【課題】検査基板８を短時間で検査可能な電子線式基板検査装置１を提供する。
【解決手段】検査基板８上の検査領域内に電子線９を走査させる手段１１、１２と、検査基板８から発生する信号を検出する手段７と、検査基板８上の走査位置と信号を対応付けて画像化する手段１３と、検査基板８上に形成される複数の半導体装置の配列データと設計データ１９とに基づいて、検査基板８上における複数の半導体装置の存在する範囲を示すダイ領域と、半導体装置における、論理回路の存在する範囲を示す論理回路領域と、メモリ回路の存在する範囲を示すメモリ回路領域と、周辺回路の存在する範囲を示す周辺回路領域との内の少なくとも１つの領域をレイアウト上に生成する手段１５ａと、生成された領域を用いて、検査領域を設定する手段１５ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセス工程において欠陥が発生する可能性が高いウェーハであるか否かを容易且つ適切に評価することのできる技術を提供する。
【解決手段】ウェーハＷに対して、ケミカルドライエッチングを行い（ステップＳ２）、ケミカルドライエッチングを行ったウェーハＷの端面部の外観をＳＥＭにより観察し（ステップＳ３）、ウェーハＷの端面部の観察結果に基づいて、ウェーハＷがデバイスプロセスにおいて、欠陥を発生させる可能性が高いか否かを評価する（ステップＳ４）ようにする。デバイスプロセスの欠陥の発生と関連性が強い、ドライエッチングを行った際のウェーハＷの端面部の外観を観察するようにしているので、ウェーハＷがデバイスプロセスにおいて欠陥を発生させる可能性が高いか否かを適切に評価することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハーの大口径化、微細化に対応した、小形で、高性能のステージシステムを備えた安価な荷電粒子線装置を実現する。
【解決手段】回転アーム１２は一方端が回転アーム支持軸により支持され、アーム１２の他方端部の下面部を支持する円弧ガイド１３上を旋回する。回転アーム１２の駆動は回転アーム１２の先端に接触している超音波モータ１４で駆動され、回転角度検出器１６のより回転アーム１２の回転角度を検出する。超音波駆動モータ１４はパルス駆動で回転アーム１２を極めて精度良く、ステップ送りすることが可能である。回転アーム１２は回転支持ベアリング１５により支持され回転し、円弧ガイド１３上を他方端が回動することより、剛性を向上させており、上下方向のガタを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】異物や欠陥等を高いスループットで確実に撮像し得る半導体検査方法及び半導体検査システムを提供する。
【解決手段】スクライブライン領域に形成された検査用特徴物の座標値を第１の装置により取得するステップＳ１と、検査用特徴物の座標値を第２の装置により取得するステップＳ２と、第１の装置により取得された検査用特徴物の座標値と第２の装置により取得された検査用特徴物の座標値との差に基づいて補正値を求めるステップＳ３と、デバイス領域の欠陥又は異物の座標値を第１の装置により取得するステップＳ５と、第１の装置により取得されたデバイス領域の欠陥又は異物の座標値を補正値により補正し、補正値により補正された座標値に基づいてデバイス領域内の欠陥又は異物を第２の装置により撮像するステップＳ６，Ｓ７とを有している。 （もっと読む）

【課題】
回路パターン検査装置の画像ノイズを計測し、装置状態が異常となる兆候を察知することで、回路パターン検査装置の稼動率の低下を防止する。
【解決手段】
回路パターンが形成された基板に電子線を照射して発生する二次電子または反射電子を検出し、回路パターンの異常を検出する回路パターンの検査装置において、検出された二次電子または反射電子の信号強度に基づいて画像を生成し、該画像をインターフェースの表示装置へ表示する画像処理部と、画像に含まれるノイズの周波数解析を行う制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】小型で低価格でありながら、検査対象のパターン微細化に対応した検査精度が向上された荷電粒子線装置を実現する。
【解決手段】被検査試料の検査位置（ウェハー座標系）を検査機構の配置位置（ステージ座標系（極座標系））に変換し、回転アーム１０２を回転させると共に、回転ステージ１０３を回転させて、検査機構の配置位置に、被検査試料の検査位置を移動させる。このとき、回転ステージ１０３の中心のずれ量等を算出して、補正することを可能としたので、２軸回転ステージ機構を有する荷電粒子線装置において、検査対象のパターン微細化に対応して、検査精度を向上することができる。また、回転アーム１０２の回転により描かれる回転ステージ１０３の中心の移動軌跡上に、複数の検査装置を配置する構成としたので、小型でありながら、複数種類の検査が可能な荷電粒子線装置を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】ホール底部の界面状態を高い感度で測定可能にし、しかも照射位置ズレの影響を受けることがなく、ビーム照射のＳ／Ｎ比を向上させることのできる半導体検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いた吸収電流測定方法を用いて、ウェハ２３のコンタクトホールの界面状況を評価する半導体検査装置において、電子ビームＥＢをウェハ２３のコンタクトホールに照射してウェハ２３の吸収電流を測定する際、電子ビームＥＢをデフォーカスしてコンタクトホールより若干大きめのサイズにし、この電子ビームＥＢでウェハ２３のコンタクトホールをスキャンして吸収電流を測定する。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子ビームの照射により表面を像形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】 表面を像形成する方法は、表面の第１領域を一次荷電粒子ビームで第１スキャン速度においてスキャニングして、その第１領域から第１の二次荷電粒子ビームを発生し、表面の第２領域を一次荷電粒子ビームで上記第１スキャン速度よりも速い第２スキャン速度においてスキャニングして、その第２領域から第２の二次荷電粒子ビームを発生することを含む。また、この方法は、第１の二次荷電粒子ビーム及び第２の二次荷電粒子ビームを、それに応答して信号を発生するように構成された検出器で受け取り、その信号に応答して第１領域及び第２領域の像を形成することも含む。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、斜めや細長いパターンを高精度に寸法測定するレシピを、走査型電子顕微鏡を使用しないで作成するレシピ作成装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明では、走査型電子顕微鏡以外で、斜めの半導体素子の設計データに対して回転，細長い半導体素子のデザインデータに対して縦横比を変えてレシピを作成することにより、走査型電子顕微鏡を使用しないで、高精度に寸法測定するレシピ作成装置及び方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、高真空排気が可能な真空室内のガス成分を、高精度に測定するガス測定方法、及び真空装置の提供を目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するための一態様として、真空室に当該真空室内のガス成分を測定する測定装置を備えた装置のガス成分測定法において、ガス成分測定時に、前記真空室の真空排気速度を下げることを特徴とするガス成分測定方法、及び装置を提案する。即ち、残留ガスの排気がされづらい環境を作り出した上で、ガス成分分析を実施する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、テンプレートによってパターン認識を行う際の探索領域の取得条件を適正に設定することを目的とした方法、及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するための一態様として、パターンサーチの被探索用画像の倍率の決定法において、第１の倍率で、荷電粒子線を走査することによって得られる第１の画像を取得し、前記第１の倍率より低い第２の倍率であって、前記第１の画像に表示されたパターン像が含まれる第２の画像を取得し、前記第１の画像と、前記第２の画像の一部を切り出した第３の画像間の大きさを一致させ、両者間の相関値が所定値以上の場合に、前記第２の倍率を、前記パターンサーチの被探索用の画像を取得するときの倍率として設定する方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】ビームスキャン範囲（視野、ＦＯＶ）を拡大し、ＦＯＶ面内の測定値がばらつかないようにＣＤの面内分布を均一又は略均一に分布させ、ローカルなＣＤのばらつき、縦線と横線のＣＤの違いなどのプロセス管理が容易な、電子ビームを用いる検査画像、検査方法、検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム検査の検査画像が、複数枚の画像の各々を細分割したサブフィールドについての最適フォーカス位置での分割画像をつなぎ合わされて1枚の画像とする。対物レンズのフォーカス、若しくは、試料ステージの上下位置を所定の間隔で変化させ、複数枚の画像を取得する第１のステップ、取得した画像と設計データを比較し、ＦＯＶ内のＣＤ分布を計算する第２のステップ、ＦＯＶをサブフィールドに分割し、ＣＤ分布が均一になるように、各サブフィールドの最適フォーカス位置での分割画像をつなぎ合わせ、１枚の検査画像を得る第３のステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、プロセス変動等によるレシピのエラー発生要因を速やかに特定する走査電子顕微鏡に用いられるレシピの診断装置の提供を目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するための一態様として、走査電子顕微鏡を動作させるレシピの診断装置であって、当該レシピにその条件が設定されるパターンマッチングの一致度を示すスコア、当該パターンマッチング前後の座標ずれ、或いはオートフォーカス前後のレンズの変動量に関する情報等の推移を、表示装置に表示させるプログラムを備えた診断装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】欠陥部分を拡大するなどして詳細に検査する時に、ステージの移動量をできるだけ少なくして、画像取得時間を短縮し、効率よく欠陥を観察することができる資料の観察方法及びその装置を提供する。
【解決手段】検査装置で検出した試料の欠陥の情報に基づいて試料を撮像して試料の欠陥を含まない参照画像を得、検査装置で検出した試料の欠陥の情報に基づいて欠陥が撮像の視野に入るように試料の位置を調整し、この位置を調整した試料を撮像して試料の欠陥を含む欠陥画像を得、参照画像と欠陥画像とを比較してこの欠陥画像中の欠陥を検出し、撮像の視野内の検出した欠陥を含む一部の領域を撮像して欠陥の拡大画像を得、この欠陥の拡大画像を画面上に表示することを特徴とする試料の観察方法。 （もっと読む）

【課題】
同じ検査領域に繰り返し電子線を照射することなしに、検査条件を決定することができる基板の検査装置、および、基板の検査方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、回路パターンが形成された基板に電子線を照射して発生する二次電子を検出し、検出された信号を画像化して記憶し、該記憶された画像を他の同一の回路パターンから形成された第二の画像と比較し、予め設定された欠陥判定条件に基づいて比較結果から基板の欠陥を抽出する基板の検査装置において、基板の一端から他端にわたる範囲の領域の画像を蓄積する記憶部と、該記憶部に蓄積された画像を利用して欠陥判定条件とは異なる欠陥判定条件で繰り返し欠陥判定する欠陥判定部とを備える構成を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の検査条件で検査装置が検出した多くの欠陥の解析を容易に行うことができるツールを提供する。
【解決手段】データ処理装置は、被検体を複数の検査条件により検査して得られた複数の欠陥の座標を検査装置から取得し前記検査条件と関連付けて記憶する記憶装置と、前記複数の検査条件のうちの少なくとも２つの検査条件に共通な座標の有無を検知する座標突合せを行う演算装置と、前記少なくとも２つの検査条件で得られた前記欠陥を複数の欠陥座標マップで表示する表示装置とを備え、適切な検査条件を選択する。 （もっと読む）

【課題】
微細なパターンの検査において、電子ビームの照射によって生じる試料表面の帯電現象による電子ビームの焦点ずれや照射位置のずれを抑制し、欠陥の誤検出を防止するとともに、検査時間を短縮できる検査装置，検査方法を提供する。
【解決手段】
ダイに設けられたアライメント用マークの画像を複数個取得し、アライメント用マークの画像の中心座標と該マークの座標との間のずれを、座標の補正値として記憶装置へ保存するとともに、試料の表面の複数の座標における高さを計測し、該計測された複数の座標の画像を撮像して焦点を調整し、該調整値と前記高さセンサで計測された高さとの関係を高さの補正値として記憶装置へ保存し、記憶装置に保存された画像の座標の補正値と高さの補正値とを含む検査条件を用いて、試料の画像の座標と高さとを補正する。 （もっと読む）

【課題】被検査対象である半導体基板上の欠陥を高速かつ容易に検出し、適切に分類する手法を提供すること、すなわち、同一原因に起因することが多い１つの欠陥を複数報告する煩雑さを無くし、一欠陥に対して一報告するべきという課題を解決し、かつその演算時間をより短くして出力することが可能な検査装置および検査方法を提供すること。
【解決手段】検査対象物を撮像する撮像手段と、前記撮像手段によって撮像した検査対象物の画像データを複数の領域に分割する領域分割手段と、前記撮像手段によって撮像した検査対象物の画像データから欠陥部分を検出する欠陥検出手段と、前記欠陥検出手段によって検出された欠陥部分が存在する前記領域を算出する欠陥領域算出手段と、前記欠陥領域算出手段によって算出された欠陥領域を出力する欠陥領域出力手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、試料の自重を押圧作用に変換して試料を保持する機構を備えると共に、試料の大きさに依らず安定して試料を保持する試料ホルダの提供を目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために、試料押圧機構による試料の押圧によって、試料を保持する試料ホルダであって、２つのてこを用いた試料ホルダを提案する。前記２つのてこは、試料を試料ホルダに載せたときの自重による押圧力を受ける第１のてこと、第１のてこによってもたらされる押圧力を、試料端部を押圧する押圧力とする第２のてこから構成される。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ断面加工方法に関し、精度の高い断面加工を施すことができるＦＩＢ断面加工方法及びその加工方法を用いて製品断面解析を行った結果を利用する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＩＢ断面加工方法は、半導体チップの解析ポイント８が、第１のパターンの端辺と第２のパターンの端辺とが交差する第１の交点に位置する際に、半導体チップにＦＩＢによって粗加工９を施し、粗加工９により得られた粗加工断面９ａと第１のパターンの端辺とが交差する第２の交点αと、粗加工断面９ａと記第２のパターンの端辺とが交差する第３の交点βと、第１の交点８とを頂点とする三角形を形成し、三角形の辺の長さ又は角度θを用いることにより、粗加工断面９ａと第１の交点８との距離ｂを求め、粗加工断面９ａから距離ｂだけ半導体チップにＦＩＢによって断面加工を施すことにより、解析ポイント８が露出した断面を得ることを特徴とする。 （もっと読む）