【解決手段】試料を検査するためシステムをここに提供する。一つの実施態様において、このシステムは、２重チャンネル顕微鏡と、各々が２重チャンネル顕微鏡の異なるチャンネルを照明するために連結された二つの照明装置と、各々が試料のイメージを得るために２重チャンネル顕微鏡の異なるチャンネルに連結された二つの検出器とを含むことができる。前記二つの検出器が、試料のイメージを実質的に同時に得ることができるように、２重チャンネル顕微鏡のチャンネルを分離するための手段を提供する。一つの実施態様において、二つの照明装置を、二つの実質的に重なり合わないスペクトルの範囲の光を出力するように構成することにより、２重チャンネル顕微鏡のチャンネルをスペクトル的に分離できる。別の実施態様において、照明光が重なり合わなく、また、二つの検出器の視野がシステム内に含まれた対物レンズの視野内で重なり合わないように、二つの検出器を配置することにより、２重チャンネル顕微鏡のチャンネルを空間的に分離できる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の主たる目的の１つは、高倍率での測定と、広い領域での測定の両立を実現することにある。
【解決手段】
上記目的を達成するための一態様として、ＳＥＭによって得られる画像内におけるパターンを構成する各片に、他の片と区別するための識別情報を付加し、所定の記憶形式にて記憶するパターン測定装置を提案する。このような構成によれば、本来固有の識別情報を持たないＳＥＭ画像上の各片に、識別情報を付加することになるので、当該識別情報に基づくＳＥＭ画像の管理が可能となる。 （もっと読む）

【課題】精度良く半導体基板にある欠陥の画像を自動収集することができる欠陥画像自動収集方法を提供すること。
【解決手段】欠陥観察機能部２が代表欠陥を低倍率で検出するステップと、欠陥深さ測定機能部３が代表欠陥からの散乱光２６の強度と代表欠陥に入射した入射光２１の強度とを測定するステップと、散乱光２６の強度が入射した入射光２１の強度よりも大きいときに、制御部４が代表欠陥のウェハ５表面からの深さを算出するステップと、欠陥の深さが所定値以下のときに、制御部４が代表欠陥の位置情報を補正するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、半導体パターンやコンタクトホールの変形や側壁の傾斜のできばえを判定することができる走査型電子顕微鏡を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成された回路パターンの画像をあらかじめ設定された条件で撮像する撮像手段、該撮像手段で撮像された画像と予め記憶された基準画像とを比較して撮像された画像の特徴量を算出する算出手段，該算出手段で算出された特徴量に基づいて、半導体ウェーハのできばえ評価を実行するコンピュータを備え、特徴量の算出は、２次電子画像，反射電子画像に関して独立に行われる。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、解析方法、及び解析プログラムを提供する。
【解決手段】 半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析部１３と、解析結果の情報を表示装置４０に表示させる解析画面表示制御部１４とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、不良観察画像Ｐ２を参照して解析領域を設定するとともに、半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて解析領域を通過するネットを抽出する。 （もっと読む）

【課題】炭化水素ガスやＷ（ＣＯ）₆等のガスを導入を積極的にメインチャンバー中に導入し、ＳＥＭ解析と同時に、ＳＥＭ解析に用いる電子ビームを用いてマーカーとしての堆積物を試料に堆積させる場合には精密にガス流量を制御する必要があり、差動排気システム等を導入する必要が生じる。メインチャンバー内部に複雑な構成を備えるため、真空系の内壁面積が増加する。そのため、脱ガスの量が増加し、到達真空度の低下を招くという課題がある。
【解決手段】メインチャンバー８内部に、炭化水素ガスの分圧よりも高い分圧を維持しうるフッ素系の揮発ガス３５を放出するマーキング源６を導入する。フッ素は通常雰囲気内には含まれず、また検出感度が高い物質である。そのため、高いコントラストを有するマーカー３を形成可能なマーキング装置１００を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 材料を評価のために無駄に消費しない新たな電子部品製造方法を提供すること
。
【解決手段】 試料に複数の加工プロセスを施して電子部品を形成する電子部品製造方法
において、加工プロセスの終了時に上記試料の一部表面を摘出し、上記一部表面に対して
上記加工プロセスでの加工の進捗をモニタまたは検査または解析のうちの少なくともいず
れかを行なう工程を含む方法とする。
【効果】 ウェーハなど試料無駄に割断することなく評価でき電子部品の製造歩留りが向
上する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体基板１と、その表面に配置され、複数のｎ型、または、ｐ型トランジスタを備える複数のチップ領域と、その境界領域に配置されたスクライブ領域と、それらを覆う多層の配線層ＭＷを有する半導体ウェーハにおいて、スクライブ領域には、外部からの電気的な接触により電気特性の検査を行なうための接触テストパターンＴｅと、電子線式検査装置により、断線不良の検査を行なうための非接触テストパターンＴｍとが配置され、非接触テストパターンＴｍにおいて検査対象となる第１非接触テスト素子、および、第２非接触テスト素子Ｄｍ２は、接触テストパターンＴｅにおいて検査対象となる第１接触テスト素子Ｄｅ１、および、第２接触テスト素子Ｄｅ２の存在しない領域に配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、検査対象となる回路パターンの画像をモニタ画面を通して検査する際に、その画面の正確な情報により迅速に処理できると共に、製品全体に及ぶ欠陥又は特定領域における欠陥を迅速に検知することができる回路パターンの検査方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、検査画像を取得するときの電磁波又は荷電粒子線照射の前後において、検査画像の対応部分又はその近傍に電子線を照射しウェーハの帯電状態を変化させる電子線の照射条件に係るパラメータを設定するものであり、ウェーハの一列ダイ毎に、検査画像を取得する前において、検査画像の対応部分又はその近傍に電子線を照射した後、照射の対応部分又はその近傍に検査画像を取得する電磁波又は荷電粒子線の照射を行ない、次いで、検査画像取得の照射した検査画像の対応部分又はその近傍に電子線を照射する操作を順次繰り返す。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画質のよしあしをリアルタイムで判断することができる検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置により撮像された複数枚のスキャン画像を積算して、１枚のＳＥＭ画像を構成し、電子線を用いて、線幅や欠陥を検査する方法及び装置において、スキャン画像毎に設計データとのマッチングを行い、マッチングの結果として、Ｓｈｉｆｔ_ｘ，Ｓｈｉｆｔ_ｙを算出し、スキャン画像毎のＳｈｉｆｔ_ｘの差分δｘ，Ｓｈｉｆｔ_ｙの差分δｘを算出し、上記差分δｘ又はδｙが閾値を超える場合に、ＳＥＭ画像の取得のリトライ処理を演算手段によって実行する。 （もっと読む）

【課題】検出された欠陥からシステマティック欠陥を分別する。
【解決手段】欠陥分類定義部２２１は、被検査デバイスにそのとき形成されているレイヤおよびその上層または下層に形成されたレイヤに対応するレイアウト設計データを用いて、被検査デバイスの表面に欠陥を分類する領域を定義する。欠陥分類処理部２２２は、欠陥レビュー装置１０で取得された欠陥からサンプリングしたサンプリング欠陥データ１３３（２３３）について、その欠陥の位置が前記定義された領域のどの領域に含まれるかによって、欠陥を分類する。欠陥集計部２２３は、その分類された欠陥を集計し、各領域の欠陥密度を求め、ある領域の欠陥密度が他の領域の欠陥密度の平均値よりも有意差以上に大きい場合には、システマティック欠陥判定部２２４は、その領域の欠陥をシステマティック欠陥と判定する。 （もっと読む）

【課題】光学式顕微鏡により観察対象の欠陥を高感度に検出し、確実に走査型電子顕微鏡等の視野内に入れることによって高スループットで欠陥を観察できるようにした欠陥観察装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】真空チャンバ内に設けられたステージ上に載置される試料上の欠陥を光学的に再検出する光学式顕微鏡と、前記ステージを移動して前記試料上の欠陥を視野内に位置付けて観察する電子顕微鏡とを備えた欠陥観察装置であって、前記光学式顕微鏡は、更に、前記ステージ上に載置された試料の高さを光学的に検出する高さ検出光学系と、前記試料上の欠陥に対して照明を行う照明光学系と、該照明光学系により照明された前記試料上の欠陥から得られる反射光を集光して欠陥の画像信号を検出する検出光学系とを備え、前記高さ検出光学系で検出される試料の高さ情報に基づいて前記光学式顕微鏡について焦点合わせを行うように構成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特定の部分の寸法を高精度かつ高速に測定する。
【解決手段】
繰り返し構造からなる第１のパターンと、第１のパターンの上に繰り返し構造を跨いで形成された線状の第２のパターンと、を有する半導体装置の寸法測定に用いられる寸法測定装置である。寸法測定装置は、第１のパターンの形状に関する情報を取得する形状情報取得手段と、第２のパターンの顕微鏡による観察結果から、第２のパターンを構成する各部分の幅値を取得する幅値取得手段と、形状情報取得手段で取得した前記第１のパターンの形状に対応するように、第２のパターン上に複数の解析領域を設定する解析領域設定手段と、設定された解析領域ごとに、幅値取得手段で取得した幅値の中から、解析領域に含まれる部分の幅値を抽出し、抽出した幅値を用いて、第２のパターンの第１のパターンと重なる部分における寸法を決定する寸法決定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムを提供する。
【解決手段】 半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、不良解析を行う不良解析部１３とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、不良観察画像を参照し、不良観察画像での反応情報に対応して解析領域を設定し、半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数の配線のうちで解析領域を通過する配線を不良の候補配線として抽出するとともに、複数の配線での他の配線と候補配線との間の距離を参照して、候補配線に対する近接配線情報を取得する。 （もっと読む）

【課題】外観検査において感度を高く設定すると虚報も多く検出してしまうため、高感度で検査することができないという問題があった。そのため、全体の欠陥捕捉率を高く維持しながら虚報を抑制することにより実質感度を向上する技術が必要であった。
【解決手段】
検出欠陥の画像をもとに画像特徴量を算出し、検出欠陥の位置座標をもとに座標特徴量を算出し、画像特徴量と座標特徴量のいずれかに対するしきい値処理からなる決定木に従って虚報判定を行う構成とする
【効果】上記画像特徴量と座標特徴量を利用し、決定木に従って虚報判定を行うことにより、実欠陥と虚報の識別を精度よく行うことができるため、虚報を抑制しつつ高感度に検査することができる。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを有する半導体デバイスの導体配線のインライン接続検査を、安価な装置で、効率良く実施することを目的とする。
【解決手段】接地（電源接続）電極パターンと非接地（フローティング）電極パターンを複数交互に配置し、接地電極（電源接続）パターンと非接地（フローティング）電極パターンそれぞれを２本以上相互接続し、各相互接続個所から延伸して電極パターンより幅の広い延伸配線を形成し、かつ接地電極パターンの延伸配線及び非接地電極パターンの延伸配線とが交互に配置された、延伸配線交互配置領域を形成する。この領域をＳＥＭ走査して、各延伸配線のＳＥＭ像明暗配列状態から、電極パターンの欠陥情報（オープン・ショートの判定、欠陥電極の位置など）を得る。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を維持するとともに、コストを低減して窒化物半導体結晶を成長させる窒化物半導体結晶の成長方法および窒化物半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶の成長方法は、使用される領域を含む表面を有し、窒化物半導体からなる基板を準備する工程（Ｓ１０）と、ハイドライド気相成長法により、基板の表面上に窒化物半導体結晶を成長させる工程（Ｓ２０）とを備えている。準備する工程（Ｓ１０）では、使用される領域に存在する異物の大きさが１μｍ以上１０μｍ以下であり、使用される領域において異物が覆う面積が使用される領域の面積の０．０１％未満である基板を準備する。 （もっと読む）

【課題】パターン画像検出部１１０の特性変動や被検査ウェーハ６の表面特性の個体ばらつきに応じて、欠陥判定のしきい値を自動的に調整する。
【解決手段】画像処理部１２０は、被検査ウェーハ６表面のある領域の検出画像とその領域と同じパターンを有する他の領域の検出画像との差分画像に基づき、欠陥信号を抽出する欠陥信号抽出部２１、前記差分画像の全画素について、その各画素の欠陥信号量を累積して、その頻度分布および分散を算出する欠陥信号累積部２３、その算出した分散を、基準の被検査ウェーハ６から得られた基準の頻度分布の分散と比較して、頻度分布のオフセット量を算出するオフセット算出部２４、あらかじめ設定された基準の欠陥判定しきい値を前記オフセット量により修正し、その修正した欠陥判定しきい値に基づき、前記欠陥画像についての欠陥信号の欠陥判定を行う欠陥判定部２５、を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体パターン検査装置において、シミュレーションで求められた危険箇所に対して、その検出感度を最適化したい要望がある。しかし、設計データとパターン検査装置を結びつけたツールがない。あるいは、その実施に膨大な時間を要し、製造現場での運用には無理があった。
【解決手段】本発明では、検査装置から出力した複数の検査・画像・特徴量データ、及びレビューＳＥＭ画像だけでなく、シミュレーションから求めた危険箇所の座標情報、及びその部分のＣＡＤ情報を取り込む。これらの情報を並べて表示するデータ処理装置により、危険箇所の検出率の観点から検査装置の検査条件のチューニングを容易にする。また、レビューＳＥＭで読み取ることが出来る座標データを出力して容易に定点観察機能を従来のレビューＳＥＭで実現できるようにする。これによりシミュレーションデータ、検査装置、レビューＳＥＭの連携を容易にする。 （もっと読む）

【課題】複数の製造工程を経て、複数の製品基板の基板面上にそれぞれ素子構造を形成する際に、各製造工程に用いる各種の処理装置等に発生した固有の欠陥等に起因して、製品基板に生じる欠陥を製造時間及び製造コストを最小限に抑えて容易且つ確実に認識し、上記の固有の欠陥等の工程異常を正確に特定することを可能とする。
【解決手段】半導体ウェーハ処理工程を構成する各製造工程を各種条件で実行するために用いる各種の処理装置、例えば成膜装置、酸化・窒化装置、露光装置、エッチング装置、ドーピング装置等の多数の処理装置について、欠陥装置特定機構２は、当該各処理装置のうち、製品検査を要する処理装置を特定し、製品検査機構３は、製品検査を要すると判断された処理装置を用いる製造工程について当該製品検査を行う。 （もっと読む）