【課題】半導体力学量センサについて、センサの構造の簡略化、チップサイズの低減を図る。
【解決手段】半導体力学量センサのうちキャップ部２０においてセンサ部１０と対向する一面に第１絶縁膜２２、第１配線層２３、第２絶縁膜２４、および第２配線層２５によって構成される配線構造を設け、他方、センサ部１０にセンサ構造体１５〜１７を設ける。そして、キャップ部２０とセンサ部１０とを接合することで、配線構造をセンサ構造体１５〜１７に接続しつつ、センサ構造体１５〜１７を封止する構造とする。 （もっと読む）

【課題】重り部と第二のカバーとの間に働く静電引力を低減することのできる半導体加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】支持層１０の表面に埋込絶縁層１２と活性層１１とが順次積層して成るＳＯＩ基板を用いて形成され、内方に開口部２ａを有する矩形枠状の支持枠２、開口部２ａに配置される重り部３、支持枠２と重り部３とを一体に連結する撓み部４、で構成されるセンサ本体１と、撓み部４に設けられて重り部３への加速度の作用により撓み部４に生じる応力を検出するピエゾ抵抗５と、支持枠２の表面側に接合される第一のカバー６と、支持枠２の裏面側に接合される第二のカバー７と、を備え、重り部３における支持層１０と支持枠２における支持層１０とを電気的に接続する導電層８が撓み部４において形成され、撓み部４には空隙１４が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】落下検知センサを小型、且つ、安価に構成する。
【解決手段】落下検知センサ１は、可動電極とこの可動電極に対向配置された固定電極とをｘ軸，ｙ軸，及びｚ軸毎に有する３軸加速度センサ２と、可動電極と固定電極間の静電容量をｘ軸，ｙ軸，及びｚ軸毎に検出し、検出された静電容量からｘ軸，ｙ軸，及びｚ軸方向の加速度を算出するＡＳＩＣ３とを備え、可動電極と固定電極は静電容量が自由落下時に最大となるように対向配置され、ＡＳＩＣ３はｘ軸，ｙ軸，及びｚ軸の静電容量が所定値以上になった場合、自由落下していると判定する。 （もっと読む）

【課題】 センサ等を構成する構造体を１枚のマスクと簡単な工程で製造する方法を提供する。
【解決手段】 ＳＯＩ基板７の表面に金属膜８を形成し、金属膜８の表面に保護膜１２を形成する。その後に保護膜１２の表面にパターニングされたレジスト層１４を形成する。そのパターンに沿って保護膜１２と金属膜８と上層６を異方性エッチングし、トレンチ１５ａ、１５ｂを形成する。次に、遊離上層領域６ａ内に分散形成されているトレンチ群１５ａから中間層４を等方性エッチングし、遊離上層領域６ａ直下の中間層４を除去することによってベース層２から遊離上層領域６ａを遊離させる。この際に、固定上層領域６ｂの表面の金属膜８は保護膜１２によって保護される。使用するマスクは、レジスト層１４をパターニングする際の１枚ですむ。 （もっと読む）

【課題】 センサ等を構成する構造体において、１枚のマスクと簡単な工程で製造することができる構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳＯＩ基板７の表面に絶縁膜１２を形成する。絶縁膜１２の表面にパターニングされたレジスト層１４を形成し（１）、そのパターンに沿って絶縁膜１２と非絶縁性のシリコンの上層６を異方性エッチングし、中間層４に至るトレンチを形成する（２）。遊離上層領域６ａ直下の中間層４を等方性エッチングし、ベース層２と分離するに至るまでエッチングする。次に、固定上層領域６ｂ表面の一部に印刷法により金属膜８を形成する（３）。金属膜８を形成する工程では、フォトマスクを使用することがない。使用するフォトマスクは、レジスト層１４をパターニングする際の１枚のみである。 （もっと読む）

【課題】新規な構造にて高精度、高信頼性を図ることができる加速度センサを提供することにある。
【解決手段】絶縁物を表面に有する基板上に配置されたＳｉ層からエッチングにより形成された構造を有し、力学量により可動する可動電極部と、可動電極部に第１の溝部をはさんで対向する固定電極部とからなり、可動電極部と固定電極部がコンデンサ装置を形成する半導体力学量センサにおいて、可動電極部または固定電極部の少なくとも一つがＳｉ層からなる周辺部から第２の溝部により電気的に分離されており、可動電極部または固定電極部の少なくとも一つと周辺部との間における第２の溝部の側面が絶縁体により覆われるとともに、第２の溝部には充填体が充填されており、コンデンサ装置のためのリード線として働く配線層が第２の溝部を越えて可動電極部または固定電極よりなるコンデンサ装置の少なくとも一つの端子まで延びておりかつ該端子にて接触している。 （もっと読む）

【課題】静電容量変化にバラツキが生じにくく、検出精度の向上を図った加速度センサを提供することを目的としている。
【解決手段】加速度検出部を有する検出素子１を備え、この検出素子１は、可撓部を介して錘部２を連結した固定部４と、ギャップ規定手段により形成したギャップを介して錘部２と対向させた対向基板６と、錘部２と対向基板６の各々の対向面に配置した第１〜第４対向電極１４、１６、１８、２０とを有し、第１〜第４対向電極１４、１６、１８、２０の静電容量変化を検出して加速度を検出しており、ギャップ規定手段は、固定部４に感光性樹脂からなる突起部１３を形成するとともに、突起部１３に対向基板６を載置して形成した構成である。 （もっと読む）

【課題】信号線に発生する静電容量を低減して、特性向上を図ったセンサの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】加速度検出部を有する検出素子１を備え、この検出素子１は、可撓部を介して錘部２を連結した固定部４と、錘部２と対向させた対向基板６と、錘部２と対向基板６の各々の対向面に配置した第１対向電極〜第４対向電極１４、１６、１８、２０と、これら電極から引き出した信号線２１とを有し、加速度検出部では、錘部２と対向基板６の各々の対向面に配置した第１対向電極〜第４対向電極１４、１６、１８、２０の静電容量変化を検出して加速度を検出しており、対向基板６と第１対向電極〜第４対向電極１４、１６、１８、２０または信号線２１との間で発生する静電容量を抑制する抑制手段を設けた構成である。 （もっと読む）

【課題】信号線に発生する静電容量を低減して、特性向上を図ったセンサの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】加速度検出部を有する検出素子１を備え、この検出素子１は、可撓部を介して錘部２を連結した固定部４と、錘部２と対向させた対向基板６と、錘部２と対向基板６の各々の対向面に配置した第１対向電極〜第４対向電極１４、１６、１８、２０と、これら電極から引き出した信号線２１とを有し、加速度検出部では、錘部２と対向基板６の各々の対向面に配置した第１対向電極〜第４対向電極１４、１６、１８、２０の静電容量変化を検出して加速度を検出しており、全ての信号線２１の端部を検出素子１の上面側または下面側のいずれか一方側に配置し、信号線２１の端部にて実装基板と電気的に接続した構成である。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた電子部品、その製造方法、電子部品を用いた加速度センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に形成される絶縁層２８と、絶縁層２８上に形成され、外部端子と電気的に接続されるパッド２４と、を含む電子部品であって、パッド２４の底面に対応する基板１０および絶縁層２８の領域の少なくとも一つに形成される空洞２６が設けられている電子部品である。 （もっと読む）

【課題】Ｘ軸またはＹ軸の加速度の検出精度を向上した加速度センサを提供することを目的としている。
【解決手段】錘部２と基板６の各々の対向面に第１〜第４対向電極１４、１６、１８、２０を配置して形成した対向電極部を有し、第１〜第４対向電極１４、１６、１８、２０に基準電圧を印加し、第２、第４対向電極１６、２０における対向距離の拡大変位に起因した静電容量変化と、第１、第３対向電極１４、１８における対向距離の縮小変位に起因した静電容量変化とに基づいて加速度を検出しており、第１〜第４対向電極１４、１６、１８、２０の全ての対向距離が、拡大変位または縮小変位した場合は基準電圧を上昇または下降させた制御電圧を印加する構成である。 （もっと読む）

【課題】製造工程の煩雑化や構造の複雑化やコスト増加を回避しながら、耐久に対する信頼性を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】ｐ型とｎ型の何れか一方側に形成された半導体基板１３（１２）と、半導体基板１３の表面側領域に形成された前記ｐ型とｎ型のうちの他方側の配線パターン１７と、配線パターン１７を覆って半導体基板１３の表面上に積層形成されている絶縁層と２０、配線パターン１７の端部位置の上側の絶縁層部分に貫通形成されたコンタクトホール２１と、絶縁層２０上に、一端側をコンタクトホール２１を介して配線パターン１７の端部に接続させて形成されている導体パターン１８，１９とを有し、導体パターン１８．１９の下方側の半導体基板１３の表面側領域には、配線パターン１７と電気的に接続したダミーパターン２５を導体パターン１８，１９に対向して設ける。 （もっと読む）

【課題】基板の端部上に設けてあり、エッチングによる除去が可能な犠牲層と、犠牲層上にてその一端部が支持されており、曲げ変形可能な変形層と、変形層上に設けてあり、内部応力を有している応力層とを備える片持ち梁及び力センサにおいて、大掛りな装置を用いることなく、内部応力に比して靱性が高く破壊し難い応力層を形成することができ、また変形層に検出部を設けるときには、検出部と応力層との絶縁を考慮する必要のない片持ち梁及び力センサの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１、犠牲層２及び変形層３を順次積層してなる基礎部１０上にピエゾ抵抗素子４を設ける工程と、基礎部１０上に有機物を含む溶液を塗布し乾燥させて応力層５を設ける工程と、応力層５及び変形層３に、犠牲層２に至っておりエッチャントを流入させる流入凹部６を設ける工程と、流入凹部６に前記エッチャントを流入させて、犠牲層２の一部を除去する工程とを備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】 単純な構造を採りながら、静的・動的な加速度と角速度とを検出する。
【解決手段】 加速度検出部１００は、重錘体１１０と、周囲の台座１３０と、可撓性をもった板状橋梁部１２１，１２３と、その表面に埋め込まれたピエゾ抵抗素子Ｐとによって構成され、角速度検出部２００は、重錘体２１０と、周囲の台座２３０と、可撓性をもった板状橋梁部２２１，２２３と、その上面に固着された圧電素子Ｄ，Ｅとによって構成される。台座１３０，２３０は装置筐体４００に固定される。加速度により重錘体１１０が変位すると、板状橋梁部１２１，１２３が撓み、ピエゾ抵抗素子Ｐの電気抵抗の変化として加速度検出がなされる。圧電素子Ｅに交流信号を供給して重錘体２１０を振動させた状態で、角速度に基づくコリオリ力により重錘体２１０が変位すると、板状橋梁部２２１，２２３が撓み、圧電素子Ｄに生じる電荷により角速度検出がなされる。 （もっと読む）

【課題】キャップとセンサ基板との接合部位に作用する応力に起因してセンシング部に歪みが生じることを抑制するとともに、キャップ内への異物の侵入を抑制することが可能な半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】上部ガラスキャップ１２をカンチレバー１６が接続されたフレーム１４の一辺以外の辺に形成された金属薄膜２３を介してフレーム１４に陽極接合し、金属薄膜２３を介した陽極接合部以外における上部ガラスキャップ１２とフレーム１４との間に、上部ガラスキャップ１２とフレーム１４との間に形成される隙間を低減するための凸部２４を設ける。 （もっと読む）

【課題】外力検知センサの外力検出に対する信頼性を高める。
【解決手段】半導体から成る支持層３９と絶縁層４０と半導体から成る活性層４１とが積層一体化されているＳＯＩ基板３８の少なくとも周端縁部により構成される固定部３２と、固定部３２によって囲まれているＳＯＩ基板３８の領域にＳＯＩ基板３８を加工して形成され検知対象の外力によって可動する可動部３１，３３と、可動部３１，３３に加えられた外力の大きさが大きくなるにつれて大きくなる可動部の可動量を検出して外力の大きさを検知するための検知部３４とを有し、検知部３４は、ＳＯＩ基板３８における可動部形成領域の活性層４１に形成されている構成を備えた外力検知センサであって、ＳＯＩ基板３８における固定部形成領域の活性層４１には、ＳＯＩ基板３８の表面側から絶縁層４０に至る溝部２を、可動部形成領域を全周に渡って囲む形態で形成する。 （もっと読む）

【課題】性能の信頼性を高める。
【解決手段】半導体から成るベース３の表面の一部分に形成され応力変化に応じて電気抵抗の大きさが変化するピエゾ抵抗部２を有するピエゾ抵抗構造１であって、ベース３とピエゾ抵抗部２とのうちの一方はｐ型半導体と成し、他方はｎ型半導体と成している。ピエゾ抵抗部２の一端２Ｈ側が電圧印加手段の高電位側に、また、他端２Ｌ側が上記電圧印加手段の低電位側に、それぞれ電気的に接続されてピエゾ抵抗部２に電圧が印加されている状態において、ピエゾ抵抗部２とベース３とのＰＮ接合部分の空乏層Ｈの厚みＤを考慮して、ピエゾ抵抗部２の高電位側の端部２Ｈから低電位側の端部２Ｌにかけて電流導通路の実効断面積が等しくなるように連続的に又は段階的に幅又は厚みを変化させてピエゾ抵抗部２を形成する。 （もっと読む）

【課題】加速度強度が異なる加速度を検出する素子をひとつのチップに備えることで、一つの慣性センサで２つ以上の加速度範囲に対応した加速度検出を可能にする。
【解決手段】同一基板（ＳＯＩ基板２０）に加速度強度が異なる加速度を検出する慣性センサ素子３１を少なくとも２つ以上有することを特徴とする。その製造方法は、同一基板（ＳＯＩ基板２０）に慣性センサ素子３１を少なくとも２つ以上形成する慣性センサ１の製造方法であって、前記各慣性センサ素子３１を加速度強度が異なる加速度を検出するもので弾性支持体４２に変位自在に支持された質量部４３を有する慣性センサ素子３１で形成し、前記各慣性センサ素子３１を同一工程で形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可動子がある側の構造をシンプルに設計できて、感度を向上することができるセンサを提供することである。
【解決手段】センサは、可動に支持された可動子101と、可動子101に対して間隔を隔てて設けられた対向部材103との相対位置関係を検出する。センサでは、対向部材103が、可動子101に対向する対向部分、または対向部分に隣接する隣接部分に、不純物イオン導入部105を有する。不純物イオン導入部105の少なくとも一部が、可動子101と対向する面側と反対側の面に形成され、反対側の面から電気配線が取り出されている。 （もっと読む）

【課題】基板１に対して相対的に変位可能なサイズモ質量体２と電極面３とを備え、該電極面３が、少なくともサイズモ質量体２の部分と共に回路技術的に、サイズモ質量体２の変位に基づく容量を有する少なくとも１つのキャパシタを形成している形式の、マイクロマシン構造の慣性センサを改良して、マイクロマシン構造の慣性センサ特にＺセンサの出力信号に作用する、変動する表面負荷の影響を低下させる可能性を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの別の補助電極（５）が設けられていて、該補助電極（５）がキャパシタを形成する領域（４）の外側に位置していて、サイズモ質量体（２）の電位とは異なる電位に設定可能である。 （もっと読む）