域を着色し、擬似良品２次電子像を生成する手段と、前記擬似良品２次電子像と、解析対象の半導体装置の２次電子像とを、表示する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、複数のパターンを含むテンプレートを用いたマッチングの際に、一部のパターンの変形や、テンプレートとＳＥＭ画像間に倍率誤差がある場合であっても、高精度なマッチングが可能な方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】
上記課題を解決するための一手法として、設計データの所定領域内に配置された複数のパターンのうち、一部を選択的に用いてマッチングを行う方法、及びそれを実現するための装置を提案する。また、上記課題を解決するための他の手法として、設計データの所定領域内に配置された複数のパターンに基づく第１のマッチングを行った後、前記所定領域内に配置された複数のパターンのうち、一部を用いて第２のマッチングを行う方法、及びそれを実現する装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】入力画像の対象物対応領域がテンプレート画像の対象物領域と比べて変形している場合や、入力画像にノイズが重畳している場合でも、対象物を正しく検出することができる（検出したかどうかの判断が可能となる）一致度を計算する。
【解決手段】入力画像と、対象物のテンプレート画像とを対比し、入力画像とテンプレート画像との一致度を計算する一致度計算装置であって、入力画像を、テンプレート対象物領域と整合するように変形する変形手段と、変形後の入力画像とテンプレート画像との一致度を計算する手段とを備え、前記変形手段は、入力画像の対象物対応領域において、テンプレート対象物領域の形状に合わせて非背景領域を整形する手段と、入力画像の対象物非対応領域において、テンプレート対象物対応領域に接する非背景領域を、前記一致度に影響を与えないように設定する処理手段と、を備える。 （もっと読む）