【課題】本発明は、検出精度の劣化を低減または防止し、かつ周りの部品等との干渉の発生も低減または防止することができる加速度センサを提供することを目的とするものである。
【解決手段】第１、第２の片持ち梁部２，３の断面の高さ方法にｘ軸を設定し、前記片持ち梁部２，３の断面の上端をｘ＝０、前記片持ち梁部２，３の断面の下端をｘ＝ｈとし、かつ前記片持ち梁部２，３の断面の幅をＷ（ｘ）としたとき、前記片持ち梁部２，３の断面形状を、０＜ｘ＜ｈにおいて、Ｗ（ｘ）≦Ｗ（０）またはＷ（ｘ）≦Ｗ（ｈ）が成立し、Ｗ（ａ）＜Ｗ（０）かつＷ（ａ）＜Ｗ（ｈ）が成立する０＜ａ＜ｈなるａが存在するような形状にしたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ピエゾ抵抗素子の形状、抵抗値、および温度変化による抵抗値変化の特性のばらつきを低減させ、検出精度を高めることができる加速度センサを提供することを目的とするものである。
【解決手段】固定部１と、この固定部１に接続された第１、第２の片持ち梁部２，３と、この第１、第２の片持ち梁部２，３の先端にそれぞれ形成された第１、第２のおもり部４，５と、前記第１、第２の片持ち梁部２，３のそれぞれに形成された第１〜第４のピエゾ抵抗素子６〜９とを備え、前記第１、第２の片持ち梁部２，３および第１、第２のおもり部４，５をそれぞれ同一形状にするとともに、同一平面上に同じ向きに並べて構成したものである。 （もっと読む）

【課題】外乱ノイズ対策を施しセンサ感度を向上しつつ故障検知が可能な加速度センサを提供することを目的としている。
【解決手段】加速度に起因して可動する可動電極４ａ、４ｂとこの可動電極４ａ、４ｂに対向配置させた２つの検出電極２ａ、２ｂとを有する検知素子６と、交流バイアス電圧信号を可動電極４ａ、４ｂに入力するドライブ回路７と、２つの検出電極２ａ、２ｂから出力された２つの検出信号に基づいて加速度信号を出力する検出回路１７とを備え、この検出回路１７において、２つの増幅器８ａ、８ｂに入力する基準電圧信号とは別に、検知電圧印加部１８から検知電圧信号を増幅器８ａ、８ｂに入力して、差動検出器９から出力される検知差動信号に基づいて故障を検知する故障検知手段を設けた構成である。 （もっと読む）

【課題】 経済性、高速応答性を実現できる微小電気機械構造を提供すること。
【解決手段】 微小電気機械構造１は、その一部または全部が外郭３によって中空内部２が形成された形状の筒状構造により構成される、いわば「擬似厚膜構造」である。筒状構造の外郭３は半導体電子回路製造の可能な製造装置を用いてなされる薄膜製造過程により効果的に形成することができ、軸方向が単一方向上にある方形の微小電気機械構造１が得られる。これとベース９、おもり８によりＭＥＭＳ加速度センサを構成できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高性能のLSIの性能を維持しながら、応力制御したMEMS構造体を形成し、両者を1チップ上に集積化することにあり、さらにMEMS構造体を電気的・化学的に保護し、かつ、MEMS可動部全体を低応力化することにある。
【解決手段】MEMS構造体に、低温成膜可能な金属シリコン化合物膜を用い、成膜時の温度T1を、成膜以降の製造プロセスで必須となる、高性能LSIの特性を劣化させない熱処理温度T2と、偽結晶化温度T3に照らし合わせて、任意に選択することにより、MEMS構造体の完成時点での残留応力を制御する。 （もっと読む）

【課題】２本のビームによる片持ち構造を採用しながらも各ビームに生じる応力の差による出力誤差の発生を低減できる半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】半導体基板からなる矩形枠状のフレーム１の内側に重り部３が配置され、フレーム１と重り部３とは可撓性を有した２本のビーム２ａ，２ｂにより連結される。重り部３は加速度が作用すると変位し、重り部３の変位によりビーム２ａ，２ｂに応力が生じる。ビーム２ａ，２ｂは片持ち構造であって、２本のビーム２ａ，２ｂのうちの一方のビーム２ａにのみブリッジ回路を形成するゲージ抵抗６が配置される。ゲージ抵抗６は、ビーム２ａ，２ｂに生じた応力を抵抗値変化として検出する。 （もっと読む）

【課題】温度及びパッケージに対する感受性が低い、改良されたＭＥＭＳ加速度計を提供する。
【解決手段】本発明のある実施形態は、基板と、第１のセンサと、第２のセンサとを含む微小電気機械（ＭＥＭＳ）加速度計を提供する。第１のセンサは、基板の面に平行な第１の軸に沿って加速度を測定するように構成される。第２のセンサは、基板の面に垂直な軸に沿って加速度を測定するように構成される。第２のセンサは、第１の梁と、第２の梁と、単支持構造とを備える。単支持構造は、基板に対して第１及び第２の梁を支持しており、第１及び第２の梁は第１のセンサを囲んでいる。 （もっと読む）

【課題】小型化を実現し、耐衝撃性を向上させるとともに、形成を容易に行うことによって製造コストを削減する。
【解決手段】矩形枠状の支持部１と接合する上部ストッパ６及び下部ストッパ７は、段差部４５を上面４４に設けるとともに突起部５を下面４６に設ける錘部４を、空隙４７，４８を形成して覆っている。上部ストッパ６及び下部ストッパ７の錘部４との対向面には粗面部６２，７２が設けられている。錘部４は、撓み部２の撓みによって、右端から左端に向かうにつれて空隙４７が広くなるように支持部１に対して傾斜している。加速度αが印加されると、上記加速度αの大きさに応じて錘部４に力Ｆ＝Ｍα（Ｍは錘部４の重さとする）が発生する。力Ｆによって錘部４が揺動することで撓み部２が撓む。その結果、各ゲージ抵抗の抵抗値が変化し、センサ部３が、各ゲージ抵抗の抵抗値の変化を電圧信号に変換することによって加速度αを検出する。 （もっと読む）

【課題】小型化及び高精度化を実現するセンサを提供する。
【解決手段】ガラス基板からなるベースブロック１に、検出部が形成された半導体基板３とガラス基板４からなるセンサチップ２を陽極接合などにより複数接合し、多軸センサを製造する。ベースブロック１は、各センサチップ２に対して共有である。このセンサチップは、加速度センサチップ、力センサチップ、角速度センサチップ、モーションセンサチップ、温度センサチップ、圧力センサチップ、光センサチップ、バイオセンサチップのいずれか１つであり、何種類かのセンサチップを組み合わせて構成してもよい。 （もっと読む）

【課題】加速度センサーを内部に有することにより、圧力センサーと加速度センサーを別個設けることを不要として、またこの加速度センサーの耐湿性を向上させた圧力センサーを提供する。
【解決手段】ＴＦＴ基板１及び対向基板５の対向する面上に、夫々下部容量電極２及び対向基板容量電極６が設けられており、両基板の周辺部にシール材７を設け、このシール材７により、両基板間が所定の間隔になるようにシール材７により囲まれた空間が密封されている。この圧力センサーは、基板に加わる圧力を下部容量電極２と対向基板容量電極６間の容量変化から計測するが、圧力センサー内部のＴＦＴ基板上１に加速度センサー３が組み込まれている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをウェハレベルで積層して３次元半導体装置を製造する場合、加圧及び加熱を伴う電極接合工程がある。この工程では、ウェハ上の電極を所定の加圧・加熱条件により処理する必要があるが、ウェハ全体の圧力分布を加圧時間の関数として、また温度分布を加熱時間の関数として測定する手段がなく、加熱装置、加圧装置の機械的な動作パラメータの設定が正確に出来なかった。その結果、電極接合処理の歩留まりの低下を招いていた。
【解決手段】半導体ウェハ上にアツリョクセンサとしてピエゾ抵抗素子を集積化し、同時に測温素子を一体的に作りつけることにより、圧力分布及び温度分布を処理時間の関数として測定が可能になる。 （もっと読む）

【課題】垂直方向の加速度及び水平方向の加速度を共に検出することができ、垂直方向の加速度を十分な感度で検出することができる静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】第１及び第２のガラス基板１１，１８と、シリコン基板１６とにより構成されたキャビティ１７内で、揺動部材１６ａが被測定加速度により揺動する。揺動部材１６ａは導電体であるので、揺動部材１６ａが揺動することにより、第１及び第２固定電極１４，１９との間の静電容量が変化する。この変化を検知することにより加速度を測定することができる。揺動部材１６ａと第１及び第２固定電極１４，１９との間の第１及び第２静電容量、並びに第１及び第２固定電極１４，１９間の第３静電容量を検出するので、垂直方向及び水平方向の加速度をそれぞれ分離して求めることができる。 （もっと読む）

【課題】力学量センサの製造効率を高める。
【解決手段】 シリコン基板１を基板面からエッチングすることにより、支持部２、梁部３、可動部４およびマイクロレンズ５を形成するための基となる形成体２ａ、３ａ、４ａ、５ａを形成する。続いて熱酸化を行い、光学素子形成体５ａの各構造体間の間隙をシリコン酸化物で隙間なく埋め込み、マイクロレンズ５を形成する。続いてエッチングを行い、可動部形成体４ａおよび梁部形成体３ａと基板面とが接する部分を削除する。支持部形成体２ａおよび光学素子形成体５ａの各幅は、可動部形成体４ａおよび梁部形成体３ａの各幅よりもそれぞれ広く形成されているため、周囲のみが削除され、中央部は基部２ｂ、５ｆとして残る。 （もっと読む）

【課題】質量要素及びばねを含むマイクロメカニカルマススプリング系を製造する方法が提供されること。
【解決手段】基板が設けられ、基板は、ばねが形成されるセクションを画定するようにエッチングされる。表面層が基板の表面上に形成される。次いで、表面層からばねを形成するようにエッチングが行われ、さらなるエッチングにより、基板から質量要素及びばねが分離される。本方法に従って製造されるマイクロメカニカルマススプリング系を含む装置も提供される。 （もっと読む）

【課題】電極数が少なく、配線部が簡略化することができる静電容量型力学量センサを提供すること。
【解決手段】第１のガラス基板１１の主面１１ａ上に、圧力センサ用の固定電極１４ａ及び加速度センサ用の固定電極１４ｂが形成されている。固定電極１４ａの上方に感圧ダイヤフラム１６ａが配置され、固定電極１４ｂの上方に揺動部材１６ｂが配置されるように、シリコン基板１６が第１のガラス基板１１上に接合される。さらに、シリコン基板１６上には、揺動部材１６ｂが内包されるように第２のガラス基板１８が接合される。電極１３は、圧力センサの導電性可動部用の電極と加速度センサの導電性可動部用の電極とを兼ねており、圧力センサと加速度センサの共通電極である。 （もっと読む）

【課題】高品質で安価な半導体加速度センサを提供する。
【解決手段】封止体２の内部に位置する半導体チップ６と、チップ６を固定するタブ５と、外端が封止体２の外周面に露出するタブ吊りリード４と、チップ６の周囲に配置され封止体２の下面に露出する複数のリード３と、チップ６の電極とリード３を接続するワイヤとを有する半導体装置１である。チップ６はその上面に接触を嫌う部分（加速度センサ部）及び接触を嫌う部分から離れた位置に設けられる複数の電極を有する。タブ５のチップ６固定面には接触を嫌う部分に対面する窪み１２が設けられている。タブ５は複数の電極から外れたチップ６の上面に接着剤を介して接着され、チップ６の接触を嫌う部分は窪み１２内に位置しタブ５には直接触れない構造となる。半導体装置１はタブ５、タブ吊りリード４及びリード３を有する金属のリードフレームを用いて製造されるためコストが低減される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板にガラスを陽極接合した加速度センサの検査方法において、シリコン基板上の絶縁膜の膜厚を非破壊で簡単に評価できるようにする。
【解決手段】シリコン基板１と、シリコン基板１の上下に陽極接合されるガラス３、２と、シリコン基板１上に形成された絶縁膜のシリコン酸化膜７及びシリコン窒化膜８と、シリコン基板１内に形成された片持梁構造のカンチレバー１ａと、シリコン基板１の表面に形成されたピエゾ抵抗４とを備えた加速度センサ１０において、シリコン窒化膜８上に予め検査用を兼ねて設けたアルミ電極６と、シリコン基板１に導通するアルミ電極５bを備え、このアルミ電極５bとアルミ電極６の測定端子６aと間に容量計１１を接続して、シリコン基板１とアルミ電極６間の静電容量を測定する。この静電容量測定値から、シリコン基板１上の絶縁膜の膜厚を定量的に求めることができ、膜厚の良否を非破壊で容易に評価することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上の陽極接合パターンにガラスを陽極接合して形成される加速度センサの検査方法において、陽極接合の接合評価を精度良く効率的に検査する。
【解決手段】センサ１０のシリコン基板１上のアルミ電極６に上部ガラス３を接触させて陽極接合することにより形成される加速度センサの検査方法において、アルミ電極６の両端に測定端子６ａ、６ｂを設け、これにプローブ９を当て、その間の陽極接合前後の抵抗値を抵抗計１１で測定する。この測定された抵抗値の比較からアルミ電極６と上部ガラス３の接合度の検査を定量的に、高精度で効率的に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板にガラスを陽極接合した加速度センサの陽極接合の検査方法において、シリコン基板と陽極接合されたガラスの位置ズレを確実に検出する。
【解決手段】シリコン基板１に、シリコン基板１上に陽極接合するアルミ電極７を介して上部ガラス３を接合する陽極接合の検査方法において、アルミ電極７にその両端を上部ガラス３の外側に伸延した伸延部７ａを設け、この両端の伸延部７ａ間にプローブ１１ａ、１１ｂを接続して抵抗計１３により導通抵抗を測定する検査工程を設ける。この検査工程で測定した導通抵抗から、陽極接合後の上部ガラス３の位置ズレの検査を簡単、かつ効率的に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 各種の微細構造物の必須の機能を保証する空間を容易且つ迅速に形成するとともに、製造コストの飛躍的な低減を実現し得る微細構造物の作製方法を提供する。
【解決手段】 貴金属成分（Ｉｒ）とハロゲンとからなる前駆体を、微細孔５３の底部に吸着させるとともに、吸着させた前駆体にハロゲンラジカルを作用させて還元することにより前記貴金属の薄膜５７を形成した後、ハロゲンラジカルによるエッチングモードとして前記薄膜５７を触媒とする基板３のエッチングを急激に進行させることで基板３内における前記各微細孔５３の下方にキャビティ５２を形成する。 （もっと読む）