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Fターム[4M109DA10]の内容

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Fターム[4M109DA10]に分類される特許

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【課題】虫等のリードへの侵入を防止することができ、湿気等によるリードのトラッキングを防止でき、低コストかつ組立て容易な電子部品、電子装置、電子機器および電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品1は、回路部2と、回路部2を封止する第1樹脂3と、回路部2に電気的に接続され、かつ第1樹脂3から突出するように延びる端部4aを有するリード4と、リード4より小さいヤング率を有する第2樹脂5とを備えている。第2樹脂5は、端部4aの先端部分4b以外を接して覆うように構成されている。 (もっと読む)


【課題】外観が良好な高品質のカードを提供する。
【解決手段】ICモジュール10がカード基材と一体化されてICカードが形成される。ICモジュール10は、モジュール基板11に設けられたICチップ12と、ICチップ12に電気的に接続されたアンテナ接続用端子11cと、モールド部14とを含む。アンテナ接続用端子11cは、ICモジュール10と一体化するカード基材に設けられるアンテナに、導電部材を用いて電気的に接続される。モールド部14は、チップ封止部14aと、アンテナ接続用端子11cに設けられたダム枠部14bとを有する。ダム枠部14bを設けることで、カード基材との一体化の際に用いられる導電部材の流出が抑えられ、カードの外観不良の発生が抑えられる。 (もっと読む)


【課題】外層のケースを用いない、また、小型化が容易となる電子モジュールを実現する。
【解決手段】この電子モジュール10は、板状のカード形状を呈しており、配線板12と、配線板12に実装された電子部品11と、接続端子13と、外層部15とを備える。電子部品11は、抵抗、コンデンサ等のチップ部品やIC(集積回路)である。接続端子13は、被接続モジュールの端子と電気的に接続する。外層部15は、プリプレグであって、ガラスクロスにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させたものが用いられる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置と外部回路とを接続させる際、モールドパッケージの外側において余分なスペースが発生せず、またはんだを用いず当該接続を可能せしめる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、半導体素子1,2および電極端子部3,4,6がモールドパッケージ部9により覆われている。また、モールドパッケージ部9の第一の主面内には、底面から電極端子部3,4,6が露出している第一の開口孔10,11が形成されている。そして、第一の開口孔10,11の開口部を塞ぐように、第一の主面上に固定される外部接続部材17A,17B,17Cと、第一の開口孔10,11の内部に配設され、弾性を有し、電極端子部3,4,6と外部接続部材17A,17B,17Cとを電気的に接続する第一のコンタクト部材16A,16B,19とを、備えている。 (もっと読む)


【課題】外部リード間の沿面距離を大きくするための絶縁性突起部の強度が高く、製造が容易な半導体装置の提供。
【解決手段】パッケージ本体から複数の外部リードが外側に突出している半導体装置であって、上記パッケージ本体に、互いに隣り合う外部リードの間に位置する絶縁性突起部が形成され、上記絶縁性突起部は、いずれか一方の外部リードにのみ接していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本体部に内蔵される様々な半導体チップのチップ特性に合わせて、様々な大きさの絶縁隔壁を本体部に取り付けることが可能となると共に、本体部の汎用性向上を図って半導体装置を安価に製造でき、さらに小型化する。
【解決手段】電気的な絶縁性を有し、互いに隣り合う一対の外部端子3cの間においてモールド樹脂4の上面4aから突出するように配されることで、これら一対の外部端子3cの絶縁距離を延長する絶縁隔壁11と、モールド樹脂4の上面4aと外部端子3cとの間に挿入される爪部12と、モールド樹脂4の上面4aと外部端子3cとの間において爪部12を外部端子3c側に押し付ける弾性部13とを具備し、爪部12と弾性部13とにより絶縁隔壁11をモールド樹脂4及び外部端子3cに対して固定する半導体装置Aを提供する。 (もっと読む)


【課題】汎用性に優れているうえ、外観不良や電気接続不良を招き難い高品質な半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体チップに対して電気接続された端子板12、13と、半導体チップ及び端子板の一端部を内部に封入するように成形された第1モールド樹脂15と、を具備する本体ユニット2と、上端面にナット21を組み込む収納凹部23が形成された第2モールド樹脂20を具備し、本体ユニットに対して着脱自在に組み合わされる分離ユニット3と、を備え、端子板の他端部は、第1モールド樹脂から突出すると共に、その突出方向の先端部13dが第1モールド樹脂の上方を覆うように折曲形成され、端子板の先端部にはねじ孔17が形成され、分離ユニットは、スライド移動により第1モールド樹脂の上端面と端子板の先端部との間に位置すると共にナットがねじ孔に対して対向配置されるように本体ユニットに対して組み合わされる半導体装置1を提供する。 (もっと読む)


【課題】本体部の外面上に複数の外部端子を配置した半導体装置において、本体部を大型化させたり部品点数を増加させることなく外部端子間の絶縁距離の増大を図る。
【解決手段】複数の外部端子12の少なくとも一つに、他の外部端子側を向く部位を切り欠く切り欠き部17が設けられ、この切り欠き部17によって、前記一つの外部端子12のネジ挿通孔16が前記他の外部端子側に向けて開放される。 (もっと読む)


【課題】電子部品の封止に汎用性の高い絶縁材料を用いるも、所期の小径とされた微細な貫通電極を有し、更なる微細化を可能とする信頼性の高い電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子部品内蔵基板20は、第1の絶縁層4A,4B(大径の無機フィラー9aを含有する。)と、第1の絶縁層4A,4B内に設けられた電子部品2A,2Bと、第1の絶縁層4A,4Bを貫通する貫通電極8とを備え、貫通電極8は、第1の絶縁層4A,4Bに形成された第1の貫通孔5に第2の絶縁層6(無機フィラー9aよりも小径の無機フィラー9bを含有する。)が埋め込まれ、第2の絶縁層6に第1の貫通孔5よりも小径の第2の貫通孔7が形成され、第2の貫通孔に導電材料8a,8bが配されて構成される。 (もっと読む)


【課題】熱放散性や製造容易性に優れ、かつ水分等の異物の侵入を抑えたCSP構造の半導体装置、並びにその半導体装置を構成するリードフレームを形成するための異形断面条及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様において、突起3が形成された部分であるアウターリードとしての2つの厚肉部2A、及び2つの厚肉部2Aの間のインナーリードとしての薄肉部2Bを有するリードフレーム5Aと、ボンディングワイヤ12を介して薄肉部2Bに電気的に接続される半導体チップ11と、リードフレーム5A及び半導体チップ11を封止する樹脂パッケージ14と、を含み、リードフレーム5Aの上面及び下面の樹脂パッケージ14に接触する部分に、突起3に平行な線状の微小溝4A、4Bが形成され、微小溝4A、4Bの深さは前記突起の高さよりも小さく、2つの厚肉部2Aの一部が樹脂パッケージ14の底面及び側面に露出する半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを内蔵した本体部の外面に、半導体チップに電気接続された複数の外部端子を配すると共に、外面から突出する平板状の絶縁隔壁を互いに隣り合う一対の外部端子間に配した半導体装置において、本体部の汎用性向上及び半導体装置の小型化を図れるようにする。
【解決手段】本体部5と絶縁隔壁71とを係合手段101によって係合させることで、前記絶縁隔壁71を前記本体部5に固定する構成の半導体装置1を提供する。また、前記絶縁隔壁71に、その突出方向先端から延出して、一対の外部端子43の上方を覆うカバー部72を一体成形した構成の半導体装置1を提供する。 (もっと読む)


【課題】封止部材から露出する基板の露出面を用いた放熱経路の放熱性を高め得る半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】環状部22が形成されたリードフレーム20が用意されて、露出面16が環状部22の内方から露出するように回路基板11がリードフレーム20に組み付けられるとともに、これら回路基板11およびリードフレーム20が接続される。そして、環状部22をモールド成形型60の壁面61に押し当てて露出面16を密閉した状態で当該モールド成形型60内に封止用材料を注入することで、露出面16を除き回路基板11およびリードフレーム20がモールド樹脂30により封止される。そして、露出面16に対して、接着剤51を介在させた状態で放熱板40が取り付けられる。 (もっと読む)


【課題】電力用半導体素子用の入出力端子機能を有するとともに、配置の自由度が高く、さらにデバイス全体の小型化が可能なパワーモジュールを提供する。
【解決手段】パワー回路11を収納したケース1内に第1樹脂が注入されて形成されるパワーモジュール101であって、導体フレームを上記第1樹脂とは異なる第2樹脂にて予めモールドして互いに電気的に絶縁しながら機械的に連結しかつ電気的回路を形成した成型部品206をケース内に備え、上記導体フレームは、当該パワーモジュールの外部端子、及びパワー回路との電気的接続端子を有する。 (もっと読む)


【課題】内部部品や金型の寸法を厳しく管理する必要のない、電極上出し構造の電力用半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の電力用半導体装置は、絶縁基板1と、絶縁基板1上面に形成された回路パターン6と、回路パターン6上に形成された電力用半導体7と、回路パターン6又は電力用半導体7上に直立して形成され、外部端子と導通する複数の金属製ソケット電極端子8と、複数の金属製ソケット電極端子8にそれぞれ上部から嵌合する両端が開口した複数のスリーブ部9が一体となった一体型樹脂製スリーブ10と、絶縁基板1、回路パターン6、電力用半導体7、電極端子8、一体型樹脂製スリーブ10を覆うモールド樹脂16と、を備える。一体型樹脂製スリーブ10は、樹脂平板12に複数のスリーブ部9が形成された構造である。 (もっと読む)


【課題】半導体素子で発生した熱を、簡易な構成で更に効率良く外部に放散させることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置10は、一方の主面12pが大気に露出している金属板12と、金属板12の他方の主面12q上に形成され、高熱伝導絶縁樹脂で構成される絶縁層14と、絶縁層14上に形成された導体パターン16と、導体パターン16に実装された半導体素子20と、導体パターン16に接合されたリードピン22と、金属板12の他方の主面12q側を覆う樹脂部24と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】高精度で信頼性の高い半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第1の主面および第1の主面とは反対側の第2の主面を有する基板10と、基板10の第1の主面上に実装された半導体チップ20と、半導体チップ20を封止した樹脂40と、基板10の第1の主面上に配置され、樹脂40の一部をレーザ加工により除去することで樹脂40から少なくとも一部を露出した半田ボール30と、基板10の第2の主面上に配置された半田ボール50とを有する。 (もっと読む)


【課題】塩害に対する信頼性が向上された、半導体素子を被覆する封止材から外部電極が露出する半導体装置を提供する。
【解決手段】アノード電極とカソード電極を有する半導体素子と、半導体素子を被覆する封止材と、カソード電極と電気的に接続され、少なくとも一部が封止材の外部に露出する第1の外部電極と、アノード電極と電気的に接続され、少なくとも一部が封止材の外部に露出する第2の外部電極と、第1の外部電極と直接に接触して、又は第1の外部電極と塩水により電気的に接続され得るようにして封止材の外部に配置された、第1の外部電極を構成するいずれの金属よりもイオン化傾向の大きい金属が含まれる犠牲金属体とを備える。 (もっと読む)


【課題】めっき層を有する金属板を用いて樹脂封止後に金属板を除去するようにした半導体装置用基板について、金属板の除去後にめっき層が封止樹脂と密着し、封止樹脂からめっき層が浮いた状態や剥離する事態が生じないようにした半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】金属板上にパッド部や端子部となるめっき層が形成され半導体素子を搭載して樹脂封止体で封止した後めっき層を樹脂封止体に残して金属板だけが除去されることになる半導体装置用基板であって、前記端子部は、前記金属板上に最初に金めっき層が形成され、その上に最上層が貴金属めっき層である複数層のめっき層を有し、0.01〜0.1mmの厚さで形成され、また前記端子部の輪郭形状は凹部を含む多角形状であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】車載用等の高い信頼性を要求されるQFN型パッケージは、リードの側面が、ほとんどリード間レジン突出部によって覆われているので、リフロー実装時に、半田フィレットが上手く形成されない。そこで、このリード間レジン突出部をパンチング金型によって機械的に除去しようとすると、パッケージ本体のクラックや端子変形を誘発する可能性が高い。これを回避するために、パンチング金型とパッケージ本体との間隔を取ると、今度は、樹脂残りが発生して、このリード間レジン突出部を完全に取り除くことができない。
【解決手段】本願発明は、複数のリードの外端部を束ねるタイ・バーを有する多連リードフレームを用いたQFN型パッケージの半導体集積回路装置の製造方法において、モールド・キャビティ外周とタイ・バー間に充填された封止レジンをレーザにより除去した後、半田メッキ等の表面処理を実行するものである。 (もっと読む)


【課題】外部端子がパッケージ底面に配置されている半導体装置を実装する際に、半田不良の有無を外観上で確認できるようにし、それによって、実装信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置10は、ダイパッド4と、ダイパッド4の上面に搭載された半導体素子5と、ダイパッド4の周囲に配置され且つ半導体素子5と電気的に接続された外部端子3と、外部端子3の上に形成された保護層2とを備えている。外部端子3には第1の貫通穴11Aが形成されていると共に、保護層2には、第1の貫通穴11Aと少なくとも一部が重なる第2の貫通穴11Bが形成されている。 (もっと読む)


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