【課題】欠陥観察装置、欠陥観察方法、及び半導体装置の製造方法において、欠陥観察装置と基板との位置合わせ精度を向上させること。
【解決手段】基板Wの表面の欠陥D_iのそれぞれの欠陥座標を取得するステップＳ１と、欠陥D_iのそれぞれに所定領域Rを設定し、その中に含まれる欠陥の総個数N_iを計数するステップと、ステージ座標を一番目の欠陥D₁の欠陥座標に合わせることにより、顕微鏡の視野２２ｆ内に第１の欠陥D₁を導入するステップと、視野中心２２ｃと第１の欠陥D₁とのズレ量を取得するステップと、上記ズレ量に基づいて、第１の欠陥D₁よりも上記総個数が多い第２の欠陥D₂の欠陥座標を補正するステップと、補正後の第２の欠陥D₂の欠陥座標にステージ座標を合わせることにより、顕微鏡の視野２２ｆ内に第２の欠陥D₂を導入するステップとを有する欠陥観察方法による。 （もっと読む）

【課題】 自動分類の信用性を高めるために調整をしなければならない対象を容易に特定することのできる技術を提供すること。
【解決手段】 分類調整装置１４０は、電子顕微鏡１１０から得られた画像データよりより得られる欠陥の特徴量より、当該欠陥を第一のクラス群に分類し、当該第一のクラス群に分類された前記欠陥の前記特徴量より、前記欠陥を第二のクラス群に分類する。そして、前記第二のクラス群に分類された欠陥と、第二のクラス群に分類されるべき欠陥と、を比較することにより分類性能を算出し、算出した分類性能を予め定められた表示形式にして出力部１８０に出力する。 （もっと読む）

【課題】
半導体パターンの広範囲の撮像領域（ＥＰ）を複数の撮像領域（ＳＥＰ）に分割し，ＳＥＰをＳＥＭを用いて撮像した画像群を画像処理により繋ぎ合せるパノラマ画像合成技術において，繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが少なくても全画像が繋がるＳＥＰを決定すること，およびそのようなＳＥＰを決定できなくてもユーザの要求項目をなるべく満たすＳＥＰを決定することである。
【解決手段】
一部のＳＥＰ間の重複領域に繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが含まれなくても全画像が繋がるケースがあることに着目し，ＳＥＰ配置の最適化により前記ケースを抽出することで全画像が繋がるＳＥＰを決定できるケースが増える。また，そのようなＳＥＰを決定できなくても，複数のＳＥＰ配置の候補とユーザの要求項目を可視化した情報を表示・ＳＥＰを選択させることでユーザの要求項目をなるべく満たすＳＥＰを容易に決定できる。 （もっと読む）

【課題】欠陥画像を記憶するメモリのオーバフローが発生した場合でも基板の全面についての欠陥分布を早期に得ることができる基板の検査装置、および、基板の検査装置における基板の欠陥分布を得る方法を提供する。
【解決手段】基板の画像を取得し、画像比較により差のある画素を抽出し、該画素の信号量が予め設定された閾値を超えた場合に欠陥候補と判定し、欠陥候補の代表画素の座標を記憶装置へ記憶し、記憶装置の容量がオーバフローした場合、またはオーバフローの前に、閾値の値を変更して欠陥候補の判定を継続し、基板の欠陥分布をディスプレイへ表示する。 （もっと読む）

【課題】試料台から被検査試料を離脱する際の発塵を抑制することができる半導体検査装置及び半導体検査方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ５を載置する試料台６と、試料台６に設けられた複数の電極８，９と、複数の電極８，９と半導体ウエハ５とを電気的に絶縁する絶縁部材４と、複数の電極の少なくとも１対の電極８，９間に電圧を印加する外側及び内側電極用電源１１，１３とを備えた半導体試料検査装置において、インピーダンス測定部１９により複数の電極８，９間のインピーダンスを測定し、昇降制御部２１ａは、その測定結果に基づいて動作信号１２１を出力する。プッシュピン２２及びプッシュピン駆動部２３は、その動作信号１２１に基づいて半導体ウエハ５を試料台６に対して昇降する。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造工程で発生した欠陥の特性を正確に推定することのできる半導体検査装置および半導体検査方法を提供する。
【解決手段】
先ず、構成が既知の欠陥部を有する参照試料を用いて、電位コントラストと、前記欠陥部の電気特性との対応関係（第１の検量線）を求める(S120-S125)。また、被検査ウエハにおける正常部の電気特性を測定する。次に、被検査ウエハの正常部の電気特性と先の第１の検量線に基づいて、被検査ウエハが有する正常部に、構成が既知の欠陥を付加して、被検査ウエハにおける欠陥部の電位コントラストと電気特性との関係（第２の検量線）を算出する(S126-S131)。欠陥部の電位コントラストを実測することにより、第２の検量線を用いて被検査ウエハに実際に含まれる欠陥部の電気特性を推定することができる(S132-S133)。 （もっと読む）

【課題】微小な欠陥であっても適切に撮影することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の管理方法を提供する。
【解決手段】基板の半導体素子が形成される素子形成面の裏側に位置する目盛形成面に物理目盛を形成する（Ｓ１）。前記物理目盛を用いて欠陥検査装置内での第１の座標系を作成する（Ｓ３）。前記欠陥検査装置により前記素子形成面に存在する欠陥を検出する（Ｓ４）。前記第１の座標系における前記欠陥の位置を示す欠陥位置座標を特定する（Ｓ５）。前記物理目盛を用いて欠陥撮影装置内での第２の座標系を作成する（Ｓ７）。前記欠陥撮影装置により前記素子形成面の前記第２の座標系上における前記欠陥位置座標を含む領域の撮影を行う（Ｓ８、Ｓ９）。 （もっと読む）

【解決手段】時間的に変化する分類性能の監視のためのシステムおよび方法が開示される。方法は、１つまたは複数の走査型検査ツールからの１つまたは複数の標本の１つまたは複数の特性の指標となる、１つまたは複数の信号を受信することと、前記１つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記１つまたは複数の信号に、１つまたは複数の分類規則を適用して、前記１つまたは複数の標本における１つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、１つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、前記１つまたは複数の走査型検査ツールから受信した１つまたは複数の信号に適用される１つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数と、前記１つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の１つまたは複数の相関を計算することと、を含みうるが、これに限定されるものではない。 （もっと読む）

【課題】下層パターンを上面パターン上から判別できない場合であっても、上下層の位置関係を高精度に測定可能なパターン検査方法を提供すること。
【解決手段】下層側の実パターンを撮像した下層画像パターンと下層設計パターンとの間の位置ずれ量を下層データとして下層のパターン毎に算出し、上層側の実パターンと下層側の実パターンとの間の所定範囲内でのグローバルな合わせずれ量を算出し、下層設計パターンと上層設計パターンとの間の位置関係を、グローバルな合わせずれ量に応じた位置関係に補正するとともに下層のパターン毎に下層データに応じた位置関係に補正し、補正された下層設計パターンの位置と上層側の実パターンを撮像した上層画像パターンの位置との間の合わせずれ量を上下層間の合わせずれ量として算出する算出ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】欠陥レビュー装置などで取得された欠陥画像と設計データに基づくレイアウト画像とのマッチング処理の効率向上を図る。
【解決手段】欠陥画像処理装置は、設計データから得られるレイアウト画像５２と、欠陥画像５３から欠陥領域部分を除去した画像と、を正規化相互相関により画像マッチングし、そのマッチング結果として、レイアウト画像＆欠陥画像５４を表示装置に表示する。このとき、レイアウト画像＆欠陥画像５４には、欠陥画像５３と同じレイヤのレイアウト画像だけでなく、他のレイヤのレイアウト画像が欠陥画像５３に重ね合わせて表示される。従って、他のレイヤとの位置関係で発生するシステマティック欠陥の要因解析が容易になる。 （もっと読む）

【課題】 電子線を使う半導体検査装置のスループットを向上する。
【解決手段】
電子線を試料に向けて照射する電子源１４・６と、該試料を保持する試料ステージ１４・２２と、該電子ビームの試料へ向けた照射によって該試料の表面の情報を得た電子を検出する検出器１４・４と、該検出器１４・４に検出された電子に基づいて試料表面の画像を生成する画像処理ユニット１４・５と、電子源１４・６から試料ステージ１４・２２への１次電子光学系と試料ステージ１４・２２から検出器１４・４への２次電子光学系を分離するウィーンフィルタ１４・３と、を備え、電子銃１４・６から放出された電子線はウィーンフィルタ１４・３においてクロスオーバを形成すると共に、試料表面から放出された放出電子はウィーンフィルタ１４・３においてクロスオーバを形成し、１次電子光学系と２次電子光学系のクロスオーバの位置は、ウィーンフィルタ１４・３上で異なっている。 （もっと読む）

【課題】測長ＳＥＭの測定エラーの要因で、装置の稼動状況に最も負荷を与えている修正すべきレシピの順位付けと測定エラーのシーケンス検知を容易に視覚的に判断できるエラー要因抽出の表示方法及びその表示システムを提供することにある。
【解決手段】ビジュアル情報管理部１１０は、測長ＳＥＭから取り込んだログ情報等から、エラー率分布やエラー内訳グラフ、相関グラフなどのエラー要因抽出グラフを作成する。ビジュアル情報制御手段１１８のグラフ表示処理部１１８Ａは、エラー率算出処理部１１８Ｂによって求めた総処理数におけるロット或いは測定点エラー率からエラー率分布を作成する。強調表示処理部１１８Ｃは、入力手段１２０のパラメータで指定された管理レシピをグラフ上に強調表示する。等高線表示処理部１１８Ｄは、グラフ上でエラー数の面内分布を等高線で表示する。 （もっと読む）

【課題】検査の高速化を図ることができる電子ビームを用いた検査方法及び検査装置を提
供する。
【解決手段】電子銃１からの電子ビーム３６は対物レンズ９で収束され、試料１３に与え
られるリターディング電圧によって減速され、試料１３は移動しながら電子ビームで走査
され、試料１３から発生した２次電子３３はリターディング電圧により加速され、ほぼ平
行ビームとなって、対物レンズ９と試料１３との間に配置されたＥ×Ｂ偏向器１８により
偏向されて２次電子発生体１９を照射し、２次電子発生体１９から第２の２次電子２０が
発生して荷電粒子検出器２１によって検出される。検出されたその出力信号は画像信号と
して記憶され、記憶された画像は演算部２９及び欠陥判定部３０で比較され、欠陥が判定
される。 （もっと読む）

【課題】微細欠陥はコントラストが低く、検査時取得した画像の画質ばらつきにより、高感度かつ安定的に検査することが困難である。
【解決手段】電子線の照射によって取得された第１の検出画像を処理対象として１回目の判定処理を実行し、検出された欠陥候補の領域についてのみ第１の検出画像とは異なる検出画像（第２の検出画像）を取得して２回目の判定処理を実行する。この後、２回目の判定結果だけを欠陥検出結果として出力する。 （もっと読む）

【課題】検出画像を取得した被検査領域毎に閾値を最適化する手法はあるが、１枚の検出画像については１つ閾値だけを適用する。このため、１つの画像内に有意でない欠陥が含まれる場合でも、有意の欠陥と同じ感度レベルで検出される。
【解決手段】１つの検査領域内に複数の感度領域を設定して、１つの検査領域のうちＤＯＩ（Defect of interesting）が存在する領域の欠陥だけを他と区別して検出できる仕組みを提案する。具体的には、検査領域内の画像の特徴に基づいて、検査領域内に複数の感度領域を設定し、検出画像、差画像又は欠陥判定部の判定用閾値に、各感度領域の設定感度を適用する。 （もっと読む）

【課題】複数の検査工程を有する半導体装置の製造工程において、複数枚のウエハの内、特定のウエハに生じやすい不良および不規則に生じる不良を、簡便かつ早期に検出する検査技術を提供する。
【解決手段】成膜やエッチングなどの各加工処理工程の後の不良検査において、複数枚でセットのウエハを検査する際に、セット毎に検査するウエハを変更することで、特定のウエハに生じやすい不良および不規則に生じる不良を簡便かつ早期に検出することができ、各加工処理工程へのフィードバックを容易にすることができる。 （もっと読む）

【課題】焦点合せを欠陥候補の撮像領域外で行って、撮像画像の帯電やコンタミネーションを防ぐとともに、焦点のずれのない撮像画像を得ることができるレビュー装置及びレビュー方法を得る。
【解決手段】試料を移動させて、欠陥候補の位置を含む撮像領域に電子ビームを位置付け、電子ビームの光軸を平行移動させて、欠陥候補の画像を撮像する領域の外の焦点合せ領域に光軸を位置付け、焦点合せ領域で電子ビームを偏向させるとともに、電子ビームの焦点位置を変えながら、焦点合せ領域から発生した二次信号の強度を取得し、該二次信号の強度に基づいて合焦点位置を求め、その後、焦点合せ領域に位置付けられた電子ビームの光軸を欠陥候補の位置に移動させ、撮像領域に電子ビームを照射して発生する二次信号から画像を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細構造体パターンのエッチング深さなどの段差を測定することの出来る段差測定方法、段差測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】信号プロファイル生成部３５は、微細パターンに電子線を照射して得た走査画像から、フォーカス位置の異なる複数の信号波形のプロファイルを生成する。データ処理部３６は、生成された信号波形のプロファイルを微分し、微分プロファイルを生成する。データ解析部３８は、生成された微分プロファイルからパターンの上層部と下層部に相当する微分ピーク値を抽出し、フォーカス位置とともに記憶する。また、データ解析部３８は、微分ピーク値とフォーカス位置の関係図を作成し、関係図から微細パターンの段差を算出する。 （もっと読む）

【課題】欠陥等の分類精度を向上し得る半導体検査方法及び半導体検査システムを提供する。
【解決手段】半導体ウェハ上の欠陥の座標値と、欠陥の輝度に応じた第１の特徴情報とを第１の装置により取得するステップＳ１と、第１の装置により取得された欠陥の座標値に基づいて、欠陥の画像を第２の装置により取得するステップＳ２と、第２の装置により取得された欠陥の画像に基づいて、欠陥に関する第２の特徴情報を抽出するステップＳ３と、第１の特徴情報と第２の特徴情報とに基づいて、欠陥の種類を判定するステップＳ５，Ｓ６とを有している。 （もっと読む）

【課題】隣接するレジストパターン間の寸法を簡便に且つ精度良く測定することが可能なパターン寸法測定方法及び荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】測長ＳＥＭを用いて測定された隣接するレジストパターン１０２間の高さｈ１での寸法ＣＤｓと、レジストパターン１０２の断面画像から求められたレジストパターン１０２間の高さｈ２での寸法ＣＤｄとの相関関係を予め取得する。測定対象であるレジストパターン間の高さｈ１での寸法を測長ＳＥＭにより測定し、この測定した寸法を相関関係に基づいて校正する。高さｈ１は、クロム膜１００と接するレジストパターン１０２下面の高さであり、高さｈ２は、レジストパターン１０２のテーパー部１０２ａが存在しない高さである。 （もっと読む）