【課題】
本発明は、高真空排気が可能な真空室内のガス成分を、高精度に測定するガス測定方法、及び真空装置の提供を目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するための一態様として、真空室に当該真空室内のガス成分を測定する測定装置を備えた装置のガス成分測定法において、ガス成分測定時に、前記真空室の真空排気速度を下げることを特徴とするガス成分測定方法、及び装置を提案する。即ち、残留ガスの排気がされづらい環境を作り出した上で、ガス成分分析を実施する。 （もっと読む）

【課題】空気の循環装置をコンパクト化すると共にプローバ室内の露点を安定化し、信頼性の高い低温検査を行うことができる検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置１０は、プローバ室１２と、プローバ室１２の背面に沿って配置され且つプローバ室１２内の乾燥空気を循環させる循環装置１３と、循環装置１３及びプローバ室１２内の載置台を含む機器を制御する制御装置１４と、を備え、循環装置１３は、プローバ室１２内の乾燥空気を循環させる送風ユニット１３１と、送風ユニット１３１を介して循環する乾燥空気中から塵埃を除去するフィルタユニット１３２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を伴うことなく、被検査基板への異物の付着を抑制すると共に光学系の冷却が可能な欠陥検査装置を実現する。
【解決手段】検査部筐体１５の上部にファンフィルタユニット１６ｂが設けられ、除振台２０の上には光学系４０及びステージ３００が配置されている。清浄空気は気流２９ｃ→気流２９ｄ→気流２９ｅと流れる。光学系筐体４０８の側壁４０ａに沿う清浄空気の流れにより光学系４０を冷却する効果がある。被検査基板１上への異物付着防止用の清浄空気通路として光学系４０を収容する検査部筐体１５の内側壁と、光学系筐体４０８の側壁４０ａ及び底面と、除振動台２０の上面とを用いる構成としたので清浄空気通路用部材（仕切り板等）を別個に設けることなく、かつ、光学系冷却手段を別個に設けることなく清浄空気通路を形成して被検査基板への異物付着を抑制でき、光学系４０の冷却も行うことができる。 （もっと読む）

【解決手段】
この発明は、定義された熱条件の下で試験器内の試験物質（７）を検査する方法に関する。そのような専門家に試験器( プローバ )として知られた検査装置は、少なくとも二つのハウジング部分を備えるハウジングを有し、そのうち以下で試験室（２）と呼ばれる一方のハウジング部分に検査すべき試験物質（７）がチャック（５）によって保持され、定義された温度に調整され、以下でソンデ室（３）と呼ばれる他方のハウジング部分にソンデ（２３）が保持される。試験物質（７）とソンデ（２３）を検査するために、少なくとも一つ位置決め装置によって互いに相対的に位置決めされ、続いて試験物質（７）がソンデ（２３）によって接触される。検査中に熱条件を安定化するために、ソンデ（２３）がソンデ室（３）を貫流する温度調整されたガス流（１１）によって試験物質（７）の温度と無関係な温度に調整され、この温度が保持される。
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【課題】 表面再結合とバルクの再結合とを区別することを可能とし、バルクの少数キャリアの再結合ライフタイムτ_r を区別して測定できる事を可能とし，ウェハ基板内の金属汚染であるかどうかの選別できるようにする。
【解決手段】 表面再結合の抑制としては、ウェハボート搬出時に導入ガスであるN2ガスをウェハボート内のウェハに均一に流れるようする事で改善が見込まれる。実際のウェハボート位置の影響をなくす方法として、ウェハボートを搬出する際の強制的な排気口の設ける事で解決できる。上記方法で処理を行うとウェハボート内のウェハに均一な流れのN2ガスがウェハ表面に導入されて、ウェハ本体の表面再結合とバルクの再結合とを区別することが可能となり、金属汚染管理がより正確な結果を得る事が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ウエハプローバと称される様な半導体ウエハの性能試験等に使用される試験装置で使用される恒温機器用配管を改良するものであり、放熱が少なく、且つ装置内で動かし易い恒温機器用配管の開発を課題とする。
【解決手段】恒温機器用配管２０は、ワイヤー（長尺状可撓性部材）２５を中心とし、配管保持部材２６を介してワイヤー２５の両端に往き側配管２１と戻り側配管２２が平行に固定された構造となっている。往き側配管２１の外径ｄは戻り側配管２２の外径Ｄよりも小さい。往き側配管２１にも戻り側配管２２にも断熱材は無い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ドライエアの使用量を抑えるとともに、検査前後における半導体装置の結露を確実に防ぐことができる検査装置及び検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ドライエアが供給された検査室１０で、半導体装置Ｗを低温状態にして電気的特性を検査する検査装置１００であって、
前記検査室１０に隣接配置され、検査前の前記半導体装置Ｗを載置して待機させる第１の予備室２０と、
前記検査室１０に隣接配置され、検査後の前記半導体装置Ｗを載置する第２の予備室３０と、
前記第１の予備室２０に、常温よりも低い温度の低温ドライエアを供給する第１予備室ドライエア供給手段２１と、
前記第１の予備室２０内のエアを排気する第１予備室排気手段２２と、
前記第２の予備室３０に、常温のドライエアを供給する第２予備室ドライエア供給手段３１と、
前記第２の予備室３０内のエアを排気する第２予備室排気手段３２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、検査する試験基板（１）を温度調節可能なチャック（２）によって保持して所定の温度に設定し、少なくとも一つの位置決め機器（３，４，５，６，７，８）を用いて、検査プローブ（３２）に対して相対的な位置に試験基板（１）を配置して、検査のために検査プローブ（３２）と接触させる、所定の温度条件の下で試験基板（１）を検査する方法及び装置に関する。温度調節機器（２０，２７，２８）を用いて、温度調節する試験基板（１）の周辺領域に有る、位置決め機器（３，４，５，６，７，８）の少なくとも一つの部品の温度を試験基板（１）の温度と独立して設定するとともに、その温度を一定に保持することを提案する。
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【課題】設置環境の温度変化による架台内部の温度影響を可及的に小さくすることである。
【解決手段】基板を測定するための測定機器を収容する測定機器用架台であって、前記測定機器が内部に配置される枠体３と、前記枠体３に設けられ、前記測定機器の少なくとも側方を囲む内面板６１及びその内面板６１との間に気体層を形成する外面板６２からなる二重壁構造４と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の測定対象物の清浄度を向上させるとともに照射光学系及び検出光学系の温度安定性を向上させることである。
【解決手段】測定対象物Ｗに検査光を照射する照射光学系１０１及び前記測定対象物Ｗからの生じる光を検出する検出光学系１０２を収容する測定装置用架台１であって、架台１内部に送風を行う送風機構８からの気体流を少なくとも２つに分流する分流機構を備え、当該分流機構により分流された一方の流れを照射光学系１０１及び検出光学系１０２に当て、他方の流れを流速を上げて前記測定対象物Ｗに側方から当てる流量分配構造９を備えている。 （もっと読む）

【課題】物品載置面の温度ばらつきがより小さいサーマルプレート等を提供する。
【解決手段】サーマルプレート１は、プレート本体２と、断熱材３と、電気ヒータ（ヒータ）５とからなる。プレート本体２の内部にはキャビティ８が形成されている。プレート本体２の底面には、キャビティ８に連通する二つの開口１１、１２が設けられ、それぞれが冷媒導入口、冷媒排出口として機能する。プレート本体２の周面部は断熱材３で覆われている。そのため、サーマルプレート１では、キャビティ８内の冷媒（熱媒体）から物品載置面７へ熱が伝わる際に、プレート本体２の周面部からの放熱を抑えることができる。その結果、物品載置面７への熱的な影響を軽減させることができ、物品載置面７の温度分布をより均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】循環する媒体による帯電の影響を緩和した、基板の温度を制御する基板温度制御装置と、当該基板温度制御装置を用いた半導体検査装置を提供する。
【解決手段】基板を保持する保持台１０１と、前記保持台に、前記基板の温度を制御するための媒体を循環させる循環路１０４と、前記循環路に設置された、前記媒体を通過させる微細孔を複数有する、前記媒体の帯電を緩和するための電極１１２と、を有することを特徴とする基板温度制御装置。 （もっと読む）

【課題】薄膜のポアソン比を簡易且つ直接求め得る薄膜ポアソン比の測定方法、及び測定装置を提供すること。
【解決手段】薄膜ポアソン比の測定方法は基板上に堆積された薄膜のポアソン比を測定する方法である。薄膜の面内方向における二軸熱応力の温度勾配と、薄膜に垂直な方向における膜厚に沿った熱膨張歪と、膜厚の弾性率と、基板の熱膨張係数を測定又は算出し、これらを所定の式に導入して演算する。
上述の薄膜ポアソン比の測定方法を実行する装置である。二軸熱応力の温度勾配を求めるため基板の曲率測定を行うレーザー光測定手段と、熱膨張歪を求めるＸ線反射率測定手段と、基板と薄膜を加熱及び冷却する熱処理手段と、基板と薄膜を収容し内部に不活性ガスを充填・排出する試料収容器と、所定の式に従って演算処理をする演算処理手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に常温を基準として低温及び高温を印加するに際して、容易・迅速且つ確実に検査体の温度を均一に調節し、検査体の局所的の温度差に起因する検査体の変形の発生を防止し、半導体基板の信頼性の高い電気的検査を実現する。
【解決手段】 第２の温度制御機構２０は、所期の温度の気体、ここではエアーを循環させる気体循環部２１と、装着されたプローブカード４の上下面にそれぞれ設置される一対の温度センサ２２と、気体循環部２１で循環されるエアーの温度を調節制御する気体温度制御部２３とを備えて構成されている。 （もっと読む）

【課題】設定温度を高温から低温に変更する時の変更に要する時間を短縮したプローバの実現。
【解決手段】ウエハW上に形成された複数の半導体装置をテスタで検査をするために、テスタの各端子を半導体装置の電極に接続するプローバであって、ウエハを保持するウエハチャック18と、ウエハチャック18を冷却して保持したウエハを低温にするチラーシステムと、を備え、チラーシステムは、冷却液を供給する冷却液源28と、ウエハチャックを冷却するように設けられたチャック冷却液経路27と、チャック冷却液経路のバイパス経路41と、冷却液源からチャック冷却液経路及びバイパス経路に冷却液を循環させる循環経路29と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高温又は低温などで検査を行う場合にも、スループットが低下せず、高い位置決め精度が維持できるプローバの実現。
【解決手段】ウエハW上に形成された半導体装置の動作を電気的に検査するため、テスタの各端子を半導体装置の電極に接続するプローバであって、筐体11,20,21,22と、筐体に収容され、ウエハステージ18を移動及び回転するステージ機構12-17と、カバー27,28と、供給する気体の温度を調整可能な気体供給源41と、カバーで覆われた空間に気体供給源からの気体を送風する送風機42と、ウエハステージ以外の少なくとも一箇所の温度を検出する温度センサ45,46と、気体供給源から供給する気体の温度を調整して、温度センサの検出した温度が変化しないように気体供給源を制御する制御部47とを備える。 （もっと読む）

【課題】 工場全体に亘るような大掛かりな装置を用いなくても、排出エネルギーを回生できるようにした半導体試験装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子の電気的特性試験の際に使用するプローバ装置１００であって、ウエーハＷを載置するためのメインチャック１０と、メインチャック１０を収める筐体５０と、筐体５０に設けられた送風口５１及び排気口５３と、送風口５１を通して筐体５０内に放熱用の風を送り込む送風機６０と、排気口５３を通して筐体５０外に出てくる排気を利用して電気を発電する発電機７０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 電気的負荷印加時の発熱によるウェーハ温度の面内温度のばらつきを低減することにより、プローブの消耗、焼けを防止し、信頼性の高いウェーハレベルバーンイン方法およびウェーハレベルバーンイン装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 温度調整用プレート１０６を少なくとも２つのエリアに分割し、そのエリアに対応して温度的負荷を印加するためのヒータ４０８とその制御系を分割して設定温度にそれぞれ独立に制御を行い、冷却源はヒータ４０８の制御用に各エリアに設置された温度センサ４０９の測定値を比較し、制御出力計算用の測定値を逐次切り替えることにより制御を行うことで、電気的負荷印加時の発熱によるウェーハ温度の面内温度のばらつきを低減することが可能となる。これにより、プローブの消耗、焼けを防止し、信頼性の高いウェーハレベルバーンイン方法およびウェーハレベルバーンイン装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】水銀プローブ法により測定されるシリコンウェーハの電気的特性からシリコンウェーハの品質を評価する際に、ウェーハの電気的特性を高い信頼性をもって効率的に測定する手段を提供すること。
【解決手段】水銀プローブ法を用いてシリコンウェーハの品質を評価する方法。少なくとも弗酸処理からシリコンウェーハ表面と水銀を接触させるまでの間、前記ウェーハを、実質的にウェーハ表面に自然酸化膜が形成されない環境下におく。水銀プローブ法を用いてシリコンウェーハの面内複数点の測定を行いシリコンウェーハの品質を評価する方法。少なくとも前記測定を、実質的にウェーハ表面に自然酸化膜が形成されない環境下にて行う。水銀プローブ法を用いて複数のシリコンウェーハの品質を評価する方法。弗酸処理を施した複数のシリコンウェーハを、実質的にウェーハ表面に自然酸化膜が形成されない環境下に保管し、前記保管された複数のシリコンウェーハを順次、前記測定に付す。 （もっと読む）

【課題】特許文献１に記載の脈動軽減装置の場合には、メインチャンバーを補助チャンバーの高い位置に配置し、メインチャンバー内で空気が溶け込んで増量した液体を補助チャンバーへオーバーフローさせ、その液分を補助チャンバー内の空気で置換するため、例えば、半導体ウエハ等の被処理体の検査装置のように被処理体を載置体上で冷却する場合には、載置体内を循環させる冷媒がメインチャンバー内で気化し易く、液体の気化容量が液体への空気等の溶解容量を上回り、メインチャンバー内の気体の圧力が上昇し、脈動軽減機能を損なう。
【解決手段】本発明の脈動軽減装置１０は、空間部を残して冷媒を貯留する第１タンク１５Ａと、第１タンク１５Ａにこれより高い位置に配置された状態で接続され且つ第１タンク１５Ａ内に冷媒を補充する補充タンク１５Ｂと、第１タンク１５Ａと補充タンク１５Ｂの空間部とを接続する気体抜き配管１５Ｃとを備えている。 （もっと読む）