【目的】センサそのものでゼロ点温度ドリフトを補償できる可動ゲート電界効果トランジスタ型の加速度および角加速度センサを提供する。
【構成】加速度および角加速度の一方または両方に対して変位量が異なる可動ゲート電極の長手方向における複数の領域に対応させて、それぞれのチャンネル領域が配備され、それぞれの可動ゲート電界効果トランジスタが構成されている。図1では、可動ゲート電極として中央部を固定部43でシリコン基板１のゲート酸化膜13上に固定された一対の片持ち梁（左可動部41および右可動部42）をなす可動電極4cを有し、これの長手方向に4つ可動ゲート電界効果トランジスタ（それぞれに固定電極6および７、固定電極6aおよび7a、固定電極6bおよび7b、固定電極6cおよび7cが対応）が配備されている。 （もっと読む）

【課題】機能素子の可動部分を配置した空間の気密性の低下を抑制しつつ、小型化を実現できる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】表面１０ａに凹部１５が形成され、その凹部１５内に配置された可動部分を有する機能素子１００を備える変位検出用半導体チップ１０と、変位検出用半導体チップ１０の表面１０ａ上で凹部１５を囲んで環状に配置されたダイアタッチ材を含む結合部２０と、可動部分の変位を検出した機能素子１００が出力する検出信号を処理する処理回路３００を有し、空洞を形成するように凹部１５の上方を覆って結合部２０上に配置された信号処理用半導体チップ３０とを備え、結合部２０によって凹部１５が気密封止されている。 （もっと読む）

ＭＥＭＳセンサは、基板と、基板に連結されたＭＥＭＳ構造とを含む。ＭＥＭＳ構造は、基板に対して可動な質量を有する。また、ＭＥＭＳセンサは、ＭＥＭＳ構造から半径方向外側に位置付けられる基準構造を含む。基準構造は、その測定の正確性を向上させるために、ＭＥＭＳセンサに影響を及ぼし得る任意の環境変化を補償するための基準を提供するために使用される。一実施形態において、前基準構造は、前ＭＥＭＳ構造を実質的に包囲する。
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【課題】犠牲材料を利用した構造体製造プロセスにおける各種制約を緩和できる可動構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の犠牲材料と第２の犠牲材料とが、基板１上に堆積させられる。第１のパターン２ａと第２のパターン６ａとが、それぞれ、第１の犠牲材料と第２の犠牲材料とによって形成される。第１の犠牲材料から作成された第１のパターンは、第２の犠牲材料から作成された第２のパターン上に配置される。第１のパターンは、第２のパターンの周囲部分を覆わない状態で形成される。活性層３が、第１のパターンおよび第２のパターンの側壁の少なくとも全体と第２のパターンのその所定の領域とを被覆する。活性層は、第１の犠牲材料にアクセスすることを可能にするようにパターニングされる。第１の犠牲材料と第２の犠牲材料とは、選択的に除去され、固定領域によって基板１に固定された自由領域を備えた可動構造体を形成する。 （もっと読む）

【課題】質量体が裏面側ガラス基板および表面側ガラス基板に対し静電気力によって貼り付くのを防ぎ、過大な衝撃を受けたときにも質量体を損傷させるのを防ぐことが可能な容量式加速度センサと、裏面側ガラス基板および表面側ガラス基板の凹み部分に形成される貼り付き防止膜および衝撃緩衝膜として、安価で加工が行いやすいものを採用することが可能な容量式加速度センサの製造方法とを提供する。
【解決手段】裏面側および表面側ガラス基板６，７の凹み部分６ａ，７ｂに形成される貼り付き防止膜および衝撃緩衝膜としてＡｌ（ＮｉまたはＴｉも可）よりなる層８Ａ，８Ｂを設ける。その製造時には、層８Ｂが基板１のエッチング時に損傷を受けないように層８Ｂ上にシリコン窒化膜等の保護カバーを形成し、後に保護カバーを除去する。また、質量体４１の角部分を面取りする。 （もっと読む）

【課題】ウエハ状態で精密なリーク電流検査を行うことができ、製品形態でのロスを低減させたピエゾ式センサ装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板５上にピエゾ抵抗１１の両端に接続された少なくとも一対の拡散配線１２を実素子として備え、ピエゾ抵抗１１の出力値に応じて物理量を計測するピエゾ式センサ装置１であって、実素子の拡散配線１２とは別に拡散配線１２の最短配線間寸法Ｌ１と同一の最短配線間寸法Ｌ２を有し、相互に接続されない一対の検査用拡散配線１３と、各検査用拡散配線１３に電気接続された電極パッド１４と、を半導体基板５上に備える。 （もっと読む）

【課題】センサ基板とキャップ基板との接合信頼性を高めることができるセンサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の接合層１４と第２の接合層２４とを接触させてセンサ基板１およびキャップ基板２に所定の荷重を印加し（図１（ａ））、続いて、センサ基板１およびキャップ２それぞれに吸着しているガス成分を除去する脱ガス処理を行う（図１（ｂ））。その後、Ａｕ−Ｓｉ系の共晶温度以上であり且つゲッタ４の活性化温度よりも高い規定温度に加熱してシリコン膜１４ａのＳｉを第１の密着膜１４ｂを通して第１のＡｕ膜１４ｃへ拡散させるとともに第２のシリコン基板２０のＳｉを第２の密着膜２４ｂを通して第２のＡｕ膜２４ｃへ拡散させて第１の接合層および第２の接合層を溶融させる（図１（ｃ））。その後、上記共晶温度よりも低い温度に冷却する（図１（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】絶縁のために電圧等を印加する必要が無く、機械的強度の低下を抑えることができ、寄生容量を抑制可能な、互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域を有する構造体及びその製法を提供する。
【解決手段】互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域104を有する構造体は、導電性領域104の上面側に、可動に支持された可動子301が設けられ、可動子301は導電性領域104に対向する電極を有する。導電性領域104の下面を介して電気信号が授受可能に構成され、複数の導電性領域104間が、連続した酸化領域によって絶縁され、酸化領域は、複数の貫通孔103もしくは溝が形成された材料の酸化物102から成る。 （もっと読む）

微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサ（５２）は、基板（６２）と、前記基板（６２）から離間する可動素子（５８）と、前記基板（６２）上に形成されるサスペンションアンカー（６６，６８，７０，７２）と、そして前記可動素子（５８）を前記サスペンションアンカー群に相互接続する従動部材群（７４）と、を含む。前記ＭＥＭＳセンサ（５２）は更に、固定フィンガ群（７６）と、そして前記固定フィンガ群（７６）を前記基板（６２）に取り付ける固定フィンガアンカー群（７８）と、を含む。前記可動素子（５８）は開口部群（６４）を含む。前記サスペンションアンカー群のうちの少なくとも１つのサスペンションアンカーが、前記複数の開口部（６４）のうちの少なくとも１つの開口部内に設けられ、そして複数ペア（９４）の前記固定フィンガ群（７６）が、他の複数の開口部（６４）内に設けられる。前記ＭＥＭＳセンサ（５２）は対称に形成され、そして前記固定フィンガアンカー群（７８）の位置によってアンカー領域（１０３）を画定し、このアンカー領域内に、前記サスペンションアンカー（６６，６８，７０，７２）が配置される。
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【課題】ＭＥＭＳデバイスに温度補償用の温度センサを組み込む。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスは、シリコンサブアセンブリに接続されたシリコンピン１０８上に形成されたＰ−Ｎデバイス１１６を含み、このＰ−Ｎデバイスは、シリコンピンが第１ガラスウェーハの中に埋め込まれる前に、シリコンピンを製作するために使用されるシリコン基板の上に形成される。１つの実施形態では、Ｐ−Ｎデバイスを形成するステップは、不純物をシリコンピンの内部に選択的に拡散させるステップと、Ｐ−Ｎデバイスを温度センサとして動作するように構成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】微細電気機械システム（ＭＥＭＳ）慣性センサを用いて、面内線形加速度、面内回転、面外線形加速度、及び面外回転を判定及び／又は検知する方法を提供する。
【解決手段】慣性センサ１００は、２つの慣性質量１０２、１０４を備え、左側慣性質量１０２は、第１左上検知（ＵＬＳ）電極１０６と第１左下検知（ＬＬＳ）電極１０８との間にあり、右側慣性質量１０４は、右上検知（ＵＲＳ）電極１１４と右下検知（ＬＲＳ）電極１１６との間にある。慣性センサは、慣性センサの面外運動を検知するための上下の検知電極１０６及び１０８、検知電極１１０及び１１２、検知電極１１４及び１１６、検知電極１８１及び１２０を備え、これらは、それぞれの慣性質量１０２、１０４の面外運動を検知する電極対を形成する。面内回転は、電極対１０６、１０８及び電極１１４、１１６によって検知し、面内線形加速度は、検知櫛歯１２４、１２６によって検知し、面外回転は、内検知櫛歯１２４、１２６によって検知する。 （もっと読む）

【課題】平面外ＭＥＭＳデバイスから加速度および回転を決定するためのシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）慣性センサシステムおよび方法は、線形加速度および回転を決定するように動作させることができる。一例示的実施形態は、第１の電極対を介して第１のプルーフマスに第１の線形加速度再平衡力を加え、第２の電極対を介して第２のプルーフマスに第２の線形加速度再平衡力を加え、第３の電極対を介して第１のプルーフマスに第１のコリオリ再平衡力を加え、第４の電極対を介して第２のプルーフマスに第２のコリオリ再平衡力を加え、加えられた第１および第２の線形加速度再平衡力に対応する線形加速度を決定し、かつ、加えられた第１および第２のコリオリ再平衡力に対応する回転を決定する。 （もっと読む）

【課題】外力検知装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】第１のエッチングガスにより加工される上部層２と下部層４との間に、第１のエッチングガスにより加工されず第２のエッチングガスにより加工される中間層３を挟んだＳＯＩ基板１により、錘部７と支持部５と、これらを連結する肉薄の梁部６を形成する。外力に応じ、錘部７の変位と、これに伴う梁部６の変形とが生じる構成とする。錘部７と支持部５とを隔てる間隙部８の形成位置の上部層２を第１のエッチングガスにより溝形状に加工する上部層エッチング工程と、間隙部８の形成位置の下部層４および梁部６の形成位置の下部層４を第１のエッチングガスにより加工する下部層エッチング工程の後に、間隙部８の形成位置の中間層３を第２のエッチングガスにより加工する中間層エッチング工程を有する。上部層エッチング工程におけるエッチング溝９の平面形状を複数の方向性を持つ溝形状とする。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、フレームからの応力影響を抑制することのできる加速度センサを提供する
【解決手段】半導体基板からなるフレーム１と、フレーム１の内側に配置され加速度の作用により変位する錘部２と、錘部２を片持ち梁構造でフレーム１の内側面に連結するビーム３と、ビーム３に形成され錘部２に加速度が作用したときの錘部２の変位によりビーム３に生じる応力を抵抗値変化として検出するピエゾ抵抗４と、フレーム１に配置されピエゾ抵抗４からの信号を取り出す電極５と、を備える加速度センサにおいて、フレーム１とビーム３との間にビーム構造からなる応力緩和用ビーム６を形成するようになした。 （もっと読む）

【課題】 設計自由度の高いセンサを提供する。
【解決手段】 枠体と、前記枠体の内側に前記枠体と間隔を空けて設けられた乗載体と、
可撓性を有し、前記乗載体を支持するように前記枠体と前記乗載体との間に設けられる梁部と、前記乗載体に設けられた重錘と、前記枠体の前記梁部との接続部に設けられ、前記乗載体の変位に起因する前記枠体の変位を検出する変位検出素子とを含んでセンサを構成する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向の加速度を精度よく検出することができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサ５は、４つの振動体ペア７および４つの下薄膜６を備える。２つの振動体ペア７のそれぞれ一方の振動体７Ａには、Ｘ方向に並べて設けられた複数の櫛歯部を有する第１Ｘ方向電極が備えられ、それぞれ他方の振動体７Ｂには、Ｘ方向に並べて設けられた複数の櫛歯部を有する第２Ｘ方向電極が備えられている。他の２つの振動体ペア７のそれぞれ一方の振動体７Ａには、Ｙ方向に並べて設けられた複数の櫛歯部を有する第１Ｙ方向電極が備えられ、それぞれ他方の振動体７Ｂには、Ｙ方向に並べて設けられた複数の櫛歯部を有する第２Ｘ方向電極が備えられている。振動体７Ａ，７Ｂは、第１Ｘ方向電極または第１Ｙ方向電極の各櫛歯部と、第１Ｙ方向電極または第２Ｙ方向電極の各櫛歯部とが噛み合うように配置されている。 （もっと読む）

【課題】ダイシングに伴う収率の低下が抑制される加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板１０の主表面側に拡散抵抗配線１５を形成し、シリコン窒化膜１９ａを形成した後に、シリコン窒化膜１９ａ上に接合用金属層１７を形成するとともに、接合用金属層１７と上部キャップ３０との間に隙間が形成される部位とスクライブ線との間の所定位置にダイシング時の水流が隙間へ到達するのを防ぐための障壁１７ａを形成し、その後、第１のキャップを上記金属層を介して半導体基板に接合し、さらに第２のキャップを半導体基板の裏面側に接合する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳ部材を備えた半導体装置において、薄型化する。
【解決手段】 絶縁膜３およびシリコン基板１の上面中央部に設けられた凹部５内には、ＭＥＭＳ部材を構成する片持ち状の可動電極９が可動可能に配置されている。凹部５の周囲における絶縁膜３の上面には空間形成膜１０の下面周辺部が接着剤等を介して固着されている。この状態では、空間形成膜１０下における凹部５内には、可動電極９の可動を許容するための空間１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 感度の高い半導体力検出装置を提供する。
【解決手段】 梁状に加工した半導体薄膜、または、半導体薄膜と絶縁体薄膜あるいは金属薄膜を接合し、かつ梁状に加工した積層薄膜を備え、この半導体薄膜または積層薄膜によって形成される梁の弾性的な変形を検出することにより、この梁に加わった微小な力を検出するメカニカルな半導体力検出装置において、前記半導体薄膜、または前記積層薄膜を構成する前記半導体薄膜は、２次元の低次元量子構造として作用する、表面のフェルミ準位が拘束されたＩｎＡｓ薄膜であり、前記ＩｎＡｓ薄膜の膜厚が、当該ＩｎＡｓ薄膜に形成される量子準位が前記拘束された表面のフェルミ準位と一致する膜厚とした。 （もっと読む）

対称型差分容量センサ（６０）が、幾何学的中心である回転軸（７０）の周りに旋回可能な可動要素（６６）を備えている。前記要素（６６）は区分（８６、８８）を備えている。区分（８６、８８）はそれぞれ、回転軸（７０）から等しく離れて配置された止め具（９４、９６）を有する。また区分（８６、８８）はそれぞれ、異なる構成（１０４、１０８）のアパーチャ（１０２、１０６）を有する。アパーチャ（１０２、１０６）の構成（１０４、１０８）によって、区分（８６、８８）間で質量不均衡が生じる結果、要素（６６）が、加速度に応答して回転軸（７０）の周りで旋回する。またアパーチャ（１０２、１０６）によって、製造中のエッチ・リリースが促進され、要素（６６）が回転するときの空気制振が減る。アパーチャ（１０２、１０６）の下に設けられた電極（７８、８０）内にアパーチャ（１２６、１２８）を形成して、可動要素（８６）の二つの区分（８６、８８）間で容量を整合させ、同じ双方向駆動能力を実現する。
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