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Fターム[4M112CA23]の内容

圧力センサ (26,807) | 素子の構造 (8,535) | ビーム(梁)型、重錘型素子 (4,892) | ビーム(梁)、重錘の構造、形状 (1,346) | ビーム(梁)、重錘を1箇所で支持するもの (162)

Fターム[4M112CA23]に分類される特許

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本発明は可動質量部(5)と固定部(2)により静電容量(3,4)の変化を利用して可動質量部(5)の変位を検出する加速度計に関する。可動質量部(5)に固設された一連のくし歯状の可動側電極(4)を備え、これらは固定部(2)に固設された一連のくし歯状の固定側電極と互いに入り込むように組み合わされている。各可動側電極(4)と各固定側電極(3)は可動質量部(5)の位置の関数として変化する可変静電容量を形成する。この加速度計は更に(i)可動質量部の変位を表示するために可動質量部(5)と固定部(2)との間の少なくとも一カ所における静電容量の変化を検出すると共に(ii)可動質量部(5)を原位置に復帰させるための静電気力を反復的に発生する電子回路を備えている。更に電子回路は変位の測定結果に自動的に追従して復帰用静電気力を発生させる。本発明では、反復的に発生される復帰用静電気力は特にその機械的出力の周波数スペクトル(10,20)が可動質量部(5)及び/又は固定部(2)の各電極(3,4)の機械的共振周波数で実質的にゼロ出力となる領域をもつように設定されている。
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【課題】半導体基板に形成した三次元構造体を封止する中空構造のサイズを小さく、かつ簡素化する。また、前記構造体と半導体チップとの熱膨張係数の差による熱応力等に起因する特性の変化を防止する。
【解決手段】半導体基板に三次元構造体を形成した半導体チップを中空構造で封止した半導体装置において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。また、その製造方法において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成する工程と、前記凸部に蓋部材を接着する工程とを有し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。上述した本発明によれば、半導体チップの凸部と蓋部材とによって中空構造を構成するため、中空構造に要するスペースが小さくなり、凸部が半導体チップと同一材料であり、熱膨張による応力を防止することが可能となる。 (もっと読む)


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