【課題】 基板上に発生する欠陥を可及的に迅速且つ正確に把握し、インプロセス内における欠陥の発生源や発生原因を確実に特定して、歩留まり良く信頼性の高い製品作製が実現を実現する。
【解決手段】 欠陥分布判定部３で特異分布の存在が確認された場合には、欠陥情報作成部２は、有効チップ内領域外、具体的には半導体基板の表面における有効チップ内領域外の第１の領域、半導体基板の端面（いわゆるベベル部分）である第２の領域及び裏面である第３の領域について欠陥検査装置を用いて調べ、当該欠陥に関する第２の欠陥情報（第１、第２及び第３の領域内の夫々における欠陥数及び欠陥の位置座標等）を作成する。 （もっと読む）

【課題】基板検査装置及び基板検査方法において、基板検査装置のフットプリントを小さくしながら基板検査の自由度を高める。
【解決手段】
基板（Ｗ）のマクロ検査及びミクロ検査を行うための基板検査装置１において、基板（Ｗ）を保持して移動させ、マクロ検査及びミクロ検査の検査中にも基板（Ｗ）を保持するロボットアーム２ａと、光軸（Ｚ軸）に直交する面内において少なくとも１軸方向（Ｘ軸及びＹ軸方向）に移動可能な顕微鏡５とを備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】
荷電粒子線が照射される位置の安定性を容易に評価することができる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】
荷電粒子線をスキャンして試料から生じる二次粒子を検出する検出器と、検出器で検出した二次粒子に基づいてディスプレイへ試料の画像を表示する荷電粒子線装置において、ディスプレイ上に、試料の荷電粒子線によるスキャン画像，試料上の荷電粒子線の照射位置の変動を示す時刻歴波形、時刻歴波形のパワースペクトルのうちのいずれか２つ以上を表示させる構成とする。 （もっと読む）

【課題】ホットスポット探索装置により短時間で多数の製造プロセスマージンの狭い回路パターン部をプロセスモニタリングポイントとして抽出して決定し、プロセスモニタリングポイント観察装置において高解像度で詳細に形状検査または形状測長を行うシステムを提供することにある。
【解決手段】半導体ウェーハの少数のチップまたは領域を、それぞれ製造プロセス条件が異なる状態で製造し、その外観ＳＥＭ画像を比較してその差分の大なるポイントを半導体ウェーハの製造における製造プロセス条件（露光条件）の狭い、狭プロセスウインドウ、即ち量産において管理すべきプロセスモニタリングポイントとして出力し、ＣＤ−ＳＥＭ装置による計測ポイントとして設定するホットスポット探索装置１１，１２を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
電気的評価を行わなくても、最適なプロセス条件を決定することができる半導体欠陥検査装置、および半導体欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】
試料を検査して得られる欠陥の種類を記憶したデータベースを参照して、抽出した欠陥の種類を特定し、試料の領域ごとに欠陥の種類別の欠陥密度を求め、表示するようにしたものである。また、試料を検査して得られる欠陥の種類を記憶したデータベースを参照して、抽出した欠陥の種類を特定し、試料の製造プロセスごとに欠陥の種類別の欠陥密度を求め、表示するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】CD-SEMによる半導体パターンの寸法計測において，パターンの断面形状に依存して寸法計測値と実際のパターンの寸法との誤差が変動することにより、計測精度が悪くなる問題があった。
【解決手段】
予め形状の異なる複数パターンのAFM計測結果と，同一形状のパターンをCD-SEMで計測したときの前記AFM計測結果との寸法計測誤差とを対応付けてデータベースに保存しておき，実際の寸法計測時には，計測対象パターンの少数箇所から得たAFM計測結果を前記データベースに照合し，最も形状が類似した側壁形状に対応したCD-SEM計測の寸法計測誤差を呼び出し，次に計測対象パターンのCD-SEM計測結果を前記呼び出した寸法計測誤差に基づき補正することにより，パターンの断面形状に依存した寸法誤差を低減した補正寸法値を算出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、開口部内の残渣を検出すると同時に除去することにより、高いスループットで半導体装置の歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、複数の開口部が形成されたウェーハｗが搬入され、検査、処理されるチャンバ１１と、ウェーハｗの所定位置に電子ビーム１４を照射する機構１５、１６と、電子ビーム１４の照射により、複数の開口部より残渣を有する開口部を検出する機構１７と、活性化されることにより残渣の除去が可能なプロセスガスを、チャンバ１１内に供給するガス供給機構１８と、チャンバ１１内の圧力を制御して排気するガス排出機構１９を備える。 （もっと読む）

【課題】
試料の欠陥を検査する装置において、装置が小型化できて省スペース，コストダウン，振動抑止と高速化，検査の信頼性が得られ、特に大口径化したウエハの場合に効果が大きい荷電ビーム検査装置を得る。
【解決手段】
少なくとも一つ以上の検査を荷電ビーム機構で行う複数の検査機構を具備し、各検査機構を概略一軸に配する共通の真空容器内に設けられた各検査機構間を一軸移動する一軸移動機構と、試料を載置し一軸移動機構上に回転軸を有した回転ステージと、試料を各検査機構間で一軸移動機構により移動させ、次に回転ステージで試料の検査位置を検査機構へ調整して合わせ、検査機構により試料の検査を行う。 （もっと読む）

【課題】
電子線シミュレーションを利用した，ＳＥＭ画像によるパターン計測においては，シミュレーションの精度が非常に重要となる。シミュレーション画像と実画像のマッチングを行うためには，計測対象形状や材料を適切にモデル化し，シミュレーション画像に反映する必要がある。
【解決手段】
本発明では，ＳＥＭ画像やＡＦＭなど他の計測装置により得られた情報に基づいて，シミュレーションと実画像のマッチング計測の精度に与える影響が大きな形状や寸法を適切に設定したシミュレーション画像を用いることにより，高精度なパターン計測を実現するようにした。 （もっと読む）

【課題】導電性を持つシリコン層と、その上に積層された酸化シリコン膜と、を備えた基板に対して電子線を照射し、当該基板から放出される２次電子の数を検出すると共に、基板を水平方向に移動させることにより、酸化シリコン膜内のコンタクトホールに埋め込まれた金属配線と前記シリコン層とが電気的に接続されているか否かを検査するにあたり、酸化シリコン膜のチャージアップを抑えることのできる技術を提供する。
【解決手段】金属配線が形成された領域においては検査用の加速電圧で金属配線及び酸化シリコン膜に電子線を照射し、一方金属配線が形成されていない領域においては基板に入射される電子の数とこの基板から放出される２次電子の数との差が上記の検査用の加速電圧よりも小さくなる加速電圧で電子線を照射することによって、当該金属配線が形成されていない領域においては酸化シリコン膜のチャージアップを抑える。 （もっと読む）

【課題】被検査物の欠陥検出の感度を向上することができる欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】欠陥検出方法は、欠陥強調処理工程と欠陥検出工程を有する。欠陥強調処理工程は、撮像画像から平滑化画像を作成する工程ＳＴ２０と、検査対象画素を順次選定する工程ＳＴ２１と、検査対象画素に対応する平滑化画像の着目画素の周囲に複数配置された比較対象画素を複数の比較対象画素群に分けて設定する工程ＳＴ２２と、比較対象画素群の各比較対象画素と検査対象画素の各輝度値の差である輝度差データを求め、その値が最小となる最小輝度差を比較対象画素群毎に求める工程ＳＴ２３と、比較対象画素群毎に算出された最小輝度差のうち、値が最大となる最小輝度差を前記検査対象画素の欠陥強調値とする工程ＳＴ２４とを備える。欠陥検出工程は、欠陥強調値を閾値と比較して抽出した欠陥候補画素で構成される欠陥候補領域の特徴量から欠陥を判別する。 （もっと読む）

【課題】ユーザが、欠陥の検出性能とスループットのどちらかを優先させることができる外観検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の外観検査装置では、ユーザは、デジタル画像信号の周波数、又は、サンプリングレートに対するデジタル画像信号の周波数の比を選択することができる。更に、ユーザは、スループットの向上を優先するか、又は、Ｓ／Ｎの向上を優先するかを選択することができる。 （もっと読む）

【課題】
電子顕微鏡を用いた欠陥のレビュー方法、および欠陥のレビュー装置において、電子ビームの自動焦点合わせの設定に要するユーザの工数を低減し、試料の観察を容易化する。
【解決手段】
観察対象の座標上に予め登録された複数個の座標位置について焦点合わせを行い、座標位置における各焦点位置に基づいて焦点合わせの基準を作成し、該基準と前記焦点位置との間のずれ量に基づいて焦点探索範囲を設定し、観察対象の欠陥検出の自動焦点合わせの範囲を、設定された焦点探索範囲に基づいて決定する。 （もっと読む）

【課題】
設計データや良品パターンを参照パターンとして、電子デバイスのパターン形状を評価する方法があるが、設計データや良品パターンでは、電子デバイスの製造条件に適合した形状を正確に定義することが困難であり、パターンの形状を高精度に評価することができない。
【解決手段】
電子デバイスの回路パターンの形状を評価する方法であって、少なくとも２つ以上の回路パターンの輪郭データから回路パターンの輪郭分布データを生成する手段と、前記輪郭分布データから、パターンの形状評価に用いる参照パターンを生成する手段と、前記参照パターンと評価対象パターンの比較によってパターンの形状を評価する手段を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精度のパターン評価方法、プログラムおよび半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】設計パターンの輪郭を直線部とコーナ部とに分割し、評価対象パターンの検査画像から評価対象パターンの輪郭を検出し、検出した輪郭と設計パターンの輪郭との間でマッチング処理を行い、輪郭同士の対応関係を参照して評価対象パターンの輪郭を直線部とコーナ部とに分割し、直線部とコーナ部とで個別に評価する。 （もっと読む）

【課題】 パターン検査装置において、描画結果の確認を容易に短時間で行なう。
【解決手段】 凹凸パターンが形成された第１の基板表面に沿って第１の探針を相対移動した際の第１の探針の動きに基づき該表面の凹凸情報を検出する第１の凹凸情報読込み手段と、凹凸パターンが形成された第２の基板表面に沿って第２の探針を相対移動した際の第２の探針の動きに基づき該表面の凹凸情報を検出する第２の凹凸情報読込み手段と、第１の凹凸情報読込み手段と第２の凹凸情報読込み手段とが読み出した凹凸情報を比較する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】外観検査装置２が検出した外観不良の発生原因を特定するために、最適の追加レビューポイントを決定できる追加レビューポイント生成装置１を提供する。
【解決手段】外観検査装置２で検出された試料上の外観不良の複数の外観不良座標に基づいて、試料を所定の外観不良分布に分類する分類部１３と、分類された外観不良分布に応じて、外観不良座標から離れた追加座標においてレビュー装置３ａ、３ｂが撮像する追加レビューポイントを決定する決定部１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】
荷電粒子ビームを用いた計測装置ないし検査装置において、検査の高感度と高安定性とを両立する。
【解決手段】
帯電制御電極A４２０の被計測試料ないし検査試料側に帯電制御電極B４２１を設置し，試料の帯電状態に応じて、帯電制御電極Bの帯電制御電極制御部４２３から一定の電圧を与えることにより、検査前に形成した試料表面の帯電状態と電位障壁の変動を抑制する。帯電制御電極制御部６６によりリターディング電位が印加され、試料と同電位に調整される帯電制御電極A４２０の更に下部に帯電制御電極B４２１が設けられることにより、一次電子ビーム19が照射されるウェハ９などの試料から放出された二次電子４０９の試料への戻り量を調整することが可能になり，高感度な検査条件を検査中安定的に維持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高分解能、高スループットのマルチビーム検査装置を実現するために、ラングミュア限界を越える高輝度、かつ高エミッタンスのビームを得る。
【解決手段】電子銃は平面のカソード、引出し電極又はアノード、及び円錐の一部の形状のウエーネルト電極を有し、電子銃電流Ie(mA)をカソード・アノード間距離Dac(mm)との関係により次の範囲とする。0.388/Dac-0.046≦Ie≦92.8/Dac+9.28、Dac≧3mm、あるいは、0.388/Dac-0.046≦Ie≦22/Dac+32.7、Dac＜3mm。又は、電子銃電流Ie(mA)をカソード半径との関係により数値限定（数式省略）する。輝度Ｂとカソード電流密度Ｊｃの関係は、シミュレーション値５７１（破線）と実測値５７２が比較的良く一致し、かつ輝度はラングミュア限界５７３を超えている。 （もっと読む）

【課題】基板装置表面のパターン欠陥の致命度をより信頼度高く判定する。
【解決手段】データ処理部１０は、欠陥レビュー部１２を介して基板装置のパターン欠陥を含んだレビュー画像を取得し（レビュー画像取得部１０４）、そのレビュー画像と欠陥のない参照画像とを比較することにより欠陥画像を抽出するとともに、前記レビュー画像とそのレビュー画像に対応する領域の同じレイヤの設計データから生成した自レイヤ設計パターン画像との位置合わせを行う（画像位置合わせ部１０５）。そして、その位置合わせの結果に基づき、前記レビュー画像に対応する領域の他のレイヤの設計データから他レイヤ設計パターン画像を生成し、前記欠陥画像と他レイヤ設計パターン画像との合成画像に基づき、前記欠陥と他レイヤのパターンとの相対位置関係を求め、その相対位置関係に基づき致命度を判定する（致命度判定部１０６）。 （もっと読む）