【課題】高い感度で外力を検出することができるＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】基板５０と、基板５０上に配置された第１の支持部５１及び第２の支持部５２と、第１可動電極１１を有し、第１可動電極１１から離間した位置において第１の支持部５１に固定され、外力により変位する第１の可動部１０と、第１可動電極１１と対向して配置された第２可動電極２１を有し、第２可動電極２１から離間した位置において第２の支持部５２に固定され、外力により変位する第２の可動部２０とを備え、第１可動電極１１と第２可動電極２１との対向位置Ａと第１の可動部１０の重心位置Ｃ１との間において第１の可動部１０が第１の支持部５１に固定され、第２の可動部２０の重心位置Ｃ２を挟んで対向位置Ａと対向する位置において第２の可動部２０が第２の支持部５２に固定されている。 （もっと読む）

【課題】 加速度センサにおいて、検出対象の加速度に対する応答性を改善する。
【解決手段】 支持部と、前記支持部に一端が結合している板ばね形の可撓部と、前記可撓部の他端が結合している錘部と、前記可撓部の歪みを検出する歪み検出手段と、を備え、前記錘部に、前記可撓部の厚さ方向と平行でない面を有する凹部および凸部が形成され、前記支持部に、前記錘部に形成された凹部の内側において当該凹部と対向する凸部と、前記錘部に形成された凸部と内側において対向する凹部とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】線形性および応答範囲を改善するために、２つのステータ歯のセットを備える二方向性平面外静電櫛駆動装置を提供する。
【解決手段】電気的に独立した、ステータ櫛歯の第１のセット（１３２）は、ステータ櫛歯の第２セット（１３６）からずれている。ローター櫛歯（１２４）のセットが、ステータ櫛歯の両方のセットに挟み込まれる。ステータ櫛歯の第１セットに付与される第１電圧は、ローター櫛歯をステータ櫛歯の第１セットに方に向けて引くように作用する。ステータ櫛歯の第２セットに付与される第２電圧は、ローター櫛歯をステータ櫛歯の第２セットの方に向けて引くように作用する。これにより、二方向動作が可能になる。機械的および電気的に独立であり、ローター櫛歯にはさみこまれるステータ歯の第１セットおよび第２セットの製造を可能にする製造方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】 強い衝撃を受けても破損しにくい加速度センサを提供する。
【解決手段】 枠部（Ｓ）と、前記枠部の内側に一端が結合している板ばね形の可撓部（Ｆ）と、前記可撓部の他端が結合している錘部（Ｍ）と、前記可撓部の歪みを検出する第一歪み検出手段（Ｐ１〜Ｐ４）と、前記枠部および前記可撓部および前記錘部のいずれかに設けられ前記錘部が予め設計された所定範囲より大きく変位することを抑制するダンパであって、前記錘部の運動方向に撓む板ばね形のダンパ（４０，４１）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】初期の製造工程において、電気的な接触なくとも機械的励起の試験を行う。
【解決手段】微細構造の共鳴エレメント（１４）を励起する方法に関し、このエレメントは１つの自由度に従って可動する。その方法は、当該微細構造に荷電粒子ビーム（５１）を作用する工程を備えており、そのビームは、エレメントの自由度に依存して交互運動に当該エレメントを動かすように構成されている。
１つの変形では、粒子ビームは前記自由度と平行な成分を持つ入射角で前記エレメントに作用される。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造工程によりクラックなどの形状不良が生じない微小デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】一表面側に凹所２２が形成された半導体基板１と、この半導体基板１の一表面側に固着され前記凹所２２を閉塞するベース３とを備え、半導体基板１の凹所２２の底面と一表面側と反対側の他表面側との間の部位は薄肉部２３であり、薄肉部２３は梁部形成予定領域２４と、エッチング予定領域２５と、を備え、エッチング予定領域２５にエッチングを施し、梁部形成予定領域２４に梁部１４が形成される微小デバイスの製造方法であって、エッチング予定領域２５内に全体に亘って薄肉部２３を貫通させてなる貫通孔２７を複数形成することにより、網目状部２６を薄肉部２３に形成する工程と、前記工程の後、エッチング予定領域２５にエッチングを施し、網目状部２６を除去し、梁部１４を形成する工程と、を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】振動体と検出電極との位置ずれを抑えることで静電容量変化の検出精度をより高くすることのできるＭＥＭＳ構造体、ＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持構造部１１と前記支持構造部１１に対して変位可能に支持された振動体１２ｂとからなる振動体部１Ａと、基板２１と前記基板２１上に形成された検出電極とからなる検出電極部２Ａとを備えるとともに、振動体１２ｂと検出電極とが間隔を空けて対向するようにして前記振動体部１Ａと前記検出電極部２Ａとが接合され、振動体１２ｂと検出電極との間の静電容量の変化を検出するように構成されたＭＥＭＳ構造体１００Ａにおいて、前記検出電極が互いに分離された複数の小電極２２ａ１〜２２ａｎから構成されていることにより、振動体部１Ａと検出電極部２Ａとが接合された状態での振動体１２ｂと検出電極との位置ずれに対応させて、１つ以上の小電極２２ａ１〜２２ａｎを選択することができるようにしている。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造工程によりクラックなどの形状不良が生じない微小デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】一表面側に凹所２２を形成することにより凹所２２に囲まれる機能部と凹所２２の外側にフレーム部１１とが設けられた半導体基板１とこの半導体基板１の一表面側に固着され凹所２２を閉塞するベース３とを備え、半導体基板１の凹所２２の底面と前記一表面側と反対側の他表面側との間の部位は薄肉部２３であり、薄肉部２３は梁部形成予定領域２４とエッチング予定領域２５とを備え、エッチング予定領域２５にエッチングを施し梁部形成予定領域２４に梁部１４が形成される微小デバイスの製造方法であって、エッチング予定領域２５の前記他表面側には凹部２１が形成されエッチング予定領域２５にエッチングを施すことにより凹部２１の底部をエッチングにより貫通させた後にエッチング予定領域２５を除去し、梁部１４を形成する工程を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】金属部材同士の接触が良好であり信頼性の高い構造を備える微小デバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板１０を用いて形成されセンサ部を備えるセンサ基板１と、センサ基板１の一表面側に接合されるカバー基板２とを備え、センサ基板１の一表面側に第１の接続用金属層１６が形成され、第１の接続用金属層１６を囲む所定領域を第１の接合用領域となし、カバー基板２のセンサ基板１側の表面には第１の接続用金属層１６に対向する位置に第２の接続用金属層２６が形成され、カバー基板２のセンサ基板１側の表面において第１の接合用領域に対向する位置を第２の接合用領域となし、第１の接続用金属層１６と第２の接続用金属層２６とが共晶結合され電気的に接続されるとともに、第１の接合用領域と第２の接合用領域が接合され、センサ部が閉塞されるようにセンサ基板１とカバー基板２とが接合されてなるようにした。 （もっと読む）

【課題】アルミ溶断による陽極接合の不良発生を抑制するウェハレベルパッケージ構造体を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１１と、この半導体ウェハ１１の一表面側に形成される絶縁膜１２と、この絶縁膜１２において前記半導体ウェハ１１と反対側に形成されるアルミ膜１３と、を含む積層構造を備えるセンサウェハ１と、このセンサウェハ１においてアルミ膜１３が形成された一面側に接合されるカバーウェハ２と、を備え、センサウェハ１において、アルミ膜１３の一部は、絶縁膜１２に設けられた貫通孔５内部に突出する凸部６を備えるように形成され、この凸部６と電気的に接触する半導体ウェハ１１の所定箇所をコンタクト部７となし、コンタクト部７を介して電流をアルミ膜１３に流すことによりセンサウェハ１とカバーウェハ２とをアルミ膜１３を介して陽極接合させてなるようにした。 （もっと読む）

【課題】微小デバイスチップの半導体基板表面における付着物による不良をチップレベルで検知できるようにする。
【解決手段】半導体基板１の一表面側にカバーガラス２が接着され、前記半導体基板の前記一表面側とは反対側の他表面側にベースガラス３が接着されてなる積層構造状のウェハレベルパッケージ構造体であって、前記積層構造状の複数の微小デバイスチップが集合してなり、複数の微小デバイスチップのうちの少なくとも一つの微小デバイスチップは、半導体基板の前記一表面側に接着されたカバーガラス２を分離し得る構造を備え、半導体基板１の前記一表面側が検査対象とされる検査対象用微小デバイスチップＴであるようにした。 （もっと読む）

【課題】陽極接合の際、錘部がガラスストッパに接着せず、錘部がガラスストッパに接触した場合でも異物が発生しない微小デバイスを提供する。
【解決手段】可動部と、可動部の周囲に設けられ可動部を可動可能に支持するフレーム１１と、を有するシリコン基板１と、可動部との間にギャップ５、６を設けるようにシリコン基板１のフレーム１１に陽極接合されるガラス基板２、３と、を備える微小デバイスであって、フレーム１１に陽極接合されるガラス基板２、３の接合面２２、３２の面粗度はＲａ＝２ｎｍ以下であり、ガラス基板２、３のシリコン基板１側の表面において可動部に対向する対向面２３、３３の面粗度はＲａ＝０．２乃至０．５μｍであるようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、加速度センサ全体の大きさの増大を抑制しつつ、電極部を臨む開口部を上基板に形成することができる加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る加速度センサの製造方法では、第二基板２０は、次の（Ａ）から（Ｅ）の工程により作成される。（Ａ）ガラスを構成要素として含み、第一基板１より厚さの薄い第一の層２０Ｄを用意する。（Ｂ）ガラスを構成要素として含み、第一の層２０Ｄよりも横幅の狭い、第二の層２０Ｕを用意する。（Ｃ）サンドブラスト加工処理により、第一の層２０Ｄに開口部２０ａを形成する。（Ｄ）工程（Ｃ）の後に、第一の層２０Ｄ上面におけるセンサ部の上方となる位置に、第二の層２０Ｕを配設する。（Ｅ）工程（Ｄ）の後、加熱による溶融接合または陽極接合により、第一の層２０Ｄと第二の層２０Ｕとを接合する。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く良好な接点を形成可能な接点デバイスの製造方法及び接点デバイスを提供すること。
【解決手段】導電性の基板上に立設された固定部材と、前記固定部材との間に接点を形成し得るように該固定部材から所定間隔をとって配置された可動部材とを形成するエッチング工程を含む接点デバイスの製造方法において、エッチング工程では、エッチングガスとデポジションガスとを共に用いて、エッチングと該エッチングにより形成される側壁の保護膜形成とを並行して行うことにより、スキャロッピングなどの凹凸のない平滑な接点を形成する。 （もっと読む）

【課題】３軸方向の加速度を検出することが可能でかつ容易に製造可能であるとともに小型化、低コスト化および周波数応答性の向上が可能な加速度センサを提供する。
【解決手段】 加速度センサ３００は、複数のセンサ素子２０１，２０２，２０３，２０４により構成されるセンサ素子群２００を含む。センサ素子２０１，２０２，２０３，２０４は共通の基板１０１上に異なる向きに形成される。センサ素子２０１，２０２，２０３，２０４はピエゾ抵抗素子を有するカンチレバーＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＬ４を含む。カンチレバーＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＬ４は基板１０１の一面から斜め上方に湾曲する。基板１０１は基台１１０上に取り付けられる。基板１０１上に空間が確保されるように基台１１０にケーシング１２０が取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いずに製造することができ、かつ、分離層を必要としない、ＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】シリコン基板２に凹部４が形成されており、その凹部４内に固定電極５および可動電極６が配置されている。固定電極５および可動電極６は、シリコン基板２の材料であるシリコン材料ではなく、タングステンからなり、シリコン基板２のパターニングにより形成されるものではない。そのため、シリコン基板２が高導電性を有している必要がない。したがって、高導電性のシリコン層を備えるＳＯＩ基板を用いなくても、低導電性のシリコン基板２を用いて、加速度センサ１を製造することができる。シリコン基板２が高導電性を有していないので、固定電極５および可動電極６が形成される領域をその周囲から絶縁分離する必要がない。そのため、その絶縁分離のための分離層を必要としない。 （もっと読む）

本願発明は加速度センサに関する。当該加速度センサはハウジング（５８）と第１の振動質量体（５０）とを有しており、当該第１の振動質量体は第１の非対称揺動台として構成されており、少なくとも１つの第１のばね（５４）を介して前記ハウジング（５８）内に配置されており、第２の振動質量体（５２）を有しており、当該第２の振動質量体は第２の非対称揺動台として構成されており、少なくとも１つの第２のばね（５４）を介して前記ハウジング（５８）内に配置されており、センサおよび評価装置（６６ａ、６６ｂ、６８ａ、６８ｂ）を有しており、当該センサおよび評価装置は、前記ハウジング（５８）に関する前記第１の振動質量体（５０）および前記第２の振動質量体（５２）の対応する回転運動に関する情報を求め、当該求められた情報を考慮して前記加速度センサの加速（６９）に関する加速度情報を定める。さらに、本願発明は、加速度センサの作動方法に関する。揺動台は、加速が存在する場合に対抗する回転運動を導き出す。信号の差分評価によって、測定信号を、場合によって生じるノイズ信号から解放することができる。
（もっと読む）

【課題】簡易な手順で、可動電極と固定電極との固着を抑制した上で、陽極接合を実現する。
【解決手段】第１架橋部材が第１接触端子１４４によって第１帯状部１４Ａを接地し、第２架橋部材が第２接触端子１４３によって第２帯状部１５Ａに加工電圧を供給し、第３架橋部材が第３接触端子１４１によって第３帯状部５４を接地し、第３帯状部５４を通じて、他方の外側基板の第１帯状部１４Ｂを接地する。また、第４架橋部材が第４接触端子によって第４帯状部に加工電圧を供給し、第４帯状部を通じて、他方の外側基板の第２帯状部１５Ｂに加工電圧が供給される。中央基板６は、接地端子によって接地され、中央基板６と、外側基板８Ａ，８Ｂの裏面側の一対の絶縁性基板７Ａ，７Ｂの間には、加工電圧が加わり、陽極接合が実行される。このとき、第１帯状部１４Ａ，１４Ｂおよび第１帯状部１４Ａ，１４Ｂに接続される部分（固定電極２Ａ，２Ｂ）は、接地されている。 （もっと読む）

【課題】キャップのハンドリングを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することを第１の目的とし、半導体装置のサイズを小さくすることが可能な構造を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】予めキャップウェハ５０にトレンチ５３、絶縁膜２５ｂ、埋め込み電極５４を形成し、センサウェハ４０とキャップウェハ５０とを接合する。キャップウェハ５０に形成したイオン打ち込み層５５を劈開面として該劈開面よりもキャップウェハ５０の裏面５２側を引き剥がし、トレンチ５３を貫通孔２５ａとし、埋め込み電極５４を貫通電極２５ｃとする。これによると、キャップウェハ５０は薄くされておらず、貫通孔２５ａも設けられていないので、キャップウェハ５０のハンドリングを向上できる。また、キャップ部２０に貫通電極２５ｃを設けたことでセンサ部１０の一面１０ａの面方向のサイズを小さくできる。 （もっと読む）

【課題】 小型化を図りつつ感度向上を図ることができるマイクロフォンの提供。
【解決手段】マイクロフォンは、ベース基板３１に形成された空所３１１上に架け渡されている第１の梁２３と、弾性部材２３ｂを介して第１の梁２３により弾性支持され、空所３１１内にてベース基板面に対して垂直に配置されている振動板２１と、ベース基板３１の空所３１１上に架け渡されている第２の梁２４と、第２の梁２４により支持され、空所３１１内にて振動板２１に隙間を介して対向配置されている固定電極２２とを、ベース基板３１に複数配置した。そのため、振動板２１および固定電極２２の面積を従来よりも大きくすることが可能となり、マイクロフォンの小型化を図りつつ、感度向上を図ることができる。 （もっと読む）